JP2010199237A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この発明に従った半導体素子の製造方法は、以下の工程:GaN系半導体層形成工程(S10)、電極層形成工程(S100)、GaN系半導体層上にAl膜を形成する工程(S20)、エッチング速度が、Al膜を構成する材料より小さい材料からなるマスク層を形成する工程(S30、S40)、マスク層をマスクとして用いて、リッジ部を形成する工程(S50)、Al膜の端面の側壁の位置をマスク層の側壁の位置より後退させる工程(S60)、エッチング速度が、Al膜を構成する材料より小さい材料からなる保護膜を、リッジ部の側面およびマスク層の上部表面上に形成する工程(S70)、Al膜を除去することにより、マスク層および当該マスク層の上部表面上に形成された保護膜の部分を除去する工程(S80)、を備える。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明に従った化合物半導体素子の製造方法の実施の形態1を示すフローチャートである。図2〜図11は、図1に示した化合物半導体素子の製造方法の各工程を説明するための断面模式図である。図1〜図11を参照して、本発明による化合物半導体素子の製造方法を説明する。
図12は、本発明による化合物半導体素子の製造方法の実施の形態2を説明するための断面模式図である。図12を参照して、本発明による化合物半導体素子の製造方法の実施の形態2を説明する。
本発明による化合物半導体素子の製造方法の実施の形態3は、基本的には図1〜図11に示した本発明による化合物半導体素子の製造方法の実施の形態1と同様の構成を備えるが、第1の膜の側壁を後退させる工程(S60)およびリフトオフ工程(S80)において用いるエッチャントがアルカリ水溶液ではなく燐酸、硝酸、酢酸および水からなる混酸である点が異なっている。混酸として、たとえば燐酸を80質量%、硝酸を5質量%、酢酸を10質量%、残部を水とした組成の混酸を用いることができる。このようにしても、本発明の実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
図13〜図19は、本発明による化合物半導体素子の製造方法の実施の形態4を説明するための断面模式図である。図13〜図19を参照して、本発明による化合物半導体素子の製造方法の実施の形態4を説明する。
Claims (11)
- 半導体素子を構成する窒化ガリウム系半導体層を準備する工程と、
前記窒化ガリウム系半導体層上に電極層を形成する工程と、
前記電極層上に第1の膜を形成する工程と、
アルカリ系エッチャントによるエッチング速度が、前記第1の膜を構成する材料より小さい材料からなり、パターンを有する第2の膜を形成する工程と、
前記第2の膜をマスクとして用いて、前記第1の膜、前記電極層および前記窒化ガリウム系半導体層を部分的にエッチングにより除去することにより、前記第2の膜の下に位置する領域において前記窒化ガリウム系半導体層にリッジ部を形成する工程と、
前記リッジ部上に位置する前記第1の膜の端部を、前記アルカリ系エッチャントを用いたエッチングにより除去することにより、前記第1の膜の端面の位置を前記第2の膜の端面の位置より後退させる工程と、
前記アルカリ系エッチャントによるエッチング速度が、前記第1の膜を構成する材料より小さい材料からなる保護膜を、前記リッジ部の側面および前記第2の膜の上部表面上に形成する工程と、
前記第1の膜を、前記アルカリ系エッチャントを用いたエッチングにより除去することにより、前記第2の膜および前記第2の膜の上部表面上に形成された前記保護膜の部分を除去する工程とを備える、半導体素子の製造方法。 - 半導体素子を構成する窒化ガリウム系半導体層を準備する工程と、
前記窒化ガリウム系半導体層上に電極層を形成する工程と、
前記電極層上に第1の膜を形成する工程と、
燐酸、硝酸、酢酸および水からなる混酸によるエッチング速度が、前記第1の膜を構成する材料より小さい材料からなり、パターンを有する第2の膜を形成する工程と、
前記第2の膜をマスクとして用いて、前記第1の膜、前記電極層および前記窒化ガリウム系半導体層を部分的にエッチングにより除去することにより、前記第2の膜の下に位置する領域において前記窒化ガリウム系半導体層にリッジ部を形成する工程と、
前記リッジ部上に位置する前記第1の膜の端部を、前記混酸を用いたエッチングにより除去することにより、前記第1の膜の端面の位置を前記第2の膜の端面の位置より後退させる工程と、
前記混酸によるエッチング速度が、前記第1の膜を構成する材料より小さい材料からなる保護膜を、前記リッジ部の側面および前記第2の膜の上部表面上に形成する工程と、
前記第1の膜を、前記混酸を用いたエッチングにより除去することにより、前記第2の膜および前記第2の膜の上部表面上に形成された前記保護膜の部分を除去する工程とを備える、半導体素子の製造方法。 - 前記第2の膜を形成する工程ではリフトオフ法を用いる、請求項1または2に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1の膜を構成する材料はアルミニウムである、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1の膜を形成する工程の後であって、前記第2の膜を形成する工程の前に、前記第1の膜上に被覆膜を形成する工程と、
前記第2の膜のパターンと同様のパターンを有するように前記被覆膜を部分的に除去する工程とをさらに備え、
前記保護膜の部分を除去する工程では、前記第1の膜上に位置する前記被覆膜も除去される、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記被覆膜を構成する材料は金またはチタンである、請求項5に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2の膜を構成する材料は、二酸化珪素、一酸化珪素、窒化珪素、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化ランタン、酸化セリウム、および酸化ハフニウムからなる群から選択される少なくとも1種である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記保護膜を構成する材料は、二酸化珪素、一酸化珪素、窒化珪素、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化ランタン、酸化セリウム、および酸化ハフニウムからなる群から選択される少なくとも1種である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記電極層を構成する材料は、パラジウム、白金、ロジウム、オスミウム、イリジウム、ニッケル、金からなる群から選択される少なくとも1種を含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記窒化ガリウム半導体層が、非極性基板または半極性基板上にエピタキシャル成長された半導体層である、請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記半極性基板は、結晶構造が六方晶である材料からなり、
前記半極性基板の主表面の法線ベクトルに対し、面方位[0001]が63°以上80°以下、または100°以上117°以下傾斜している、請求項10に記載の半導体素子の製造方法。
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