DE102015107160A1 - Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines Substrats mit einer metallischen Schicht, welche Gold aufweist. Weiter vorgesehen ist ein Ausbilden einer Passivierungsschicht aus Siliziumdioxid auf dem Substrat, welche die metallische Schicht des Substrats und das Substrat außerhalb der metallischen Schicht bedeckt. Die Passivierungsschicht weist auf der metallischen Schicht eine geringere Haftung auf als auf dem Substrat außerhalb der metallischen Schicht. Das Verfahren umfasst des Weiteren ein mechanisches Strukturieren der Passivierungsschicht. Hierbei wird die Passivierungsschicht aufgrund der unterschiedlichen Haftung im Bereich der metallischen Schicht entfernt, und verbleibt die Passivierungsschicht im Bereich außerhalb der metallischen Schicht auf dem Substrat.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements. Das Verfahren umfasst ein Ausbilden einer Passivierungsschicht auf einem Substrat und ein Strukturieren der Passivierungsschicht.
  • Die Oberfläche von Halbleiterbauelementen ist üblicherweise mit einer dielektrischen nichtleitenden Schicht aus SiNx oder SiO2 überzogen. Die auch als Passivierung bezeichnete Schicht dient verschiedenen Zwecken. Beispielsweise werden die Bauelemente gegenüber äußeren Einflüssen wie Feuchtigkeit und Sauerstoff und damit vor einer Oxidation geschützt. Bei optoelektronischen Bauelementen kann die Passivierungsschicht als Zwischenschicht und/oder Füllschicht zwischen Halbleitermaterial der Bauelemente und einer Kontaktmetallisierung dienen. Bei einer Anordnung auf Kanten bzw. Seitenflächen von Halbleiterchips ermöglicht die Passivierungsschicht einen Schutz gegenüber Kriechströmen.
  • Bereiche der Bauelemente, in welchen ein leitfähiges bzw. metallisches Material vorhanden ist und welche dazu genutzt werden, um den Bauelementen im Betrieb elektrische Energie zuzuführen, sind in der Regel frei von der Passivierungsschicht. Dies lässt sich im Rahmen der Herstellung der Bauelemente dadurch verwirklichen, dass bei der Ausbildung der Passivierungsschicht entsprechende Stellen auf einem Substrat ausgespart bleiben. Alternativ kann die Passivierungsschicht unstrukturiert ausgebildet und durch ein nachfolgendes Strukturierungsverfahren an definierten Stellen geöffnet werden.
  • Zu diesem Zweck kann eine Photolackschicht auf die Passivierungsschicht aufgebracht und durch Belichten und Entwickeln selektiv entfernt werden. Hierdurch kann eine Photolackmaske gebildet werden, über welche die Passivierungsschicht an entsprechenden Stellen freigestellt ist. Durch Entfernen der Passivierungsschicht an einer solchen Stelle kann ein Bereich bzw. eine Schicht unterhalb der Passivierungsschicht freigelegt werden. Dies kann zum Beispiel mit Hilfe eines trockenchemischen Plasmaätzschritts oder eines nasschemischen Ätzschritts erfolgen. Anschließend kann zum Beispiel eine Metallisierung aufgebracht und durch Entfernen der Photolackmaske strukturiert werden, wodurch eine Kontaktfläche zum Anschließen eines Bonddrahts (Bondpad) bereitgestellt werden kann.
  • Die vorgenannte Vorgehensweise birgt folgende Nachteile. Das Durchführen eines Photolithographieschritts ist teuer und aufwändig, was in einer Volumenfertigung zu hohen Kosten und einem hohen Zeitaufwand führt. Auch ist ein Lithographieschritt mit Ungenauigkeiten behaftet, und lässt sich mit einem vertretbaren Aufwand nur bis zu einer Genauigkeit im Bereich von 1µm bis 2µm durchführen. Darüber hinaus stresst das Strukturieren der Passivierungsschicht mittels Plasma eine freizulegende Oberfläche, wodurch es zu einer Schädigung kommen kann. Bei nasschemischen Ätzprozessen kann eine Unterätzung auftreten, was die Genauigkeit zusätzlich herabsetzt.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein verbessertes Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements anzugeben, gemäß welchem eine strukturierte Passivierungsschicht ohne die oben genannten Nachteile bereitgestellt werden kann.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 gelöst. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements vorgeschlagen. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines Substrats mit einer metallischen Schicht, welche Gold aufweist. Weiter vorgesehen ist ein Ausbilden einer Passivierungsschicht aus Siliziumdioxid (SiO2) auf dem Substrat, welche die metallische Schicht des Substrats und das Substrat außerhalb der metallischen Schicht bedeckt. Die Passivierungsschicht weist auf der metallischen Schicht eine geringere Haftung auf als auf dem Substrat außerhalb der metallischen Schicht. Das Verfahren umfasst des Weiteren ein mechanisches Strukturieren der Passivierungsschicht. Hierbei wird die Passivierungsschicht aufgrund der unterschiedlichen Haftung im Bereich der metallischen Schicht entfernt, und verbleibt die Passivierungsschicht im Bereich außerhalb der metallischen Schicht auf dem Substrat.
  • Dem Verfahren liegt zugrunde, dass Siliziumdioxid auf Gold bzw. auf einem Gold aufweisenden metallischen Material eine schlechtere Haftung besitzt als auf anderen, bei der Fertigung von Halbleiterbauelementen eingesetzten Materialien. Hierbei kann es sich um Dielektrika, Halbleitermaterialien und metallische Materialien wie zum Beispiel Pd, Pt, Ni und Ti handeln. Die unterschiedliche Haftung konnte anhand von Versuchen, die im Rahmen der Erfindung gemacht wurden, demonstriert werden.
  • Das bei dem Verfahren für die Herstellung des Halbleiterbauelements bereitgestellte Substrat ist dementsprechend mit einer Gold aufweisenden metallischen Schicht an einer Oberfläche ausgebildet. Des Weiteren wird das Substrat bzw. die Substratoberfläche mit einer Passivierungsschicht aus Siliziumdioxid überzogen. Hierbei wird die Passivierungsschicht sowohl auf der metallischen Schicht selbst als auch außerhalb der metallischen Schicht bzw. in einem an die metallische Schicht heranreichenden Bereich auf dem Substrat ausgebildet. Materialbedingt ist die Haftung der Passivierungsschicht auf der Gold aufweisenden metallischen Schicht schlechter als auf dem Substrat außerhalb der Passivierungsschicht. In diesem Bereich des Substrats können ein oder mehrere der oben genannten Materialien vorhanden sein.
  • Die unterschiedliche Haftung wird bei dem Verfahren ausgenutzt, um die Passivierungsschicht auf mechanische Art und Weise zu strukturieren. Zu diesem Zweck wird die Passivierungsschicht einer mechanischen Krafteinwirkung ausgesetzt mit der Folge, dass die Passivierungsschicht im Bereich der Gold aufweisenden metallischen Schicht, in welchem die geringere Haftung besteht, entfernt wird und daneben bzw. im Bereich außerhalb der metallischen Schicht auf dem Substrat verbleibt.
