JP2010506051A5 - 少なくとも1つの多孔質層の製造方法 - Google Patents
少なくとも1つの多孔質層の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010506051A5 JP2010506051A5 JP2009531835A JP2009531835A JP2010506051A5 JP 2010506051 A5 JP2010506051 A5 JP 2010506051A5 JP 2009531835 A JP2009531835 A JP 2009531835A JP 2009531835 A JP2009531835 A JP 2009531835A JP 2010506051 A5 JP2010506051 A5 JP 2010506051A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- suspension
- layer
- particles
- forming material
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 26
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 8
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 8
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 7
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 6
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N precursor Substances N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims 2
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 43
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 13
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N formic acid Chemical compound OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 5
- HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N Glyoxylic acid Natural products OC(=O)C=O HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 239000003638 reducing agent Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- TYQCGQRIZGCHNB-JLAZNSOCSA-N L-ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(O)=C(O)C1=O TYQCGQRIZGCHNB-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N al2o3 Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 description 2
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 description 2
- DMJZZSLVPSMWCS-UHFFFAOYSA-N diborane Chemical class B1[H]B[H]1 DMJZZSLVPSMWCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atoms Chemical class [H]* 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001190 organyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000737 periodic Effects 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (Z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate dianion Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 206010013786 Dry skin Diseases 0.000 description 1
- 102000014961 Protein Precursors Human genes 0.000 description 1
- 108010078762 Protein Precursors Proteins 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002156 adsorbate Substances 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- -1 alcoholate Chemical compound 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003842 bromide salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003841 chloride salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 125000003827 glycol group Chemical group 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000002365 multiple layer Substances 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Description
従来技術
この種の多孔質層は、例えばガスセンサーとして使用される電界効果トランジスターのゲート電極に使用される。
この種の多孔質層は、例えばガスセンサーとして使用される電界効果トランジスターのゲート電極に使用される。
