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Abstract
【解決手段】1番目のトランジスタの第1電極は、第1群のゲート配線のいずれかのゲート配線に接続され、j(1≦j≦N−1)番目のトランジスタの制御電極は、第(j+1)群のゲート配線のいずれかのゲート配線に接続され、走査線駆動回路は、k1個の第1群のゲート配線に対して、各グループ内の走査線を1水平走査期間毎に選択する第1選択走査電圧を出力し、 k2個の第2群のゲート配線に対して、k2個のグループを1単位とする2段目のグループの中の一つグループ内の走査線を、k1水平走査期間毎に選択する第2選択走査電圧を出力し、k(m+1)(2≦m≦N−1)個の第(m+1)群のゲート配線に対して、km個の第m段目のグループを1単位とする(m+1)段目のグループの中の一つグループ内の走査線を、(km×・・・×k1)水平走査期間毎に選択する第m選択走査電圧を出力する。
【選択図】図3
Description
図1に示すように、従来の液晶表示パネルは、液晶を介して互いに対向配置される一対の基板の一方の基板の液晶側の面に、複数の走査線(ゲート線ともいう)(GL)と、複数の映像線(ソース線、またはドレイン線ともいう)(DL)とを有する。
走査線と映像線とで囲まれた領域がサブピクセル領域であり、1つのサブピクセル領域には、ゲートが走査線に、ドレイン(または、ソース)が映像線に、およびソース(または、ドレイン)が画素電極(PX)に接続されるアクティブ素子を構成する薄膜トランジスタ(TFT)が設けられる。
画素電極(PX)と対向電極(CT)との間には液晶が介在するので、画素電極(PX)と対向電極(CT)との間には、液晶容量(Clc)が形成される。なお、実際は、画素電極(PX)と対向電極(共通電極ともいう)(CT)との間には保持容量(Cadd)が設けられるが、図1では、保持容量(Cadd)の図示は省略している。
各走査線(GL)は、垂直走査回路(ゲートドライバともいう)(XDV)に接続され、垂直走査回路(XDV)は、各走査線(GL)に対して順次選択走査信号を供給する。
各映像線(DL)は、水平走査回路(ソースドライバまたはドレインドライバともいう)(YDV)に接続され、水平走査回路(YDV)は、1水平走査期間内に、R、G、Bの映像電圧(所謂、階調電圧)を、各映像線(DL)に出力する。
一般的には、液晶テレビ用の液晶表示パネルでは、アクティブ素子としてa−Si薄膜トランジスタが使用され、携帯電話機用の液晶表示パネルでは、アクティブ素子としてpoiy−Si薄膜トランジスタが使用される。
poiy−Si薄膜トランジスタは、動作速度が、a−Si薄膜トランジスタより1桁程度早いので、アクティブ素子としてpoiy−Si薄膜トランジスタを使用する液晶表示パネルでは、poiy−Si薄膜トランジスタで垂直走査回路(XDV)を構成し、当該垂直走査回路(XDV)を、液晶表示パネルを構成する一対の基板の一方の基板の液晶側の面に作成するようにしている。
a−Si薄膜トランジスタ、あるいは、微結晶薄膜トランジスタは、動作速度が、p−Si薄膜トランジスタより遅いので、a−Si薄膜トランジスタから成る垂直走査回路(XDV)を液晶表示パネルの内部に作成することができないので、アクティブ素子としてa−Si薄膜トランジスタ、あるいは、微結晶薄膜トランジスタを使用する液晶表示パネルでは、垂直走査回路(XDV)を搭載した半導体チップを、例えば、液晶表示パネルを構成する一対の基板の一方の基板に実装するようにしている。
どちらの方法でも、垂直走査回路(XDV)(あるいは走査回路(RDV))から各走査線(GL)に選択走査電圧を供給するために、走査線(GL)の数だけ、垂直走査回路(XDV)(あるいは走査回路(RDV))と各走査線(GL)とを接続するゲート配線が必要となる。
しかし、携帯電話機などの液晶表示パネルのような小型パネルでは、高精細化で画素数が増えた場合、液晶表示パネル内に配線しきれない場合が想定される。
