JP2010505252A5 - - Google Patents
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- 前面(101)から電磁放射を放出し、前記前面と反対側の背面(102)で共通支持体(2)の第1主面(201)に固定される複数の半導体チップを有し、
前記複数の半導体チップは、それぞれ基板レス半導体層積層体(1)からなり、補助支持体なしに前記共通支持体に固定され、
前記半導体層積層体(1)の前記前面(101)と前記支持体(2)の前記第1主面(201)との間の距離Hは50μm以下である発光ダイオード装置。 - 前記半導体層積層体(1)の前記前面(101)と前記支持体(2)の前記第1主面(201)との間の距離Hは20μm以下である請求項1に記載の発光ダイオード装置。
- 少なくとも1つの半導体層積層体(1)は、固定層(3)により前記支持体(2)に固定される請求項1又は請求項2に記載の発光ダイオード装置。
- 前記半導体層積層体(1)は、全体的に前記固定層(3)から横方向に突出する請求項3に記載の発光ダイオード装置。
- 前記固定層(3)は、はんだ金属を含む請求項3又は請求項4に記載の発光ダイオード装置。
- 前記支持体(2)の前記第1主面(201)上に少なくとも1つのバリアフレーム(8)が配置され、前記少なくとも1つのバリアフレームは、少なくとも部分的に前記固定層(3)を区切る請求項3から請求項5のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
- 少なくとも1つの半導体層積層体(1)は、少なくとも部分的にその背面(102)を覆う電気絶縁層(7)を有する請求項1から請求項6のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
- 少なくとも1つの半導体層積層体(1)は、その背面(102)のエッジ部を覆う電気絶縁層(7)を有する請求項1から請求項7のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
- 少なくとも1つの半導体層積層体(1)は、その背面(102)のエッジ部を覆って横方向において少なくとも部分的に前記固定層(3)を区切る電気絶縁層(7)を有する請求項3から請求項6のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
- 前記電気絶縁層(7)は、前記背面(102)の周辺エッジ部を覆って横方向において完全に前記固定層(3)を区切る請求項9に記載の発光ダイオード装置。
- 基板レス半導体層積層体(1)の厚さは20μm以下である請求項1から請求項10のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
- 基板レス半導体層積層体(1)の厚さは10μm以下である請求項11に記載の発光ダイオード装置。
- 前記支持体(2)の前記第1主面(201)の平面視において2つの半導体層積層体(1)間の距離Dは100μm以下である請求項1から請求項12のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
- 前記支持体(2)の前記第1主面(201)の平面視において2つの半導体層積層体(1)間の距離Dは50μm以下である請求項13に記載の発光ダイオード装置。
- 前記半導体層積層体(1)は、前記支持体(2)上で矩形グリッド状に配置される請求項1から請求項14のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
- 少なくとも1つの半導体層積層体(1)は、その前面(101)の平面視において長方形又は正方形である請求項1から請求項15のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
- 少なくとも1つの半導体層積層体(1)は、切欠き部(1000)を有し、前記支持体(2)は、前記切欠き部(1000)の部分において電気接続層(90)を有する請求項1から請求項16のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
- 前記切欠き部(1000)は、長方形又は正方形の第1角部に配置される請求項16又は請求項17に記載の発光ダイオード装置。
- 前記半導体層積層体(1)は、その前面(101)側での電気的接続に適した電気接触部(4)を有する請求項17又は請求項18に記載の発光ダイオード装置。
- 前記電気接触部(4)は、長方形又は正方形の第2角部に配置され、前記第2角部は、前記第1角部に隣接して又は前記第1角部の対角に位置する請求項18又は請求項19に記載の発光ダイオード装置。
- 少なくとも1つの半導体層積層体(1)は、その前面(101)側での電気的接続に適した2つの電気接触部(4、5)を有する請求項1から請求項20のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
