JP2011009614A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2011009614A5
JP2011009614A5 JP2009153496A JP2009153496A JP2011009614A5 JP 2011009614 A5 JP2011009614 A5 JP 2011009614A5 JP 2009153496 A JP2009153496 A JP 2009153496A JP 2009153496 A JP2009153496 A JP 2009153496A JP 2011009614 A5 JP2011009614 A5 JP 2011009614A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
range
wafer
less
lpds
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009153496A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2011009614A (ja
JP5609025B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2009153496A priority Critical patent/JP5609025B2/ja
Priority claimed from JP2009153496A external-priority patent/JP5609025B2/ja
Priority to DE112010002747.1T priority patent/DE112010002747B4/de
Priority to PCT/JP2010/059089 priority patent/WO2011001770A1/ja
Priority to US13/378,562 priority patent/US8659020B2/en
Publication of JP2011009614A publication Critical patent/JP2011009614A/ja
Publication of JP2011009614A5 publication Critical patent/JP2011009614A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5609025B2 publication Critical patent/JP5609025B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2009153496A 2009-06-29 2009-06-29 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 Active JP5609025B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009153496A JP5609025B2 (ja) 2009-06-29 2009-06-29 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
DE112010002747.1T DE112010002747B4 (de) 2009-06-29 2010-05-28 Verfahren zur Herstellung eines Siliziumepitaxialwafers
PCT/JP2010/059089 WO2011001770A1 (ja) 2009-06-29 2010-05-28 エピタキシャルシリコンウェーハとその製造方法
US13/378,562 US8659020B2 (en) 2009-06-29 2010-05-28 Epitaxial silicon wafer and method for manufacturing same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009153496A JP5609025B2 (ja) 2009-06-29 2009-06-29 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2011009614A JP2011009614A (ja) 2011-01-13
JP2011009614A5 true JP2011009614A5 (enExample) 2012-03-01
JP5609025B2 JP5609025B2 (ja) 2014-10-22

Family

ID=43410851

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009153496A Active JP5609025B2 (ja) 2009-06-29 2009-06-29 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8659020B2 (enExample)
JP (1) JP5609025B2 (enExample)
DE (1) DE112010002747B4 (enExample)
WO (1) WO2011001770A1 (enExample)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5338559B2 (ja) * 2009-08-19 2013-11-13 信越半導体株式会社 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
JP6009237B2 (ja) * 2012-06-18 2016-10-19 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、および、エピタキシャルシリコンウェーハ
JP5845143B2 (ja) 2012-06-29 2016-01-20 株式会社Sumco エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、および、エピタキシャルシリコンウェーハ
US10233562B2 (en) * 2013-04-24 2019-03-19 Sumco Techxiv Corporation Method for producing single crystal, and method for producing silicon wafer
JP6372709B2 (ja) * 2016-04-20 2018-08-15 信越半導体株式会社 エピタキシャルウェーハの製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5553566A (en) * 1995-06-22 1996-09-10 Motorola Inc. Method of eliminating dislocations and lowering lattice strain for highly doped N+ substrates
JPH10223641A (ja) 1996-12-03 1998-08-21 Sumitomo Sitix Corp 半導体シリコンエピタキシャルウェーハ及び半導体デバイスの製造方法
JP3482982B2 (ja) * 1996-12-12 2004-01-06 三菱住友シリコン株式会社 Ｅｇ層付きエピタキシャルウェーハの製造方法
JP2000031153A (ja) 1998-07-13 2000-01-28 Shin Etsu Handotai Co Ltd Ｓｉウエーハ及びその製造方法
JP4442955B2 (ja) * 1999-07-28 2010-03-31 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャルウェーハの製造方法
JP4070949B2 (ja) * 1999-09-29 2008-04-02 三益半導体工業株式会社 ウェーハ、エピタキシャルウェーハ及びそれらの製造方法
KR100774066B1 (ko) 1999-09-29 2007-11-06 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 웨이퍼, 에피택셜웨이퍼 및 이들의 제조방법
JP2003188107A (ja) * 2001-12-19 2003-07-04 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体エピタキシャルウエーハの製造方法および半導体エピタキシャルウエーハ
JP2006073580A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Sumco Corp シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法
JP4516096B2 (ja) 2007-05-31 2010-08-04 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 シリコン単結晶の製造方法
US20090004458A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Memc Electronic Materials, Inc. Diffusion Control in Heavily Doped Substrates
JP5509581B2 (ja) * 2008-11-27 2014-06-04 信越半導体株式会社 半導体ウェーハの評価方法
JP5246065B2 (ja) * 2009-06-29 2013-07-24 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャルシリコンウェーハとその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5440693B2 (ja) シリコンエピタキシャルウエーハ、シリコンエピタキシャルウエーハの製造方法、及び半導体素子又は集積回路の製造方法
JP5845143B2 (ja) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、および、エピタキシャルシリコンウェーハ
CN1828836B (zh) 外延半导体衬底的制造方法和半导体器件的制造方法
KR101953782B1 (ko) 단결정 제조 방법 및 실리콘 웨이퍼 제조 방법
JP6020342B2 (ja) シリコンエピタキシャルウェーハ及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
EP2975646B1 (fr) Procede de fabrication d'un transistor dans lequel le niveau de contrainte applique au canal est augmente
JP2011009614A5 (enExample)
JP5246065B2 (ja) エピタキシャルシリコンウェーハとその製造方法
JP5533869B2 (ja) エピタキシャルシリコンウェーハとその製造方法
CN102738004A (zh) 用于形成外延层的工艺
JP5609025B2 (ja) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
JP2010153631A (ja) エピタキシャルシリコンウェーハとその製造方法
JP5803722B2 (ja) シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
JP4972330B2 (ja) シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
KR100977631B1 (ko) 고저항 실리콘 단결정과 그 제조방법 및 웨이퍼
JP6432879B2 (ja) エピタキシャルウェーハの製造方法
JP5830215B2 (ja) エピタキシャルウエーハ並びにその製造方法
JP5359991B2 (ja) シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法
JP6358472B2 (ja) エピタキシャルウェーハの製造方法
JP7429122B2 (ja) シリコン単結晶の製造方法
JP2011228330A (ja) シリコンエピタキシャルウエーハの製造方法
JP6372709B2 (ja) エピタキシャルウェーハの製造方法
KR20250016376A (ko) 실리콘 웨이퍼 및 에피택셜 실리콘 웨이퍼
JP6369388B2 (ja) シリコン単結晶基板の評価方法
KR20250017270A (ko) 실리콘 웨이퍼 및 에피택셜 실리콘 웨이퍼