前述した問題点を解決するために、垂直走査回路(XDV)にnビットのアドレスデコーダ回路を使用することが、前述の特許文献1に記載されている。しかしながら、この特許文献1に記載されているnビットのアドレスデコーダ回路は、回路構成が複雑で、使用するトランジスタ数が多いという問題点があった。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、表示装置において、従来よりも簡単な回路構成で、走査回路と複数の走査線との間の配線数を低減することが可能となる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
(1)複数の画素と、前記複数の画素に走査電圧を入力する複数の走査線と、前記複数の走査線に前記走査電圧を供給する走査線駆動回路とを備え、Nを2以上の整数とするとき、前記走査線は、kN×・・・×k2個のグループにグループ分けされ、前記各グループの走査線の本数は、最大k1の本数であり、nを1以上、N以下の整数、jを1以上、N−1以下の整数、mを2以上、N−1以下の整数とするとき、kn(1≦n≦N)個のゲート配線から成る第1群から第N群のゲート配線と、1番目から(N−1)番目までの(N−1)個のトランジスタの直列回路とを有し、前記各直列回路は、前記各走査線毎に設けられ、各走査線の一端は、前記(N−1)番目のトランジスタの第2電極に接続され、前記1番目のトランジスタの第1電極は、前記第1群のゲート配線のいずれかのゲート配線に接続され、j(1≦j≦N−1)番目のトランジスタの制御電極は、前記第(j+1)群のゲート配線のいずれかのゲート配線に接続され、前記走査線駆動回路は、前記k1個の第1群のゲート配線に対して、前記各グループ内の走査線を1水平走査期間毎に選択する第1選択走査電圧を出力し、 k2個の第2群のゲート配線に対して、k2個のグループを1単位とする2段目のグループの中の一つグループ内の走査線を、k1水平走査期間毎に選択する第2選択走査電圧を出力し、k(m+1)(2≦m≦N−1)個の第(m+1)群のゲート配線に対して、km個の第m段目のグループを1単位とする(m+1)段目のグループの中の一つグループ内の走査線を、(km×・・・×k1)水平走査期間毎に選択する第m選択走査電圧を出力する。
(3)(1)または(2)において、前記各水平走査期間の始めT1の期間内に、前記走査線駆動回路から第2群ないし第N群の全てのゲート配線に対して前記選択走査電圧を出力するとともに、前記第1群の全てのゲート配線に対して非選択走査電圧を出力する。
(4)(3)において、前記T1の期間経過後に、前記走査線駆動回路は、前記第2群ないし前記第N群のゲート配線の中で、前記第2ないし第N選択走査電圧を出力するゲート配線以外のゲート配線に対して、非選択走査電圧を出力し、前記T1の期間に連続するT2の期間経過後に、前記走査線駆動回路は、前記第1群のゲート配線の中の選択されたゲート配線に対して前記第1選択走査電圧を出力する。
(5)(1)ないし(4)の何れかにおいて、前記映像線駆動回路と前記走査線駆動回路とは、同一の半導体チップで構成されている。
(6)(1)ないし(5)の何れかにおいて、前記各画素は、アクティブ素子である薄膜トランジスタを有し、前記薄膜トランジスタは、半導体層がアモルファスシリコン層で形成されている。
(7)(6)において、前記1番目から(N−1)番目までの(N−1)個のトランジスタは、半導体層がアモルファスシリコン層で形成されている。
本発明の表示装置によれば、従来よりも簡単な回路構成で、走査回路と複数の走査線との間の配線数を低減することが可能となる。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
[実施例1]
図3は、本発明の実施例1のTFT方式アクティブマトリクス型の液晶表示パネルの等価回路を示す図である。
図3に示すように、本実施例の液晶表示パネルは、液晶を介して互いに対向配置される一対の基板の一方の基板の液晶側の面に、複数の走査線(ゲート線ともいう)(GL)と、複数の映像線(ソース線、またはドレイン線ともいう)(DL)とを有する。
