JPH11248571A - 半導体圧力センサ用台座 - Google Patents
半導体圧力センサ用台座Info
- Publication number
- JPH11248571A JPH11248571A JP4670298A JP4670298A JPH11248571A JP H11248571 A JPH11248571 A JP H11248571A JP 4670298 A JP4670298 A JP 4670298A JP 4670298 A JP4670298 A JP 4670298A JP H11248571 A JPH11248571 A JP H11248571A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure sensor
- semiconductor pressure
- pedestal
- hole
- sensor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 貫通孔の内壁にメタライズ層が形成されず、
工程が増加することもなく、半導体圧力センサチップと
の接合信頼性のよい半導体圧力センサ用台座を提供す
る。 【解決手段】 凹部を形成することにより薄肉状に形成
されたダイアフラム１１を有する半導体圧力センサチッ
プ１と、ダイアフラム１１に圧力を導入するための貫通
孔２１が形成され、半導体圧力センサチップ１に接合さ
れる台座２とを有してなる半導体圧力センサにおける台
座２であって、貫通孔２１の半導体圧力センサチップ１
に接合される側の開口部の形状を大きくし、深さ方向に
沿って徐々に小さくなるようにした。
工程が増加することもなく、半導体圧力センサチップと
の接合信頼性のよい半導体圧力センサ用台座を提供す
る。 【解決手段】 凹部を形成することにより薄肉状に形成
されたダイアフラム１１を有する半導体圧力センサチッ
プ１と、ダイアフラム１１に圧力を導入するための貫通
孔２１が形成され、半導体圧力センサチップ１に接合さ
れる台座２とを有してなる半導体圧力センサにおける台
座２であって、貫通孔２１の半導体圧力センサチップ１
に接合される側の開口部の形状を大きくし、深さ方向に
沿って徐々に小さくなるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイアフラムの形
成された半導体圧力センサチップと台座とを接合してな
る半導体圧力センサの台座に関するものである。
成された半導体圧力センサチップと台座とを接合してな
る半導体圧力センサの台座に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体圧力センサは微圧領域の
圧力の測定を行うものであり、図４に示すように、凹部
を形成することにより薄肉状に形成されたダイアフラム
１１を有する半導体圧力センサチップ１がガラス台座２
に陽極接合等により接合され、中心にコバール製又は４
２アロイ等の金属パイプ４が配置されたＰＰＳやＰＢＴ
等のプラスチックパッケージ３内に設置される。半導体
圧力センサチップ１表面のアルミパッドとリード５とは
金又はアルミ製のワイヤ６で接続されている。なお、７
はプラスチックパッケージ３の蓋であり、１２は半導体
圧力センサチップ１に形成された歪みゲージ抵抗であ
り、１３は半導体圧力センサチップ１の表面を保護する
オーバーコートである。ガラス台座２の材料としては、
例えばパイレックスガラス（コーニング社製、品番♯７
７４０等）が用いられる。
圧力の測定を行うものであり、図４に示すように、凹部
を形成することにより薄肉状に形成されたダイアフラム
１１を有する半導体圧力センサチップ１がガラス台座２
に陽極接合等により接合され、中心にコバール製又は４
２アロイ等の金属パイプ４が配置されたＰＰＳやＰＢＴ
等のプラスチックパッケージ３内に設置される。半導体
圧力センサチップ１表面のアルミパッドとリード５とは
金又はアルミ製のワイヤ６で接続されている。なお、７
はプラスチックパッケージ３の蓋であり、１２は半導体
圧力センサチップ１に形成された歪みゲージ抵抗であ
り、１３は半導体圧力センサチップ１の表面を保護する
オーバーコートである。ガラス台座２の材料としては、
例えばパイレックスガラス（コーニング社製、品番♯７
７４０等）が用いられる。
【０００３】ガラス台座２の中心部には、半導体圧力セ
ンサチップ１のダイアフラム１１に圧力を印加するため
