JP2011013178A - 圧力センサ及び製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】差圧用ダイアフラム4を備える半導体基板10と、半導体基板10の下側に設けられるガラス台座18と、を備え、半導体基板10の下面とガラス台座18の上面とが接合され、ガラス台座18には、ガラス台座18の上下面に亘ってガラス台座18を貫通するように圧力導入孔18Aが形成されており、圧力導入孔18Aは、ガラス台座の下面における圧力導入孔18Aの第1の孔径でガラス台座18の下面から第1の位置まで形成されており、かつ、ガラス台座18の上面における圧力導入孔18Aの第2の孔径は、第1の孔径よりも大きく、前記ガラス台座の下面には、金属薄膜層が成膜した。
【選択図】図4
Description
半田は、ガラスとの濡れ性が良くないため、通常、ガラス台座の下面には、金属薄膜層(メタライズ層)が成膜される。金属薄膜層は、蒸着法やスパッタリング法を用いてガラス台座の下面に成膜される。ガラス台座の圧力導入孔の孔径は、ガラス台座の上下面に亘って略同一となっているため、金属薄膜層の成膜時に、当該圧力導入孔の側壁にも金属薄膜が成膜されてしまう。そのため、半田が、圧力導入孔の側壁の金属薄膜が成膜された部分にも濡れてしまう。換言すれば、半田が、圧力導入孔の側壁を這い上がってしまう。また、圧力導入孔の側壁への金属薄膜の成膜範囲を制御することは難しい。そのため、半田が圧力導入孔の側壁部分に這い上がる高さを制御することは難しい。そして、半田が半導体基板近くまで這い上がってしまう可能性がある。これにより、半田と半導体基板の熱膨張率の違いに基づく応力(熱ストレス)などの影響を半導体基板に与えてしまう可能性がある。そして、当該熱ストレスなどにより、半導体基板の特性不良を招いてしまう。
また、特許文献1に記載の圧力センサでは、余った半田が圧力導入孔に溜まってしまい、圧力導入孔が半田によって塞がれてしまう可能性もある。
また、ガラス台座の下面から第1の位置までの範囲において、ガラス台座に設けられる圧力導入孔の孔径は略同一の大きさとなっている。そのため、ガラス台座の下面に金属薄膜層を成膜する場合、ガラス台座の下面から当該第1の位置までの範囲において、圧力導入孔の側壁に金属薄膜が成膜されることとなる。これにより、ガラス台座の下面から当該第1の位置までの範囲において、圧力導入孔の側壁に半田が濡れることとなる。そのため、ガラス台座が半田によって、ガラス台座の下側に設けられる金属ベースとより確実に接合されることとなる。すなわち、ガラス台座と金属ベースとの接合強度を向上することができる。
これにより、さらに確実に、ガラス台座と金属ベースとの接合強度を向上することができる。
これにより、ガラス台座の上面から当該第2の位置までの範囲において、圧力導入孔の孔径が、ガラス台座の下面における圧力導入孔の孔径よりも大きくなる。そのため、半導体基板に近い圧力導入孔の側壁に金属薄膜が成膜されてしまうことをより確実に防ぐことができる。換言すれば、半導体基板に近い圧力導入孔の側壁に半田が濡れてしまうことをより確実に防ぐことができる。したがって、圧力センサの特性不良をさらに効果的に抑制することができる。
ガラス台座と金属ベースとを半田により接合する際に、余った半田は、重力によって貫通穴部の側壁を伝って流れることとなる。このとき、貫通穴部の孔径が圧力導入孔の第1の孔径よりも大きくなっているため、貫通穴部が半田により塞がれてしまうことを防ぐことができる。
さらに、ガラス台座の下面に成膜された金属薄膜層には、圧力導入孔の第1の孔径と略同じ大きさの孔径の貫通孔が形成される。そして、ガラス台座と金属ベースとを半田により接合する際に余った半田は、金属薄膜層の当該貫通孔と金属ベースの貫通穴部との間の段差部分にフィレットを形成する。そのため、金属ベースの上面とガラス台座の下面との接合強度をさらに向上することができる。