発明の開示
発明の利点
1つの基板上に少なくとも1つの多孔質層を製造する本発明による方法は、次の工程:
(a)層形成材料または当該層形成材料の分子状前駆体からなる粒子ならびに少なくとも1つの有機成分を含有する懸濁液を基板上に塗布し、
(b)場合によっては前記層形成材料の前駆体を、基板上への塗布後に層形成材料に反応させ、
(c)前記層形成材料からなる粒子を熱処理し、
(d)少なくとも1つの有機成分を除去することを含む。
発明の利点
1つの基板上に少なくとも1つの多孔質層を製造する本発明による方法は、次の工程:
(a)層形成材料または当該層形成材料の分子状前駆体からなる粒子ならびに少なくとも1つの有機成分を含有する懸濁液を基板上に塗布し、
(b)場合によっては前記層形成材料の前駆体を、基板上への塗布後に層形成材料に反応させ、
(c)前記層形成材料からなる粒子を熱処理し、
(d)少なくとも1つの有機成分を除去することを含む。
本発明による方法の利点は、懸濁液中に含有されている有機成分およびこの有機成分の最終的な除去によって、均一な多孔質構造が達成されることである。層形成材料の粒子が凝集することにより、望ましい層の形成が制限または阻止されることが、有機成分によって回避される。
層形成成分は、例えば金属、セラミックまたは金属とセラミックとの混合物、所謂サーメットである。更に、層形成成分が多数の金属または多数のセラミックの混合物、または金属とセラミックとの混合物を含有することも可能である。適した金属は、例えば周期律表の第8族、第9族、第10族または第11族の元素である。特に好ましい金属は、白金、パラジウム、金およびイリジウムである。好ましいセラミックは、例えば酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化ジルコニウムまたは酸化マグネシウムである。
本発明により製造された多孔質層を、例えば電界効果トランジスターのゲート電極に使用する場合には、多孔質層は、導電性であることが必要である。多孔質層中に導電性セラミックが含有されていない場合には、付加的に導電性材料、特に金属が含有されていなければならない。導電性層には、導電性材料と非導電性材料との次の比が当てはまる:
1つの好ましい実施態様において、層形成粒子は、コロイド中に存在する。層形成粒子のための材料としては、特に周期律表の第8族、第9族、第10族または第11族の少なくとも1つの元素、殊に白金、パラジウム、金、銀、ロジウムおよびイリジウムが使用される。金属コロイドの製造のために、少なくとも1つの金属は、例えば塩の形または有機金属化合物の形で溶剤中に溶解され、攪拌しながら還元される。この場合、適した塩は、硝酸塩、クロリド、ブロミドまたは炭酸塩である。適した有機金属化合物は、適当な溶剤中、例えばアルコール、エーテル、グリコール誘導体またはN含有溶剤中の酢酸塩、アルコラート、アセチルアセトネートまたは相応する金属オルガニルである。引続き、溶解した金属塩または有機金属化合物は、異なる還元条件に掛けられる。還元剤としては、例えば白金コロイドの製造のために、ホルムアルデヒド、蟻酸、エタノール、蟻酸とエタノールとの混合物、クエン酸とエタノールとの混合物、アスコルビン酸とエタノールとの混合物、ヒドラジン、水素、ボラン誘導体またはグリオキシル酸とエタノールとの混合物が使用される。この場合、相応する還元剤は、白金に対して過剰量で使用される。溶解された金属塩は、攪拌しながら還元される。この場合、還元は、5分間ないし数日間の期間で行なわれる。この場合に達成されるコロイド中の金属粒子の寸法は、0.5〜100nmの範囲内、有利に1〜20nmの範囲内にある。金属の濃度は、0.01〜15質量%の範囲内、有利に0.5〜5質量%の範囲内にある。
多孔質層の厚さおよび多孔度は、懸濁液の濃度、懸濁液の塗布の厚さまたは可能な多重被覆によって調節される。多重被覆は、殊に、懸濁液を所定の液滴容量で含有するよりも大量の層形成材料を塗布する場合に有利である。多重被覆は、層形成材料からなる粒子または当該層形成材料の分子状前駆体を含有する懸濁液の数回の塗布および乾燥を示す。他の選択可能な方法によれば、懸濁液の塗布後に、直ぐ次の層の塗布前に放熱分解または燃焼が実施されてもよい。多数の層の塗布は、例えば層形成材料の粒子の凝集のために、懸濁液中で層形成材料の僅かな濃度だけに調節しうることが必要である。
懸濁液の塗布後、特に熱処理が行なわれる。この熱処理は、層形成材料からなる粒子の前乾燥、放熱分解または熱分解および熱燒結を含む。前乾燥は、特に20〜150℃の範囲内の温度で行なわれる。溶剤は、前乾燥によって懸濁液から除去される。それによって、層形成材料からなる粒子の望ましくない凝集体形成を回避させる、溶液の凍結、所謂塗膜形成(Lackbildung)が生じる。それによって、層形成材料からなる粒子の均一な分布は、多孔質被膜の形で基板上で実現される。前乾燥には、100〜650℃の範囲内の温度での放熱分解または熱分解工程が続く。懸濁液の有機成分は、放熱分解または熱分解によって完全に除去される。単に、無機成分が残留する。最大温度の達成は、1つの工程または多数の半工程でその間の保持時間で実現させることができる。
本発明による方法で形成される多孔質層は、特に導電性多孔質層を有する少なくとも1つのゲート電極を有する半導体トランジスタの場合に使用される。この種のトランジスタは、例えばガスセンサーとして使用される。これは、可能である。それというのも、ガスは、電界効果トランジスターのゲート電極材料と相互作用を生じるからである。ガスの意図的な吸着および/または触媒反応は、ゲート電極の本発明により形成された表面で行なわれる。この場合には、ゲート電極表面で高感度または高選択的な物質プロセスが進行する。三相境界(金属相、酸化物セラミック相および気相)でのガス吸着および選択的な物質プロセスは、信号を形成する極性または双極性の吸着質の形成を導く。三相境界の顕著性および微細な目盛り(Feinskaligkeit)は、ガスセンサーの感度および応答時間にとって決定的なことである。ゲート電極の表面の多孔度は、本発明による方法によって意図的に生じさせることができる。その上、本発明により形成された多孔質層は、熱負荷に対して抵抗能を有し、したがって拡大された温度範囲に亘って安定したセンサー信号および従来技術から公知のゲート電極よりも長い運転時間を示す。