の貫通孔２１が形成され、ガラス台座２はこの貫通孔２
１と金属パイプ４の貫通孔４１とが対向するような配置
で、金属パイプ４に接合される。ガラス台座２と金属パ
イプ４とを接合するために、ガラス台座２の半導体圧力
センサチップ１と接合しない側の面にはメタライズ層８
が形成される。
ンサチップ１のダイアフラム１１に圧力を印加するため
の貫通孔２１が形成され、ガラス台座２はこの貫通孔２
１と金属パイプ４の貫通孔４１とが対向するような配置
で、金属パイプ４に接合される。ガラス台座２と金属パ
イプ４とを接合するために、ガラス台座２の半導体圧力
センサチップ１と接合しない側の面にはメタライズ層８
が形成される。
【０００４】ガラス台座２へのメタライズ層８の形成
は、まず、図５（ａ）に示すように、メタライズ層８を
形成すべき面の表面粗化を行い、次に、図５（ｂ）に示
すように、ガラス台座２を平面プレート１０上に密着し
て設置し、スパッタリングや蒸着により表面粗化した面
にメタライズ層８を形成する。メタライズ層８の例とし
ては、Ｃｒ（最下層）／Ｎｉ／Ａｕ（最上層）、Ｔｉ
（最下層）／Ｎｉ／Ａｕ（最上層）、Ｔｉ（最下層）／
Ｐｔ／Ａｕ（最上層）等が挙げられる。その後、図５
（ｃ）に示すように、ガラス台座２を平面プレート１０
から取り外す。
は、まず、図５（ａ）に示すように、メタライズ層８を
形成すべき面の表面粗化を行い、次に、図５（ｂ）に示
すように、ガラス台座２を平面プレート１０上に密着し
て設置し、スパッタリングや蒸着により表面粗化した面
にメタライズ層８を形成する。メタライズ層８の例とし
ては、Ｃｒ（最下層）／Ｎｉ／Ａｕ（最上層）、Ｔｉ
（最下層）／Ｎｉ／Ａｕ（最上層）、Ｔｉ（最下層）／
Ｐｔ／Ａｕ（最上層）等が挙げられる。その後、図５
（ｃ）に示すように、ガラス台座２を平面プレート１０
から取り外す。
【０００５】そして、金属パイプ４とガラス台座２とが
メタライズ層８を介して半田（錫、錫−アンチモン合
金、鉛、錫−鉛合金、金−シリコン合金、錫−銀合金
等）９により接合される。メタライズ層８の最上層のＡ
ｕの表面には半田９が塗れるのである。
メタライズ層８を介して半田（錫、錫−アンチモン合
金、鉛、錫−鉛合金、金−シリコン合金、錫−銀合金
等）９により接合される。メタライズ層８の最上層のＡ
ｕの表面には半田９が塗れるのである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようなガラス台座２へのメタライズ層８の形成方法によ
れば、ガラス台座２の平面プレート１０に接している方
の面はメタライズされることはないが、貫通孔２１の内
壁にはメタル粒子が付着し、メタライズ層８が形成され
てしまう。
ようなガラス台座２へのメタライズ層８の形成方法によ
れば、ガラス台座２の平面プレート１０に接している方
の面はメタライズされることはないが、貫通孔２１の内
壁にはメタル粒子が付着し、メタライズ層８が形成され
てしまう。
【０００７】貫通孔２１の内壁にメタライズ層８が形成
されてしまうと、図６に示すように、ガラス台座２と半
導体圧力センサチップ１とを陽極接合する場合、高温
（約３００℃から４００℃）中で、高バイアス（約５０
０Ｖから８００Ｖ）が印加されるため、半導体圧力セン
サチップ１のガラス台座２との接合面の貫通孔２１に近
い個所と、貫通孔２１の内壁の上端部に形成されたメタ
ライズ層８との間で放電が生じ、半導体圧力センサチッ
プ１が破壊してしまうという問題があった。
されてしまうと、図６に示すように、ガラス台座２と半
導体圧力センサチップ１とを陽極接合する場合、高温
（約３００℃から４００℃）中で、高バイアス（約５０
０Ｖから８００Ｖ）が印加されるため、半導体圧力セン
サチップ１のガラス台座２との接合面の貫通孔２１に近
い個所と、貫通孔２１の内壁の上端部に形成されたメタ
ライズ層８との間で放電が生じ、半導体圧力センサチッ
プ１が破壊してしまうという問題があった。
【０００８】このような問題を改善するために、メタラ
イズ層８の形成に際して、図７に示すように、ガラス台
座２の貫通孔２１内にワックス２０を充填する方法があ
る。つまり、図７（ａ）に示すように、メタライズ層８
を形成すべき面の表面粗化を行い、図７（ｂ）に示すよ
うに、ガラス台座２を平面プレート１０上に密着して設
置した段階で、貫通孔２１内にワックス２０を充填す
る。ワックス２０は約１００℃から１５０℃程度の熱で
溶けるものを使用するが、メタライズ層８の形成時に加