走査線と映像線とで囲まれた領域がサブピクセル領域であり、1つのサブピクセル領域には、ゲートが走査線に、ドレイン(または、ソース)が映像線に、およびソース(または、ドレイン)が画素電極(PX)に接続されるアクティブ素子を構成する薄膜トランジスタ(TFT)が設けられる。
画素電極(PX)と対向電極(CT)との間には液晶が介在するので、画素電極(PX)と対向電極(CT)との間には、液晶容量(Clc)が形成される。なお、実際は、画素電極(PX)と対向電極(共通電極ともいう)(CT)との間には保持容量(Cadd)が設けられるが、図3では、保持容量(Cadd)の図示は省略している。
各映像線(DL)は、水平走査回路と垂直走査回路とを内蔵する走査回路(RDV)に接続される。走査回路(RDV)は、1水平走査期間内に、R、G、Bの映像電圧(所謂、階調電圧)を、映像線(DL)に出力する。
なお、図3において、VSYNCは垂直同期信号、HSYNCは水平同期信号、CKはドットクロック、Dataは映像データである。
このように、本実施例の液晶表示パネルでは、液晶が一対の基板の間に挟持された構造となっている。また、対向電極は、TN方式やVA方式の液晶表示パネルであれば第2基板(対向基板)側に設けられる。IPS方式の場合は、第1基板(TFT基板)側に設けられる。
なお、本発明において、液晶表示パネルの内部構造とは関係がないので、液晶表示パネルの内部構造の詳細な説明は省略する。さらに、本発明は、どのような構造の液晶表示パネルであっても適用可能である。
本実施例は、走査線(GL)を2段構成で駆動する実施例である。そのため、本実施例では、走査線(GL)は、k2(ここでは、29)のグループにグループ分けされる。図3では、各グループの走査線(GL)の本数は、最大k1(ここでは、30)本であり、k2は29であるので、走査線(GL)の総本数は、870(=30×29)となる。そのため、走査回路(RDV)は、走査線(GL)用の端子として、k1個の第1群の端子(G0)と、k2個の第2群の端子(G1)とを有する。
本実施例では、各走査線(GL)の一端は、トランジスタ(TR1)の第2電極(ドレインまたはソース)に接続される。トランジスタ(TR1)の第1電極(ソースまたはドレイン)は、第1群の端子(G0)に接続されるゲート配線のいずれかに接続される。また、トランジスタ(TR1)のゲートは、第2群の端子(G1)に接続されるゲート配線のいずれかに接続される。
なお、図3において、図1に示すように、走査回路(RDV)は、垂直走査回路(XDV)と、水平走査回路(YDV)との別々の回路構成であってもよい。ここで、走査回路(RDV)(あるいは、垂直走査回路(XDV)と、水平走査回路(YDV))は、半導体チップ内の回路で構成され、当該半導体チップは、液晶表示パネルを構成する一対の基板の一方の基板上に実装される。
また、図3において、VCOMと、VCOMBは、対向電極(CT)に供給する対向電圧の出力端子であり、VCOMの端子に正極性の対向電圧が出力されるとき、VCOMBの端子には負極性の対向電圧が出力され、VCOMの端子に負極性の対向電圧が出力されるとき、VCOMBの端子には負極性の対向電圧が出力される。
走査回路(RDV)は、図4に示すように、第1群の端子(G0)の中のG0−1からG0−30の端子に、1水平走査期間(HSYNC;以下、1H期間という)毎に、順次Highレベル(以下、Hレベル)の選択走査電圧を出力する(30進)。
また、走査回路(RDV)は、図4に示すように、第2群の端子(G1)の中のG1−1からG1−29の端子に、30H期間毎に、順次Hレベルの選択走査電圧を出力する(29進)。即ち、第2群の端子(G1)の各端子は、30本の走査線(GL)を1グループとして、各グループ内の走査線(GL)に接続されるトランジスタ(TR1)のゲートに30H期間毎に順次Hレベルの選択走査電圧を出力する。
第2群の端子(G1)の中で選択された端子にHレベルの選択走査電圧が出力されると、当該選択された端子に接続されたゲート配線に、ゲートがそれぞれ接続されるトランジスタ(TR1)がオンとなる。例えば、第2群の端子(G1)の中で、G1−1の端子にHレベルの選択走査電圧が出力されると、第1グループの走査線(GL)に接続されるトランジスタ(TR1)がオンとなり、第1グループの走査線(GL)が選択される。