多孔質層の形成に使用される懸濁液1中には、層形成材料からなる粒子3が含有されている。図1から目視することができるように、層形成材料からなる粒子3は、均一に懸濁液1中に分布している。図1に図示された透過電子顕微鏡写真中で、粒子3は、白金コロイドである。白金コロイドの製造のために、白金は、塩の形で、例えば硝酸塩、クロリド、ブロミドまたは炭酸塩として、または有機金属化合物の形で、例えば酢酸塩、アルコラート、アセチルアセトネートとして、または相応する金属オルガニルとして適当な溶剤中に溶解される。溶剤として、例えばアルコール、エーテル、グリコール誘導体またはN含有溶剤は、適している。更に、この溶液には、安定剤が添加されてよい。安定剤として、例えばジエチレングリコールモノブチルエーテルが使用されてよい。引続き、金属塩または有機金属化合物の溶液は、異なる還元条件に掛けられる。還元のために、例えばホルムアルデヒド、蟻酸、エタノール、ヒドラジン、水素、ボラン誘導体、またはエタノールとクエン酸、アスコルビン酸、ヒドラジンまたはグリオキシル酸との混合物が使用される。この場合、還元剤は、それぞれ白金に対して過剰量で使用される。
乾燥後、有機成分は、400℃の温度で4時間に亘って空気の存在下で除去される。ポリエチレングリコールからなる有機マトリックスの焼成の際、層形成材料、即ち白金および酸化アルミニウムは、多孔質の均一な層を留める。このことは図2.3に図示されている。
多層構造の形成のために、最初に第1の多孔質層21は、基板11上に塗布される。図3.1に図示されているように、2層構造の形成のために、第1の実施態様において、第1の多孔質層21は、前乾燥され、引続き第2の多孔質層23は、図3.2に図示されているように塗布される。第2の多孔質層23の塗布後、この第2の多孔質層は、同様に前乾燥される。引続き、有機成分は、第1の多孔質層21および第2の多孔質層23から除去される。
他の選択可能な方法によれば、もう1つの実施態様において、最初に第1の多孔質層21を塗布し、熱処理し、硬化された第1の多孔質層21上に第2の多孔質層23を塗布することも可能である。
図4に図示されているように多孔質層31は、図1に図示された懸濁液1から製造された。懸濁液1からの個々の粒子3は、海綿状構造33へと結合する。この海綿状構造33には、空隙35が形成されている。図4から確認することができるように、空隙35は、均一に多孔質層31中に分布している。層形成材料の凝集、ひいては多孔質層31中での中実の範囲は、確認することができない。
例1
ポリエチレングリコール3質量%、50nmの平均直径d50を有する白金1.75質量%、200nmの平均直径d50を有するAl2O30.25質量%およびエタノール95質量%からなる懸濁液を、僅かな荒さを有する平滑な酸化物表面上にディスペンサーにより施こし、したがって10μl/cm-2が残存する。表面上に施こされた懸濁液を30℃で前乾燥し、引続き150℃で2時間硬化させる。最終的に有機成分を400℃で4時間空気の存在下に除去する。
ポリエチレングリコール3質量%、50nmの平均直径d50を有する白金1.75質量%、200nmの平均直径d50を有するAl2O30.25質量%およびエタノール95質量%からなる懸濁液を、僅かな荒さを有する平滑な酸化物表面上にディスペンサーにより施こし、したがって10μl/cm-2が残存する。表面上に施こされた懸濁液を30℃で前乾燥し、引続き150℃で2時間硬化させる。最終的に有機成分を400℃で4時間空気の存在下に除去する。
ポリエチレングリコールは、エタノールの揮発後に、規則的な配置で白金およびAl2O3粒子を含有するマトリックスを形成する。有機マトリックスの焼成の際、層形成材料は、多孔質の均一な層を留める。
Claims (13)
- 1つの基板(11)上に少なくとも1つの多孔質層(21、23、31)を製造する方法において、次の工程:
(a)層形成材料または当該層形成材料の分子状前駆体からなる粒子(3)ならびに少なくとも1つの有機成分を含有する懸濁液(1)を基板(11)上に塗布し、
(b)場合によっては層形成材料の前駆体を、基板(11)上への塗布後に層形成材料に反応させ、
(c)前記層形成材料からなる粒子(3)を熱処理し、
(d)工程(a)〜(c)を繰り返し、
(e)工程(d)の後に、少なくとも1つの有機成分を除去することを含む方法。 - 層形成成分は、少なくとも1つの金属または少なくとも1つのセラミック、または少なくとも1つの金属と少なくとも1つのセラミックとの混合物を含む、請求項1記載の方法。
- 有機成分は、ポリマーマトリックスに硬化しうるモノマー、オリゴマーまたはポリマー、少なくとも1つの溶剤またはこれらの混合物を含む、請求項1記載の方法。
- さらに、懸濁液(1)は、有機粒子を構造統制成分として含有する、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
- 懸濁液(1)は、少なくとも1つの安定剤を含有する、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
- 懸濁液(1)の塗布後に、懸濁液(1)中に含有されている溶剤を乾燥によって除去する、請求項3から5までのいずれか1項記載の方法。
- 懸濁液(1)の塗布後および場合によっては実施された乾燥の後に、懸濁液中に含有されているモノマーまたはオリゴマーをポリマーマトリックスに硬化させる、請求項3から6までのいずれか1項記載の方法。
- 懸濁液(1)中に含有されている層形成粒子(3)は、0.5〜1000nmの平均直径を有する、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。
- 層形成粒子(3)は、第8族、第9族、第10族または第11族の少なくとも1つの元素の金属粒子である、請求項1から8までのいずれか1項記載の方法。
- 層形成粒子がコロイドとして存在し、この場合には、コロイドの製造のために少なくとも1つの金属が塩の形または金属有機化合物の形で溶剤中に溶解され、攪拌しながら還元される、請求項9記載の方法。
- さらに、溶液は、少なくとも1つの安定剤を含有する、請求項10記載の方法。
- 有機成分は、工程(d)で放熱分解、熱分解、照射または化学的処理によって除去される、請求項1から11までのいずれか1項記載の方法。
- 少なくとも1つのゲート電極を有する電界効果トランジスターであって、このゲート電極が請求項1から12までのいずれか1項に記載の方法によって塗布された導電性の多孔質被覆(21、23、31)を有する、少なくとも1つのゲート電極を有する電界効果トランジスター。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006047928A DE102006047928A1 (de) | 2006-10-10 | 2006-10-10 | Verfahren zur Herstellung mindestens einer porösen Schicht |
PCT/EP2007/060760 WO2008043781A1 (de) | 2006-10-10 | 2007-10-10 | Verfahren zur herstellung mindestens einer porösen schicht |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010506051A JP2010506051A (ja) | 2010-02-25 |
