JP3405180B2 - 半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法及びメタライズ用治具の製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法及びメタライズ用治具の製造方法Info
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Description
成された半導体圧力センサチップと台座とを接合してな
る半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法及
びメタライズ用治具の製造方法に関するものである。
圧力の測定を行うものであり、図4に示すように、凹部
を形成することにより薄肉状に形成されたダイアフラム
11を有する半導体圧力センサチップ1がガラス台座2
に陽極接合等により接合され、中心にコバール製又は4
2アロイ等の金属パイプ4が配置されたPPSやPBT
等のプラスチックパッケージ3内に設置される。半導体
圧力センサチップ1表面のアルミパッドとリード5とは
金又はアルミ製のワイヤ6で接続されている。なお、7
はプラスチックパッケージ3の蓋であり、12は半導体
圧力センサチップ1に形成された歪みゲージ抵抗であ
り、13は半導体圧力センサチップ1の表面を保護する
オーバーコートである。ガラス台座2の材料としては、
例えばパイレックスガラス(コーニング社製、品番♯7
740等)が用いられる。
ンサチップ1のダイアフラム11に圧力を印加するため
の貫通孔21が形成され、ガラス台座2はこの貫通孔2
1と金属パイプ4の貫通孔41とが対向するような配置
で、金属パイプ4に接合される。ガラス台座2と金属パ
イプ4とを接合するために、ガラス台座2の半導体圧力
センサチップ1と接合しない側の面にはメタライズ層8
が形成される。
は、まず、図5(a)に示すように、メタライズ層8を
形成すべき面の表面粗化を行い、次に、図5(b)に示
すように、ガラス台座2を平面プレート10上に密着し
て設置し、スパッタリングや蒸着により表面粗化した面
にメタライズ層8を形成する。メタライズ層8の例とし
ては、Cr(最下層)/Ni/Au(最上層)、Ti
(最下層)/Ni/Au(最上層)、Ti(最下層)/
Pt/Au(最上層)等が挙げられる。その後、図5
(c)に示すように、ガラス台座2を平面プレート10
から取り外す。
メタライズ層8を介して半田(錫、錫−アンチモン合
金、鉛、錫−鉛合金、金−シリコン合金、錫−銀合金
等)9により接合される。メタライズ層8の最上層のA
uの表面には半田9が塗れるのである。
ようなガラス台座2へのメタライズ層8の形成方法によ
れば、ガラス台座2の平面プレート10に接している方
の面はメタライズされることはないが、貫通孔21の内
壁にはメタル粒子が付着し、メタライズ層8が形成され
てしまう。
されてしまうと、図6に示すように、ガラス台座2と半
導体圧力センサチップ1とを陽極接合する場合、高温
(約300℃から400℃)中で、高バイアス(約50
0Vから800V)が印加されるため、半導体圧力セン
サチップ1のガラス台座2との接合面の貫通孔21に近
い個所と、貫通孔21の内壁の上端部に形成されたメタ
ライズ層8との間で放電が生じ、半導体圧力センサチッ
プ1が破壊してしまうという問題があった。
イズ層8の形成に際して、図7に示すように、ガラス台
座2の貫通孔21内にワックス20を充填する方法があ
る。つまり、図7(a)に示すように、メタライズ層8
を形成すべき面の表面粗化を行い、図7(b)に示すよ
うに、ガラス台座2を平面プレート10上に密着して設
置した段階で、貫通孔21内にワックス20を充填す
る。ワックス20は約100℃から150℃程度の熱で
溶けるものを使用するが、メタライズ層8の形成時に加
わる温度によってはワックス20の種類は適宜変更すれ
ば良い。ワックス20の貫通孔21内への充填方法は、
例えば、ディスペンサ等を用いて針先からワックスを吐
出することにより行う。その後、図7(c)に示すよう
に、スパッタリングや蒸着により表面粗化した面にメタ
ライズ層8を形成する。メタライズ層8の形成完了後、
図7(d)に示すように、ガラス台座2を平面プレート
10から取り外し、ガラス台座2をを加熱することによ
り、貫通孔21内に充填されたワックス20を溶融して
除去する。このようにすることにより、貫通孔21内に
メタライズ層8が形成されてしまうことを防止してい
た。
内へのワックス20の充填という工程が余分に増え、コ
ストアップになる。また、ワックスが貫通孔21内以外
の周囲のガラス台座2面上に飛び散った場合、ワックス
上にメタライズ層8を形成してしまうことになり、メタ
ライズ層8のガラス台座2表面との接着力が低下する。
さらに、メタライズ層8の形成後、貫通孔21内に充填
されたワックス20を溶融して除去するが、このワック
ス20の残さがガラス台座2の半導体圧力センサチップ
1と接合する面上に回り込むと、ガラス台座2と半導体
圧力センサチップ1との接合品質に著しい影響を及ぼす
ことになる。つまり、接合されず空隙(ボイド)が発生
したりして接合強度が低下する。ワックス20の残さを
除去するために溶融有機溶剤(アセトン、イソプロピル
アルコール等)で洗浄することも考えられるが、洗浄工
程が増えるし、洗浄後の残さレベルの確認等、品質管理