わる温度によってはワックス２０の種類は適宜変更すれ
ば良い。ワックス２０の貫通孔２１内への充填方法は、
例えば、ディスペンサ等を用いて針先からワックスを吐
出することにより行う。その後、図７（ｃ）に示すよう
に、スパッタリングや蒸着により表面粗化した面にメタ
ライズ層８を形成する。メタライズ層８の形成完了後、
図７（ｄ）に示すように、ガラス台座２を平面プレート
１０から取り外し、ガラス台座２をを加熱することによ
り、貫通孔２１内に充填されたワックス２０を溶融して
除去する。このようにすることにより、貫通孔２１内に
メタライズ層８が形成されてしまうことを防止してい
た。
イズ層８の形成に際して、図７に示すように、ガラス台
座２の貫通孔２１内にワックス２０を充填する方法があ
る。つまり、図７（ａ）に示すように、メタライズ層８
を形成すべき面の表面粗化を行い、図７（ｂ）に示すよ
うに、ガラス台座２を平面プレート１０上に密着して設
置した段階で、貫通孔２１内にワックス２０を充填す
る。ワックス２０は約１００℃から１５０℃程度の熱で
溶けるものを使用するが、メタライズ層８の形成時に加
わる温度によってはワックス２０の種類は適宜変更すれ
ば良い。ワックス２０の貫通孔２１内への充填方法は、
例えば、ディスペンサ等を用いて針先からワックスを吐
出することにより行う。その後、図７（ｃ）に示すよう
に、スパッタリングや蒸着により表面粗化した面にメタ
ライズ層８を形成する。メタライズ層８の形成完了後、
図７（ｄ）に示すように、ガラス台座２を平面プレート
１０から取り外し、ガラス台座２をを加熱することによ
り、貫通孔２１内に充填されたワックス２０を溶融して
除去する。このようにすることにより、貫通孔２１内に
メタライズ層８が形成されてしまうことを防止してい
た。
【０００９】しかしながら、この場合には、貫通孔２１
内へのワックス２０の充填という工程が余分に増え、コ
ストアップになる。また、ワックスが貫通孔２１内以外
の周囲のガラス台座２面上に飛び散った場合、ワックス
上にメタライズ層８を形成してしまうことになり、メタ
ライズ層８のガラス台座２表面との接着力が低下する。
さらに、メタライズ層８の形成後、貫通孔２１内に充填
されたワックス２０を溶融して除去するが、このワック
ス２０の残さがガラス台座２の半導体圧力センサチップ
１と接合する面上に回り込むと、ガラス台座２と半導体
圧力センサチップ１との接合品質に著しい影響を及ぼす
ことになる。つまり、接合されず空隙（ボイド）が発生
したりして接合強度が低下する。ワックス２０の残さを
除去するために溶融有機溶剤（アセトン、イソプロピル
アルコール等）で洗浄することも考えられるが、洗浄工
程が増えるし、洗浄後の残さレベルの確認等、品質管理
が難しい。特に、ワックス２０が不透明な場合には、目
視検査ができず、洗浄性の評価ができないという問題が
あった。
内へのワックス２０の充填という工程が余分に増え、コ
ストアップになる。また、ワックスが貫通孔２１内以外
の周囲のガラス台座２面上に飛び散った場合、ワックス
上にメタライズ層８を形成してしまうことになり、メタ
ライズ層８のガラス台座２表面との接着力が低下する。
さらに、メタライズ層８の形成後、貫通孔２１内に充填
されたワックス２０を溶融して除去するが、このワック
ス２０の残さがガラス台座２の半導体圧力センサチップ
１と接合する面上に回り込むと、ガラス台座２と半導体
圧力センサチップ１との接合品質に著しい影響を及ぼす
ことになる。つまり、接合されず空隙（ボイド）が発生
したりして接合強度が低下する。ワックス２０の残さを
除去するために溶融有機溶剤（アセトン、イソプロピル
アルコール等）で洗浄することも考えられるが、洗浄工
程が増えるし、洗浄後の残さレベルの確認等、品質管理
が難しい。特に、ワックス２０が不透明な場合には、目
視検査ができず、洗浄性の評価ができないという問題が
あった。
【００１０】本発明は、上記の点に鑑みてなしたもので
あり、その目的とするところは、貫通孔の内壁にメタラ
イズ層が形成されず、工程が増加することもなく、半導
体圧力センサチップとの接合信頼性のよい半導体圧力セ
ンサ用台座を提供することにある。
あり、その目的とするところは、貫通孔の内壁にメタラ
イズ層が形成されず、工程が増加することもなく、半導
体圧力センサチップとの接合信頼性のよい半導体圧力セ
ンサ用台座を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