これにより、選択されたグループ内で選択された走査線(GL)に、ゲートが接続される薄膜トランジスタ(アクティブ素子)(TFT)がオンとなり、薄膜トランジスタ(TFT)を介して、映像線(DL)から画素電極(PX)に映像電圧(階調電圧)が書き込まれる。
次に、第1群の端子(G0)の中で次に選択された端子から、Hレベルの選択走査電圧が出力されると、選択されたグループ内の次に選択された走査線(GL)にゲートが接続された薄膜トランジスタ(アクティブ素子)(TFT)がオンとなり、薄膜トランジスタ(TFT)を介して、映像線(DL)から画素電極(PX)に映像電圧が書き込まれる。
このようにして順次、走査線(GL)を選択することにより、液晶表示パネルに画像が表示される。
しかし、この時選択された走査線(GL)以外の走査線(GL)は、フローティング状態となっているので、映像線(DL)に供給される映像電圧の変化の影響で、フローティング状態の走査線(GL)の電圧が立ち上がり、フローティング状態の走査線(GL)にゲートが接続される薄膜トランジスタ(TFT)がオンとなり、選択された画素以外の画像に映像電圧が書き込まれる可能性がある。
これを防ぐため、図4に示すように、1水平期間の始めの所定の期間(図4のT1の期間)内に、第2群の端子(G1)の全てにHレベルの走査電圧を出力し、同時に、第1群の端子(G0)の全てに、Lowレベル(以下、Lレベルという)の電圧を出力する。
これにより、すべての走査線(GL)がLレベルに固定される。その後、走査回路(RDV)から映像電圧を映像線(DL)に出力させる。映像線(DL)上の電圧が変化しても、走査線(GL)はLレベルに固定されているので、走査線(GL)の電圧が立ち上がることはない。
次に、図4の(G1−1)の端子に供給される電圧波形に示すように、第2群の端子(G1)の中の選択すべき端子は、Hレベルのままとし、それ以外の端子をLレベルとする。そして、T1の期間に連続するT2の期間経過後に、即ち、映像線(DL)上の電圧変化が収まった後に、第1群の端子(G0)に、順次Hレベルの選択走査電圧を供給することにより、選択された画素に映像電圧を書き込み、画像を表示する。
本実施例では、第1群の端子(G0)、および第2群の端子(G1)と、走査線(GL)とを接続するゲート配線の本数は、それぞれ30本、29本で、ほぼ同数であり、この時、ゲート配線の総数が最小(計59本=30+29)となる。つまり、走査回路(RDV)から全ての走査線(GL)に1本ずつ配線した場合、ゲート配線が870本必要であるものを、59本に削減できたわけである。
なお、後述するように、トランジスタ数とゲート配線数はトレードオフの関係となるが、本実施例では、アクティブ素子として、a−Si薄膜トランジスタを使用する液晶表示パネルの場合等のように、トランジスタのサイズを大きくしないと走査線(GL)の立ち上げ、立ち下げに必要な性能が出ない時には、トランジスタの数を減らせるので、ゲート配線数が増えてもトータルの面積は小さくでき有効となる。
図5は、本発明の実施例2のTFT方式アクティブマトリクス型の液晶表示パネルの等価回路を示す図である。
本実施例は、走査線(GL)を3段構成で駆動する実施例である。本実施例では、走査線(GL)は、k3×k2のグループにグループ分けされる。各グループの走査線(GL)の本数は、最大k1本である。
図5では、k2は10、k3は9であるので、本実施例では、走査線(GL)は、90のグループにグループ分けされる。また、k1は10であるので、走査線(GL)の最大総本数は、900(=10×10×9)となる。
本実施例において、第1群の端子(G0)と、第2群の端子(G1)と、第3群の端子(G2)の数が等しい時に、第1群の端子(G0)、第2群の端子(G1)および第3群の端子(G2)と、走査線(GL)とを接続するゲート配線の配線数が最小となるが、k1とk2との差、および、k2とk3との差は、3以下であることが好ましい。
