JP2011054974A - ボロメータ用抵抗材料、それを用いた赤外線検出器用ボロメータ、及びその製造方法 - Google Patents
ボロメータ用抵抗材料、それを用いた赤外線検出器用ボロメータ、及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011054974A JP2011054974A JP2010197168A JP2010197168A JP2011054974A JP 2011054974 A JP2011054974 A JP 2011054974A JP 2010197168 A JP2010197168 A JP 2010197168A JP 2010197168 A JP2010197168 A JP 2010197168A JP 2011054974 A JP2011054974 A JP 2011054974A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bolometer
- resistance material
- infrared detector
- resistor
- antimony
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 50
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 22
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 26
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 14
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 8
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 8
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 8
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims description 6
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IBKBIJITWRZZBB-UHFFFAOYSA-N azanylidynestibane Chemical compound [Sb]#N IBKBIJITWRZZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CBJZJSBVCUZYMQ-UHFFFAOYSA-N antimony germanium Chemical compound [Ge].[Sb] CBJZJSBVCUZYMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910018315 SbOy Inorganic materials 0.000 claims 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 19
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 3
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 150000001463 antimony compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 VO x Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- DGJPPCSCQOIWCP-UHFFFAOYSA-N cadmium mercury Chemical compound [Cd].[Hg] DGJPPCSCQOIWCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/04—Casings
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/04—Casings
- G01J5/046—Materials; Selection of thermal materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明に係るボロメータ用抵抗材料は、アンチモン(Sb)に、窒素(N)、酸素(O)及びゲルマニウム(Ge)からなる群から選択された1つ以上の元素を含むものであって、このような抵抗材料は、優れた特性、すなわち、高いTCR、低い比抵抗及び低いノイズ定数 を有し、CMOS工程で一般的に用いるスパッタリング法を用いて容易に薄膜で製造され、非冷却型赤外線検出器のボロメータに抵抗体として用いることができ、赤外線検出器に優れた温度精度を具現することができる。
【選択図】図1
Description
(I)SbNx(0.03≦x≦0.25)の組成を有するアンチモン窒化物、
(II)SbOy(0.02≦y≦0.15)の組成を有するアンチモン酸化物、
(III)SbNxOy(0.02≦x+y≦0.25)の組成を有するアンチモン酸化窒化物、または、
(IV)GexSb(0.1≦x≦0.8)の組成を有するゲルマニウムアンチモン。
ボロメータ用抵抗材料として用いるために、上記薄膜の厚さは50〜100nmであり、比抵抗は0.5〜100Ω・cmであり、TCRの大きさは2%/K以上であることが好ましい。このような電気的特性を有するために、上記薄膜の組成は、SbNx(0.03≦x≦0.25)、SbOy(0.02≦y≦0.15)またはSbNxOy(0.02≦x+y≦0.25)に調節されることが好ましい。
次に、図3Cないし図3Hは、センサ構造体130の形成段階をさらに詳しく説明する図である。
本発明によって、窒素(N)及び/または酸素(O)が添加されたアンチモン(Sb)薄膜を、それぞれ100nm窒化シリコン(Si3N4)が形成されたシリコン単結晶基板に80〜120nm厚さに蒸着した後に比抵抗及びTCR特性を測定した。上記アンチモン化合物薄膜は、チャンバに窒素(N2)及び/または酸素(O2)が混合されたアルゴン(Ar)ガスを注入し、アンチモンターゲットに直流(DC)電源を印加する反応性スパッタリング法で蒸着した。スパッタリング条件による薄膜の特性を調査し、下記表1に示した。
上記窒素(N)及び/または酸素(O)が添加されたアンチモン(Sb)薄膜にゲルマニウム(Ge)またはチタン(Ti)が加えられたアンチモン系薄膜を、それぞれ100nm窒化シリコン(Si3N4)が形成されたシリコン単結晶基板に110〜150nm厚さに蒸着した後、比抵抗及びTCR特性を測定した。上記アンチモン系薄膜は、チャンバに窒素(N2)及び酸素(O2)が混合されたアルゴン(Ar)ガスを注入し、アンチモンターゲット及びゲルマニウムまたはチタンターゲットに直流(DC)電源を独立的に印加する反応性コスパッタリング法で蒸着した。スパッタリング条件による薄膜の特性を表2に示す。