  • Das Verfahren bietet somit die Möglichkeit, auf dem Substrat in selbstjustierender und gezielter Weise eine strukturierte, im Bereich der metallischen Schicht geöffnete Passivierungsschicht auszubilden. Hierdurch lassen sich folgende Vorteile in Bezug auf die Herstellung des Halbleiterbauelements erzielen.
  • Das Strukturieren der Passivierungsschicht erfolgt ohne Photolithographie- und nachfolgenden Ätzschritt. Daher kann das Verfahren zeit- und kostengünstig durchgeführt werden. Dies erweist sich als günstig im Hinblick auf eine Volumenfertigung. Auch lässt sich mit Hilfe des Verfahrens eine hohe Genauigkeit in Bezug auf das Entfernen der Passivierungsschicht erzielen. Vorliegend richtet sich dies nach der Gold aufweisenden metallischen Schicht. Des Weiteren wird das Problem einer Schädigung eines freizulegenden Substratbereichs, wie es bei Einsatz eines Ätzplasmas der Fall sein kann, vermieden. Da ferner keine nasschemische Ätzung durchgeführt wird, tritt bei dem Verfahren keine Unterätzung auf.
  • Im Folgenden werden weitere mögliche Details und Ausführungsformen des Verfahrens näher beschrieben.
  • Die Passivierungsschicht kann in Form einer zusammenhängenden Schicht auf dem Substrat ausgebildet werden.
  • Der Bereich außerhalb der metallischen Schicht, in welchem die Passivierungsschicht nicht entfernt wird und in welchem die Passivierungsschicht auf dem Substrat verbleibt, kann ein die metallische Schicht vollständig umlaufender bzw. umschließender Bereich sein. Dieses Merkmal bezieht sich auf eine Aufsichtsbetrachtung des Substrats.
  • Die Passivierungsschicht kann in dem Bereich außerhalb der metallischen Schicht horizontal zu der metallischen Schicht verlaufen. Möglich ist ferner, dass die Passivierungsschicht je nach Struktur und Topographie des Substrats in dem Bereich außerhalb der metallischen Schicht zumindest bereichsweise hiervon abweichend, zum Beispiel im Querschnitt vertikal oder unter einem schrägen Winkel zu der metallischen Schicht verläuft. Dies kann bei einer weiter unten beschriebenen Ausführungsform der Fall sein, in welcher die metallische Schicht Bestandteil eines als Schichtenstapel verwirklichten Kontakts des mit Hilfe des Verfahrens hergestellten Halbleiterbauelements ist.
  • Für das mechanische Strukturieren der Passivierungsschicht können folgende Ausführungsformen in Betracht kommen. In einer möglichen Ausführungsform umfasst dieser Schritt ein Spritzen einer Flüssigkeit auf die Passivierungsschicht. Die auf die Passivierungsschicht gespritzte Flüssigkeit bewirkt eine mechanische Krafteinwirkung bzw. Impulsübertragung, so dass die Passivierungsschicht im Bereich metallischen Schicht, in welchem die geringere Haftung besteht, abgetragen wird. Hierzu kann die Flüssigkeit mit einer geeigneten Geschwindigkeit auf die Passivierungsschicht gespritzt werden. Zu diesem Zweck kann die Flüssigkeit unter Anwendung von Druck bzw. Hochdruck auf die Passivierungsschicht gespritzt werden.
  • Die Flüssigkeit kann in Form eines Flüssigkeitsstrahls zur Anwendung kommen. Hierbei kann die Flüssigkeit mit Hilfe einer Pumpe unter hohen Druck gebracht und über eine Düse auf die zu strukturierende Passivierungsschicht gespritzt bzw. gesprüht werden. Die Düse kann Bestandteil eines zum Abgeben der Flüssigkeit eingesetzten Sprüharms sein.
  • Auf dem Substrat kann der Flüssigkeitsstrahl zum Beispiel einen Durchmesser im Bereich von 1mm bis 10mm aufweisen.
  • Je nach Druck und/oder verwendeter Düse kann die Flüssigkeit in Form eines kontinuierlichen Flüssigkeitsstrahls oder in Form eines diskontinuierlichen Flüssigkeitsstrahls bzw. Tröpfchenstrahls abgegeben werden.
  • Es ist möglich, die Flüssigkeit bzw. den Flüssigkeitsstrahl unter einem schrägen Winkel auf die Passivierungsschicht zu spritzen. Der Winkel kann sich auf eine durch das Substrat bzw. durch die beschichtete Substratoberfläche vorgegebene Ebene beziehen. Durch das schräge Aufspritzen kann abgetragenes Material der Passivierungsschicht zuverlässig von dem Substrat entfernt werden.
  • In diesem Zusammenhang kann es ferner in Betracht kommen, das Substrat beim Strukturieren der Passivierungsschicht zu drehen. Auch kann der Flüssigkeitsstrahl bzw. der den Flüssigkeitsstrahl abgebende Sprüharm beim Strukturieren von außen nach innen und/oder von innen nach außen über das Substrat bewegt werden.
  • In einer weiteren Ausführungsform wird die Flüssigkeit unter einem Druck in einem Bereich von 30bar bis 200bar auf die Passivierungsschicht gespritzt. Auf diese Weise kann mit einer hohen Zuverlässigkeit erzielt werden, dass die Passivierungsschicht im Bereich der metallischen Schicht geöffnet wird, wohingegen der Bereich des Substrats außerhalb der metallischen Schicht weiterhin mit der Passivierungsschicht bedeckt bleibt.
  • Bei der verwendeten Flüssigkeit kann es sich zum Beispiel um deionisiertes Wasser handeln. Möglich ist es auch, dass ein organisches Lösungsmittel eingesetzt wird.
  • Das mechanische Strukturieren der Passivierungsschicht kann nicht nur durch Aufspritzen einer Flüssigkeit, sondern auch auf andere Art und Weise durchgeführt werden. In einer weiteren möglichen Ausführungsform umfasst das Strukturieren ein Anordnen einer Klebefolie auf der Passivierungsschicht und ein nachfolgendes Ablösen der Klebefolie. Hierbei bleibt die im Bereich der metallischen Schicht vorhandene Passivierungsschicht an der Klebefolie haften, und wird dieser Teil der Passivierungsschicht dadurch beim Ablösen der Klebefolie von dem Substrat entfernt. In dieser Verfahrensvariante ist das Ablösen der Klebefolie mit einer mechanischen Krafteinwirkung verbunden, so dass die Passivierungsschicht im Bereich der Gold aufweisenden metallischen Schicht, in welchem die geringere Haftung auf dem Substrat besteht, zusammen mit der Klebefolie abgezogen wird. Außerhalb der metallischen Schicht verbleibt die Passivierungsschicht hingegen auf dem Substrat.
  • Die verwendete Klebefolie kann eine Kunststofffolie sein, welche an einer Seite eine Klebstoffschicht aufweist. Mit dieser Seite kann die Klebefolie auf die Passivierungsschicht aufgebracht bzw. aufgeklebt werden. Nach dem Ablösen der Klebefolie kann es gegebenenfalls in Betracht kommen, einen Reinigungsprozess durchzuführen, um Rückstände des Klebstoffs (sofern vorhanden) von der auf dem Substrat verbliebenen Passivierungsschicht zu entfernen.