また、ガラス台座の下面から第1の位置までの範囲において、ガラス台座に設けられる圧力導入孔の孔径は略同一の大きさとなるように圧力導入孔が形成される。そのため、ガラス台座の下面に金属薄膜層を成膜する場合、ガラス台座の下面から当該第1の位置までの範囲において、圧力導入孔の側壁に金属薄膜が成膜されることとなる。これにより、ガラス台座の下面から当該第1の位置までの範囲において、圧力導入孔の側壁に半田が濡れることとなる。そのため、ガラス台座が半田によって、ガラス台座の下側に設けられる金属ベースとより確実に接合されることとなる。すなわち、ガラス台座と金属ベースとの接合強度を向上することができる。
これにより、さらに確実に、ガラス台座と金属ベースとの接合強度を向上することができる。
これにより、ガラス台座の上面から当該第2の位置までの範囲において、圧力導入孔の孔径が、ガラス台座の下面における圧力導入孔の孔径よりも大きくなる。そのため、半導体基板に近い圧力導入孔の側壁に金属薄膜が成膜されてしまうことをより確実に防ぐことができる。換言すれば、半導体基板に近い圧力導入孔の側壁に半田が濡れてしまうことをより確実に防ぐことができる。したがって、圧力センサの特性不良をさらに効果的に抑制することができる。
ガラス台座と金属ベースとを半田により接合する際に、余った半田は、重力によって貫通穴部の側壁を伝って流れることとなる。このとき、貫通穴部の孔径が圧力導入孔の第1の孔径よりも大きくなっているため、貫通穴部が半田により塞がれてしまうことを防ぐことができる。
さらに、ガラス台座の下面に成膜された金属薄膜層には、圧力導入孔の第1の孔径と略同じ大きさの孔径の貫通孔が形成される。そして、ガラス台座と金属ベースとを半田により接合する際に余った半田は、金属薄膜層の当該貫通孔と金属ベースの貫通穴部との間の段差部分にフィレットを形成する。そのため、金属ベースの上面とガラス台座の下面との接合強度をさらに向上することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
以下では、本発明を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本実施の形態にかかる圧力センサ100に用いられているセンサチップ10(半導体基板)の構成を示す上面図である。図2は、図1のII−II断面図であり、図3は、III−III断面図である。本実施の形態にかかる圧力センサ100は、半導体のピエゾ抵抗効果を利用した半導体圧力センサである。
また、ガラス台座18には、ガラス台座18の上下面に亘ってガラス台座18を貫通するように圧力導入孔18Aが形成されている。また、圧力導入孔18Aは、センサチップ10の差圧用ダイアフラム4に相当する位置に形成されている。そして、圧力導入孔18Aは、センサチップ10の差圧用ダイアフラム4に相当する位置に形成されている凹部と連通している。
また、金属薄膜層19には、ガラス台座18の圧力導入孔18Aに相当する位置に、圧力導入孔18Aの第1の孔径と略同じ大きさの孔径を有する貫通孔が形成されている。
また、金属ベース21には、金属ベース21の上下面に亘って金属ベース21を貫通するように貫通穴部21Aが形成されている。また、貫通穴部21Aは、ガラス台座18の圧力導入孔18Aに相当する位置に形成されている。そして、貫通穴部21Aは、ガラス台座18の圧力導入孔18Aと連通している。
また、貫通穴部21Aの孔径は、圧力導入孔18Aの第1の孔径よりも大きくなっている。
ここで、半田とガラスとは濡れ性が悪いため、圧力導入孔18Aの第1の孔部18Bの側壁の金属薄膜が成膜されている部分に濡れることとなる。一方、圧力導入孔18Aの第2の孔部18Cには、金属薄膜がほとんど成膜されていないので、半田が濡れることはない。なお、第2の孔径は、第1の孔径より少しでも大きければ、圧力導入孔18Aの第2の孔部18Cに金属薄膜が成膜されることを防ぐことができる。また、ガラス台座18の下面から第1の位置までの長さ(すなわち、第1の孔部18Bの長さ)は、ガラス台座18の下面に形成される金属薄膜層19の膜厚などに基づいて最適な長さとなっている。