本発明によれば、ゲルマニウム(Ge)が添加されたアンチモンSb薄膜をそれぞれ100nm窒化シリコン(Si3N4)が形成されたシリコン単結晶基板に80〜150nm厚さで蒸着した後、比抵抗及びTCR特性を測定した。上記アンチモン系薄膜は、チャンバにアルゴン(Ar)ガスを注入し、アンチモンターゲット及びゲルマニウムターゲットに直流(DC)電源を独立的に印加するコスパッタリング法で蒸着した。スパッタリング条件による薄膜の特性を表3に示す。
基板上に、犠牲層122として2μm厚さのポリイミドを、第1絶縁膜132、第2 絶縁膜140及び第3絶縁膜144としてそれぞれ100nm、50nm及び50nm厚さの窒化シリコン(Si3N4)を、補助電極134として300nm厚さのアルミニウム(Al)を、電極136として20nm厚さのチタン窒化物(TiN)を、抵抗体142として80nm厚さのゲルマニウム(Ge)が添加されたアンチモンSb薄膜(試片番号20)を用いて50×50μm2の大きさを有する赤外線検出器用ボロメータを製造した。製造されたボロメータを走査電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope、SEM)で撮影し、その結果を図4に示し、ボロメータのノイズの測定結果を図5に示す。
従来のプラズマ化学気相蒸着(PECVD)法によるa−Si薄膜を、100nm窒化シリコン(Si3N4)が形成されたシリコン単結晶基板に150nm厚さで蒸着した。チャンバに、SiH4 30sccm、PH3 60sccmの混合ガスを注入し、圧力を1.2Torrに調節した後、RF電力0.08W/cm2を印加して350℃に加熱された基板に蒸着した。蒸着されたa−Si薄膜の比抵抗及びTCR大きさを測定した結果、それぞれ30Ω・cm、2.4%/Kであった。
112 反射膜
114 金属パッド
120 空間
122 犠牲層
124、126 溝
130 センサ構造体
132、140、144 絶縁膜
134 補助電極
136 電極
138 吸収層
142 抵抗体
Claims (19)
- アンチモンSbに、窒素(N)、酸素(O)及びゲルマニウム(Ge)からなる群から選択された1つ以上の元素が含まれることを特徴とするボロメータ用抵抗材料。
- アンチモンが20at%以上の範囲内に含まれることを特徴とする請求項1に記載のボロメータ用抵抗材料。
- 前記抵抗材料は、SbNx(0.03≦x≦0.25)の組成を有するアンチモン窒化物であることを特徴とする請求項1に記載のボロメータ用抵抗材料。
- 前記抵抗材料は、SbOy(0.02≦y≦0.15)の組成を有するアンチモン酸化物であることを特徴とする請求項1に記載のボロメータ用抵抗材料。
- 前記抵抗材料は、SbNxOy(0.02≦x+y≦0.25)の組成を有するアンチモン酸化窒化物であることを特徴とする請求項1に記載のボロメータ用抵抗材料。
- 前記抵抗材料は、GexSb(0.1≦x≦0.8)の組成を有するゲルマニウムアンチモンであることを特徴とする請求項1に記載のボロメータ用抵抗材料。
- 前記抵抗材料には、遷移金属が30at%以下でさらに含まれることを特徴とする請求項1に記載のボロメータ用抵抗材料。
- 前記遷移金属としては、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、バナジウム(V)、ニオビウム(Nb)、タンタル(Ta)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)及びコバルト(Co)からなる群から1つ以上に選択されることを特徴とする請求項7に記載のボロメータ用抵抗材料。
- 赤外線検出器用ボロメータにおいて、
請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載のボロメータ用抵抗材料から形成される抵抗体を含むことを特徴とする赤外線検出器用ボロメータ。 - 前記抵抗体は抵抗が0.1〜10MΩであり、抵抗の温度係数(TCR)の大きさが2%/K以上であることを特徴とする請求項9に記載の赤外線検出器用ボロメータ。
- 前記抵抗体は、50〜100nmの厚さの薄膜であることを特徴とする請求項9に記載の赤外線検出器用ボロメータ。
- 前記ボロメータは、
内部に検出回路を含む半導体基板と、
前記半導体基板表面の一部領域に形成された反射膜と、
前記反射膜の両側に所定間隔離隔されて形成された金属パッドと、
前記反射膜の表面から離隔されて前記半導体基板の上部に位置する抵抗体を含むセンサ構造体と
を含むことを特徴とする請求項9に記載の赤外線検出器用ボロメータ。 - 前記センサ構造体は保護膜で覆われた抵抗体を含む積層体であって、前記反射膜上部に位置する胴部と、前記胴部の外側に前記金属パッドに機械的及び電気的に接続される固定部と、胴部と固定部とを連結する支持アームと、を含むことを特徴とする請求項12に記載の赤外線検出器用ボロメータ。
- 前記センサ構造体は、抵抗体の上下部に保護膜、電極及び吸収層が含まれることを特徴とする請求項12に記載の赤外線検出器用ボロメータ。
- 前記保護膜は、窒化シリコン(Si3N4)であることを特徴とする請求項14に記載の赤外線検出器用ボロメータ。
- 前記電極及び前記吸収層は、チタン窒化物(TiN)であることを特徴とする請求項14に記載の赤外線検出器用ボロメータ。
- 赤外線検出器用ボロメータを製造する方法において、
請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載のボロメータ用抵抗材料からスパッタリング法を用いて薄膜状で抵抗体を形成する段階を含むことを特徴とする赤外線検出器用ボロメータの製造方法。 - 前記ボロメータの製造方法は、
内部に検出回路が形成された半導体基板表面の一部領域に反射膜を形成し、前記反射膜の両側に所定間隔離隔して金属パッドを形成する段階と、
前記反射膜と金属パッドを含む半導体基板の全面に所定厚さの犠牲層を形成する段階と、
前記犠牲層の上部に抵抗体を含むセンサ構造体を形成する段階と、
前記犠牲層を除去する段階と
を含むことを特徴とする請求項17に記載の赤外線検出器用ボロメータの製造方法。 - 前記スパッタリング法は、直流(DC)または超高周波(RF)電源を印加する反応性スパッタリングまたは独立されたターゲットを使用するコスパッタリングであることを特徴とする請求項17に記載の赤外線検出器用ボロメータの製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20090082675 | 2009-09-02 | ||
KR10-2009-0082675 | 2009-09-02 | ||
