JP2000105157A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JP2000105157A JP2000105157A JP10276918A JP27691898A JP2000105157A JP 2000105157 A JP2000105157 A JP 2000105157A JP 10276918 A JP10276918 A JP 10276918A JP 27691898 A JP27691898 A JP 27691898A JP 2000105157 A JP2000105157 A JP 2000105157A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属パイプとガラス台座の接合に際し、ガラ
ス台座にクラックが発生することのない半導体圧力セン
サを提供する。 【解決手段】 凹部を形成することにより薄肉状に形成
されたダイアフラム１ａを有する半導体圧力センサチッ
プ１とダイアフラム１ａに圧力を導入するための貫通孔
２ａが形成された台座２とを接合し、台座２の半導体圧
力センサチップ１との接合面と反対側の面にはメタライ
ズ層８を形成し、メタライズ層８を介してパッケージの
金属パイプ４と半田接合してなる半導体圧力センサにお
いて、台座２に形成されるメタライズ層８を、台座２の
貫通孔２ａの内壁の所定の深さまで延設８ａするように
した。
ス台座にクラックが発生することのない半導体圧力セン
サを提供する。 【解決手段】 凹部を形成することにより薄肉状に形成
されたダイアフラム１ａを有する半導体圧力センサチッ
プ１とダイアフラム１ａに圧力を導入するための貫通孔
２ａが形成された台座２とを接合し、台座２の半導体圧
力センサチップ１との接合面と反対側の面にはメタライ
ズ層８を形成し、メタライズ層８を介してパッケージの
金属パイプ４と半田接合してなる半導体圧力センサにお
いて、台座２に形成されるメタライズ層８を、台座２の
貫通孔２ａの内壁の所定の深さまで延設８ａするように
した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイアフラムの形
成された半導体圧力センサチップとパッケージの金属パ
イプとを台座を介して接合してなる半導体圧力センサに
関するものである。
成された半導体圧力センサチップとパッケージの金属パ
イプとを台座を介して接合してなる半導体圧力センサに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体圧力センサはエアコンや
空調機等の微圧領域の圧力の測定を行うものであり、図
４に示すように、凹部を形成することにより薄肉状に形
成されたダイアフラム１ａを有する半導体圧力センサチ
ップ１がガラス台座２に陽極接合等により接合され、中
心にコバール製又は４２アロイ等の金属パイプ４が配置
されたＰＰＳやＰＢＴ等のプラスチックパッケージ３内
に設置される。半導体圧力センサチップ１表面のアルミ
パッドとリード５とは金又はアルミ製のワイヤ６で接続
されている。なお、７はプラスチックパッケージ３の蓋
であり、１ｂは半導体圧力センサチップ１に形成された
歪みゲージ抵抗であり、１ｃは半導体圧力センサチップ
１の表面を保護するオーバーコートである。ガラス台座
２の材料としては、例えばパイレックスガラス（コーニ
ング社製、品番♯７７４０等）が用いられる。
空調機等の微圧領域の圧力の測定を行うものであり、図
４に示すように、凹部を形成することにより薄肉状に形
成されたダイアフラム１ａを有する半導体圧力センサチ
ップ１がガラス台座２に陽極接合等により接合され、中
心にコバール製又は４２アロイ等の金属パイプ４が配置
されたＰＰＳやＰＢＴ等のプラスチックパッケージ３内
に設置される。半導体圧力センサチップ１表面のアルミ
パッドとリード５とは金又はアルミ製のワイヤ６で接続
されている。なお、７はプラスチックパッケージ３の蓋
であり、１ｂは半導体圧力センサチップ１に形成された
歪みゲージ抵抗であり、１ｃは半導体圧力センサチップ
１の表面を保護するオーバーコートである。ガラス台座
２の材料としては、例えばパイレックスガラス（コーニ
ング社製、品番♯７７４０等）が用いられる。
【０００３】ガラス台座２の中心部には、半導体圧力セ
ンサチップ１のダイアフラム１ａに圧力を印加するため
の貫通孔２ａが形成され、ガラス台座２はこの貫通孔２
ａと金属パイプ４の貫通孔４ａとが対向するような配置
で、金属パイプ４に接合される。ガラス台座２と金属パ
イプ４とは半田９で接合される。この場合、半田９で接