本実施例では、第1群の端子(G0)と、第2群の端子(G1)、および第3群の端子(G2)と、走査線(GL)とを接続するゲート配線の本数は、それぞれ10本、10本、9本で、ほぼ同数であり、この時、ゲート配線の総数が最小(計29本=10+10+9)となる。つまり、走査回路(RDV)から全ての走査線(GL)に1本ずつ配線した場合、ゲート配線が870本必要であるものを、29本に削減できたわけである。
また、前述の実施例と比較して、本実施例では、各走査線(GL)に接続されるトランジスタが、TR1、TR2の2つに増えるが、そのかわり、配線数が約半分(59本→29本)となる。
本実施例では、各走査線(GL)の一端は、第2トランジスタ(TR2)の第2電極(ドレインまたはソース)に接続される。さらに、第2トランジスタ(TR2)の第1電極(ソースまたはドレイン)は第1トランジスタ(TR1)の第2電極に接続される。
また、第1トランジスタ(TR1)の第1電極(ソースまたはドレイン)は、第1群の端子(G0)に接続されるゲート配線のいずれかに接続される。
また、第1トランジスタ(TR1)のゲートは、第2群の端子(G1)に接続されるゲート配線のいずれかに接続され、第2トランジスタ(TR2)のゲートは、第3群の端子(G2)に接続されるゲート配線のいずれかに接続される。
なお、図5において、図1に示すように、走査回路(RDV)は、垂直走査回路(XDV)と、水平走査回路(YDV)との別々の回路構成であってもよい。ここで、走査回路(RDV)(あるいは、垂直走査回路(XDV)と、水平走査回路(YDV))は、半導体チップ内の回路で構成され、当該半導体チップは、液晶表示パネルを構成する一対の基板の一方の基板上に実装される。
また、図5において、VCOMと、VCOMBは、対向電極(CT)に供給する対向電圧の出力端子であり、VCOMの端子に正極性の対向電圧が出力されるとき、VCOMBの端子には負極性の対向電圧が出力され、VCOMの端子に負極性の対向電圧が出力されるとき、VCOMBの端子には負極性の対向電圧が出力される。
走査回路(RDV)は、図6(a)に示すように、第1群の端子(G0)の中のG0−1からG0−10の端子に、1水平走査期間(HSYNC;以下、1H期間という)毎に、順次Highレベル(以下、Hレベル)の選択走査電圧を出力する(10進)。
また、走査回路(RDV)は、図6(b)に示すように、第2群の端子(G1)の中のG1−1からG1−10の端子に、10H期間毎に、順次Hレベルの選択走査電圧を出力する(10進)。即ち、第2群の端子(G1)の各端子は、10本の走査線(GL)を1グループとして、各グループ内の走査線(GL)に接続される第1トランジスタ(TR1)のゲートに10H期間毎に順次Hレベルの選択走査電圧を出力する。
また、走査回路(RDV)は、図6(c)に示すように、第3群の端子(G2)の中のG1−1からG1−9の端子に、100H期間毎(=10H×10)に、順次Hレベルの選択走査電圧を出力する(9進)。即ち、第3群の端子(G2)の各端子は、100本の走査線(GL)を1グループとして、各グループ内の走査線(GL)に接続される第2トランジスタ(TR2)のゲートに100H期間毎に順次Hレベルの選択走査電圧を出力する。
例えば、第2群の端子(G1)の中で、G1−1の端子にHレベルの選択走査電圧が出力されると、第1グループの走査線(GL)に接続されるトランジスタ(TR1)がオンとなる。また、第3群の端子(G2)の中で、G2−1の端子にHレベルの選択走査電圧が出力されると、第1ないし第10グループの走査線(GL)に接続されるトランジスタ(TR2)がオンとなる。
次に、第1群の端子(G0)の中で選択された端子から、Hレベルの選択走査電圧が出力されると、選択されたグループ内の選択された走査線(GL)に、即ち、第1群の端子(G0)の中の選択された端子に接続されたゲート配線に、第1電極が接続され、第2群の端子(G1)の中の選択された端子に接続されたゲート配線に、ゲートが接続される第1トランジスタ(TR1)と、第1トランジスタ(TR1)の第2電極に、第1電極が接続され、第3群の端子(G2)の中の選択された端子に接続されたゲート配線に、ゲートが接続される第2トランジスタ(TR2)に接続される走査線(GL)に選択走査電圧が供給される。