KR10-2010-0026290 | 2010-03-24 | ||
KR1020100026290A KR100983818B1 (ko) | 2009-09-02 | 2010-03-24 | 볼로미터용 저항재료, 이를 이용한 적외선 검출기용 볼로미터, 및 이의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011054974A true JP2011054974A (ja) | 2011-03-17 |
JP5416058B2 JP5416058B2 (ja) | 2014-02-12 |
Family
ID=43010416
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010197168A Expired - Fee Related JP5416058B2 (ja) | 2009-09-02 | 2010-09-02 | ボロメータ用抵抗材料、それを用いた赤外線検出器用ボロメータ、及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8143579B2 (ja) |
EP (1) | EP2293034B1 (ja) |
JP (1) | JP5416058B2 (ja) |
KR (1) | KR100983818B1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015107597A1 (ja) * | 2014-01-20 | 2015-07-23 | パナソニック株式会社 | 赤外線センサ及びその製造方法 |
JP2015531868A (ja) * | 2012-08-22 | 2015-11-05 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツングRobert Bosch Gmbh | Cmosボロメータ |
JP2018197713A (ja) * | 2017-05-24 | 2018-12-13 | 三菱電機株式会社 | 赤外線センサおよび赤外線固体撮像装置 |
JP2019504491A (ja) * | 2015-12-16 | 2019-02-14 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフトTdk Electronics Ag | Ntcセラミック、突入電流制限用の電子デバイスおよび電子デバイスを製造するための方法 |
WO2019031234A1 (ja) * | 2017-08-10 | 2019-02-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出器 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130227809A1 (en) | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Pylon Manufacturing Corp. | Wiper blade |
KR101130263B1 (ko) | 2010-11-01 | 2012-03-26 | 한국광기술원 | 패럴린을 이용한 비냉각 적외선 센서 제조방법 |
US8765514B1 (en) * | 2010-11-12 | 2014-07-01 | L-3 Communications Corp. | Transitioned film growth for conductive semiconductor materials |
KR101892581B1 (ko) * | 2011-10-19 | 2018-08-29 | 삼성전자주식회사 | 온도 감지 장치 및 방법 |
US8900906B2 (en) * | 2012-03-08 | 2014-12-02 | Robert Bosch Gmbh | Atomic layer deposition strengthening members and method of manufacture |
CN103112817B (zh) * | 2013-02-04 | 2016-01-13 | 烟台睿创微纳技术有限公司 | 一种非制冷红外探测器塔式桥墩及其制作方法 |
WO2015048424A1 (en) * | 2013-09-27 | 2015-04-02 | Robert Bosch Gmbh | Titanium nitride for mems bolometers |
US9199838B2 (en) | 2013-10-25 | 2015-12-01 | Robert Bosch Gmbh | Thermally shorted bolometer |
DE102014213369B4 (de) * | 2014-07-09 | 2018-11-15 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Strahlungsdetektor und verfahren zur herstellung eines strahlungsdetektors und array von solchen strahlungsdetektoren |
DE102015208073A1 (de) * | 2015-04-30 | 2016-11-03 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Strahlungsdetektor, Array von Strahlungsdetektoren und Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsdetektors |
TWI615985B (zh) | 2015-12-25 | 2018-02-21 | 財團法人工業技術研究院 | 光感測元件及其製造方法 |
CN106219480B (zh) * | 2016-07-07 | 2018-04-13 | 烟台睿创微纳技术股份有限公司 | 一种非制冷红外3d mems系统结构及其制作方法 |
CN106298120B (zh) * | 2016-08-30 | 2018-09-04 | 珠海爱晟医疗科技有限公司 | 一种高精度高可靠钛钨金电极芯片及其制备方法 |
KR101897068B1 (ko) * | 2016-09-23 | 2018-09-07 | 한국과학기술원 | 파장 선택형 적외선 센서 및 이의 제조 방법 |
KR101838277B1 (ko) * | 2016-12-23 | 2018-03-14 | 한국과학기술원 | 볼로미터용 티타늄 산화막 및 그의 제조 방법, 티타늄 산화막을 이용한 적외선 감지소자 |
