JP2010199492A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 第１アイランドと、前記第１アイランドと分離して形成された第２アイランドと、前記第１アイランドまたは前記第２アイランドに一端が接近する複数のリードを用意し、前記第１アイランドの上面に第１半導体素子を固着し、前記第２アイランドの上面に第２半導体素子を固着する工程と、
   前記第１アイランドおよび前記第２アイランドの一側辺の一端側に配置された前記リードと前記第１半導体素子とを第１金属細線で接続し、前記第１金属細線と交差する第２金属細線により前記リードと前記第２半導体素子とを接続する工程と、
   モールド金型のキャビティに前記両アイランドおよび前記リードの端部を収納して、前記第１アイランドおよび第２アイランドの前記一側辺に対向する他側辺側の樹脂注入口から、前記キャビティに封止樹脂を注入する工程と、を備え、
   前記第１金属細線と第２金属細線とが交差する箇所において、前記第1金属細線は前記第２金属細線よりも、前記樹脂注入口に近接することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記封止樹脂を注入する工程では、
   前記封止樹脂の注入圧により変形した前記第１金属細線が、前記第２金属細線に接触することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記第２金属細線が複数本あることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記第１金属細線および前記第２金属細線が接続される前記リードの端部は、前記１半導体素子および前記第２半導体素子の上方に配置されることを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記第１金属細線と前記リードとの接続箇所は、前記リードの中央部よりも前記第２アイランド側に配置されることを特徴とする請求項１から請求項４の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記第１アイランドおよび前記第２アイランドの前記一側辺に沿って複数のリードが配置され、前記第１金属細線および前記第２金属細線が接続される前記リードは端部に配置されることを特徴とする請求項１から請求項５の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記第１金属細線および前記第２金属細線が接続される前記リードの端部は、前記封止樹脂が注入される前記モールド金型のゲートよりも上方に配置されることを特徴とする請求項１から請求項６の何れかに記載の半導体装置の製造方法。