  • Um ein zuverlässiges Strukturieren der Passivierungsschicht weiter zu begünstigen, ist gemäß einer weiteren Ausführungsform vorgesehen, dass die Passivierungsschicht mit einer Schichtdicke in einem Bereich von 50nm bis 500nm ausgebildet wird. Eine hohe Zuverlässigkeit ist möglich, wenn die Schichtdicke in einem Bereich von 200nm bis 400nm liegt.
  • Das Ausbilden der Passivierungsschicht aus Siliziumdioxid auf dem Substrat kann zum Beispiel mit Hilfe einer chemischen Gasphasenabscheidung (CVD, Chemical Vapor Deposition) durchgeführt werden. Möglich ist auch das Durchführen einer Kathodenzerstäubung bzw. eines Sputterprozesses.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist die metallische Schicht eine Goldschicht. Hierdurch kann die Haftung der Passivierungsschicht aus Siliziumdioxid auf der metallischen Schicht relativ gering sein. Infolgedessen kann die Passivierungsschicht bei dem mechanischen Strukturierungsprozess mit einer hohen Zuverlässigkeit im Bereich der metallischen Schicht entfernt werden.
  • Neben einer reinen Goldschicht kann das Verfahren auch mit anderen Ausgestaltungen der metallischen Schicht durchgeführt werden, in welchen die metallische Schicht neben Gold wenigstens ein weiteres metallisches Material aufweist. Hierbei kann die metallische Schicht eine Goldlegierung aufweisen. Des Weiteren kann der Anteil an Gold in der metallischen Schicht größer bzw. wesentlich größer sein als der Anteil des oder der weiteren metallischen Materialien. Auf diese Weise kann das Vorliegen einer geringen Haftung der Passivierungsschicht auf der metallischen Schicht begünstigt werden.
  • Das Ausbilden der metallischen Schicht kann zum Beispiel ein Durchführen einer Kathodenzerstäubung bzw. eines Sputterprozesses umfassen. Möglich ist auch eine Elektronenstrahlverdampfung.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist die metallische Schicht eine oberste Schicht eines aus mehreren Schichten ausgebildeten Kontakts. Das Verfahren wird hierbei derart durchgeführt, dass das Substrat mit dem Kontakt bereitgestellt wird, und nachfolgend weitere Schritte wie das Ausbilden der Passivierungsschicht und das mechanische Strukturieren der Passivierungsschicht durchgeführt werden. Bei dem Kontakt kann es sich um einen Vorderseitenkontakt des mit Hilfe des Verfahrens hergestellten Halbleiterbauelements handeln. Über den Kontakt kann dem Halbleiterbauelement elektrische Energie zugeführt werden. Die Verwendung der Gold aufweisenden metallischen Schicht als oberste Schicht des Kontakts macht es möglich, an den Kontakt zum Beispiel in einem Drahtbondprozess einen Bonddraht anzuschließen.
  • Der Kontakt kann eine hervorstehende Struktur des Substrats bilden. Die Passivierungsschicht kann derart ausgebildet werden, dass der gesamte Kontakt, einschließlich Seitenflanken des Kontakts, mit der Passivierungsschicht bedeckt werden. Beim nachfolgenden mechanischen Strukturieren wird die Passivierungsschicht im Bereich der metallischen Schicht entfernt. Im Bereich der Seitenflanken bzw. an Stellen, in welchen die metallische Schicht nicht vorhanden ist, kann der Kontakt weiterhin mit der Passivierungsschicht bedeckt bleiben.
  • In einer weiteren Ausführungsform weist die metallische Schicht kleinere laterale Abmessungen auf als eine unterhalb der metallischen Schicht angeordnete weitere Schicht des Kontakts. In dieser Ausführungsform kann das Strukturieren der Passivierungsschicht derart erfolgen, dass die weitere Schicht des Kontakts in einem Bereich neben der metallischen Schicht mit der Passivierungsschicht bedeckt bleibt.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist der Kontakt auf einem Halbleiterbereich des Substrats angeordnet. Je nach Ausgestaltung des mit Hilfe des Verfahrens hergestellten Halbleiterbauelements kann der Halbleiterbereich zum Beispiel unterschiedliche bzw. unterschiedlich dotierte Schichten und/oder Strukturen, beispielsweise eine aktive Zone zur Strahlungserzeugung, aufweisen.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist der Kontakt auf einer rippenförmigen Erhebung eines Halbleiterbereichs des Substrats angeordnet. Diese Ausführungsform kann in Betracht kommen, wenn das mit Hilfe des Verfahrens hergestellte Halbleiterbauelement ein Halbleiterlaser bzw. ein Laserdiodenchip mit einer Rippenwellenleiterstruktur, auch als Ridge Laser bezeichnet, ist.
  • In Bezug auf ein solches Bauelement kann der Kontakt des bereitgestellten Substrats eine streifenförmige Kontaktschicht, eine Zwischenschicht und die Gold aufweisende metallische Schicht umfassen. Die metallische Schicht kann auf der Zwischenschicht, die Zwischenschicht kann auf der streifenförmigen Kontaktschicht, und die streifenförmige Kontaktschicht kann auf der rippenförmigen Erhebung des Halbleiterbereichs des Substrats angeordnet sein. Die streifenförmige Kontaktschicht und die Zwischenschicht können aus anderen metallischen Materialien wie die Gold aufweisende metallische Schicht ausgebildet sein. Die Zwischenschicht und die metallische Schicht können übereinstimmende laterale Abmessungen besitzen. Die streifenförmige Kontaktschicht kann eine größere Länge und eine kleinere Breite als die Zwischenschicht und die metallische Schicht aufweisen, so dass die Kontaktschicht von oben betrachtet an zwei Stellen seitlich gegenüber der Zwischenschicht und der metallischen Schicht hervorsteht. In diesen Bereichen kann die streifenförmige Kontaktschicht somit nicht von der Zwischenschicht bedeckt sein.
  • Bei dieser Ausgestaltung kann die Passivierungsschicht derart ausgebildet werden, dass der gesamte Kontakt, einschließlich der streifenförmigen Kontaktschicht in den nicht von der Zwischenschicht bedeckten Bereichen, mit der Passivierungsschicht bedeckt wird. Beim nachfolgenden Strukturieren der Passivierungsschicht wird die Passivierungsschicht im Bereich der metallischen Schicht entfernt. In den nicht von der Zwischenschicht bedeckten Bereichen kann die streifenförmige Kontaktschicht weiterhin mit der Passivierungsschicht bedeckt und dadurch zuverlässig passiviert sein.
  • In Bezug auf ein Halbleiterbauelement in Form eines Halbleiterlasers kann das Verfahren ferner derart durchgeführt werden, dass die streifenförmige Kontaktschicht an zwei entgegen gesetzte Seitenflächen des hergestellten Bauelements heranreicht, wohingegen der restliche Stapel aus Zwischenschicht und Gold aufweisender metallischer Schicht beabstandet zu den Seitenflächen ist. Hierdurch kann ein elektrischer Betriebsstrom homogen bis zu den Seitenflächen eingeprägt werden. Die Seitenflächen können als Spiegelfacetten zur Reflexion von Strahlung dienen und dadurch einen optischen Resonator bilden.