KR101942094B1 (ko) | 2017-09-05 | 2019-01-24 | 한국전자통신연구원 | 산소 리치 바나듐산화물 전자파 센서 및 그 시스템 |
KR101842955B1 (ko) | 2017-09-28 | 2018-03-29 | ㈜시리우스 | 선택식각 공정을 이용한 마이크로 볼로미터 제조방법 및 이에 따라 제조된 마이크로 볼로미터 |
KR102001385B1 (ko) * | 2018-01-15 | 2019-07-19 | 한국과학기술원 | 광대역 흡수구조를 갖는 고성능 볼로미터 |
US11788893B1 (en) * | 2021-04-22 | 2023-10-17 | National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc | Nanoscale bolometer operating near the thermodynamic limit |
CN113555471B (zh) * | 2021-09-23 | 2021-12-28 | 西安中科立德红外科技有限公司 | 基于半导体cmos工艺的红外传感器芯片及其制备方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05183208A (ja) * | 1991-07-10 | 1993-07-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 超電導素子及びその製造方法 |
JPH06120574A (ja) * | 1992-10-06 | 1994-04-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 超電導素子及びその製造方法 |
JP2001099705A (ja) * | 1999-07-26 | 2001-04-13 | Nec Corp | 熱分離構造を有する熱型赤外線検出器 |
JP2001272271A (ja) * | 2000-01-17 | 2001-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線センサ |
JP2003106895A (ja) * | 2001-10-01 | 2003-04-09 | Nec Corp | 熱型赤外線検出素子及びその製造方法 |
WO2005062394A1 (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-07 | Nec Corporation | ボロメータ |
JP2006278478A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Osaka Univ | 赤外線センサ用薄膜、その製造方法、およびそれを用いた赤外線センサ |
JP2007081225A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 赤外線センサ、および、その製造方法 |
JP2009192350A (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Nec Corp | 熱型赤外線検出器及びその製造方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3950645A (en) * | 1964-09-21 | 1976-04-13 | Massachusetts Institute Of Technology | Infrared detection tube |
US5286976A (en) | 1988-11-07 | 1994-02-15 | Honeywell Inc. | Microstructure design for high IR sensitivity |
US4968886A (en) | 1989-08-30 | 1990-11-06 | Texas Instruments Incorporated | Infrared detector and method |
US5288649A (en) | 1991-09-30 | 1994-02-22 | Texas Instruments Incorporated | Method for forming uncooled infrared detector |
US5602393A (en) * | 1995-06-07 | 1997-02-11 | Hughes Aircraft Company | Microbolometer detector element with enhanced sensitivity |
US6322670B2 (en) | 1996-12-31 | 2001-11-27 | Honeywell International Inc. | Flexible high performance microbolometer detector material fabricated via controlled ion beam sputter deposition process |
US5854587A (en) | 1997-06-26 | 1998-12-29 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | REx M1-x Mny O.sub.δ films for microbolometer-based IR focal plane arrays |
KR20010028525A (ko) * | 1999-09-21 | 2001-04-06 | 구자홍 | 저항형 볼로미터 센서 및 제조 방법 |
JP2001203399A (ja) | 2000-01-21 | 2001-07-27 | Alps Electric Co Ltd | 赤外線センサ |
JP2001247958A (ja) * | 2000-03-07 | 2001-09-14 | Nec Corp | ボロメータ材料の作製方法及びボロメータ素子 |
JP4135856B2 (ja) | 2001-03-27 | 2008-08-20 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | ボロメータ用酸化物薄膜の製造方法 |
JP4747332B2 (ja) * | 2001-06-27 | 2011-08-17 | 独立行政法人 日本原子力研究開発機構 | 超伝導トンネル接合素子を用いた光子及び放射線及び中性子の検出器、及びイメージ検出器 |
FR2826725B1 (fr) * | 2001-06-28 | 2004-02-27 | Commissariat Energie Atomique | Microbolometres resistants aux temperatures de scenes elevees. |