また、ガラス台座18と金属ベース21とを半田により接合する際に余った半田は、重力に従って、金属ベース21の貫通穴部21Aに濡れる。このとき、金属薄膜層19の貫通孔の孔径は圧力導入孔18Aの第1の孔径と略同じ大きさである。そのため、金属薄膜層19の貫通孔の孔径は金属ベース21の貫通穴部21Aの孔径より小さい。したがって、金属薄膜層19と金属ベース21との間には段差が形成されている。そのため、ガラス台座18と金属ベース21とを半田により接合する際に余った半田は、重力に従って流れるとともに、当該段差部分にフィレットを形成する。
まず、図7(a)に示すように、ガラス台座18となる基板を用意する。基板としては、パイレックスガラス(登録商標)やセラミックなどの平坦な基板が用いられる。そして、ガラス台座18に圧力導入孔18Aを形成する(圧力導入孔形成処理)。すなわち、ガラス台座18の中央に、ガラス台座18を貫通する円形の圧力導入孔18Aを形成する。これにより、図7(b)に示す構成となる。圧力導入孔18Aは、例えば、ドリル穴加工により形成されてもよいし、両面サンドブラスト加工により形成してもよい。
また、ガラス台座18の下面から第1の位置までの範囲において、ガラス台座に設けられる圧力導入孔18Aの孔径は略同一の大きさとなっている。そのため、ガラス台座18の下面に金属薄膜層19を成膜する場合、ガラス台座18の下面から当該第1の位置までの範囲において、圧力導入孔18Aの側壁に金属薄膜が成膜されることとなる。これにより、ガラス台座18の下面から当該第1の位置までの範囲において、圧力導入孔18Aの側壁に半田が濡れることとなる。そのため、ガラス台座18が半田によって、ガラス台座18の下側に設けられる金属ベース21とより確実に接合されることとなる。すなわち、ガラス台座18と金属ベース21との接合強度を向上することができる。
これにより、ガラス台座18の上面から当該第2の位置までの範囲において、圧力導入孔18Aの孔径が、ガラス台座18の下面における圧力導入孔18Aの孔径よりも大きくなる。そのため、センサチップ10に近い圧力導入孔18Aの側壁に金属薄膜が成膜されてしまうことをより確実に防ぐことができる。換言すれば、センサチップ10に近い圧力導入孔18Aの側壁に半田が濡れてしまうことをより確実に防ぐことができる。したがって、圧力センサ100の特性不良をさらに効果的に抑制することができる。
ガラス台座18と金属ベース21とを半田により接合する際に、余った半田は、重力によって貫通穴部21Aの側壁を伝って流れることとなる。このとき、貫通穴部21Aの孔径が圧力導入孔18Aの第1の孔径よりも大きくなっているため、貫通穴部21Aが半田により塞がれてしまうことを防ぐことができる。
さらに、ガラス台座18の下面に成膜された金属薄膜層19には、圧力導入孔18Aの第1の孔径と略同じ大きさの孔径の貫通孔が形成される。そして、ガラス台座18と金属ベース21とを半田により接合する際に余った半田は、金属薄膜層19の当該貫通孔と金属ベース21の貫通穴部21Aとの間の段差部分にフィレットを形成する。そのため、金属ベース21の上面とガラス台座18の下面との接合強度をさらに向上することができる。
本発明の実施の形態2にかかる圧力センサ200について、図10を参照しながら説明する。図10は、圧力センサ200の構成を示す断面図である。図10に示すように、実施の形態2にかかる圧力センサ200は、ガラス台座22の構成のみが実施の形態1にかかる圧力センサ100と異なるので、同様の構成については同一の符号を付すとともに、その説明を省略する。
また、ガラス台座22には、ガラス台座22の上下面に亘ってガラス台座22を貫通するように圧力導入孔22Aが形成されている。また、圧力導入孔22Aは、センサチップ10の差圧用ダイアフラム4に相当する位置に形成されている。そして、圧力導入孔22Aは、センサチップ10の差圧用ダイアフラム4に相当する位置に形成されている凹部と連通している。
実施の形態2にかかる圧力センサ200は、ガラス台座22の圧力導入孔22Aをこのような構成とすることにより、実施の形態1にかかる圧力センサ100と同様の効果を得ることができる。
本発明の実施の形態3にかかる圧力センサ300について、図11を参照しながら説明する。図11は、圧力センサ300の構成を示す断面図である。図11に示すように、実施の形態3にかかる圧力センサ300は、ガラス台座23の構成のみが実施の形態1にかかる圧力センサ100と異なるので、同様の構成については同一の符号を付すとともに、その説明を省略する。