  • Solche Seitenflächen können, im Anschluss an das mechanische Strukturieren der Passivierungsschicht, durch Brechen des Substrats an definierten Stellen und in bestimmten Symmetrieachsen des zugehörigen Halbleiterkristalls gebildet werden. Auf diese Weise können atomar glatte Spiegelfacetten erzeugt werden. An den Bruchstellen würde eine dicke Metallisierung stören und durch ihre Zähigkeit die Bruchmechanik negativ beeinflussen. Dies kann vermieden werden, indem die streifenförmige und bei dem gefertigten Bauelement an die Seitenflächen heranreichende Kontaktschicht mit einer kleinen Schichtdicke verwirklicht wird.
  • Der restliche Stapel aus Zwischenschicht und Gold aufweisender metallischer Schicht bzw. die Gold aufweisende metallische Schicht kann hingegen mit einer im Vergleich zu der streifenförmigen Kontaktschicht größeren Schichtdicke ausgebildet werden, und dadurch trotz der in diesem Bereich geöffneten Passivierungsschicht unempfindlich gegenüber äußeren Einflüssen wie Feuchtigkeit und Sauerstoff sein. Auch kann auf diese Weise eine zuverlässige Kontaktierung beispielsweise in einem Drahtbondprozess oder Lötprozess erfolgen. Die streifenförmige Kontaktschicht kann, wie oben angegeben, in den nicht von der Zwischenschicht bedeckten Bereichen mit der Passivierungsschicht bedeckt sein, und infolgedessen zuverlässig vor einer Oxidation oder anderen Effekten wie zum Beispiel dem Bilden einer Legierung beim Löten geschützt sein.
  • In einer weiteren Ausführungsform wird das Substrat mit einer zusätzlichen Schicht, zum Beispiel mit einer zusätzlichen Passivierungsschicht, bereitgestellt. Hierbei kann die nachfolgend ausgebildete und der mechanischen Strukturierung unterzogene Passivierungsschicht aus Siliziumdioxid zum Teil auch auf der zusätzlichen Schicht angeordnet werden. Diese Ausführungsform kann beispielsweise zusammen mit der oben beschriebenen Ausgestaltung zum Einsatz kommen, in welcher das bereitgestellte Substrat einen auf einer rippenförmigen Erhebung eines Halbleiterbereichs des Substrats angeordneten Kontakt aufweist. Hierbei kann die zusätzliche Schicht bzw. Passivierungsschicht den Halbleiterbereich neben der rippenförmigen Erhebung bedecken.
  • In einer weiteren Ausführungsform wird nach dem Strukturieren der Passivierungsschicht eine elektrochemische oder eine stromlose chemische Abscheidung unter Verwendung der metallischen Schicht als Startschicht durchgeführt. Auf diese Weise kann die metallische Schicht verdickt werden, so dass die metallische Schicht zum Beispiel unempfindlich bzw. unempfindlicher gegenüber äußeren Einflüssen sein kann. Der Bereich außerhalb der metallischen Schicht ist von der Passivierungsschicht bedeckt, und daher vor einer Abscheidung geschützt. Auch in dieser Ausgestaltung kann das Durchführen eines Photolithographieschritts eingespart werden.
  • Die Schritte des Ausbildens der Passivierungsschicht und des mechanischen Strukturierens der Passivierungsschicht können am Ende der Herstellung des Halbleiterbauelements durchgeführt werden. Im Rahmen des zuvor durchgeführten Bereitstellens des Substrats können eine Reihe von Prozessen wie zum Beispiel Schichterzeugungs- und/oder Strukturierungsprozesse durchgeführt werden.
  • Das Verfahren kann zur Herstellung unterschiedlicher Halbleiterbauelemente eingesetzt werden. Neben der oben erläuterten Anwendung auf Laserdioden können auch weitere elektronische oder optoelektronische Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterchips in Betracht kommen. Ein Beispiel ist eine Leuchtdiode (LED, Light Emitting Diode) bzw. ein Leuchtdiodenchip.
  • Das Verfahren kann ferner zur gemeinsamen Herstellung einer Mehrzahl an Halbleiterbauelementen im Verbund eingesetzt werden. Hierbei kann ein Substrat bzw. Wafer bereitgestellt werden, bei welchem die Gold aufweisende metallische Schicht mehrfach bzw. an mehreren Stellen auf dem Substrat vorhanden ist. Die Passivierungsschicht aus Siliziumdioxid kann derart ausgebildet werden, dass die Passivierungsschicht sämtliche der auf dem Substrat vorhandenen, Gold aufweisenden metallischen Schichten und das Substrat außerhalb der metallischen Schichten bedeckt. In dem mechanischen Strukturierungsschritt kann die Passivierungsschicht im Bereich der metallischen Schichten entfernt werden und außerhalb der metallischen Schichten auf dem Substrat verbleiben. Dies kann mit Hilfe der oben angegebenen Ausführungsformen, also Spritzen einer Flüssigkeit auf die Passivierungsschicht oder Anordnen einer Klebefolie auf der Passivierungsschicht und nachfolgendes Ablösen der Klebefolie, durchgeführt werden. Nach dem mechanischen Strukturieren der Passivierungsschicht kann eine Vereinzelung des Verbunds in separate Halbleiterbauelemente durchgeführt werden.
  • Die vorstehend erläuterten und/oder in den Unteransprüchen wiedergegebenen vorteilhaften Aus- und Weiterbildungen der Erfindung können – außer zum Beispiel in Fällen eindeutiger Abhängigkeiten oder unvereinbarer Alternativen – einzeln oder aber auch in beliebiger Kombination miteinander zur Anwendung kommen.
  • Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung, sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich in Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen, die im Zusammenhang mit den schematischen Zeichnungen näher erläutert werden. Es zeigen:
  • 1 bis 4 einen Verfahrensablauf zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, wobei ein Substrat bereitgestellt wird, welches einen Halbleiterbereich mit einer Erhebung, eine den Halbleiterbereich neben der Erhebung bedeckende Schicht und einen auf der Erhebung angeordneten Kontakt mit einer Gold aufweisenden metallischen Schicht aufweist, und wobei das Substrat mit einer Passivierungsschicht aus Siliziumdioxid überzogen wird, welche nachfolgend mechanisch strukturiert wird, indem eine Flüssigkeit aufgespritzt wird, so dass die Passivierungsschicht im Bereich der Gold aufweisenden metallischen Schicht entfernt wird;
  • 5 und 6 einen weiteren Verfahrensablauf, in welchem eine Passivierungsschicht auf einem Substrat mit einem Kontakt ausgebildet und mechanisch strukturiert wird;
  • 7 und 8 einen weiteren Verfahrensablauf, in welchem eine Passivierungsschicht auf einem Substrat mit einem Kontakt ausgebildet und mechanisch strukturiert wird, wobei der Kontakt eine Gold aufweisende metallische Schicht aufweist, welche kleinere laterale Abmessungen als eine darunter angeordnete Schicht des Kontakts besitzt;
  • 9 einen Verfahrenszustand nach einem Verdicken der Gold aufweisenden metallischen Schicht von 8;
  • 10 bis 18 einen weiteren Verfahrensablauf, in welchem eine Passivierungsschicht auf einem Substrat mit einem Kontakt ausgebildet und mechanisch strukturiert wird, wobei der Kontakt eine streifenförmige Kontaktschicht, eine Zwischenschicht und eine Gold aufweisende metallische Schicht aufweist, wobei die metallische Schicht auf der Zwischenschicht, die Zwischenschicht auf der streifenförmigen Kontaktschicht, und die streifenförmige Kontaktschicht auf einer Erhebung eines Halbleiterbereichs des Substrats angeordnet ist, und wobei das Substrat eine den Halbleiterbereich neben der Erhebung bedeckende Passivierungsschicht aufweist, welche eine der Erhebung entsprechende Dicke besitzt;
  • 19 und 20 einen weiteren Verfahrensablauf, in welchem eine Passivierungsschicht auf einem Substrat mit einem Kontakt ausgebildet und mechanisch strukturiert wird, wobei das Substrat einen Halbleiterbereich mit einer Erhebung und eine den Halbleiterbereich neben der Erhebung bedeckende Passivierungsschicht aufweist, welche abweichend von dem Verfahren der 10 bis 18 eine im Vergleich zu der Erhebung kleinere Dicke besitzt;
  • 21 und 22 einen weiteren Verfahrensablauf, in welchem eine Passivierungsschicht auf einem Substrat mit einem Kontakt ausgebildet und mechanisch strukturiert wird, wobei das Substrat einen Halbleiterbereich mit einer Erhebung und eine den Halbleiterbereich neben der Erhebung bedeckende Passivierungsschicht aufweist, welche abweichend von dem Verfahren der 10 bis 18 eine im Vergleich zu der Erhebung größere Dicke besitzt; und
  • 23 bis 25 einen weiteren Verfahrensablauf, in welchem eine Passivierungsschicht auf einem Substrat mit einem Kontakt mit einer Gold aufweisenden metallischen Schicht mechanisch strukturiert wird, indem eine Klebefolie auf der Passivierungsschicht angeordnet und anschließend die Klebefolie abgelöst wird, so dass die Passivierungsschicht im Bereich der Gold aufweisenden metallischen Schicht auf der Klebefolie haften bleibt und von dem Substrat entfernt wird.
  • Anhand der folgenden schematischen Figuren werden Ausgestaltungen eines Verfahrens zum Herstellen eines Halbleiterbauelements beschrieben. Hierbei wird eine Passivierungsschicht 150 auf einem bereitgestellten Substrat 101, 102, 103, 104, 105, 106 ausgebildet und in selbstjustierender Weise einer Strukturierung unterzogen. Die Strukturierung kann zeit- und kostengünstig, sowie mit einer hohen Strukturierungsgenauigkeit erfolgen.
  • Bei dem Verfahren können aus der Fertigung von Halbleiterbauelementen bekannte Prozesse durchgeführt werden, so dass hierauf nur teilweise eingegangen wird. Auch können in diesem Gebiet übliche Materialien zum Einsatz kommen. In gleicher Weise können zusätzlich zu gezeigten und beschriebenen Prozessen weitere Prozesse durchgeführt werden und können Bauelemente zusätzlich zu gezeigten und beschriebenen Komponenten mit weiteren Komponenten und Strukturen gefertigt werden.
  • Es wird ferner darauf hingewiesen, dass die Figuren lediglich schematischer Natur sind und nicht maßstabsgetreu sind. In diesem Sinne können in den Figuren gezeigte Komponenten und Strukturen zum besseren Verständnis übertrieben groß oder verkleinert dargestellt sein.
  • Das Verfahren kann zur parallelen Herstellung mehrerer Halbleiterbauelemente eingesetzt werden. Hierbei kann ein zusammenhängender Bauelementverbund gefertigt und nachfolgend in separate Bauelemente vereinzelt werden (nicht dargestellt). In dieser Hinsicht können die in den Figuren gezeigten Verfahrensabläufe jeweils einen Ausschnitt des Fertigungsverbunds im Bereich eines entsprechenden Halbleiterbauelements veranschaulichen, und können die jeweils dargestellten Gegebenheiten sich vielfach wiederholend in dem Verbund vorliegen. Des Weiteren kann die folgende Beschreibung möglicher Verfahrensabläufe jeweils für sämtliche der in gemeinsamer Weise im Verbund hergestellten Bauelemente zur Anwendung kommen.
  • Die 1 bis 4 zeigen anhand von seitlichen Schnittdarstellungen Schritte eines Verfahrensablaufs zur Herstellung eines Halbleiterbauelements. Hierbei ist das zu fertigende Bauelement bzw. ist ein zugehöriger Bauelementverbund im Ausschnitt dargestellt. Bei dem Verfahren wird, wie in 1 gezeigt ist, ein Substrat 101 bereitgestellt. Das bereitgestellte Substrat 101 hat bereits eine Reihe von Fertigungsprozessen, beispielsweise Schichterzeugungs- und Strukturierungsprozesse, durchlaufen. Hierauf wird nicht näher eingegangen. Bei dem Substrat 101 kann es sich um einen prozessierten Wafer handeln.
  • Das Substrat 101 weist einen Halbleiterbereich 110 auf. Der Halbleiterbereich 110 kann ein oder mehrere Halbleitermaterialen, beispielsweise III-V-Verbindungshalbleiter, aufweisen und Bestandteile wie zum Beispiel unterschiedlich dotierte Halbleiterschichten umfassen. Bei einer möglichen Ausgestaltung des Halbleiterbauelements als optoelektronisches Bauelement kann der Halbleiterbereich 110 ferner zum Beispiel eine aktive Zone zur Strahlungserzeugung aufweisen (jeweils nicht dargestellt).
  • Des Weiteren weist der Halbleiterbereich 110 an einer Seite eine Struktur in Form einer Erhebung 111 auf. Es ist zum Beispiel möglich, dass es sich bei dem Halbleiterbauelement um einen Laserdiodenchip mit einer Rippenwellenleiterstruktur handelt (sogenannter Ridge Laser). Hierbei kann die Erhebung 111 rippenförmig ausgebildet sein und sich senkrecht zur Zeichenebene von 1 erstrecken. Im Betrieb des Bauelements kann mit Hilfe der Erhebung 111 eine Wellenführung von erzeugter Strahlung erzielt werden.
  • Das bereitgestellte Substrat 101 weist ferner eine Schicht 120 auf, welche beidseitig der Erhebung 111 auf dem Halbleiterbereich 110 angeordnet ist. Hierbei kann es sich um eine bereits auf dem Substrat 101 vorhandene Passivierungsschicht 120 handeln. Die Passivierungsschicht 120, welche wie in 1 gezeigt eine der Erhebung 111 entsprechende Schichtdicke besitzen kann, kann zum Beispiel SiN, SiO2, Al2O3, ZrO, AlN oder SiC aufweisen.
  • Darüber hinaus weist das bereitgestellte Substrat 110 eine hervorstehende Struktur in Form eines auf der Erhebung 111 angeordneten Kontakts 130 auf. Der Kontakt 130 dient zur Kontaktierung des Halbleiterbauelements, beispielsweise mit Hilfe eines Bonddrahts, und damit zur Stromeinprägung im Betrieb des Bauelements (nicht dargestellt). Bei dem Kontakt 130 kann es sich um einen Vorderseitenkontakt, und dementsprechend bei der in der Darstellung von 1 nach oben gerichteten Substratseite um eine Vorderseite des Substrats 101 handeln.