凹部を形成することにより薄肉状に形成されたダイアフ
ラムを有する半導体圧力センサチップと、前記ダイアフ
ラムに圧力を導入するための貫通孔が形成され、前記半
導体圧力センサチップに接合される台座とを有してなる
半導体圧力センサにおける前記台座であって、前記貫通
孔の前記半導体圧力センサチップに接合される側の開口
部の形状を大きくし、深さ方向に沿って徐々に小さくな
るようにしたことを特徴とするものである。
凹部を形成することにより薄肉状に形成されたダイアフ
ラムを有する半導体圧力センサチップと、前記ダイアフ
ラムに圧力を導入するための貫通孔が形成され、前記半
導体圧力センサチップに接合される台座とを有してなる
半導体圧力センサにおける前記台座であって、前記貫通
孔の前記半導体圧力センサチップに接合される側の開口
部の形状を大きくし、深さ方向に沿って徐々に小さくな
るようにしたことを特徴とするものである。
【００１２】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、前記貫通孔をテーパ状に形成したことを特
徴とするものである。
明において、前記貫通孔をテーパ状に形成したことを特
徴とするものである。
【００１３】請求項３記載の発明は、請求項１記載の発
明において、前記貫通孔を階段状に形成したことを特徴
とするものである。
明において、前記貫通孔を階段状に形成したことを特徴
とするものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
を図面に基づき説明する。図１は本発明の実施の形態の
一例に係る半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形
成方法を示す工程図である。まず、図１（ａ）に示すよ
うに、円盤状のガラス台座２（直径約１００ｍｍから１
５０ｍｍ、厚み約０．５ｍｍから３ｍｍ）には、超音波
加工法等により貫通孔２１が形成されている。貫通孔２
１の大きさは直径約０．６ｍｍから１．５ｍｍである。
ここで、貫通孔２１の形状は、一方の面側の開口部の断
面形状を小さくし、他方の開口部の断面形状が徐々に大
きくなるようにテーパ部２３が形成される。このテーパ
状の貫通孔２１の形成方法は、超音波加工法で孔あけ加
工するときに用いる鋼針の形状として、先端の細い形状
のものを使用すればよい。このガラス台座２の貫通孔２
１の開口部が小さい方の面に対して、表面粗化が行われ
る。つまり、表面粗化を行う面に対して、目の粗い砥石
で研磨し、又は、サンドブラスト法により吐粒を吹きか
け、粗面化し、後述のメタライズ層の形成時に金属が付
着しやすいようにしておく。
を図面に基づき説明する。図１は本発明の実施の形態の
一例に係る半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形
成方法を示す工程図である。まず、図１（ａ）に示すよ
うに、円盤状のガラス台座２（直径約１００ｍｍから１
５０ｍｍ、厚み約０．５ｍｍから３ｍｍ）には、超音波
加工法等により貫通孔２１が形成されている。貫通孔２
１の大きさは直径約０．６ｍｍから１．５ｍｍである。
ここで、貫通孔２１の形状は、一方の面側の開口部の断
面形状を小さくし、他方の開口部の断面形状が徐々に大
きくなるようにテーパ部２３が形成される。このテーパ
状の貫通孔２１の形成方法は、超音波加工法で孔あけ加
工するときに用いる鋼針の形状として、先端の細い形状
のものを使用すればよい。このガラス台座２の貫通孔２
１の開口部が小さい方の面に対して、表面粗化が行われ
る。つまり、表面粗化を行う面に対して、目の粗い砥石
で研磨し、又は、サンドブラスト法により吐粒を吹きか
け、粗面化し、後述のメタライズ層の形成時に金属が付
着しやすいようにしておく。
【００１５】次に、図１（ｂ）に示すように、ガラス台
座２の粗面化した面を上側に向けてプレート１０上に載
せ、ガラス台座２の粗面化した面側にスパッタリングや
蒸着によりメタライズ層８を形成する。スパッタリング
の場合には、ターゲット（メタライズ層８の材料となる
板）のまわりを、圧力を１０-2Ｔｏｒｒ〜１０-4Ｔｏｒ
ｒにして基板や真空容器（接地）とターゲットとの間に
数百Ｖ〜数ＫＶの電圧を印加してプラズマを発生させ
る。このプラズマ中のイオンがターゲット表面の原子を
跳ね飛ばし、基板（ガラス）の上に付着することにより
膜を形成するのである。この方法でターゲットを変える
ことにより複数の金属層を積層し、メタライズ層８が形
