JP2010205767A - 光半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】AlxGa1−xNの電子ブロック層(厚さ20nm)のx値が大きいほど(a〜c)、260nm帯でのPL強度が大きくなり、一方、Alのモル比が0.89(図の符号a)においては、290nm付近にブロードな発光ピーク、すなわちp−AlGaN層21による発光ピークが観測されており、MQWからの電子のオーバーフローが生じていること、Alのモル比が0.97、1.0の場合には、この波長帯でのPL強度はほとんど観測されず、高い電子ブロック層を用いることで、電子のオーバーフローが良好に抑制されていることがわかった。このように、Alのモル比の高い、例えば、Alのモル比として0.95以上のAl(Ga)N電子ブロック層を設けることで、外部量子効率を高めるとともに、発光強度自体も高くすることができ、実用性の高い良好な値を得ることができることがわかる。
【選択図】図4
Description
図1は、本実施の形態によるIII族窒化物を用いた深紫外発光素子の一例として、AlGaN量子井戸深紫外LED(以下、「深紫外LED」と称する。)の構造例を示す斜視図である。図2は、図1に示す構造の伝導体のエネルギーバンド図である。図1及び図2に示すように、本実施の形態による深紫外LED1は、サファイア基板3と、その上に形成されたAlN層5とからなるAlNテンプレート(DOWAセミコンダクター社製)と、からなるAlNテンプレート上に形成されている。
本明細書では、AlN系III族窒化物単結晶上に発光素子構造を形成する例について説明しているが、このAlN系III族窒化物単結晶は、バルクのAlN系III族窒化物単結晶であっても良く、或いは、例えばサファイア基板などの単結晶基板上に形成されたAlN系III族窒化物単結晶膜、いわゆるテンプレートを用いても良い。ここでは、一例としてAlNテンプレート上に深紫外発光素子構造を形成する例について示している。AlNテンプレート用の基板としては、平坦面成長が容易用意であることからC面サファイア基板を用いることが望ましいが、これに限定されるものではない。
次いで、MOCVD法を用いて、厚さ0.2μmのi−AlN再成長層7、厚さ2.5μmのn型n−Al0.7Ga0.3Nバッファ層(高濃度n型III族窒化物層、ここで、「高濃度」とは、限定されるものではないが、例えば、1×1018cm−3程度以上を指す。)11、その上に厚さ30nmのi型(又はn型)のAl0.76Ga0.24N層13、Al0.76Ga0.24N(バリア層:厚さ7nm)/Al0.61Ga0.39N(ウェル(井戸)層:厚さ1.6nm)を3層ずつ形成したMQW(多重量子井戸)層15、厚さ8.4nmのi−Al0.76Ga0.24Nファイナルバリア層、厚さ20nmのMgドープのAlN電子ブロック層17、厚さ15nmのp型(Mgドープ)のAl0.76Ga0.24N層21、厚さ30nmのp型(Mgドープ)のGaN層25層が形成され、n型(Siドープ)のAl0.76Ga0.24N層11に対してNi/Au電極31が、p型(Mgドープ)のGaN層25層に対してもNi/Au電極27が形成され、電極27−31間に適切な電圧を印加すると、UV光35が出射されるようになっている。
尚、同様の作用効果が得られる場合には、上記の各層間に別の層を挿入した素子構造でも良く、このような場合でも、本発明の範囲に入るものである。
このように、Alのモル比の高い、例えば、Alのモル比として0.95以上のAl(Ga)N電子ブロック層を設けることで、外部量子効率を高めるとともに、発光強度自体も高くすることができ、実用性の高い良好な値を得ることができることがわかる。
次に、薄い量子井戸の利用について述べる。ここでは、量子井戸層(15)の成長時間を変化させ、厚みを変化させた。
以上に説明したように、量子井戸の厚さを適正な薄さにすることで、発光出力の向上を図ることができる。
MQWと電子ブロック層との間のファイナルバリア(16)は、アンドープAlGaN層であるが、この層の厚さについて説明する。