  • Der Kontakt 130 umfasst eine auf der Erhebung 111 angeordnete metallische Kontaktschicht 131 und eine hierauf angeordnete metallische Schicht 140. Die metallische Schicht 140, welche die oberste Schicht des Kontakts 130 bildet, und welche auch als Kontaktfläche bzw. Bond- oder Metallpad bezeichnet werden kann, weist Gold auf. Die metallische Schicht 140 kann zum Beispiel mit Hilfe eines Sputterprozesses oder einer Elektronenstrahlverdampfung erzeugt sein. Es ist möglich, dass die metallische Schicht 140 eine Goldschicht ist. Die darunter angeordnete Kontaktschicht 131 kann in Form eines nicht gezeigten Stapels aus unterschiedlichen metallischen Teilschichten verwirklicht sein. Hierbei können Materialien bzw. Metalle aus der Gruppe Ni, Ti, Pd, Pt und ITO (Indiumzinnoxid, Indium Tin Oxide) zur Anwendung kommen. In dieser Ausgestaltung kann die Kontaktschicht 131 als Kontaktmetallstapel bezeichnet werden.
  • Nachfolgend wird, wie in 2 gezeigt ist, eine zusammenhängende Passivierungsschicht 150 aus Siliziumdioxid auf dem bereitgestellten Substrat 101 bzw. auf dessen Vorderseite ausgebildet. Das Ausbilden der Passivierungsschicht 150 kann zum Beispiel mit Hilfe einer chemischen Gasphasenabscheidung (CVD, Chemical Vapor Deposition) durchgeführt werden. Alternativ lässt sich die Passivierungsschicht 150 auch mit Hilfe eines Sputterprozesses ausbilden. Die Passivierungsschicht 150 befindet sich auf dem Kontakt 130, einschließlich auf dessen Seitenflanken, und seitlich hiervon auf dem Substrat 101. Somit ist sowohl die metallische Schicht 140 des Substrats 101 als auch das Substrat 101 außerhalb bzw. benachbart zu der metallischen Schicht 140 mit der Passivierungsschicht 150 bedeckt. Bei Letzterem handelt es sich um Stellen, in welchen die Kontaktschicht 131 und die Passivierungsschicht 120 vorhanden sind.
  • Die Verwendung von Siliziumdioxid für die Passivierungsschicht 150 und die Ausgestaltung der metallischen Schicht 140 als Gold aufweisende Schicht bzw. Goldschicht führen dazu, dass die Passivierungsschicht 150 auf der metallischen Schicht 140 eine geringe Haftung besitzt. Außerhalb der metallischen Schicht 140, also gemäß 2 auf der Kontaktschicht 131 und der anderen Passivierungsschicht 120, besitzt die Passivierungsschicht 150 hingegen materialbedingt eine bessere Anbindung an das Substrat 101.
  • Die unterschiedliche Haftung der Passivierungsschicht 150 auf dem Substrat 101 wird bei dem Verfahren dazu genutzt, um die Passivierungsschicht 150 in selbstjustierender Weise mechanisch zu strukturieren. Zu diesem Zweck wird, wie in 3 anhand eines Pfeils angedeutet ist, eine Flüssigkeit 170 mit einer hohen Geschwindigkeit auf die Passivierungsschicht 150 gespritzt. Eine hierbei stattfindende Krafteinwirkung bzw. Impulsübertragung hat zur Folge, dass die Passivierungsschicht 150 an den Kanten der metallischen Schicht 140 abbricht und dadurch in gezielter Weise im Bereich der metallischen Schicht 140, in welchem die geringere Haftung der Passivierungsschicht 150 auf dem Substrat 101 besteht, entfernt wird. Dieser an der metallischen Schicht 140 ausgerichtete Vorgang kann auch als Lift-Off bezeichnet werden. Im Bereich außerhalb der metallischen Schicht 140, also auf der Kontaktschicht 131 an den Seitenflanken des Kontakts 130 und auf der Passivierungsschicht 120, verbleibt die Passivierungsschicht 150 hingegen auf dem Substrat 101. Nach der Strukturierung ist die Passivierungsschicht 150 im Bereich der metallischen Schicht 140 geöffnet, wie in 4 veranschaulicht ist. Von oben betrachtet kann die strukturierte Passivierungsschicht 150 die metallische Schicht 140 vollständig umlaufen.
  • Bei der Flüssigkeit 170 kann es sich zum Beispiel um deionisiertes Wasser handeln. Möglich ist es auch, dass ein organisches Lösungsmittel wie zum Beispiel NMP (N-Methyl-Pyrrolidon) eingesetzt wird.
  • Bei dem Strukturierungsschritt kann die Flüssigkeit 170 in Form eines Flüssigkeitsstrahls auf die Passivierungsschicht 150 gesprüht werden. Hierzu kann die Flüssigkeit 170 mit Hilfe einer nicht dargestellten Pumpe unter hohen Druck gebracht und anschließend über eine in 3 angedeutete Düse 175 in Richtung der Passivierungsschicht 150 abgegeben werden. Die Düse 175 kann am Ende eines nicht dargestellten Sprüharms angeordnet sein. Der Flüssigkeitsstrahl kann auf dem Substrat 101 zum Beispiel einen Durchmesser im Bereich von 1mm bis 10mm aufweisen.
  • Ein zuverlässiges Abtragen der Passivierungsschicht 150 im Bereich der metallischen Schicht 140 kann erzielt werden, wenn die Flüssigkeit 170 unter Anwendung eines Drucks im Bereich von 30bar bis 200bar auf die Passivierungsschicht 150 gespritzt wird. Ein zuverlässiges Entfernen kann des Weiteren begünstigt werden, wenn die Passivierungsschicht 150 eine Schichtdicke im Bereich von 50nm bis 500nm aufweist. Eine hohe Zuverlässigkeit lässt sich erreichen, wenn die Schichtdicke der Passivierungsschicht 150 im Bereich von 200nm bis 400nm liegt.
  • Die Flüssigkeit 170 kann in Form eines kontinuierlichen Flüssigkeitsstrahls oder auch in Form eines diskontinuierlichen bzw. tröpfchenförmigen Flüssigkeitsstrahls zum Einsatz kommen. Dies kann sich nach dem angewendeten Druck und/oder der verwendeten Düse 175 richten.
  • Des Weiteren kann die Hochdruckbehandlung des Substrats 101 derart erfolgen, dass die Flüssigkeit 170 bzw. der Flüssigkeitsstrahl, wie in 3 angedeutet ist, unter einem schrägen Winkel auf die Passivierungsschicht 150 gespritzt wird. Hierdurch ist es möglich, abgetragenes Material der Passivierungsschicht 150 zuverlässig von dem Substrat 101 zu entfernen.
  • Ein zuverlässiges Entfernen von abgelöstem Material der Passivierungsschicht 150 kann darüber hinaus dadurch begünstigt werden, dass das Strukturieren der Passivierungsschicht 150 bei sich drehendem Substrat 101 durchgeführt wird. Auch kann der Flüssigkeitsstrahl bzw. der den Flüssigkeitsstrahl abgebende Sprüharm beim Strukturieren von außen nach innen und/oder von innen nach außen über das Substrat 101 bewegt werden (jeweils nicht dargestellt).