成される。メタライズ層８の例としては、Ｃｒ（最下
層）／Ｎｉ／Ａｕ（最上層）、Ｔｉ（最下層）／Ｎｉ／
Ａｕ（最上層）、Ｔｉ（最下層）／Ｐｔ／Ａｕ（最上
層）等が挙げられる。なお、スパッタリングはメタライ
ズ層を形成する面（表面粗化の行われた面）の方向から
行う。
座２の粗面化した面を上側に向けてプレート１０上に載
せ、ガラス台座２の粗面化した面側にスパッタリングや
蒸着によりメタライズ層８を形成する。スパッタリング
の場合には、ターゲット（メタライズ層８の材料となる
板）のまわりを、圧力を１０-2Ｔｏｒｒ〜１０-4Ｔｏｒ
ｒにして基板や真空容器（接地）とターゲットとの間に
数百Ｖ〜数ＫＶの電圧を印加してプラズマを発生させ
る。このプラズマ中のイオンがターゲット表面の原子を
跳ね飛ばし、基板（ガラス）の上に付着することにより
膜を形成するのである。この方法でターゲットを変える
ことにより複数の金属層を積層し、メタライズ層８が形
成される。メタライズ層８の例としては、Ｃｒ（最下
層）／Ｎｉ／Ａｕ（最上層）、Ｔｉ（最下層）／Ｎｉ／
Ａｕ（最上層）、Ｔｉ（最下層）／Ｐｔ／Ａｕ（最上
層）等が挙げられる。なお、スパッタリングはメタライ
ズ層を形成する面（表面粗化の行われた面）の方向から
行う。
【００１６】本実施形態では、ガラス台座２の貫通孔２
１がテーパ状に形成され、メタライズ層８を形成する側
の開口部の方が他方側の開口部よりも小さくなるように
なっているので、貫通孔２１の傾斜した内壁２２（テー
パ部２３）には金属膜は付着しにくいのである。
１がテーパ状に形成され、メタライズ層８を形成する側
の開口部の方が他方側の開口部よりも小さくなるように
なっているので、貫通孔２１の傾斜した内壁２２（テー
パ部２３）には金属膜は付着しにくいのである。
【００１７】図２は本発明の他の実施の形態に係る半導
体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法を示す工
程図である。本実施形態では、上述の実施形態におい
て、図２（ａ）に示すように、貫通孔２１の形状を、階
段形状としている。つまり、メタライズ層８の形成面
（粗面化する側の面）の開口部の方の形状が深さ方向の
他方の面側の開口部よりも小さくなるように段差部２４
が形成されているのである。この段差の形成方法として
は、超音波加工法で孔あけ加工するときに用いる鋼針と
して、径が異なるものを使用すればよい。つまり、大き
な径の鋼針により開口部の大きな部分を形成し、小さな
径の鋼針により開口部の小さな部分を形成するようにす
ればよい。なお、この段差は必ずしも２段である必要は
なく、３段以上であっても構わない。
体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法を示す工
程図である。本実施形態では、上述の実施形態におい
て、図２（ａ）に示すように、貫通孔２１の形状を、階
段形状としている。つまり、メタライズ層８の形成面
（粗面化する側の面）の開口部の方の形状が深さ方向の
他方の面側の開口部よりも小さくなるように段差部２４
が形成されているのである。この段差の形成方法として
は、超音波加工法で孔あけ加工するときに用いる鋼針と
して、径が異なるものを使用すればよい。つまり、大き
な径の鋼針により開口部の大きな部分を形成し、小さな
径の鋼針により開口部の小さな部分を形成するようにす
ればよい。なお、この段差は必ずしも２段である必要は
なく、３段以上であっても構わない。
【００１８】そして、図２（ｂ）に示すように、ガラス
台座２の粗面化した面を上側に向けてプレート１０上に
載せ、ガラス台座２の粗面化した面側にスパッタリング
や蒸着によりメタライズ層８を形成する。
台座２の粗面化した面を上側に向けてプレート１０上に
載せ、ガラス台座２の粗面化した面側にスパッタリング
や蒸着によりメタライズ層８を形成する。
【００１９】本実施形態では、ガラス台座２の貫通孔２
１が階段状に形成され、メタライズ層８を形成する側の
開口部の方が他方側の開口部よりも小さくなるようにし
ているので、貫通孔２１の内壁２２には金属膜は付着し
にくいのである。但し、メタライズ層８を形成する側の
小さい形状の開口部の周辺の内壁には若干の金属膜が付
着するが、半導体圧力センサチップ１との接合部からは
十分間隔があるので、陽極接合時の放電等は発生せず、
品質上問題はない。
１が階段状に形成され、メタライズ層８を形成する側の
開口部の方が他方側の開口部よりも小さくなるようにし