図10は、ELの発光強度の波長依存性を示す図である。図10に示すように、100mAの電流で264nmの波長帯において、室温でシングルピークが観測される。また、図11は、出力電圧と外部量子効率の電流値依存性を示す図である。図11に示すように、最大出力11.6mW、最大の外部量子効率が0.44%の値が得られている。このように、本実施の形態による方法を用いると、264nm帯のLEDで、11.6mWと、10ミリワット以上の出力(770mA)を得ることができることがわかった。
図16は、紫外LEDの出力(シングルチップ型)の出力の波長依存性を示す図である。破線は、従来得られている特性を示すものである。これに対して、本実施例1から3までの値を黒丸でプロットしている。この図から明らかなように、本実施の形態による紫外発光素子においては、従来に比べて非常に良好な特性が得られ、例えば殺菌効果が期待できる波長帯でのシングルチップ殺菌装置の実用化が可能なレベルにあると言える。このように、本発明によれば、III族窒化物半導体を用いた紫外発光素子における発光効率を大幅に向上させることができた。
Claims (9)
- AlN系III族窒化物単結晶上に形成する発光素子において、高濃度n型III族窒化物層と、
n型又はi型のIII族窒化物障壁層とn型又はi型のIII族窒化物井戸層とからなる多重量子井戸構造と、
i型のIII族窒化物ファイナルバリア層と、
p型III族窒化物層と、
前記i型III族窒化物ファイナルバリア層と前記p型III族窒化物層との間に形成され、前記i型III族窒化物ファイナルバリア層に対して電子のエネルギー障壁となるp型又はi型のAlzGa1−zN層(0.95<z<=1)からなる電子ブロック層と
を有することを特徴とする発光素子。 - III族窒化物単結晶上に形成する発光素子において、高濃度n型AlGaN層と、
n型又はi型のAlxGa1−xN障壁層と、n型又はi型のAlyGa1−yN層の井戸層(x>y)とからなる多重量子井戸構造と、
i型のAlxGa1−xNファイナルバリア層と、
p型AlxGa1−xN層と、
前記i型AlxGa1−xNファイナルバリア層と前記p型AlxGa1−xN層との間に形成され、前記i型AlxGa1−xNファイナルバリア層に対して電子のエネルギー障壁となるp型又はi型のAlzGa1−zN層(x>y>z、0.95<z<=1)からなる電子ブロック層と
を有することを特徴とする発光素子。 - 前記III族窒化物単結晶は、基板に形成したIII族窒化物単結晶膜であることを特徴とする請求項1又2に記載の発光素子。
- 前記AlyGa1−yN層の井戸層の厚さを、2nm以下とすることを特徴とする請求項2又は3に記載の発光素子。
- 前記i型AlxGa1−xNファイナルバリア層の厚さを、2nmから10nmとすることを特徴とする請求項2から4までのいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記AlN系III族窒化物単結晶のXRC(10−22)面の半値幅が400arcsec以下であることを特徴とする請求項1から5までのいずれか1項に記載の発光素子。
- III族窒化物単結晶上に形成する発光素子構造の成長方法において、
高濃度n型AlGaN層を成長するステップと、
i型あるいはn型ドープのAlxGa1−xN障壁層とi型のAlyGa1−yN層の井戸層(x>y)とからなる多重量子井戸構造と成長するステップと、
ノンンドープAlxGa1−xNを成長するステップと、
前記i型AlxGa1−xN層上にp型AlxGa1−xN層を成長するステップと、を有し、
さらに、前記i型AlxGa1−xN層上に形成されたp型AlxGa1−xN層との間に、前記n型AlxGa1−xN層に対して電子のエネルギー障壁となるp型又はi型のAlzGa1−zN層(x>y>z、0.95<z<=1)からなる電子ブロック層を成長するステップを有することを特徴とする発光素子構造の成長方法。 - 前記III族窒化物単結晶上に、AlN系III族窒化物再成長層を成長した後に、前記高濃度n型AlGaN層を成長することを特徴とする請求項7に記載の発光素子構造の成長方法。
- 前記成長温度を、1000℃から1200℃の低温で行うことを特徴とする請求項7又は8に記載の発光素子構造の成長方法。
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