JP2010506051A5 true JP2010506051A5 (ja) | 2013-01-17 |
Family
ID=38749835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009531835A Pending JP2010506051A (ja) | 2006-10-10 | 2007-10-10 | 少なくとも1つの多孔質層の形成方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100065895A1 (ja) |
EP (1) | EP2080019A1 (ja) |
JP (1) | JP2010506051A (ja) |
DE (1) | DE102006047928A1 (ja) |
WO (1) | WO2008043781A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007015874A1 (de) * | 2007-04-02 | 2008-10-09 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer porösen Schicht |
JP4755137B2 (ja) * | 2007-05-01 | 2011-08-24 | 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ | 基地局装置及び通信制御方法 |
DE102010001624A1 (de) | 2010-02-05 | 2011-08-11 | Robert Bosch GmbH, 70469 | Verfahren zur Detektion von zwei oder mehr Gasspezies |
DE102012213621A1 (de) * | 2012-08-02 | 2014-02-27 | Robert Bosch Gmbh | Gassensor zur Bestimmung von in einem Gasgemisch enthaltenen Substanzen und Verfahren zum Herstellen eines solchen |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1483266A1 (de) * | 1964-08-10 | 1970-01-08 | Minnesota Mining & Mfg | Metallfabrikation |
US3266893A (en) * | 1965-06-17 | 1966-08-16 | Electric Storage Battery Co | Method for manufacturing porous sinterable articles |
US3441409A (en) | 1967-01-26 | 1969-04-29 | Chase Brass & Copper Co | Method of producing a corrosion resistant alloy of cu-ni by liquid phase sintering |
US3577226A (en) | 1967-06-30 | 1971-05-04 | Union Carbide Corp | Metal bodies of uniform porosity |
GB2145280B (en) * | 1983-08-19 | 1987-12-02 | Emi Ltd | Vapour sensor |
US4917960A (en) | 1983-12-29 | 1990-04-17 | Sermatech International, Inc. | Porous coated product |
US4671928A (en) * | 1984-04-26 | 1987-06-09 | International Business Machines Corporation | Method of controlling the sintering of metal particles |
DE3526348A1 (de) * | 1985-07-23 | 1987-02-05 | Fraunhofer Ges Forschung | Sensoren fuer die selektive bestimmung von komponenten in fluessiger oder gasfoermiger phase |
GB8914023D0 (en) | 1989-06-19 | 1989-08-09 | Alcan Int Ltd | Porous ceramic membrane method |
JP2687254B2 (ja) * | 1990-11-08 | 1997-12-08 | 株式会社オーク製作所 | ガス感応素子 |
JPH0987705A (ja) * | 1995-09-27 | 1997-03-31 | Mitsubishi Materials Corp | 多孔質金属積層体の製造方法 |
DE59909242D1 (de) * | 1998-03-10 | 2004-05-27 | Micronas Gmbh | Referenzelektrode |
FR2776287B1 (fr) * | 1998-03-20 | 2000-05-12 | Ceramiques Tech Soc D | Materiau ceramique poreux massif homogene |
DE10024561A1 (de) * | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Basf Ag | Verfahren zur Herstellung von porösen anorganischen Festkörpern aus einer wässrigen Kompositpartikeldispersion |
US20020117397A1 (en) * | 2000-12-15 | 2002-08-29 | Anderson Conrad H. | Exhaust oxygen sensor electrode formed with organo-metallic ink additives |
JP4250444B2 (ja) * | 2002-04-01 | 2009-04-08 | キヤノン株式会社 | 導電性部材の製造方法及び導電性部材 |