ているので、貫通孔２１の内壁２２には金属膜は付着し
にくいのである。但し、メタライズ層８を形成する側の
小さい形状の開口部の周辺の内壁には若干の金属膜が付
着するが、半導体圧力センサチップ１との接合部からは
十分間隔があるので、陽極接合時の放電等は発生せず、
品質上問題はない。
【００２０】以上のようにして、メタライズ層８の形成
されたガラス台座２は、図３に示すように、メタライズ
層８の形成面側が半田９を介して金属パイプ４に接合さ
れ、反対側の面が半導体圧力センサチップ１に陽極接合
により接合される。陽極接合の条件としては、真空雰囲
気中で約４００℃に加熱し、約５００Ｖ〜８００Ｖの直
流電圧を半導体圧力センサチップ１側が正極になるよう
に印加すると、静電引力により原子的に接合されるので
ある。
されたガラス台座２は、図３に示すように、メタライズ
層８の形成面側が半田９を介して金属パイプ４に接合さ
れ、反対側の面が半導体圧力センサチップ１に陽極接合
により接合される。陽極接合の条件としては、真空雰囲
気中で約４００℃に加熱し、約５００Ｖ〜８００Ｖの直
流電圧を半導体圧力センサチップ１側が正極になるよう
に印加すると、静電引力により原子的に接合されるので
ある。
【００２１】以上の実施形態によれば、メタライズ層８
を形成する側の開口部の方が他方の開口部よりも小さく
なるようになっているので、ガラス台座２の貫通孔２１
の内壁２２は、メタライズ層８の形成工程時には、メタ
ライズ層が形成されることはなくなり、金属パイプ４と
の接合面にのみ形成される。従って、ガラス台座２と半
導体圧力センサチップ１とを陽極接合する場合に、放電
により半導体圧力センサチップ１が破壊することがな
く、また、ワックスを充填する等の余分な工程が増加す
ることもなく、さらには、ガラス台座２と半導体圧力セ
ンサチップ１や金属パイプ４との接合信頼性も向上する
のである。
を形成する側の開口部の方が他方の開口部よりも小さく
なるようになっているので、ガラス台座２の貫通孔２１
の内壁２２は、メタライズ層８の形成工程時には、メタ
ライズ層が形成されることはなくなり、金属パイプ４と
の接合面にのみ形成される。従って、ガラス台座２と半
導体圧力センサチップ１とを陽極接合する場合に、放電
により半導体圧力センサチップ１が破壊することがな
く、また、ワックスを充填する等の余分な工程が増加す
ることもなく、さらには、ガラス台座２と半導体圧力セ
ンサチップ１や金属パイプ４との接合信頼性も向上する
のである。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、請求項１乃至請求項３記
載の発明によれば、凹部を形成することにより薄肉状に
形成されたダイアフラムを有する半導体圧力センサチッ
プと、前記ダイアフラムに圧力を導入するための貫通孔
が形成され、前記半導体圧力センサチップに接合される
台座とを有してなる半導体圧力センサにおける前記台座
であって、前記貫通孔の前記半導体圧力センサチップに
接合される側の開口部の形状を大きくし、深さ方向に沿
って徐々に小さくなるようにしたので、メタライズ層が
形成される側の開口部の形状の方が反対側の開口部の形
状より小さくなり、貫通孔の内壁にメタライズ層が形成
されにくく、工程が増加することもなく、半導体圧力セ
ンサチップとの接合信頼性のよい半導体圧力センサ用台
座が提供できた。
載の発明によれば、凹部を形成することにより薄肉状に
形成されたダイアフラムを有する半導体圧力センサチッ
プと、前記ダイアフラムに圧力を導入するための貫通孔
が形成され、前記半導体圧力センサチップに接合される
台座とを有してなる半導体圧力センサにおける前記台座
であって、前記貫通孔の前記半導体圧力センサチップに
接合される側の開口部の形状を大きくし、深さ方向に沿
って徐々に小さくなるようにしたので、メタライズ層が
形成される側の開口部の形状の方が反対側の開口部の形
状より小さくなり、貫通孔の内壁にメタライズ層が形成
されにくく、工程が増加することもなく、半導体圧力セ
ンサチップとの接合信頼性のよい半導体圧力センサ用台
座が提供できた。
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体圧力センサ用
台座のメタライズ層の形成方法を示す工程図である。
台座のメタライズ層の形成方法を示す工程図である。
【図２】本発明の他の実施形態に係る半導体圧力センサ
用台座のメタライズ層の形成方法を示す工程図である。
