JPH02164055A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02164055A JPH02164055A JP32125588A JP32125588A JPH02164055A JP H02164055 A JPH02164055 A JP H02164055A JP 32125588 A JP32125588 A JP 32125588A JP 32125588 A JP32125588 A JP 32125588A JP H02164055 A JPH02164055 A JP H02164055A
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- Japan
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- heat sink
- substrate
- plating
- connection
- outer lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は放熱板を有する樹脂封止型の半導体装置に関す
るものである。
るものである。
従来、この種の半導体装置の放熱板は、その製造工程の
都合上第３図に示されるように、半導体素子５が搭載さ
れた基板１と外部リード２が金属細線で接続されている
ものは、接着剤１１で放熱板１３が接続され、又第４図
のように、基板１と外部リード２が金属バンプ１２で接
続されているものは、バンプ１２で絶縁性の放熱板３が
外部リード２をもつ基板１に接続されるのが一般的であ
った。なお、７はこれらを包む封止樹脂である。
都合上第３図に示されるように、半導体素子５が搭載さ
れた基板１と外部リード２が金属細線で接続されている
ものは、接着剤１１で放熱板１３が接続され、又第４図
のように、基板１と外部リード２が金属バンプ１２で接
続されているものは、バンプ１２で絶縁性の放熱板３が
外部リード２をもつ基板１に接続されるのが一般的であ
った。なお、７はこれらを包む封止樹脂である。
上述した従来の半導体装置の中で、第３図で示すように
接着剤を用いる方法は、接着剤の中に含まれる塩素イオ
ンやナトリウムイオン等の不純物の為に、内部の半導体
素子が破壊されやすく高信頼度を要求する半導体装置に
は使用することが出来ない。又接着剤は弱い為に、樹脂
封止の時にしばしば脱離してしまい歩留を下げるという
問題がある。また、第４図に示すように接続バンプを使
用した構造のものは、バンプの高さが揃っていないと接
続した時に放熱板が傾いて接続したり、或いは放熱板が
変形するという問題が起る為、バンプの高さ管理が非常
に難しく、歩留りを落とす原因となっている。
接着剤を用いる方法は、接着剤の中に含まれる塩素イオ
ンやナトリウムイオン等の不純物の為に、内部の半導体
素子が破壊されやすく高信頼度を要求する半導体装置に
は使用することが出来ない。又接着剤は弱い為に、樹脂
封止の時にしばしば脱離してしまい歩留を下げるという
問題がある。また、第４図に示すように接続バンプを使
用した構造のものは、バンプの高さが揃っていないと接
続した時に放熱板が傾いて接続したり、或いは放熱板が
変形するという問題が起る為、バンプの高さ管理が非常
に難しく、歩留りを落とす原因となっている。
上記課題に対し本発明では、放熱板の取りつけを、半導
体素子の搭載前にメッキにて接続している。
体素子の搭載前にメッキにて接続している。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第１図は本発明の第１実施例の断面図である。
第１図において、絶縁基板１と外部リード２および絶縁
性の放熱板３を位置合せして重ねてメッキを施す。これ
により、基板１と外部リード２および放熱板３が重ねら
れた揉一部では、接触する両者に渡る接続メッキ４が形
成される。しかして、この接続メッキ４により基板と外
部リード、および外部リードと放熱板は十分の強度で接
続される。
性の放熱板３を位置合せして重ねてメッキを施す。これ
により、基板１と外部リード２および放熱板３が重ねら
れた揉一部では、接触する両者に渡る接続メッキ４が形
成される。しかして、この接続メッキ４により基板と外
部リード、および外部リードと放熱板は十分の強度で接
続される。
その後基板ｌの上に半導体素子５を搭載し金属細線６で
基板を素子との間を接続した後、樹脂７にてこれらを包
み外部雰囲気から保護されている。
基板を素子との間を接続した後、樹脂７にてこれらを包
み外部雰囲気から保護されている。
第２図は本発明の第２実施例を示す断面図である。第２
図において、絶縁基板１と外部リード２および放熱板３
とは貫通孔９を共通にして重ねられ、この貫通孔８の内
部メッキ９を行ない電気的接続を行なっている。これに
より、基板、外部リード、放熱板は貫通孔８の内部メッ
キにより互いに接続される。放熱板３の接続は基板と外
部リードとの接続の穴と同じ穴でかつ同じ時に接続して
も、又別の穴を使用しリードの別の部分につけることも
可能である。この接続メッキの後、第１実施例と同じよ
うに半導体素子５を搭載し、樹脂７で封止されている。
図において、絶縁基板１と外部リード２および放熱板３
とは貫通孔９を共通にして重ねられ、この貫通孔８の内
部メッキ９を行ない電気的接続を行なっている。これに
より、基板、外部リード、放熱板は貫通孔８の内部メッ
キにより互いに接続される。放熱板３の接続は基板と外
部リードとの接続の穴と同じ穴でかつ同じ時に接続して
も、又別の穴を使用しリードの別の部分につけることも
可能である。この接続メッキの後、第１実施例と同じよ
うに半導体素子５を搭載し、樹脂７で封止されている。
なお、基板、放熱板の接続メッキ部分は、予じめ部分メ
ッキを施しておくことは当然である。
ッキを施しておくことは当然である。
以上説明したように本発明は、メッキを用いて放熱板を
取付ける事により従来問題となっていた不純物による信
頼性の低下を防ぐことが出来ることは勿論、半導体装置
製造工程中に放熱板が離脱することもなく、歩留りの向
上を計ることが出来る。又この放熱板の取付けは材料の
段階で行える為に、取付は作業による素子への悪影響は
全くなく、この点でも品質の向上が期待出来る。さらに
バンプを使用した従来の方法と比べても材料の管理が非
常に容易であり、この点でコストダウンが行える。
取付ける事により従来問題となっていた不純物による信
頼性の低下を防ぐことが出来ることは勿論、半導体装置
製造工程中に放熱板が離脱することもなく、歩留りの向
上を計ることが出来る。又この放熱板の取付けは材料の
段階で行える為に、取付は作業による素子への悪影響は
全くなく、この点でも品質の向上が期待出来る。さらに
バンプを使用した従来の方法と比べても材料の管理が非
常に容易であり、この点でコストダウンが行える。
第１図は本発明の第１実施例の断面図、第２図は本発明
の第２実施例の断面図、第３図および第４図は従来の半
導体装置の一例および他の一例の断面図である。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・外部リード、
３゜１３・・・・・・放熱板、４・・・・・・接続メッ
キ、訃・・・・・半導体素子、６・・・・・・金属細線
、７・・・・・・封止樹脂、８・・・・・・貫通孔、９
・・・・・・内部メッキ。 代理人 弁理士 内 原 晋
の第２実施例の断面図、第３図および第４図は従来の半
導体装置の一例および他の一例の断面図である。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・外部リード、
３゜１３・・・・・・放熱板、４・・・・・・接続メッ
キ、訃・・・・・半導体素子、６・・・・・・金属細線
、７・・・・・・封止樹脂、８・・・・・・貫通孔、９
・・・・・・内部メッキ。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- プリント基板上に１ケ以上の半導体素子が搭載され、基
板と素子及び基板と外部リードとが電気的に接続されか
つ放熱板を有する樹脂封止型半導体装置において、前記
放熱板がメッキにて取付けられていることを特徴とする
樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32125588A JPH02164055A (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32125588A JPH02164055A (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02164055A true JPH02164055A (ja) | 1990-06-25 |
Family
ID=18130538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32125588A Pending JPH02164055A (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02164055A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8102045B2 (en) | 2007-08-08 | 2012-01-24 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit with galvanically bonded heat sink |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6142853B2 (ja) * | 1977-12-28 | 1986-09-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd |
-
1988
- 1988-12-19 JP JP32125588A patent/JPH02164055A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6142853B2 (ja) * | 1977-12-28 | 1986-09-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8102045B2 (en) | 2007-08-08 | 2012-01-24 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit with galvanically bonded heat sink |
| DE102008036285B4 (de) * | 2007-08-08 | 2013-07-18 | Infineon Technologies Ag | Integrierte Schaltung mit einer durch einen galvanischen Prozess erzeugten Verbindung mit einem Kühlkörper und Verfahren dazu |
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