  • Wie oben angedeutet wurde, kann das Verfahren bzw. können die Schritte des Bereitstellens des Substrats 101 und des Ausbildens und des Strukturierens der Passivierungsschicht 150 in Bezug auf eine verbundweise Fertigung von Halbleiterbauelementen zur Anwendung kommen. In diesem Sinne kann das bereitgestellte Substrat 101 eine Mehrzahl an Erhebungen 111 mit Kontakten 130 und dadurch eine Mehrzahl an metallischen Schichten 140 aufweisen. Jedem zu fertigenden Halbleiterbauelement kann eine Erhebung 111 mit einem darauf befindlichen Kontakt 130 zugeordnet sein. Des Weiteren kann die Passivierungsschicht 150 aus Siliziumdioxid derart ausgebildet werden, dass hiervon sämtliche metallische Schichten 140 des Substrats 101 und das Substrat 101 außerhalb der metallischen Schichten 140 bedeckt werden. In dem Strukturierungsschritt mit Hilfe der aufgespritzten Flüssigkeit 170 kann die Passivierungsschicht 150 in selektiver Weise jeweils im Bereich der metallischen Schichten 140 abgetragen werden und außerhalb der metallischen Schichten 140 auf dem Substrat 101 verbleiben. Nach dem Strukturieren der Passivierungsschicht 150 können weitere Prozesse durchgeführt werden. Hierunter fällt zum Beispiel ein Vereinzeln des Verbunds in separate Halbleiterbauelemente (nicht dargestellt).
  • Ein mechanisches Strukturieren einer Passivierungsschicht 150 lässt sich nicht nur durch Aufspritzen einer Flüssigkeit 170 verwirklichen. Eine mögliche alternative Vorgehensweise kommt bei dem im Folgenden erläuterten Verfahrensablauf zur Anwendung, welcher anhand von seitlichen Schnittdarstellungen in den 23 bis 25 dargestellt ist. Bei diesem Verfahrensablauf wird ebenfalls das zuvor erläuterte Substrat 101 bereitgestellt, auf welchem, wie in 23 dargestellt ist, eine durchgehende Passivierungsschicht 150 aus Siliziumdioxid ausgebildet wird. Das bereitgestellte Substrat 101 weist die oben erläuterten Komponenten, d.h. einen Halbleiterbereich 110 mit einer Erhebung 111, eine Schicht 120 und einen Kontakt 130 mit einer Kontaktschicht 131 und einer Gold aufweisenden metallischen Schicht 140 auf. Für Details hierzu wird auf die vorstehende Beschreibung verwiesen.
  • Nachfolgend wird, wie ebenfalls in 23 gezeigt ist, eine Klebefolie 180 auf der Passivierungsschicht 150 angeordnet. Hierbei handelt es sich um eine Kunststofffolie, welche an einer Seite eine nicht dargestellte Klebstoffschicht aufweist. Mit dieser Seite wird die Klebefolie 180 auf die Passivierungsschicht 150 aufgeklebt.
  • Anschließend erfolgt ein mechanisches Ablösen der Klebefolie 180 von dem Substrat 101, wie in den 24, 25 dargestellt ist. Dies ist mit einer mechanischen Krafteinwirkung auf die Passivierungsschicht 150 verbunden. Hierbei hat die unterschiedliche Haftung der Passivierungsschicht 150 auf der metallischen Schicht 140 und außerhalb der metallischen Schicht 140 auf dem Substrat 101 zur Folge, dass ein im Bereich der metallischen Schicht 140 vorhandener Teil der Passivierungsschicht 150 an der Klebefolie 180 haften bleibt und dadurch beim Abziehen der Klebefolie 180 zusammen mit der Klebefolie 180 von dem Substrat 101 entfernt werden kann. Im Bereich außerhalb der metallischen Schicht 140, also auf der Kontaktschicht 131 an den Seitenflanken des Kontakts 130 und auf der Passivierungsschicht 120, verbleibt die Passivierungsschicht 150 hingegen auf dem Substrat 101.
  • Sofern die auf dem Substrat 101 verbliebene Passivierungsschicht 150 nach dem Ablösen der Klebefolie 180 Reste des Klebstoffs aufweisen sollte, kann nachfolgend ein Reinigungsschritt zum Entfernen solcher Rückstände durchgeführt werden (nicht dargestellt).
  • Auch der in den 23 bis 25 dargestellte Verfahrensablauf kann in Bezug auf eine verbundweise Fertigung von Halbleiterbauelementen zur Anwendung kommen. In entsprechender Weise kann das bereitgestellte Substrat 101 hierbei eine Mehrzahl an Erhebungen 111 mit Kontakten 130 aufweisen, und kann die Passivierungsschicht 150 derart ausgebildet werden, dass hiervon sämtliche metallische Schichten 140 des Substrats 101 und das Substrat 101 außerhalb der metallischen Schichten 140 bedeckt werden. In dem Strukturierungsschritt kann die Klebefolie 180 auf der Passivierungsschicht 150 angeordnet und nachfolgend von dieser abgezogen werden, wodurch die Passivierungsschicht 150 in selektiver Weise jeweils im Bereich der metallischen Schichten 140 an der Klebefolie 180 haften bleiben und infolgedessen in diesen Bereichen von dem Substrat 101 entfernt werden, und außerhalb der metallischen Schichten 140 auf dem Substrat 101 verbleiben kann. Nach dem Strukturieren der Passivierungsschicht 150 können weitere Prozesse wie ein Vereinzeln des Verbunds in separate Halbleiterbauelemente durchgeführt werden (nicht dargestellt). Im Folgenden werden mögliche Varianten und Abwandlungen der zuvor anhand der 1 bis 4 und der 23 bis 25 erläuterten Verfahrensabläufe beschrieben. Übereinstimmende Merkmale und Aspekte sowie gleiche und gleich wirkende Komponenten werden im Folgenden nicht erneut detailliert beschrieben. Für Details hierzu wird stattdessen auf die vorstehende Beschreibung Bezug genommen. Des Weiteren wird auf die Möglichkeit hingewiesen, dass ein in Bezug auf eine Ausführungsform beschriebenes Merkmal oder Detail auch für eine andere Ausführungsform zutreffen kann bzw. dass Merkmale von mehreren Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können.
  • Bei der in den 1 bis 4 und in den 23 bis 25 gezeigten Schicht 120 kann es sich um eine optionale Schicht handeln, welche ggf. weggelassen werden kann. Bei einer solchen, nicht gezeigten Abwandlung der zuvor erläuterten Verfahren wird das Substrat 101 ohne die Schicht 120 bereitgestellt, und führt das Aufbringen der Passivierungsschicht 150 dazu, dass die Passivierungsschicht 150 auch den Halbleiterbereich 110 angrenzend an die Kontaktschicht 131 bedecken kann. An dieser Stelle ist die Haftung der Passivierungsschicht 150 ebenfalls größer als auf der metallischen Schicht 140, so dass die Passivierungsschicht 150 während und nach der Strukturierung in diesem Bereich auf dem Substrat 101 verbleibt.