US7241477B2 (en) * | 2003-07-21 | 2007-07-10 | Delphi Technologies, Inc. | Methods of treating electrodes and gas sensors comprising the electrodes |
JP2005133114A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Tdk Corp | 多孔質金属膜の製造方法およびセンサの製造方法 |
JP2005162506A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Asahi Glass Co Ltd | 無機多孔性薄膜の製造方法 |
GB0412125D0 (en) * | 2004-05-29 | 2004-06-30 | Univ Liverpool | Porous metallic materials and method of production thereof |
JP4560362B2 (ja) * | 2004-09-17 | 2010-10-13 | キヤノン株式会社 | センサおよびその製造方法 |
US7381682B1 (en) * | 2004-10-28 | 2008-06-03 | Nanostellar, Inc. | Method for producing heterogeneous catalysts containing metal nanoparticles |
JP5374704B2 (ja) * | 2005-03-10 | 2013-12-25 | 国立大学法人茨城大学 | 光物理化学電池 |
-
2006
- 2006-10-10 DE DE102006047928A patent/DE102006047928A1/de not_active Withdrawn
-
2007
- 2007-10-10 JP JP2009531835A patent/JP2010506051A/ja active Pending
- 2007-10-10 US US12/311,707 patent/US20100065895A1/en not_active Abandoned
- 2007-10-10 EP EP07821128A patent/EP2080019A1/de not_active Withdrawn
- 2007-10-10 WO PCT/EP2007/060760 patent/WO2008043781A1/de active Application Filing
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11587695B2 (en) | Silver powder, paste composition, and method of producing silver powder | |
JP4844805B2 (ja) | 金属被膜の形成方法 | |
US8999204B2 (en) | Conductive ink composition, method for manufacturing the same, and method for manufacturing conductive thin layer using the same | |
Sui et al. | A new class of low‐temperature plasma‐activated, inorganic salt‐based particle‐free inks for inkjet printing metals | |
JP2010506051A5 (ja) | 少なくとも1つの多孔質層の製造方法 | |
US20110140580A1 (en) | Metal nonparticle-polymer composites, method of manufacturing the same, and polymer actuator using the same | |
JP2010506051A (ja) | 少なくとも1つの多孔質層の形成方法 | |
CN101535526A (zh) | 用于使多孔金属层稳定和功能化的方法 | |
US20090047512A1 (en) | Dispersed metal nanoparticles in polymer films | |
JP3300811B2 (ja) | ニッケル金属膜形成用溶液、およびこれを用いたニッケル金属薄膜の形成方法 | |
JP2009062611A (ja) | 金属微粒子材料、金属微粒子材料分散液及びこれを含む導電性インキ、並びにこれらの製造方法 | |
US20120154976A1 (en) | Conductive paste composition for inner electrode, laminated ceramic electronic part using the same and manufacturing method thereof | |
EP2959036B1 (fr) | Procédé de formation d'un siliciure métallique a l'aide d'une solution contenant des ions or et des ions fluor | |
JPS58189365A (ja) | 化学メッキ用アンダーコート組成物 | |
JP5140035B2 (ja) | 金属ナノ粒子を含有するコロイド溶液 | |
JP5754539B2 (ja) | LaNiO3薄膜形成用組成物及びこの組成物を用いたLaNiO3薄膜の形成方法 | |
JP3656558B2 (ja) | 導電性ペースト及びそれを用いた電子部品 | |
EP3567131A1 (en) | Direct deposition of mesoporous metal oxide thin films for gas sensing | |
JP2006322051A (ja) | 金属粉末およびその製造方法 | |
JP4944707B2 (ja) | ガスセンサの製造方法 | |
JP4056940B2 (ja) | 金属コロイド及び該金属コロイドの製造方法並びに該金属コロイドにより製造される薄膜 | |
JP3130676B2 (ja) | バイヤホール充填用銅微粉末 | |
KR20110112631A (ko) | 이동식 급속 열처리를 이용한 인쇄 박막 형성방법 및 이를 이용하여 형성된 인쇄 박막 | |
JP3577544B2 (ja) | ガスセンサおよび金属酸化物薄層表面状態制御方法。 | |
JP2887174B2 (ja) | 複合粉末の製造方法 |