JPH02143437A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH02143437A JPH02143437A JP29758388A JP29758388A JPH02143437A JP H02143437 A JPH02143437 A JP H02143437A JP 29758388 A JP29758388 A JP 29758388A JP 29758388 A JP29758388 A JP 29758388A JP H02143437 A JPH02143437 A JP H02143437A
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- stopper
- semiconductor device
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、樹脂封止型半導体装置に関するものである。
従来、この種の半導体装置は第５図（ａ）（ｂ）、（Ｃ
）に示す様に、半導体素子１が半導体素子載置用タブ２
上に固定され、タブ２はタブ吊りリード３で支持され、
又タブ２の周囲には複数の内部リード４５が配置され、
その先端は半導体素子１の表面に形成された電極と金ワ
イヤ５で接続され、これらの部分はエポキシ等の封止樹
脂６で封止され、その後に封止樹脂６の外部に出ている
外部リード７のリード成形工程等をへて半導体装置は完
成される。一般的にリードの材料は４２合金や銅係合金
材が用いられ、そのリード先端のボンディング部には銀
や金のメツキ膜が形成されている。そしてリード先端形
状は平面的にはリード先端がやや先細り形状か、又は平
行の直線上に形成され、断面形状はほぼ一様の均一な厚
さに形成されるのが一般的である。
）に示す様に、半導体素子１が半導体素子載置用タブ２
上に固定され、タブ２はタブ吊りリード３で支持され、
又タブ２の周囲には複数の内部リード４５が配置され、
その先端は半導体素子１の表面に形成された電極と金ワ
イヤ５で接続され、これらの部分はエポキシ等の封止樹
脂６で封止され、その後に封止樹脂６の外部に出ている
外部リード７のリード成形工程等をへて半導体装置は完
成される。一般的にリードの材料は４２合金や銅係合金
材が用いられ、そのリード先端のボンディング部には銀
や金のメツキ膜が形成されている。そしてリード先端形
状は平面的にはリード先端がやや先細り形状か、又は平
行の直線上に形成され、断面形状はほぼ一様の均一な厚
さに形成されるのが一般的である。
上述した従来の樹脂封止型半導体装置は、リード材料と
して４２合金を使用し、又封止材料としてエポキシ樹脂
を用いることが多く、この種の半導体装置を赤外線リフ
ローによるプリント板への半田実装時の急激な熱ストレ
スを加えると、両材料の熱膨張係数の差により、その接
着界面が破壊され、この減少が、リード先端部に達し、
両者間のスベリにより金ワイヤ接合部を破断するという
問題を有している。
して４２合金を使用し、又封止材料としてエポキシ樹脂
を用いることが多く、この種の半導体装置を赤外線リフ
ローによるプリント板への半田実装時の急激な熱ストレ
スを加えると、両材料の熱膨張係数の差により、その接
着界面が破壊され、この減少が、リード先端部に達し、
両者間のスベリにより金ワイヤ接合部を破断するという
問題を有している。
本発明は、樹脂封止して成る半導体装置において、内部
リード先端のボンディング部近傍のリードに応力遮断ス
トッパ一部を設けたことを特徴とする。
リード先端のボンディング部近傍のリードに応力遮断ス
トッパ一部を設けたことを特徴とする。
次に、本発明を実施例により説明する。第１図（ａ）は
本発明の第１の実施例の封止樹脂部を透視して示した平
面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＤ部拡大図、第１
図（ｃ）は第１図（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。これら
の図において、内部リード先端近傍のリード形状以外は
従来例の第５図と同じである。本実施例では、内部リー
ド４１の先端のボンディング部後方のリードに孔８１に
よる応力遮断ストッパ一部８を設けた。孔の大きさは０
．２５ｍｍとした。
本発明の第１の実施例の封止樹脂部を透視して示した平
面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＤ部拡大図、第１
図（ｃ）は第１図（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。これら
の図において、内部リード先端近傍のリード形状以外は
従来例の第５図と同じである。本実施例では、内部リー
ド４１の先端のボンディング部後方のリードに孔８１に
よる応力遮断ストッパ一部８を設けた。孔の大きさは０
．２５ｍｍとした。
第２図（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２の実施例て、内
部リード先端近傍のリード形状を示している。この実施
例では内部リード４２の先端近傍に切り欠き８２を設は
応力遮断ストッパ一部８としている。
部リード先端近傍のリード形状を示している。この実施
例では内部リード４２の先端近傍に切り欠き８２を設は
応力遮断ストッパ一部８としている。
第３図（ａ）、（ｂ）は本発明の第３の実施例で内部リ
ード４３の先端近傍に突起８３を設は応力遮断ストッパ
一部８としている。なお、上記第２、第３の実施例では
リード材料として４２合金材Ｘ１封止材料としてエポキ
シ樹脂を用い、リード先端部には銀メツキ膜を設けた。
ード４３の先端近傍に突起８３を設は応力遮断ストッパ
一部８としている。なお、上記第２、第３の実施例では
リード材料として４２合金材Ｘ１封止材料としてエポキ
シ樹脂を用い、リード先端部には銀メツキ膜を設けた。
第４図（ａ）、（ｂ）は本発明の第４の実施例で内部リ
ード先端近傍のリード形状を示している。本実施例では
内部リード４４の先端近傍のリードの上下面にハーフエ
ツチング法により溝８４を設は応力遮断ストッパ一部８
としている。この実施例ではボンディング面の真下で樹
脂−リード間の界面破壊を防止出来るのでより効果的で
ある。
ード先端近傍のリード形状を示している。本実施例では
内部リード４４の先端近傍のリードの上下面にハーフエ
ツチング法により溝８４を設は応力遮断ストッパ一部８
としている。この実施例ではボンディング面の真下で樹