- 少なくとも1つの半導体層積層体(1)は、その背面(102)側での電気的接続に適した2つの電気接触部(4、5)を有する請求項1から請求項21のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
- 少なくとも2つの半導体層積層体(1)は、直列に接続される請求項1から請求項22のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
- 前記半導体層積層体(1)を電気的に接続するための電気接続導体を有し、
前記電気接続導体は、前記支持体(2)の第1要面(201)と反対側の第2主面(202)と前記半導体層積層体(1)との間を接続する導電層(9、210)を有する請求項1から請求項23のいずれかに記載の発光ダイオード装置。 - 前記導電層(9)は、前記支持体(2)の前記第1主面(201)上に位置する請求項24に記載の発光ダイオード装置。
- 前記支持体(2)は多層構造を有し、前記導電層(210)は、前記第1主面(201)と第2主面(202)との間に位置する請求項24に記載の発光ダイオード装置。
- 前記導電層(9、210)は、互いに電気的に絶縁された部分を形成するように構造化される請求項24から請求項26のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
- 前記半導体層積層体(1)の前記前面(101)と前記支持体(2)の前記第1主面(201)は、少なくとも部分的に電気絶縁被覆層(10)で覆われる請求項1から請求項27のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
- 前記被覆層(10)は、前記発光ダイオード装置の動作中に前記半導体層積層体(1)によって放出される電磁放射を少なくとも部分的に透過する請求項28に記載の発光ダイオード装置。
- 前記被覆層(10)は、蛍光変換材料(11)を含む請求項28又は請求項29に記載の発光ダイオード装置。
- 前記被覆層(10)は、前記電気接触部(4、5)及び/又は前記電気接続部(90)の少なくとも一部を覆わない請求項28から請求項30のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
- 前記支持体(2)から遠い側の前記被覆層(10)に電気接触層(12)が配置され、前記電気接触層は、電気接触部(4、5)と電気接続部(90)とを、及び/又は、2つの電気接触部(4、5)を、導電接続する請求項31に記載の発光ダイオード装置。
- 支持体(2)を用意し、前記支持体は、前記支持体の第1主面(201)の平面視において互いに並んで配置された複数の実装部(230)を有し、
前記実装部の各々において、同時又は順次に、
前記支持体の前記第1主面に固定層(3)を形成し、
前面(101)から電磁放射を放出する半導体チップを、前記前面が前記固定層から遠い側に位置するように、前記固定層上に配置し、
前記半導体チップを前記固定層上で位置合わせし、
前記固定層によって前記半導体チップと前記支持体との間を機構的に安定的に接続し、
前記半導体チップは、基板レス半導体層積層体(1)からなり、前記半導体層積層体と前記支持体との間に補助支持体が配置されない発光ダイオード装置の作製方法。 - 前記固定層(3)は、前記半導体チップの位置合わせ中は液状である請求項33に記載の発光ダイオード装置の作製方法。
- 前記固定層(3)は、前記半導体層積層体(1)との接触前又は接触後に溶融される請求項34に記載の発光ダイオード装置の作製方法。
- 前記半導体層積層体(1)は、前記固定層(3)に自己整合する請求項34又は請求項35に記載の発光ダイオード装置の作製方法。
- 前記半導体層積層体(1)は、前記第1主面(201)の平面視において前記固定層(3)の中心に自己整合する請求項36に記載の発光ダイオード装置の作製方法。
- 前記支持体(2)の前記実装部(230)に、横方向において前記固定層(3)を区切るバリアフレームが適用される請求項33から請求項37のいずれかに記載の発光ダイオード装置の作製方法。
- 前記バリアフレームは、開口部(80)を有し、前記固定層(3)は、前記第1主面の平面視において前記開口部内に形成される請求項38に記載の発光ダイオード装置の作製方法。
- 前記半導体層積層体(1)の前記前面(101)と反対側の背面(102)のエッジ部に、電気絶縁層(7)が適用される請求項33から請求項39のいずれかに記載の発光ダイオード装置の作製方法。
- 前記支持体は電気接続部(90)を有し、
前記半導体層積層体(1)に切欠き部(1000)を形成し、
前記半導体層積層体を、前記切欠き部が少なくとも部分的に前記電気接続部上に位置するように位置合わせする請求項33から請求項40のいずれかに記載の発光ダイオード装置の作製方法。
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