合するために、ガラス台座２の半導体圧力センサチップ
１と接合しない側の面にはメタライズ層８が形成され
る。メタライズ層８の例としては、Ｃｒ（最下層）／Ｐ
ｔ／Ａｕ（最上層）、Ｔｉ（最下層）／Ｎｉ／Ａｕ（最
上層）、Ｔｉ（最下層）／Ｐｔ／Ａｕ（最上層）等が挙
げられる。半田９としては、錫、錫−アンチモン合金、
鉛、錫−鉛合金、金−シリコン合金、錫−銀合金等があ
る。
ンサチップ１のダイアフラム１ａに圧力を印加するため
の貫通孔２ａが形成され、ガラス台座２はこの貫通孔２
ａと金属パイプ４の貫通孔４ａとが対向するような配置
で、金属パイプ４に接合される。ガラス台座２と金属パ
イプ４とは半田９で接合される。この場合、半田９で接
合するために、ガラス台座２の半導体圧力センサチップ
１と接合しない側の面にはメタライズ層８が形成され
る。メタライズ層８の例としては、Ｃｒ（最下層）／Ｐ
ｔ／Ａｕ（最上層）、Ｔｉ（最下層）／Ｎｉ／Ａｕ（最
上層）、Ｔｉ（最下層）／Ｐｔ／Ａｕ（最上層）等が挙
げられる。半田９としては、錫、錫−アンチモン合金、
鉛、錫−鉛合金、金−シリコン合金、錫−銀合金等があ
る。
【０００４】また、図５は、パッケージとして、金属ス
テムのパッケージ３０を使用したものを示している。３
１はキャップであり、金属ステムとは溶接で接続され
る。
テムのパッケージ３０を使用したものを示している。３
１はキャップであり、金属ステムとは溶接で接続され
る。
【０００５】金属パイプ４とガラス台座２とがメタライ
ズ層８を介して半田９により接合される。メタライズ層
８の最上層のＡｕの表面には半田９が塗れるのである。
ズ層８を介して半田９により接合される。メタライズ層
８の最上層のＡｕの表面には半田９が塗れるのである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような半導体圧力センサにあっては、ガラス台座２と金
属パイプ４との半田９によるダイボンド接合時に、図６
に示すように、ガラス台座２の貫通孔２ａと金属パイプ
４の貫通孔４ａとの接合位置ずれが発生した場合や、図
７に示すように、金属パイプ４の貫通孔４ａの孔径より
ガラス台座２の貫通孔２ａの孔径が小さくて、金属パイ
プ４の貫通孔４ａの上方にガラス台座２の貫通孔２ａの
周囲部が配置された場合には、ガラス台座２の貫通孔２
ａのエッジ部分に半田９が溜まってしまう。
ような半導体圧力センサにあっては、ガラス台座２と金
属パイプ４との半田９によるダイボンド接合時に、図６
に示すように、ガラス台座２の貫通孔２ａと金属パイプ
４の貫通孔４ａとの接合位置ずれが発生した場合や、図
７に示すように、金属パイプ４の貫通孔４ａの孔径より
ガラス台座２の貫通孔２ａの孔径が小さくて、金属パイ
プ４の貫通孔４ａの上方にガラス台座２の貫通孔２ａの
周囲部が配置された場合には、ガラス台座２の貫通孔２
ａのエッジ部分に半田９が溜まってしまう。
【０００７】この場合には、図８に示すように、半田９
が固化する時に、温度の低い金属パイプ４の貫通孔４ａ
の周辺から固化していく。従って、半田９が固化する時
には、引っ張り応力が加わり、ガラス台座２の貫通孔２
ａの開口部周辺にクラック１０が入るため、半導体圧力
センサチップ１が破壊されてしまうという問題があっ
た。
が固化する時に、温度の低い金属パイプ４の貫通孔４ａ
の周辺から固化していく。従って、半田９が固化する時
には、引っ張り応力が加わり、ガラス台座２の貫通孔２
ａの開口部周辺にクラック１０が入るため、半導体圧力
センサチップ１が破壊されてしまうという問題があっ
た。
【０００８】本発明は、上記の点に鑑みてなしたもので
あり、その目的とするところは、金属パイプと台座の接
合に際し、台座にクラックが発生することのない半導体
圧力センサを提供することにある。
あり、その目的とするところは、金属パイプと台座の接
合に際し、台座にクラックが発生することのない半導体
圧力センサを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
凹部を形成することにより薄肉状に形成されたダイアフ
ラムを有する半導体圧力センサチップと前記ダイアフラ
ムに圧力を導入するための貫通孔が形成された台座とを
接合し、該台座の前記半導体圧力センサチップとの接合
面と反対側の面にはメタライズ層を形成し、該メタライ
ズ層を介してパッケージの金属パイプと半田接合してな
る半導体圧力センサにおいて、前記台座に形成されるメ
タライズ層を、前記台座の貫通孔の内壁の所定の深さま
で延設するようにしたことを特徴とするものである。
凹部を形成することにより薄肉状に形成されたダイアフ
ラムを有する半導体圧力センサチップと前記ダイアフラ