が難しい。特に、ワックス20が不透明な場合には、目
視検査ができず、洗浄性の評価ができないという問題が
あった。
あり、その目的とするところは、台座の貫通孔の内壁に
メタライズ層が形成されず、工程が増加することもな
く、接合信頼性のよい半導体圧力センサ用台座のメタラ
イズ層の形成方法及びメタライズ用治具の製造方法を提
供することにある。
凹部を形成することにより薄肉状に形成されたダイアフ
ラムを有する半導体圧力センサチップと、前記ダイアフ
ラムに圧力を導入するための貫通孔が形成され、前記半
導体圧力センサチップに接合される台座とを有してなる
半導体圧力センサにおける前記台座の前記半導体圧力セ
ンサチップと接合しない側の面にメタライズ層を形成す
る方法であって、前記貫通孔の台座のメタライズ層を形
成する面側の開口部形状より大きな形状の円板状部と該
円板状部の外周部から突出し円板状部を前記台座の貫通
孔の配置に対応して配列させるように接続する接続パタ
ーンとからなる金属製のメタライズ用治具を、前記円板
状部が貫通孔の開口部を塞ぐように設置した状態で、メ
タライズ層を形成する面側からスパッタリングあるいは
蒸着によりメタライズ層を形成するようにしたことを特
徴とするものである。
明において、前記細線状部材をループ状に形成したこと
を特徴とするものである。
タライズ用治具の製造方法であって、金属基板にレジス
トを塗布し、フォトリソグラフィ技術により、前記円板
状部及び接続パターンを形成し、次に、該接続パターン
をループ状に変形させるようにしたことを特徴とするも
のである。
を図面に基づき説明する。図1は本発明の実施の形態の
一例に係る半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形
成方法を示す工程図である。まず、図1(a)に示すよ
うに、円板状のガラス台座2(直径約100mmから1
50mm、厚み約0.5mmから3mm)には、超音波
加工法等により貫通孔21が形成されている。貫通孔2
1の大きさは直径約0.6mmから1.5mmである。
このガラス台座2の一方の面は表面粗化が行われる。つ
まり、ガラス台座2の一方の面に対して、目の粗い砥石
で研磨し、又は、サンドブラスト法により吐粒を吹きか
け、粗面化し、後述のメタライズ層の形成時に金属が付
着しやすいようにしておく。
座2の粗面化した面を上側に向けて平面プレート10上
に載せる。そして、図2に示すような、ガラス台座2の
粗面化した面(台座のメタライズ層を形成する面)側の
貫通孔21の開口部形状より少しだけ大きな形状で貫通
孔21の配置に対応して配列させた円板状部31と、円
板状部31の外周部から突出し隣接する円板状部31を
接続する接続パターン32とからなる金属製のメタライ
ズ用治具30を、円板状部材31が貫通孔21の開口部
を塞ぐように設置する。ここで、接続パターン32は細
く、ループ状に形成される。また、円板状部31として
は、その厚みは約50μm〜200μm程度で、形状
は、貫通孔21の開口部形状より少し大きく、約0.7
〜1.5mmの径を有する円形とする。
ラス台座2の粗面化した面側にスパッタリングや蒸着に
よりメタライズ層8を形成する。スパッタリングの場合
には、ターゲット(メタライズ層8の材料となる板)の
まわりを、圧力を10-2Torr〜10-4Torrにし
て基板や真空容器(接地)とターゲットとの間に数百V
〜数KVの電圧を印加してプラズマを発生させる。この
プラズマ中のイオンがターゲット表面の原子を跳ね飛ば
し、基板(ガラス)の上に付着することにより膜を形成
するのである。この方法でターゲットを変えることによ
り複数の金属層を積層し、メタライズ層8が形成され
る。メタライズ層8の例としては、Cr(最下層)/N
i/Au(最上層)、Ti(最下層)/Ni/Au(最
上層)、Ti(最下層)/Pt/Au(最上層)等が挙
げられる。なお、スパッタリングはメタライズ層を形成
する面(表面粗化の行われた面)の方向から行う。この
時、複数の円板状部31を接続している接続パターン3
2は、細く、また、ループ状に形成されているので、接
続パターン32の遮蔽によりメタライズ層8にむらが発
生することはない。その後、図1(d)に示すように、
メタライズ用治具30を取り外す。
されたガラス台座2は、図3に示すように、メタライズ
層8の形成面側が半田9を介して金属パイプ4に接合さ
れ、反対側の面が半導体圧力センサチップ1に陽極接合
により接合される。陽極接合の条件としては、真空雰囲
気中で約400℃に加熱し、約500V〜800Vの直
流電圧を半導体圧力センサチップ1側が正極になるよう
に印加すると、静電引力により原子的に接合されるので
ある。
孔21の内壁22は、メタライズ層8の形成工程時に
は、貫通孔21が円板状部31によって塞がっているの
で、メタライズ層が形成されることはなくなり、金属パ
イプ4との接合面にのみ形成される。従って、ガラス台
座2と半導体圧力センサチップ1とを陽極接合する場合
に、放電により半導体圧力センサチップ1が破壊するこ
とがなく、また、ワックスを充填する等の余分な工程が
増加することもなく、さらには、ガラス台座2と半導体
圧力センサチップ1や金属パイプ4との接合信頼性も向
上するのである。
は、銅箔等の金属基板にレジストを塗布し、フォトリソ
グラフィ技術により、円板状部31及び接続パターン3
2を形成し、次に、凹凸のある型に嵌め込む等して接続