US7180077B1 (en) * | 2004-02-20 | 2007-02-20 | Techoscience Corporation | Far infrared photoconductor array |
JP2006156886A (ja) | 2004-12-01 | 2006-06-15 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
KR100681206B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2007-02-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 제조 방법 |
US7629582B2 (en) * | 2006-10-24 | 2009-12-08 | Raytheon Company | Dual band imager with visible or SWIR detectors combined with uncooled LWIR detectors |
KR100906152B1 (ko) * | 2007-12-07 | 2009-07-03 | 한국전자통신연구원 | 마이크로 볼로미터용 저항재료, 이의 제조방법 및 이를포함한 마이크로 볼로미터 |
KR100946700B1 (ko) | 2008-01-23 | 2010-03-12 | 한국전자통신연구원 | 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
-
2010
- 2010-03-24 KR KR1020100026290A patent/KR100983818B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2010-08-19 US US12/859,466 patent/US8143579B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-31 EP EP10174656.8A patent/EP2293034B1/en not_active Not-in-force
- 2010-09-02 JP JP2010197168A patent/JP5416058B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05183208A (ja) * | 1991-07-10 | 1993-07-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 超電導素子及びその製造方法 |
JPH06120574A (ja) * | 1992-10-06 | 1994-04-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 超電導素子及びその製造方法 |
JP2001099705A (ja) * | 1999-07-26 | 2001-04-13 | Nec Corp | 熱分離構造を有する熱型赤外線検出器 |
JP2001272271A (ja) * | 2000-01-17 | 2001-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線センサ |
JP2003106895A (ja) * | 2001-10-01 | 2003-04-09 | Nec Corp | 熱型赤外線検出素子及びその製造方法 |
WO2005062394A1 (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-07 | Nec Corporation | ボロメータ |
JP2006278478A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Osaka Univ | 赤外線センサ用薄膜、その製造方法、およびそれを用いた赤外線センサ |
JP2007081225A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 赤外線センサ、および、その製造方法 |
JP2009192350A (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Nec Corp | 熱型赤外線検出器及びその製造方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015531868A (ja) * | 2012-08-22 | 2015-11-05 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツングRobert Bosch Gmbh | Cmosボロメータ |
WO2015107597A1 (ja) * | 2014-01-20 | 2015-07-23 | パナソニック株式会社 | 赤外線センサ及びその製造方法 |
JP2019504491A (ja) * | 2015-12-16 | 2019-02-14 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフトTdk Electronics Ag | Ntcセラミック、突入電流制限用の電子デバイスおよび電子デバイスを製造するための方法 |
JP2020174189A (ja) * | 2015-12-16 | 2020-10-22 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフトTdk Electronics Ag | Ntcセラミック、突入電流制限用の電子デバイスおよび電子デバイスを製造するための方法 |
US11189404B2 (en) | 2015-12-16 | 2021-11-30 | Epcos Ag | NTC ceramic part, electronic component for inrush current limiting, and method for manufacturing an electronic component |
JP2018197713A (ja) * | 2017-05-24 | 2018-12-13 | 三菱電機株式会社 | 赤外線センサおよび赤外線固体撮像装置 |
WO2019031234A1 (ja) * | 2017-08-10 | 2019-02-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出器 |