ムに圧力を導入するための貫通孔が形成された台座とを
接合し、該台座の前記半導体圧力センサチップとの接合
面と反対側の面にはメタライズ層を形成し、該メタライ
ズ層を介してパッケージの金属パイプと半田接合してな
る半導体圧力センサにおいて、前記台座に形成されるメ
タライズ層を、前記台座の貫通孔の内壁の所定の深さま
で延設するようにしたことを特徴とするものである。
【００１０】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、前記台座の貫通孔の金属パイプ側の角部
を、テーパ状に形成するかあるいは丸みを持たせるよう
に形成し、メタライズ層を、前記角部を経由して貫通孔
の内壁の所定の深さまで延設するようにしたことを特徴
とするものである。
明において、前記台座の貫通孔の金属パイプ側の角部
を、テーパ状に形成するかあるいは丸みを持たせるよう
に形成し、メタライズ層を、前記角部を経由して貫通孔
の内壁の所定の深さまで延設するようにしたことを特徴
とするものである。
【００１１】請求項３記載の発明は、請求項１又は請求
項２記載の発明において、前記金属パイプの開口部の角
部に凸部を形成し、該突部が台座の貫通孔内に入り込む
ようにしたことを特徴とするものである。
項２記載の発明において、前記金属パイプの開口部の角
部に凸部を形成し、該突部が台座の貫通孔内に入り込む
ようにしたことを特徴とするものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
を図面に基づき説明する。図１は本発明の第１の実施形
態の半導体圧力センサに係る半導体圧力センサチップと
ガラス台座と金属パイプの接合状態を示す断面図であ
る。本実施形態においては、半導体圧力センサの基本的
構成は従来例で説明したもの同等であるので、同一部分
には同一符号を付して説明を省略する。
を図面に基づき説明する。図１は本発明の第１の実施形
態の半導体圧力センサに係る半導体圧力センサチップと
ガラス台座と金属パイプの接合状態を示す断面図であ
る。本実施形態においては、半導体圧力センサの基本的
構成は従来例で説明したもの同等であるので、同一部分
には同一符号を付して説明を省略する。
【００１３】本実施形態の特徴部は、ガラス台座２の半
導体圧力センサチップ１と接合しない側の面に形成され
るメタライズ層８にある。本実施形態のメタライズ層８
は、ガラス台座２の貫通孔２ａの内壁の所定の深さまで
延ばして形成している。つまり、ガラス台座２の貫通孔
２ａの金属パイプ４側の開口部の角部を介して貫通孔２
ａの内壁の所定の深さまでメタライズ層８ａがメタライ
ズ層８に付加して形成されるようにしたのである。
導体圧力センサチップ１と接合しない側の面に形成され
るメタライズ層８にある。本実施形態のメタライズ層８
は、ガラス台座２の貫通孔２ａの内壁の所定の深さまで
延ばして形成している。つまり、ガラス台座２の貫通孔
２ａの金属パイプ４側の開口部の角部を介して貫通孔２
ａの内壁の所定の深さまでメタライズ層８ａがメタライ
ズ層８に付加して形成されるようにしたのである。
【００１４】ここで、ガラス台座２の貫通孔２ａ内壁の
所定の深さとは、例えば、半田９の厚みが５０μｍの場
合、その数倍を超えない程度の深さである。つまり、メ
タライズ層８ａをガラス台座２の貫通孔２ａ内壁全面に
形成してしまうと、ガラス台座２と半導体圧力センサチ
ップ１との陽極接合に際し、両者の接合部とメタライズ
層８ａ間で放電する恐れがあり、この放電を防止するた
めに、前記所定の深さに止めるのである。
所定の深さとは、例えば、半田９の厚みが５０μｍの場
合、その数倍を超えない程度の深さである。つまり、メ
タライズ層８ａをガラス台座２の貫通孔２ａ内壁全面に
形成してしまうと、ガラス台座２と半導体圧力センサチ
ップ１との陽極接合に際し、両者の接合部とメタライズ
層８ａ間で放電する恐れがあり、この放電を防止するた
めに、前記所定の深さに止めるのである。
【００１５】以上のようにして、メタライズ層８、８ａ
の形成されたガラス台座２は、反対側の面が半導体圧力
センサウエハに陽極接合により接合される。陽極接合の
条件としては、真空雰囲気中で約４００℃に加熱し、約
５００Ｖ〜８００Ｖの直流電圧を半導体圧力センサウエ
ハ側が正極になるように印加すると、静電引力により原
子的に接合されるのである。
の形成されたガラス台座２は、反対側の面が半導体圧力
センサウエハに陽極接合により接合される。陽極接合の
条件としては、真空雰囲気中で約４００℃に加熱し、約
５００Ｖ〜８００Ｖの直流電圧を半導体圧力センサウエ
ハ側が正極になるように印加すると、静電引力により原