また、ガラス台座23には、ガラス台座23の上下面に亘ってガラス台座23を貫通するように圧力導入孔23Aが形成されている。また、圧力導入孔23Aは、センサチップ10の差圧用ダイアフラム4に相当する位置に形成されている。そして、圧力導入孔23Aは、センサチップ10の差圧用ダイアフラム4に相当する位置に形成されている凹部と連通している。
実施の形態3にかかる圧力センサ300は、ガラス台座23の圧力導入孔23Aをこのような構成とすることにより、実施の形態1にかかる圧力センサ100と同様の効果を得ることができる。
10 センサチップ(半導体基板)
18、22、23 ガラス台座
18A、22A、23A 圧力導入孔
19 金属薄膜層
21 金属ベース
21A 貫通穴部
100、200、300 圧力センサ
Claims (8)
- ダイアフラム部を備える半導体基板と、
前記半導体基板の下側に設けられるガラス台座と、
を備える圧力センサであって、
前記半導体基板の下面と前記ガラス台座の上面とが接合され、
前記ガラス台座には、当該ガラス台座の上下面に亘って当該ガラス台座を貫通するように圧力導入孔が形成されており、
前記圧力導入孔は、前記ガラス台座の下面における前記圧力導入孔の第1の孔径で前記ガラス台座の下面から第1の位置まで形成されており、かつ、前記ガラス台座の上面における前記圧力導入孔の第2の孔径は、前記第1の孔径よりも大きく、
前記ガラス台座の下面には、金属薄膜層が成膜されている圧力センサ。 - 前記金属薄膜層は、前記ガラス台座の下面から、前記圧力導入孔の側壁であって、前記ガラス台座の下面から第1の位置までの範囲の側壁の少なくとも一部に亘って成膜されている請求項1に記載の圧力センサ。
- 前記圧力導入孔は、前記第2の孔径で前記ガラス台座の上面から第2の位置まで形成されている請求項1又は2に記載の圧力センサ。
- 前記ガラス台座の下面と前記金属薄膜層を介して半田により上面が接合される金属ベースを備え、
前記金属ベースには、当該金属ベースの上下面に亘って当該金属ベースを貫通するように、且つ、前記ガラス台座の前記圧力導入孔と連通するように、貫通穴部が形成されており、
前記貫通穴部の孔径は、前記圧力導入孔の前記第1の孔径よりも大きい請求項1乃至3の何れか一項に記載の圧力センサ。 - ダイアフラム部を備える半導体基板と、前記半導体基板の下側に設けられるガラス台座と、を備える圧力センサの製造方法であって、
前記ガラス台座に、当該ガラス台座の上下面に亘って当該ガラス台座を貫通するように圧力導入孔を形成する圧力導入孔形成処理と、
前記圧力導入孔が形成された前記ガラス台座の下面に金属薄膜層を成膜する金属薄膜層成膜処理と、
前記半導体基板の下面と前記ガラス台座の上面とを接合するガラス台座接合処理と、
を備え、
前記圧力導入孔形成処理において、前記ガラス台座の下面における前記圧力導入孔の第1の孔径で前記ガラス台座の下面から第1の位置まで前記圧力導入孔を形成し、かつ、前記ガラス台座の上面における前記圧力導入孔の第2の孔径が前記第1の孔径よりも大きくなるように前記圧力導入孔を形成する圧力センサの製造方法。 - 前記金属薄膜成膜処理において、前記金属薄膜は、前記ガラス台座の下面から、前記圧力導入孔の側壁であって、前記ガラス台座の下面から第1の位置までの範囲の側壁の少なくとも一部に亘って成膜される請求項5に記載の圧力センサの製造方法。
- 前記圧力導入孔形成処理において、前記圧力導入孔を、前記第2の孔径で前記ガラス台座の上面から第2の位置まで形成する請求項5又は6に記載の圧力センサの製造方法。
- 前記ガラス台座の下面と前記金属薄膜層を介して半田により金属ベースの上面とを接合する金属ベース接合処理を備え、
前記金属ベースには、当該金属ベースの上下面に亘って当該金属ベースを貫通するように、且つ、前記ガラス台座の前記圧力導入孔と連通するように貫通穴部が形成されており、
前記貫通穴部の孔径は、前記圧力導入孔の前記第1の孔径よりも大きい請求項5乃至7の何れか一項に記載の圧力センサの製造方法。
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