用台座のメタライズ層の形成方法を示す工程図である。
【図３】同上に係る台座を半導体圧力センサチップ及び
金属パイプに接合した状態を示す模式図である。
金属パイプに接合した状態を示す模式図である。
【図４】半導体圧力センサの概略構成図である。
【図５】従来例に係る半導体圧力センサ用台座のメタラ
イズ層の形成方法を示す工程図である。
イズ層の形成方法を示す工程図である。
【図６】同上に係る台座を半導体圧力センサチップ及び
金属パイプに接合した状態を示す模式図である。
金属パイプに接合した状態を示す模式図である。
【図７】他の従来例に係る半導体圧力センサ用台座のメ
タライズ層の形成方法を示す工程図である。
タライズ層の形成方法を示す工程図である。
１ 半導体圧力センサチップ ２ ガラス台座 ３ プラスチックパッケージ ４ 金属パイプ ５ リード ６ ワイヤ ７ 蓋 ８ メタライズ層 ９ 半田 １０ 平面プレート １１ ダイアフラム １２ 歪みゲージ抵抗 １３ オーバーコート ２０ ワックス ２１ 貫通孔 ２２ 内壁 ２３ テーパ部 ２４ 段差部
Claims (3)
- 【請求項１】 凹部を形成することにより薄肉状に形成
されたダイアフラムを有する半導体圧力センサチップ
と、前記ダイアフラムに圧力を導入するための貫通孔が
形成され、前記半導体圧力センサチップに接合される台
座とを有してなる半導体圧力センサにおける前記台座で
あって、前記貫通孔の前記半導体圧力センサチップに接
合される側の開口部の形状を大きくし、深さ方向に沿っ
て徐々に小さくなるようにしたことを特徴とする半導体
圧力センサ用台座。 - 【請求項２】 前記貫通孔をテーパ状に形成したことを
特徴とする請求項１記載の半導体圧力センサ用台座。 - 【請求項３】 前記貫通孔を階段状に形成したことを特
徴とする請求項１記載の半導体圧力センサ用台座。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4670298A JPH11248571A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 半導体圧力センサ用台座 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4670298A JPH11248571A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 半導体圧力センサ用台座 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11248571A true JPH11248571A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=12754712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4670298A Pending JPH11248571A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 半導体圧力センサ用台座 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11248571A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101943622A (zh) * | 2009-07-06 | 2011-01-12 | 株式会社山武 | 压力传感器及制造方法 |
| JP2012211892A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-11-01 | Denso Corp | 圧力センサ |
-
1998
- 1998-02-27 JP JP4670298A patent/JPH11248571A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101943622A (zh) * | 2009-07-06 | 2011-01-12 | 株式会社山武 | 压力传感器及制造方法 |
| US8220338B2 (en) | 2009-07-06 | 2012-07-17 | Azbil Corporation | Pressure sensor and manufacturing method |