子的に接合されるのである。
【００１６】ガラス台座２に接合された半導体圧力セン
サウエハをダイシングして、個々の半導体圧力センサチ
ップ１（約２〜３ｍｍ角）にし、これをパッケージの金
属パイプ４上に半田９によりダイボンド接合して、図１
のような構造のものになるのである。半田９の厚みは３
０〜１００μｍであり、ガラス台座２の貫通孔２ａの半
導体圧力センサチップ１側の大きさは、約φ０．６〜
１．３ｍｍである。
サウエハをダイシングして、個々の半導体圧力センサチ
ップ１（約２〜３ｍｍ角）にし、これをパッケージの金
属パイプ４上に半田９によりダイボンド接合して、図１
のような構造のものになるのである。半田９の厚みは３
０〜１００μｍであり、ガラス台座２の貫通孔２ａの半
導体圧力センサチップ１側の大きさは、約φ０．６〜
１．３ｍｍである。
【００１７】従来、ガラス台座２の貫通孔２ａの開口部
エッジのメタライズ層８とガラス台座２との接合界面端
部（貫通孔２ａ内壁側）付近を起点として、クラックが
ガラス台座２の内部方向へ広がる場合が多いが、本実施
形態によれば、メタライズ層８とガラス台座２との接合
界面の端部を、その境界部が露出しないようにメタライ
ズ層８ａが形成されるので、クラックが発生しにくくな
る。さらに、ガラス台座２の貫通孔２ａの角部がメタラ
イズ層８ａにより被覆されることにより強度が向上され
るので、クラックの発生が防止される。
エッジのメタライズ層８とガラス台座２との接合界面端
部（貫通孔２ａ内壁側）付近を起点として、クラックが
ガラス台座２の内部方向へ広がる場合が多いが、本実施
形態によれば、メタライズ層８とガラス台座２との接合
界面の端部を、その境界部が露出しないようにメタライ
ズ層８ａが形成されるので、クラックが発生しにくくな
る。さらに、ガラス台座２の貫通孔２ａの角部がメタラ
イズ層８ａにより被覆されることにより強度が向上され
るので、クラックの発生が防止される。
【００１８】従って、半田９として、融点が２８０℃と
高く、ヤング率も約６０００ｋｇ／ｃｍ2 と大きく硬い
のでクラックが発生しやすい金−錫２０％半田を使用し
た場合でも、クラックの発生を防止できる。
高く、ヤング率も約６０００ｋｇ／ｃｍ2 と大きく硬い
のでクラックが発生しやすい金−錫２０％半田を使用し
た場合でも、クラックの発生を防止できる。
【００１９】図２は本発明の第２の実施形態の半導体圧
力センサに係る半導体圧力センサチップとガラス台座と
金属パイプの接合状態を示す断面図である。本実施形態
では、ガラス台座２の貫通孔２ａの金属パイプ４側の開
口部の角部２ｂを、テーパ状あるいは丸みを付けた形状
に加工し、メタライズ層８を延設し、角部２ｂから貫通
孔２ａの内壁の所定の深さ（第１の実施形態の場合と同
様）までメタライズ層８ｂを形成したものである。
力センサに係る半導体圧力センサチップとガラス台座と
金属パイプの接合状態を示す断面図である。本実施形態
では、ガラス台座２の貫通孔２ａの金属パイプ４側の開
口部の角部２ｂを、テーパ状あるいは丸みを付けた形状
に加工し、メタライズ層８を延設し、角部２ｂから貫通
孔２ａの内壁の所定の深さ（第１の実施形態の場合と同
様）までメタライズ層８ｂを形成したものである。
【００２０】本実施形態によれば、ガラス台座２の貫通
孔２ａの金属パイプ４側の開口部の角部２ｂがテーパ状
あるいは丸みを付けた形状に加工され、丸みを帯びるよ
うになっているので、半田９の固化時の応力が分散され
るので、クラックがより発生しにくくなる。
孔２ａの金属パイプ４側の開口部の角部２ｂがテーパ状
あるいは丸みを付けた形状に加工され、丸みを帯びるよ
うになっているので、半田９の固化時の応力が分散され
るので、クラックがより発生しにくくなる。
【００２１】図３は本発明の第３の実施形態の半導体圧
力センサに係る半導体圧力センサチップとガラス台座と
金属パイプの接合状態を示す断面図である。本実施形態
では、第２の実施形態のものにおいて、金属パイプ４の
貫通孔４ａの開口部上端に突部４ｂを形成し、突部４ｂ
がガラス台座２の貫通孔２ａの内部に張り出すようにし
たものである。従って、半田９は突部４ｂとメタライズ
層８ｂ間にも濡れるようになるのである。なお、本実施
形態では、第２の実施形態のものにおいて突部４ｂを形
成したが、第１の実施形態のものにおいて突部４ｂを形
成しても、同様の効果が得られる。
力センサに係る半導体圧力センサチップとガラス台座と
金属パイプの接合状態を示す断面図である。本実施形態
では、第２の実施形態のものにおいて、金属パイプ４の
貫通孔４ａの開口部上端に突部４ｂを形成し、突部４ｂ
がガラス台座２の貫通孔２ａの内部に張り出すようにし