US11519785B2 (en) | 2017-08-10 | 2022-12-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Light detector |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8143579B2 (en) | 2012-03-27 |
KR100983818B1 (ko) | 2010-09-27 |
JP5416058B2 (ja) | 2014-02-12 |
EP2293034A1 (en) | 2011-03-09 |
EP2293034B1 (en) | 2018-05-02 |
US20110049366A1 (en) | 2011-03-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5416058B2 (ja) | ボロメータ用抵抗材料、それを用いた赤外線検出器用ボロメータ、及びその製造方法 | |
US6305840B1 (en) | Thermopile detector and method for fabricating the same | |
KR100265472B1 (ko) | 비냉각 적외선 검출기 및 그 형성방법 | |
CN107686973B (zh) | 一种钛钌共掺二氧化钒热敏薄膜材料及其制备方法 | |
WO2018058450A1 (zh) | 一种非制冷红外焦平面探测器像元及其制备方法 | |
Lee et al. | Investigated performance of uncooled tantalum-doped VOx floating-type microbolometers | |
Zia et al. | Electrical and infrared optical properties of vanadium oxide semiconducting thin-film thermometers | |
Lita et al. | Mo x Si1− xa versatile material for nanowire to microwire single-photon detectors from UV to near IR | |
US20050167592A1 (en) | Oxide thin film for bolometer and infrared detector using the oxide thin film | |
CN103852171B (zh) | 一种非制冷长波红外探测器用吸收层结构 | |
US10648865B1 (en) | Thermal sensing layer for microbolometer and method of making the same | |
KR100539395B1 (ko) | 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 | |
Venkatasubramanian et al. | Correlation of temperature response and structure of annealed VOx thin films for IR detector applications | |
US10704959B2 (en) | Germanium silicon tin oxide thin films for uncooled infrared detection | |
CN110926604A (zh) | 一种基于铬-铌共掺杂二氧化钒外延薄膜的光热探测单元 | |
JP2003279409A (ja) | 赤外線撮像装置及びその製造方法 | |
US10840399B1 (en) | Germanium tin oxide thin films for uncooled infrared detection | |
WO2011135975A1 (ja) | SiGe積層薄膜それを用いた赤外線センサ | |
US11085830B2 (en) | High speed graphene oxide bolometers and methods for manufacturing the same | |
Malyarov et al. | Comparative investigations of the bolometric properties of thin film structures based on vanadium dioxide and amorphous hydrated silicon | |
Kim et al. | Properties of reactively sputtered nickel oxide films as a microbolometer sensing material | |
JP7120857B2 (ja) | 抵抗体膜の製造方法及び抵抗体膜 | |
JP7140521B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
KR101833481B1 (ko) | 저항 박막, 저항 박막 제조방법 및 볼로미터 제조방법 | |
Ahmed et al. | A surface micromachined amorphous GexSi1-xOy bolometer for thermal imaging applications |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120622 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120703 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121003 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130402 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130802 |
|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20130805 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130805 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130823 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131015 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131114 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |