JPS63164331A - フイルムキヤリヤリ−ド - Google Patents
フイルムキヤリヤリ−ドInfo
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- JPS63164331A JPS63164331A JP61312030A JP31203086A JPS63164331A JP S63164331 A JPS63164331 A JP S63164331A JP 61312030 A JP61312030 A JP 61312030A JP 31203086 A JP31203086 A JP 31203086A JP S63164331 A JPS63164331 A JP S63164331A
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- Japan
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- lead
- leads
- ring
- film carrier
- stress
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- Pending
Links
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体素子の電極とフィルムリードとを一括接
合し、実装するフィルムキャリヤ方式のリードの構造に
関するもので、信頼性の高い実装体を提供するものであ
る。
合し、実装するフィルムキャリヤ方式のリードの構造に
関するもので、信頼性の高い実装体を提供するものであ
る。
従来の技術
デバイス、機器の著じるしい発展に伴ないＩＣｉ。
ＬＳＩ等の半導体素子のパッケージングも進展してきた
。これらデバイス、機器を小型、薄型に実装する有力な
手段としてフィルムキャリヤ方式がある。
。これらデバイス、機器を小型、薄型に実装する有力な
手段としてフィルムキャリヤ方式がある。
この方式は第４図に見られる様に厚さ１００〜１２６μ
ｍのポリイミド、エポキシ等の長尺のテープ１に半導体
素子を搭載する開孔部いわゆるデバイス孔２を形成し、
Ｏｕ箔をエツチング加工して形成したり−ド３が、前記
デバイス孔２に突出した状態に配置されている。
ｍのポリイミド、エポキシ等の長尺のテープ１に半導体
素子を搭載する開孔部いわゆるデバイス孔２を形成し、
Ｏｕ箔をエツチング加工して形成したり−ド３が、前記
デバイス孔２に突出した状態に配置されている。
一方、半導体素子４の電極上にはＯｒ −ＣｕやＴｉ−
Ｐ（１等の多層金属膜を被着せしめ、この上に例えばム
Ｕ等の金属突起５を形成しである。前記半導体素子４の
金属突起６とリード３との接合は、一括して行なわれ、
例えばリード３上にＳｎめっき処理が施こされ、金属突
起５が金で構成されるならば、先ず、半導体素子４上の
金属突起６とリード３とを位置合せし、ボンディングツ
ールで加圧、加熱（ツール温度：３ｏＯ〜３６ｏ′Ｃ９
加圧カニ１ｏ〜ｓｏｌ／リード）することによシムＵ・
Ｓｎの合金を形成し、一度に接合が完了することになる
。
Ｐ（１等の多層金属膜を被着せしめ、この上に例えばム
Ｕ等の金属突起５を形成しである。前記半導体素子４の
金属突起６とリード３との接合は、一括して行なわれ、
例えばリード３上にＳｎめっき処理が施こされ、金属突
起５が金で構成されるならば、先ず、半導体素子４上の
金属突起６とリード３とを位置合せし、ボンディングツ
ールで加圧、加熱（ツール温度：３ｏＯ〜３６ｏ′Ｃ９
加圧カニ１ｏ〜ｓｏｌ／リード）することによシムＵ・
Ｓｎの合金を形成し、一度に接合が完了することになる
。
発明が解決しようとする問題点
この方式は非常に小型、薄型に適した実装方式であるが
、フィルムテープ１が機械的応力や熱。
、フィルムテープ１が機械的応力や熱。
湿度等のストレスを受けるため、テープ１のデバイス孔
２が第５図のようにコーナ一部が著しるしく２′のごと
く引張られた形に変形してしまう。
２が第５図のようにコーナ一部が著しるしく２′のごと
く引張られた形に変形してしまう。
このために半導体素子４の金属突起５に接合されている
リード３は、この変形のためにリード３の強度以上のス
トレスを受け、ついには６のごとく切断されてしまうこ
とがあった。この事故は、特にデバイス孔の変形量の大
きいコーナ一部に多発するものであった。
リード３は、この変形のためにリード３の強度以上のス
トレスを受け、ついには６のごとく切断されてしまうこ
とがあった。この事故は、特にデバイス孔の変形量の大
きいコーナ一部に多発するものであった。
問題点を解決するための手段
本発明の構成はデバイス孔内に存在するリードの一部輪
状もしくは弧状領域を形成させて、デバイス孔の変形に
よりリードが受けるストレスを積極的に吸収せんとする
ものである。
状もしくは弧状領域を形成させて、デバイス孔の変形に
よりリードが受けるストレスを積極的に吸収せんとする
ものである。
作用
リードに引張力が働らくと、輪状および弧状の領域が、
その引張力に応じて、伸びる様に構成されているので、
リードが切断される事がない。
その引張力に応じて、伸びる様に構成されているので、
リードが切断される事がない。
実施例
本発明の実施例を第１図で説明する。テープ１上に設け
たデバイス孔２に突出し、半導体素子４の金属突起６と
接合されたリード１ｏは、一部に輪状の領域１１を有し
ている。すなわち、デバイス孔２の端部と、金属突起６
との接合部との間で、巾広で、との巾広のほぼ中心に開
孔が設けである輪状のリードが構成されている。この輪
状領域１１のリードは、デバイス孔のコーナ一部附近の
みに設けても良いし、リードピッチの寸法に余裕があれ
ば、全リードに形成しても良い。特にデバイス孔のコー
ナ一部分はテープのストレスにょシ、よシ一層変形しや
すいので、輪状のリードはコーナー領域のリードに形成
した方が、より効果的となる。
たデバイス孔２に突出し、半導体素子４の金属突起６と
接合されたリード１ｏは、一部に輪状の領域１１を有し
ている。すなわち、デバイス孔２の端部と、金属突起６
との接合部との間で、巾広で、との巾広のほぼ中心に開
孔が設けである輪状のリードが構成されている。この輪
状領域１１のリードは、デバイス孔のコーナ一部附近の
みに設けても良いし、リードピッチの寸法に余裕があれ
ば、全リードに形成しても良い。特にデバイス孔のコー
ナ一部分はテープのストレスにょシ、よシ一層変形しや
すいので、輪状のリードはコーナー領域のリードに形成
した方が、より効果的となる。
第２図で実際にデバイス孔が熱、湿度や機械的ストレス
によって２′のごとく変形した状態についてのべる。テ
ープ１に応力（ストレス）が加わシブバイス孔が変形２
′すると半導体素子４の金属突起６と接合されているリ
ード１１は、その応力の度合に比例して引張力が作用す
る。
によって２′のごとく変形した状態についてのべる。テ
ープ１に応力（ストレス）が加わシブバイス孔が変形２
′すると半導体素子４の金属突起６と接合されているリ
ード１１は、その応力の度合に比例して引張力が作用す
る。
ところが、本発明のリードではリードの一部が輪状によ
っているため、リードに作用した応力はこの輪状の領域
１１を引張り、第２図ａのリード２ｏの如く変形する。
っているため、リードに作用した応力はこの輪状の領域
１１を引張り、第２図ａのリード２ｏの如く変形する。
例えば円形の輪状リードであったものは引張力によって
図のととく長孔状に変形し、伸びと、この力を吸収する
ことになシ、リードの切断は発生しない。
図のととく長孔状に変形し、伸びと、この力を吸収する
ことになシ、リードの切断は発生しない。
第２図すの如くの寸法、例えばリード幅１ｏ。
μｍで輪状領域の外寸法３６０μｍ、輪状のリードの幅
１ｏＯμｍであれば、このリードに応力を作用すると、
約２６０μｍ伸びて、その応力を吸収してくれた。すな
わち、この様なリード形状とすることによシ、テープが
変形しリードが２５０μｍ伸びてもリードの切断は発生
しないという事になる。
１ｏＯμｍであれば、このリードに応力を作用すると、
約２６０μｍ伸びて、その応力を吸収してくれた。すな
わち、この様なリード形状とすることによシ、テープが
変形しリードが２５０μｍ伸びてもリードの切断は発生
しないという事になる。
次にリードの巾広の領域の形状について第３図で詳述す
る。
る。
ａ図は既にのべた輪状のリードであるがｂ図はリードの
長手方向に対し輪が楕円状を有するものである。この様
な楕円状のリードでは、リードのピッチ間を広くしなけ
ればならないが、リードへの引張力に対し、伸び量を大
きく取る事ができる。
長手方向に対し輪が楕円状を有するものである。この様
な楕円状のリードでは、リードのピッチ間を広くしなけ
ればならないが、リードへの引張力に対し、伸び量を大
きく取る事ができる。
０図は弧状のものである。この構成では、リードピッチ
を更に狭く構成できる特徴がある。ｄ図は輪状を斜め方
向に形成したものでインナーリードの方向とアクタ−リ
ードの方向が異なる。
を更に狭く構成できる特徴がある。ｄ図は輪状を斜め方
向に形成したものでインナーリードの方向とアクタ−リ
ードの方向が異なる。
また６図は、輪状部分が千鳥状に構成されたもので、リ
ードピッチを狭くすることができる。この場合、輪状部
分が弧状であっても良い。
ードピッチを狭くすることができる。この場合、輪状部
分が弧状であっても良い。
以上の実施例では、フィルムテープは所定寸法に打抜か
れて、回路基板上に搭載した状態を説明していないが、
実際には、フィルムキャリヤは回路基板上に半田づけや
共晶合金で、セラミックあるいはガラエポ基板上に搭載
され、この時に発生する応力によって、インナーリード
が破断するものである。この様にフィルムキャリヤを所
定寸法に打抜き、回路基板上に搭載しても良いものであ
る。
れて、回路基板上に搭載した状態を説明していないが、
実際には、フィルムキャリヤは回路基板上に半田づけや
共晶合金で、セラミックあるいはガラエポ基板上に搭載
され、この時に発生する応力によって、インナーリード
が破断するものである。この様にフィルムキャリヤを所
定寸法に打抜き、回路基板上に搭載しても良いものであ
る。
またリードの形状や配列は、微妙な設計上、変えうるも
のであるから、第３図の例にこだわらないものである。
のであるから、第３図の例にこだわらないものである。
発明の効果
以上のように本発明によればインナーリードに加わる応
力をリード自体が、リードの剛性に対し無理なく伸び、
応力を吸収できるから、信頼性の高い実装を実現できる
ものである。
力をリード自体が、リードの剛性に対し無理なく伸び、
応力を吸収できるから、信頼性の高い実装を実現できる
ものである。
第１図ａ、ｂは本発明の一実施例のフィルムテープへの
半導体素子の実装状態の平面図、断面図、第２図ａは第
１図のテープに応力が加わった状態の平面図、第２図す
はリードの輪状領域の平面図、第３図ＩＬ −６はリー
ドの輪状領域の他の例を示す平面図、第４図ａ、ｂは従
来のテープへの実装状態の平面図、断面図、第５図は第
４図のテープに応力が加わった状態の平面図である。 １・・・・・・フィルムキャリヤ、２・・・・・・デバ
イス孔、４・・・・・・半導体素子、１０・・・・・・
リード、１１・・・・・・輪状リード。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 第３図 （（Ｌ）
（ｂン（Ｃ）
ｔｃＬノ第４図
半導体素子の実装状態の平面図、断面図、第２図ａは第
１図のテープに応力が加わった状態の平面図、第２図す
はリードの輪状領域の平面図、第３図ＩＬ −６はリー
ドの輪状領域の他の例を示す平面図、第４図ａ、ｂは従
来のテープへの実装状態の平面図、断面図、第５図は第
４図のテープに応力が加わった状態の平面図である。 １・・・・・・フィルムキャリヤ、２・・・・・・デバ
イス孔、４・・・・・・半導体素子、１０・・・・・・
リード、１１・・・・・・輪状リード。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 第３図 （（Ｌ）
（ｂン（Ｃ）
ｔｃＬノ第４図
Claims (3)
- （１）樹脂テープに開孔部が形成され、前記開孔部に突
出し、半導体素子の電極と接合される導体リードを有す
るフィルムキャリヤの前記導体リードにおいて、少なく
とも前記開孔部のコーナ領域の前記導体リードの一部が
輪状もしくは弧状に形成されたことを特徴とするフィル
ムキャリヤリード。 - （２）導体リードに形成した輪状部もしくは弧状部が開
孔部の辺方向に千鳥状に配設される特許請求の範囲第１
項記載のフィルムキャリヤリード。 - （３）導体リードの幅と輪状部もしくは弧状部の領域の
導体リードの幅がほぼ同一寸法である特許請求の範囲第
１項記載のフィルムキャリヤリード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61312030A JPS63164331A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | フイルムキヤリヤリ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61312030A JPS63164331A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | フイルムキヤリヤリ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164331A true JPS63164331A (ja) | 1988-07-07 |
Family
ID=18024374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61312030A Pending JPS63164331A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | フイルムキヤリヤリ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63164331A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01270241A (ja) * | 1988-04-21 | 1989-10-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| EP0456066A2 (en) * | 1990-05-08 | 1991-11-13 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor chip mounted inside a device hole of a film carrier |
| DE10303455A1 (de) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leiterrahmenband und Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Leiterrahmen-basierten Leuchtdiodenbauelementen |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61312030A patent/JPS63164331A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01270241A (ja) * | 1988-04-21 | 1989-10-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| EP0456066A2 (en) * | 1990-05-08 | 1991-11-13 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor chip mounted inside a device hole of a film carrier |
| DE10303455A1 (de) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leiterrahmenband und Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Leiterrahmen-basierten Leuchtdiodenbauelementen |
| DE10303455B4 (de) * | 2003-01-29 | 2007-11-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leiterrahmenband und Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Leiterrahmen-basierten Leuchtdiodenbauelementen |
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