JP2004289149A - 層または層シーケンスにおいて電気的にポンピングされる少なくとも1つの領域または少なくとも1つのメサ構造またはリッジ構造を形成する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】層または層シーケンス上に取り付けられた犠牲層上にマスク層を取り付けて構造化してメサ寸法またはリッジ寸法を決定し、犠牲層および層または層シーケンスを部分除去して層または層シーケンスにメサ構造またはリッジ構造を形成し、犠牲層の一部を露出された該犠牲層の側面から選択的に除去して犠牲層上に残った層と比較して狭幅の犠牲層を残し、形成された構造の縁部にコーティングを取り付け、その際には残留する犠牲層の側面を完全にコーティング材料によって被覆して犠牲層を除去し、犠牲層上に残留する層を剥離する方法。
【選択図】図2
Description
Claims (16)
- 層または層シーケンスに少なくとも1つのメサ構造またはリッジ構造を形成するための方法であって、
メサ構造またはリッジ構造の縁部にコーティングを設け、
前記コーティングを、該メサ構造またはリッジ構造を露出させた後に取り付ける形式の方法において、
a)犠牲層を層または層シーケンス上に取り付けるステップと、
b)マスク層を前記犠牲層上に取り付け、メサ寸法またはリッジ寸法を定義するステップと、
c)前記犠牲層および層または層シーケンスを部分的に除去、とりわけ異方性エッチングし、該層または層シーケンスにメサ構造またはリッジ構造を形成するステップと、
d)ステップc)で露出された犠牲層の側面から該犠牲層の一部を選択的に除去し、層または層シーケンスから見て犠牲層の上方に残留する層と比較して狭幅の犠牲層を残すステップと、
e)少なくともステップa)〜d)で形成された構造の縁部にコーティングを取り付け、その際には、残留する犠牲層の側縁部をコーティング材料によって完全には被覆しないようにするステップと、
f)前記犠牲層を少なくとも部分的に除去し、層または層シーケンスから見て犠牲層の上方に残留する層を剥離することを特徴とする方法。 - ステップf)において前記犠牲層を完全に除去し、コーティングに層または層シーケンスに対する窓を形成する、請求項1記載の方法。
- 前記窓内に、層または層シーケンス上に、電気的接続金属被覆部を取り付ける、請求項2記載の方法。
- InxAlyGa1−x−yNをベースとする少なくとも1つのリッジ導波路(Ridge-Waveguide)レーザダイオードチップを製造するための方法であって、
0≦x≦1、0≦y≦1およびx+y≦1である形式の方法において、
請求項1から3までのいずれか1項記載の方法によって、幾何的なリッジ導波路構造を形成することを特徴とする方法。 - リッジ導波路構造の幅は、2μm以下である、請求項4記載の方法。
- ステップc)においてドライエッチングによってレーザファセットを形成し、
コーティングは、反射加工または反射防止加工された層システムを有する、請求項4または5記載の方法。 - 少なくとも1つの発光ダイオードチップを製造するための方法であって、
該少なくとも1つの発光ダイオードチップは、光線放射性の層シーケンスの側面のコーティングを有する形式の方法において、
前記光線放射性の層シーケンスの幾何的構造および前記コーティングを、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法によって形成することを特徴とする方法。 - 該発光ダイオードチップの縁部長さは、2μm以下である、請求項7記載の方法。
- 少なくとも1つの利得導波型レーザダイオードを層シーケンスで製造するための方法であって、
前記層シーケンスは、たとえばInxAlyGa1−x−yNをベースとしており、
0≦x≦1、0≦y≦1およびx+y≦1である形式の方法において、
a)犠牲層を層シーケンス上に取り付けるステップと、
b)マスク層を前記犠牲層上に取り付け、構造化するステップと、
c)前記マスク層によってコーティングされていない、前記犠牲層の領域を部分的に除去、たとえば異方性エッチングするステップと、
d)ステップc)で露出された前記犠牲層の側面から、該犠牲層の一部を選択的に除去し、層シーケンスから見て該犠牲層上に残留する層と比較して狭幅の犠牲層を残し、前記犠牲層によって、レーザダイオードの電気的にポンピングされる領域を定義するステップと、
e)少なくともステップa)〜d)で形成された構造の縁部にコーティングを取り付け、その際には、残留する犠牲層の側面をコーティング材料によって完全には被覆しないようにするステップと、
f)前記犠牲層を少なくとも部分的に除去し、層または層シーケンスから見て該犠牲層上に残留する層を剥離することを特徴とする方法。 - ポンピングされる前記領域の幅は、2μm以下である、請求項9記載の方法。
- ステップf)において犠牲層を完全に除去し、コーティングに層シーケンスに対する窓を形成する、請求項9または10記載の方法。
- 前記窓に、層シーケンス上に電気的接続金属被覆部を取り付ける、請求項11記載の方法。
- 前記犠牲層は、金属、誘電体、ポリマー、エピタキシャル成長した材料、またはこれらの材料の組み合わせから成る、請求項1から12までのいずれか1項記載の方法。
- ステップb)において、第1のマスク層を犠牲層上に、第2のマスク層を第1のマスク層上に取り付けて構造化する、請求項1から13までのいずれか1項記載の方法。
- マスク層を取り付ける前に、犠牲層上にカバー層を取り付ける、請求項1から14までのいずれか1項記載の方法。
- リッジ導体路構造の幅、縁部長さ、ないしはポンピングされる領域の幅は、1.5μm以下である、請求項4または8または10記載の方法。
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