たものである。従って、半田９は突部４ｂとメタライズ
層８ｂ間にも濡れるようになるのである。なお、本実施
形態では、第２の実施形態のものにおいて突部４ｂを形
成したが、第１の実施形態のものにおいて突部４ｂを形
成しても、同様の効果が得られる。
【００２２】本実施形態によれば、金属パイプ４と突部
４ｂの半田９が濡れる部分の表面温度は同じ温度となる
ので、半田９は均一に固化されることになり、この時に
半田９にかかる応力は均一化され、応力の集中がなくな
るので、クラックがより発生しにくくなる。
４ｂの半田９が濡れる部分の表面温度は同じ温度となる
ので、半田９は均一に固化されることになり、この時に
半田９にかかる応力は均一化され、応力の集中がなくな
るので、クラックがより発生しにくくなる。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、凹部を形成することにより薄肉状に形成されたダ
イアフラムを有する半導体圧力センサチップと前記ダイ
アフラムに圧力を導入するための貫通孔が形成された台
座とを接合し、該台座の前記半導体圧力センサチップと
の接合面と反対側の面にはメタライズ層を形成し、該メ
タライズ層を介してパッケージの金属パイプと半田接合
してなる半導体圧力センサにおいて、前記台座に形成さ
れるメタライズ層を、前記台座の貫通孔の内壁の所定の
深さまで延設するようにしたので、台座の貫通孔の角部
がメタライズ層により被覆されることにより強度が向上
され、金属パイプと台座の接合に際し、台座にクラック
が発生することのない半導体圧力センサが提供できた。
れば、凹部を形成することにより薄肉状に形成されたダ
イアフラムを有する半導体圧力センサチップと前記ダイ
アフラムに圧力を導入するための貫通孔が形成された台
座とを接合し、該台座の前記半導体圧力センサチップと
の接合面と反対側の面にはメタライズ層を形成し、該メ
タライズ層を介してパッケージの金属パイプと半田接合
してなる半導体圧力センサにおいて、前記台座に形成さ
れるメタライズ層を、前記台座の貫通孔の内壁の所定の
深さまで延設するようにしたので、台座の貫通孔の角部
がメタライズ層により被覆されることにより強度が向上
され、金属パイプと台座の接合に際し、台座にクラック
が発生することのない半導体圧力センサが提供できた。
【００２４】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載の発明において、前記台座の貫通孔の金属パイプ側の
角部を、テーパ状に形成するかあるいは丸みを持たせる
ように形成し、メタライズ層を、前記角部を経由して貫
通孔の内壁の所定の深さまで延設するようにしたので、
台座の貫通孔の角部が丸みを帯びるように形成されてお
り、半田の固化時の応力が分散され、クラックがより発
生しにくくなる。
載の発明において、前記台座の貫通孔の金属パイプ側の
角部を、テーパ状に形成するかあるいは丸みを持たせる
ように形成し、メタライズ層を、前記角部を経由して貫
通孔の内壁の所定の深さまで延設するようにしたので、
台座の貫通孔の角部が丸みを帯びるように形成されてお
り、半田の固化時の応力が分散され、クラックがより発
生しにくくなる。
【００２５】請求項３記載の発明によれば、前記金属パ
イプの開口部の角部に凸部を形成し、該突部が台座の貫
通孔内に入り込むようにしたので、金属パイプと突部の
半田が濡れる部分の表面温度は同じ温度となり、半田は
均一に固化されることになり、この時に半田にかかる応
力は均一化され、応力の集中がなくなり、クラックがよ
り発生しにくくなる。
イプの開口部の角部に凸部を形成し、該突部が台座の貫
通孔内に入り込むようにしたので、金属パイプと突部の
半田が濡れる部分の表面温度は同じ温度となり、半田は
均一に固化されることになり、この時に半田にかかる応
力は均一化され、応力の集中がなくなり、クラックがよ
り発生しにくくなる。
【図１】本発明の第１の実施形態の半導体圧力センサに
係る半導体圧力センサチップとガラス台座と金属パイプ
の接合状態を示す断面図である。
係る半導体圧力センサチップとガラス台座と金属パイプ
の接合状態を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態の半導体圧力センサに
係る半導体圧力センサチップとガラス台座と金属パイプ
の接合状態を示す断面図である。
係る半導体圧力センサチップとガラス台座と金属パイプ
の接合状態を示す断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態の半導体圧力センサに
係る半導体圧力センサチップとガラス台座と金属パイプ