| KR101197913B1 (ko) * | 2009-07-06 | 2012-11-05 | 아즈빌주식회사 | 압력 센서 및 제조 방법 |
| JP2012211892A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-11-01 | Denso Corp | 圧力センサ |
| US8733175B2 (en) | 2011-03-23 | 2014-05-27 | Denso Corporation | Pressure sensor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4572924A (en) | Electronic enclosures having metal parts | |
| JP2548487B2 (ja) | 耐高熱性かつ耐真空性の絶縁部品の孔の貫通接続部および該貫通接続部を形成する方法 | |
| US7291922B2 (en) | Substrate with many via contact means disposed therein | |
| US7008817B2 (en) | Method for manufacturing micro electro-mechanical systems using solder balls | |
| KR100372340B1 (ko) | 압력 센서 및 그 제조방법 | |
| US20060220223A1 (en) | Reactive nano-layer material for MEMS packaging | |
| US4640436A (en) | Hermetic sealing cover and a method of producing the same | |
| JPH11248571A (ja) | 半導体圧力センサ用台座 | |
| JP4503963B2 (ja) | センサの電極取出し方法 | |
| JP3402178B2 (ja) | 半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法 | |
| JP3374742B2 (ja) | 半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法 | |
| JP3405180B2 (ja) | 半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法及びメタライズ用治具の製造方法 | |
| JP2001015768A (ja) | マイクロセンサ及びそのパッケージ方法 | |
| JPH11248572A (ja) | 半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法 | |
| JP3405179B2 (ja) | 半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法及びメタライズ用治具の製造方法 | |
| JP3402185B2 (ja) | 半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法 | |
| JPH11241964A (ja) | 半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法 | |
| JP6699765B2 (ja) | ウェハ保持体 | |
| JP2005191313A (ja) | 蓋体およびこれを用いた光半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH11186423A (ja) | ハーメチックシールカバーおよびその製造方法 | |
| JP2001110922A (ja) | 電子部品用パッケージ | |
| JP4214577B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP2000162070A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH09107263A (ja) | 電子部品 | |
| JPH05259478A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 |