脂−リード間の界面破壊を防止出来るのでより効果的で
ある。
以上説明した４つの実施例は独立して用いるだけでなく
、例えば孔と溝による応力遮断ストッパーを組合せるこ
とも有効である。
、例えば孔と溝による応力遮断ストッパーを組合せるこ
とも有効である。
なお、上記実施例ではフラットパッケージタイプの樹脂
封止型半導体装置で説明したがＰＬＣＣ，Ｌ）ＩＰ等Ｐ
ＫＧの種類によらず本発明が有効であることはいうまで
もない。
封止型半導体装置で説明したがＰＬＣＣ，Ｌ）ＩＰ等Ｐ
ＫＧの種類によらず本発明が有効であることはいうまで
もない。
以上説明した様に、本発明は、内部リード先端のボンデ
インク部近傍のリードに孔や、切欠き、突起それに溝が
形成されているので、封止樹脂が当ストッパ一部に入り
込むことにより、樹脂との密着力が大幅に増加し、半田
実装時の赤外外線リフロー等による急激な熱ストレスが
加ってもボンディング部近傍の樹脂−リード間の密着破
壊は生ぜず、又、ワイヤーの断線も生ずることがなく、
信頼性を著しく向上させることが可能となる。
インク部近傍のリードに孔や、切欠き、突起それに溝が
形成されているので、封止樹脂が当ストッパ一部に入り
込むことにより、樹脂との密着力が大幅に増加し、半田
実装時の赤外外線リフロー等による急激な熱ストレスが
加ってもボンディング部近傍の樹脂−リード間の密着破
壊は生ぜず、又、ワイヤーの断線も生ずることがなく、
信頼性を著しく向上させることが可能となる。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例の平面図、第１図
（ｂ）は第１図（ａ）のＤ部の拡大図、第１図（ｃ）は
第１図（ｂ）のＡ−Ａ断面図、第２図（ａ＞、（ｂ）、
第３図（ａ）、（ｂ）第４図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ
本発明の第２、第３、第４の実施例のＤ部拡大図および
Ａ−Ａ断面図、第５図（ａ）は従来の半導体装置の封止
樹脂を透視した平面図、第５図（ｂ）は第５図（ａ）の
Ｄ部の拡大図、第５図（ｃ）は第５図（ｂ）のＡ−Ａ断
面図である。 １・・・半導体素子、２・・・タブ、３・・・タブ吊り
リード、４１，４２．４３，４４．４５・・・内部リー
ド、５・・・ワイヤ、６・・・封止樹脂。７・・・外部
リード、８・・・応力遮断ストッパ一部、８１・・・孔
、８２・・・切り欠き、８３・・・突起、８４・・・溝
、８５・・・ワイヤ破断部。
（ｂ）は第１図（ａ）のＤ部の拡大図、第１図（ｃ）は
第１図（ｂ）のＡ−Ａ断面図、第２図（ａ＞、（ｂ）、
第３図（ａ）、（ｂ）第４図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ
本発明の第２、第３、第４の実施例のＤ部拡大図および
Ａ−Ａ断面図、第５図（ａ）は従来の半導体装置の封止
樹脂を透視した平面図、第５図（ｂ）は第５図（ａ）の
Ｄ部の拡大図、第５図（ｃ）は第５図（ｂ）のＡ−Ａ断
面図である。 １・・・半導体素子、２・・・タブ、３・・・タブ吊り
リード、４１，４２．４３，４４．４５・・・内部リー
ド、５・・・ワイヤ、６・・・封止樹脂。７・・・外部
リード、８・・・応力遮断ストッパ一部、８１・・・孔
、８２・・・切り欠き、８３・・・突起、８４・・・溝
、８５・・・ワイヤ破断部。
Claims (1)
- 樹脂封止して成る半導体装置において、少なくとも内部
リード先端のボンディング部近傍のリードに応力遮断ス
トッパー部を有していることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29758388A JPH02143437A (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29758388A JPH02143437A (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02143437A true JPH02143437A (ja) | 1990-06-01 |
Family
ID=17848433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29758388A Pending JPH02143437A (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02143437A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54163677A (en) * | 1978-06-15 | 1979-12-26 | Nippon Electric Co | Semiconductor device |
| JPS6016553B2 (ja) * | 1977-02-10 | 1985-04-26 | ブローゼ・フエルヴアルツングスゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテルハフツング | ケーブル式窓開閉装置 |
| JPS60261161A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS61214545A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-11-24 JP JP29758388A patent/JPH02143437A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6016553B2 (ja) * | 1977-02-10 | 1985-04-26 | ブローゼ・フエルヴアルツングスゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテルハフツング | ケーブル式窓開閉装置 |
| JPS54163677A (en) * | 1978-06-15 | 1979-12-26 | Nippon Electric Co | Semiconductor device |
| JPS60261161A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS61214545A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
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