これにより、選択されたグループ内で選択された走査線(GL)に、ゲートが接続される薄膜トランジスタ(アクティブ素子)(TFT)がオンとなり、薄膜トランジスタ(TFT)を介して、映像線(DL)から画素電極(PX)に映像電圧(階調電圧)が書き込まれる。
次に、第1群の端子(G0)の中で次に選択された端子から、Hレベルの選択走査電圧が出力されると、選択されたグループ内の次に選択された走査線(GL)にゲートが接続された薄膜トランジスタ(アクティブ素子)(TFT)がオンとなり、薄膜トランジスタ(TFT)を介して、映像線(DL)から画素電極(PX)に映像電圧が書き込まれる。
このようにして順次、走査線(GL)を選択することにより、液晶表示パネルに画像が表示される。
しかし、この時選択された走査線(GL)以外のゲート線(GL)は、フローティング状態となっているので、映像線(DL)に供給される映像電圧の変化の影響で、フローティング状態の走査線(GL)の電圧が立ち上がり、フローティング状態の走査線(GL)にゲートが接続される薄膜トランジスタ(TFT)がオンとなり、選択された画素以外の画像に映像電圧が書き込まれる可能性がある。
これを防ぐため、図6に示すように、1水平期間の始めの所定の期間(図4のT1の期間)内に、第2群の端子(G1)と第3群の端子(G2)の全てにHレベルの走査電圧を出力し、同時に、第1群の端子(G0)の全てに、Lowレベル(以下、Lレベルという)の電圧を出力する。
これにより、すべての走査線(GL)がLレベルに固定される。その後、走査回路(RDV)から映像電圧を映像線(DL)に出力させる。映像線(DL)上の電圧が変化しても、走査線(GL)はLレベルに固定されているので、走査線(GL)の電圧が立ち上がることはない。
次に、図6の(G1−1)の端子に供給される電圧波形に示すように、第2群の端子(G1)と第3群の端子(G2)の中の選択すべき端子は、Hレベルのままとし、それ以外の端子をLレベルとする。そして、T1の期間に連続するT2の期間経過後に、即ち、映像線(DL)上の電圧変化が収まった後に、第1群の端子(G0)に、順次Hレベルの選択走査電圧を供給することにより、選択された画素に映像電圧を書き込み、画像を表示する。
さらに、前述の実施例では、垂直走査回路を多段構成で駆動する場合について説明したが、水平走査回路も多段構成で駆動することも可能である。
図7は、従来のTFT方式アクティブマトリクス型の他の液晶表示パネルの等価回路を示す図である。
図7に示す液晶表示パネルは、映像線(DL)がスイッチング素子(SW)を介してビデオ信号線(Video)に接続されている。このスイッチング素子(SW)を、水平走査回路(YDV)によりドットクロック(CK)に同期して順次オンとして、ビデオ信号線(Video)上の映像電圧を映像線(DL)に供給するものである。
図7に示す水平走査回路(YDV)を、前述の各実施例で説明した多段構成の回路構成とすることも可能である。
例えば、図7に示す水平走査回路(YDV)を、図3に示す2段構成の回路構成とした場合には、水平走査回路(YDV)は、第1群の端子(G0)の中のG0−1からG0−30の端子に、1ドットクロック(CK)毎に、順次Hレベルの選択走査電圧を出力する。
また、水平走査回路(YDV)は、第2群の端子(G1)の中のG1−1からG1−29の端子に、30ドットクロック(CK)毎に、順次Hレベルの選択走査電圧を出力する。但し、映像線(DL)には、1フレーム期間内に、水平走査回路(YDV)から常時映像電圧が供給され、映像線(DL)がフローティング状態となることはないので、前述の実施例のような駆動方法を採用する必要はない。
即ち、図4に示すように、走査回路(RDV)から映像電圧を出力する前の所定期間(図4のT1に相当する期間)内に、第2群の端子(G1)の全てにHレベルの走査電圧を出力し、同時に、第1群の端子(G0)の全てに、Lowレベル(以下、Lレベルという)の電圧を出力する必要はない。例えば、図7に示す水平走査回路(YDV)を、図3に示す2段構成の回路構成とした場合のタイミングチャートを図8に示す。