の接合状態を示す断面図である。
係る半導体圧力センサチップとガラス台座と金属パイプ
の接合状態を示す断面図である。
【図４】従来例に係る半導体圧力センサの概略構成を示
す断面図である。
す断面図である。
【図５】他の従来例に係る半導体圧力センサの概略構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図６】従来例に係る半導体圧力センサの問題点の一例
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図７】従来例に係る半導体圧力センサの問題点のタイ
ミングの例を示す説明図である。
ミングの例を示す説明図である。
【図８】従来の半導体圧力センサに係る半田固化時の状
態変化の説明図である。
態変化の説明図である。
１ 半導体圧力センサチップ １ａ ダイアフラム １ｂ 歪みゲージ抵抗 １ｃ オーバーコート ２ ガラス台座 ２ａ 貫通孔 ２ｂ 角部 ３ プラスチックパッケージ ４ 金属パイプ ４ａ 貫通孔 ４ｂ 突部 ５ リード ６ ワイヤ ７ 蓋 ８ メタライズ層 ８ａ メタライズ層 ８ｂ メタライズ層 ９ 半田 １０ クラック
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安田 正治 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 高倉 信之 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 2F055 AA39 BB20 CC02 DD01 DD04 DD07 EE13 FF23 GG14
Claims (3)
- 【請求項１】 凹部を形成することにより薄肉状に形成
されたダイアフラムを有する半導体圧力センサチップと
前記ダイアフラムに圧力を導入するための貫通孔が形成
された台座とを接合し、該台座の前記半導体圧力センサ
チップとの接合面と反対側の面にはメタライズ層を形成
し、該メタライズ層を介してパッケージの金属パイプと
半田接合してなる半導体圧力センサにおいて、前記台座
に形成されるメタライズ層を、前記台座の貫通孔の内壁
の所定の深さまで延設するようにしたことを特徴とする
半導体圧力センサ。 - 【請求項２】 前記台座の貫通孔の金属パイプ側の角部
を、テーパ状に形成するかあるいは丸みを持たせるよう
に形成し、メタライズ層を、前記角部を経由して貫通孔
の内壁の所定の深さまで延設するようにしたことを特徴
とする請求項１記載の半導体圧力センサ。 - 【請求項３】 前記金属パイプの開口部の角部に凸部を
形成し、該突部が台座の貫通孔内に入り込むようにした
ことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体圧
力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10276918A JP2000105157A (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10276918A JP2000105157A (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000105157A true JP2000105157A (ja) | 2000-04-11 |
Family
ID=17576215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10276918A Pending JP2000105157A (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000105157A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011013178A (ja) * | 2009-07-06 | 2011-01-20 | Yamatake Corp | 圧力センサ及び製造方法 |
-
1998
- 1998-09-30 JP JP10276918A patent/JP2000105157A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011013178A (ja) * | 2009-07-06 | 2011-01-20 | Yamatake Corp | 圧力センサ及び製造方法 |
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