パターン32をループ状に変形させるようにする。
よれば、本発明の半導体圧力センサ用台座のメタライズ
層の形成方法に使用されるメタライズ用治具30が容易
に製造することができる。
れば、凹部を形成することにより薄肉状に形成されたダ
イアフラムを有する半導体圧力センサチップと、前記ダ
イアフラムに圧力を導入するための貫通孔が形成され、
前記半導体圧力センサチップに接合される台座とを有し
てなる半導体圧力センサにおける前記台座の前記半導体
圧力センサチップと接合しない側の面にメタライズ層を
形成する方法であって、前記貫通孔の台座のメタライズ
層を形成する面側の開口部形状より大きな形状の円板状
部と該円板状部の外周部から突出し円板状部を前記台座
の貫通孔の配置に対応して配列させるように接続する接
続パターンとからなる金属製のメタライズ用治具を、前
記円板状部が貫通孔の開口部を塞ぐように設置した状態
で、メタライズ層を形成する面側からスパッタリングあ
るいは蒸着によりメタライズ層を形成するようにしたの
で、台座の貫通孔の内壁にメタライズ層が形成されず、
工程が増加することもなく、接合信頼性のよい半導体圧
力センサ用台座のメタライズ層の形成方法が提供でき
た。
載の発明において、前記細線状部材をループ状に形成し
たので、よりむらのないメタライズ層の形成が行える。
載のメタライズ用治具の製造方法であって、金属基板に
レジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術により、前
記円板状部及び接続パターンを形成し、次に、該接続パ
ターンをループ状に変形させるようにしたので、請求項
2記載で使用されるメタライズ用治具が容易に製造でき
る。
台座のメタライズ層の形成方法を示す工程図である。
である。
金属パイプに接合した状態を示す模式図である。
イズ層の形成方法を示す工程図である。
金属パイプに接合した状態を示す模式図である。
タライズ層の形成方法を示す工程図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 凹部を形成することにより薄肉状に形成
されたダイアフラムを有する半導体圧力センサチップ
と、前記ダイアフラムに圧力を導入するための貫通孔が
形成され、前記半導体圧力センサチップに接合される台
座とを有してなる半導体圧力センサにおける前記台座の
前記半導体圧力センサチップと接合しない側の面にメタ
ライズ層を形成する方法であって、前記貫通孔の台座の
メタライズ層を形成する面側の開口部形状より大きな形
状の円板状部と該円板状部の外周部から突出し円板状部
を前記台座の貫通孔の配置に対応して配列させるように
接続する接続パターンとからなる金属製のメタライズ用
治具を、前記円板状部が貫通孔の開口部を塞ぐように設
置した状態で、メタライズ層を形成する面側からスパッ
タリングあるいは蒸着によりメタライズ層を形成するよ
うにしたことを特徴とする半導体圧力センサ用台座のメ
タライズ層の形成方法。 - 【請求項2】 前記接続パターンをループ状に形成した
ことを特徴とする請求項1記載の半導体圧力センサ用台
座のメタライズ層の形成方法。 - 【請求項3】 請求項2記載のメタライズ用治具の製造
方法であって、金属基板にレジストを塗布し、フォトリ
ソグラフィ技術により、前記円板状部及び接続パターン
を形成し、次に、該接続パターンをループ状に変形させ
るようにしたことを特徴とするメタライズ用治具の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06555098A JP3405180B2 (ja) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | 半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法及びメタライズ用治具の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP06555098A JP3405180B2 (ja) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | 半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法及びメタライズ用治具の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11258084A JPH11258084A (ja) | 1999-09-24 |
JP3405180B2 true JP3405180B2 (ja) | 2003-05-12 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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JP (1) | JP3405180B2 (ja) |
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1998
- 1998-03-16 JP JP06555098A patent/JP3405180B2/ja not_active Expired - Fee Related
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