なお、前述の各実施例では、本発明を、液晶表示装置に適用した実施例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、表示パネルとして、有機発光ダイオード素子や表面伝導型電子放出素子を用いる表示装置にも適用可能である。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
DL 映像線
PX 画素電極
CT 対向電極
TFT,TR1,TR2 薄膜トランジスタ
Clc 液晶容量
RDV 走査回路
XDV 垂直走査回路
YDV 水平走査回路
SW スイッチング素子
Video ビデオ信号線
Claims (7)
- 複数の画素と、
前記複数の画素に走査電圧を入力する複数の走査線と、
前記複数の走査線に前記走査電圧を供給する走査線駆動回路とを備え、
Nを2以上の整数とするとき、前記走査線は、kN×・・・×k2個のグループにグループ分けされ、
前記各グループの走査線の本数は、最大k1の本数であり、
nを1以上、N以下の整数、jを1以上、N−1以下の整数、mを2以上、N−1以下の整数とするとき、
kn(1≦n≦N)個のゲート配線から成る第1群から第N群のゲート配線と、
1番目から(N−1)番目までの(N−1)個のトランジスタの直列回路とを有し、
前記各直列回路は、前記各走査線毎に設けられ、
各走査線の一端は、前記(N−1)番目のトランジスタの第2電極に接続され、
前記1番目のトランジスタの第1電極は、前記第1群のゲート配線のいずれかのゲート配線に接続され、
j(1≦j≦N−1)番目のトランジスタの制御電極は、前記第(j+1)群のゲート配線のいずれかのゲート配線に接続され、
前記走査線駆動回路は、前記k1個の第1群のゲート配線に対して、前記各グループ内の走査線を1水平走査期間毎に選択する第1選択走査電圧を出力し、
k2個の第2群のゲート配線に対して、k2個のグループを1単位とする2段目のグループの中の一つグループ内の走査線を、k1水平走査期間毎に選択する第2選択走査電圧を出力し、
k(m+1)(2≦m≦N−1)個の第(m+1)群のゲート配線に対して、km個の第m段目のグループを1単位とする(m+1)段目のグループの中の一つグループ内の走査線を、(km×・・・×k1)水平走査期間毎に選択する第m選択走査電圧を出力することを特徴とする表示装置。 - pを2以上、N以下の整数とするとき、前記k(p−1)と、kp(2≦p≦N)との差は、N以下であることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記各水平走査期間の始めT1の期間内に、前記走査線駆動回路から第2群ないし第N群の全てのゲート配線に対して前記選択走査電圧を出力するとともに、前記第1群の全てのゲート配線に対して非選択走査電圧を出力することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の表示装置。
- 前記T1の期間経過後に、前記走査線駆動回路は、前記第2群ないし前記第N群のゲート配線の中で、前記第2ないし第N選択走査電圧を出力するゲート配線以外のゲート配線に対して、非選択走査電圧を出力し、
前記T1の期間に連続するT2の期間経過後に、前記走査線駆動回路は、前記第1群のゲート配線の中の選択されたゲート配線に対して前記第1選択走査電圧を出力することを特徴とする請求項3に記載の表示装置。 - 前記映像線駆動回路と前記走査線駆動回路とは、同一の半導体チップで構成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記各画素は、アクティブ素子である薄膜トランジスタを有し、
前記薄膜トランジスタは、半導体層がアモルファスシリコン層で形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記1番目から(N−1)番目までの(N−1)個のトランジスタは、半導体層がアモルファスシリコン層で形成されていることを特徴とする請求項6に記載の表示装置。
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