  • Die 5 und 6 zeigen anhand von seitlichen Schnittdarstellungen einen weiteren Verfahrensablauf zur Herstellung eines Halbleiterbauelements. Hierbei kann es sich zum Beispiel um einen Leuchtdiodenchip oder auch um ein anderes Halbleiterbauelement handeln. Bei dem Verfahren wird ein Substrat 102 bereitgestellt, auf welches, wie in 5 dargestellt ist, eine durchgehende Passivierungsschicht 150 aus Siliziumdioxid aufgebracht wird. Das bereitgestellte Substrat 102 weist einen Halbleiterbereich 110 und einen hierauf angeordneten Kontakt 130 mit einer Kontaktschicht 131 und einer Gold aufweisenden metallischen Schicht 140 auf. Das Substrat 102 ist zumindest in dem in 5 gezeigten Ausschnitt ohne rippenförmige Erhebung 111, und auch ohne zusätzliche Schicht bzw. Passivierungsschicht 120, ausgebildet. Die auf das Substrat 102 aufgebrachte Passivierungsschicht 150 bedeckt den Kontakt 130 und den Halbleiterbereich 110 neben dem Kontakt 130.
  • Die Passivierungsschicht 150 besitzt außerhalb der metallischen Schicht 140, also gemäß 5 auf der Kontaktschicht 131 und auf dem Halbleiterbereich 110, eine größere Haftung als auf der metallischen Schicht 140. Ein nachfolgendes Beaufschlagen der Passivierungsschicht 150 mit einer Flüssigkeit oder Anordnen einer Klebefolie auf der Passivierungsschicht 150 gefolgt von einem Ablösen der Klebefolie (nicht dargestellt) hat daher zu Folge, dass die Passivierungsschicht 150, wie in 6 gezeigt ist, im Bereich der metallischen Schicht 140 geöffnet wird. Im Bereich außerhalb der metallischen Schicht 140, also auf der Kontaktschicht 131 an den Seitenflanken des Kontakts 130 und auf dem Halbleiterbereich 110 neben dem Kontakt 130, verbleibt die Passivierungsschicht 150 hingegen auf dem Substrat 102.
  • Die 7 und 8 zeigen anhand von seitlichen Schnittdarstellungen einen weiteren Verfahrensablauf zur Herstellung eines Halbleiterbauelements. Hierbei wird ein Substrat 103 bereitgestellt, welches, wie in 7 dargestellt ist, mit einer zusammenhängenden Passivierungsschicht 150 aus Siliziumdioxid beschichtet wird. Das bereitgestellte Substrat 103 weist einen Halbleiterbereich 110 und einen hierauf angeordneten Kontakt 130 mit einer Kontaktschicht 131 und einer Gold aufweisenden metallischen Schicht 140 auf. Die metallische Schicht 140 besitzt kleinere laterale Abmessungen als die darunter angeordnete Kontaktschicht 131, so dass die Kontaktschicht 131 vorderseitig zum Teil nicht von der metallischen Schicht 140 bedeckt ist. Die auf das Substrat 103 aufgebrachte Passivierungsschicht 150 bedeckt den Kontakt 130 und den Halbleiterbereich 110 neben dem Kontakt 130.
  • Die Passivierungsschicht 150 besitzt außerhalb der metallischen Schicht 140, also gemäß 7 auf der Kontaktschicht 131 und auf dem Halbleiterbereich 110, eine größere Haftung als auf der metallischen Schicht 140. Ein nachfolgendes Aufspritzen einer Flüssigkeit auf die Passivierungsschicht 150 oder Anordnen einer Klebefolie auf der Passivierungsschicht 150 gefolgt von einem Abziehen der Klebefolie (nicht dargestellt) führt infolgedessen dazu, dass die Passivierungsschicht 150, wie in 8 gezeigt ist, im Bereich der metallischen Schicht 140 entfernt wird. Dadurch ist es zum Beispiel möglich, die metallische Schicht 140 mit Hilfe eines Bonddrahts zu kontaktieren (nicht dargestellt). Außerhalb der metallischen Schicht 140, also auf der Kontaktschicht 131 an den Seitenflanken des Kontakts 130 und in dem vorderseitig nicht von der metallischen Schicht 140 bedeckten Bereich, sowie auf dem Halbleiterbereich 110 neben dem Kontakt 130, ist das Substrat 103 hingegen weiterhin mit der Passivierungsschicht 150 bedeckt.
  • Eine weitere Verfahrensvariante besteht darin, die Gold aufweisende metallische Schicht 140 nach dem Strukturieren der zuvor aufgebrachten Passivierungsschicht 150 als Startschicht (Seed Layer) für eine galvanische Abscheidung zu nutzen. Diese Vorgehensweise kann zum Beispiel mit Bezug auf den zuvor erläuterten Verfahrensablauf in Betracht kommen. 9 zeigt in diesem Zusammenhang zur beispielhaften Veranschaulichung einen auf 8 folgenden weiteren Verfahrenszustand nach einem Verstärken der metallischen Schicht 140, wodurch eine Gold aufweisende metallische Schicht 141 mit einer gegenüber der Schicht 140 größeren Schichtdicke gebildet wird.
  • Zu diesem Zweck kann Gold auf der metallischen Schicht 140 abgeschieden werden, zum Beispiel durch Durchführen einer elektrochemischen Abscheidung (Electroplating). Alternativ ist auch ein Durchführen einer stromlosen chemischen Abscheidung (Electroless Plating) möglich. In dem Bereich außerhalb der metallischen Schicht 140 wie auf der Kontaktschicht 131 wird eine Abscheidung durch die abdeckende Passivierungsschicht 150 unterdrückt.
  • Ein galvanisches Verdicken einer metallischen Schicht 140 nach dem Strukturieren einer Passivierungsschicht 150 kann auch für die anderen in den Figuren gezeigten Verfahrensabläufe in Betracht kommen. In Bezug auf eine verbundweise Fertigung von Halbleiterbauelementen können ferner sämtliche metallische Schichten 140 des entsprechenden Substrats verstärkt werden.
  • Die 10 bis 18 zeigen einen weiteren Verfahrensablauf, welcher zur Herstellung eines Halbleiterbauelements in Form eines Laserdiodenchips mit einer Rippenwellenleiterstruktur in Betracht kommen kann. Bei den 10, 13, 16 handelt es sich um Aufsichtsdarstellungen, und bei den übrigen 11, 12, 14, 15, 17, 18 um dazugehörige Schnittdarstellungen. Die entsprechenden Schnittebenen sind in den Aufsichtsdarstellungen der 10, 13, 16 anhand von Schnittlinien angedeutet.
  • Bei dem Verfahren wird, wie in den 10, 11, 12 gezeigt ist, ein Substrat 104 bereitgestellt. Das Substrat 104 weist einen Halbleiterbereich 110 mit einer rippenförmigen Erhebung 111 auf (vgl. 12). Eine weitere Komponente ist eine Passivierungsschicht 120, welche beidseitig der Erhebung 111 auf dem Halbleiterbereich 110 angeordnet ist. Die Passivierungsschicht 120 ist vorliegend mit einer Schichtdicke ausgebildet, welche eine Dicke bzw. Höhe der Erhebung 111 entspricht (vgl. die 10, 12).
  • Das bereitgestellte Substrat 104 weist darüber hinaus einen auf der Erhebung 111 und auf der Passivierungsschicht 120 angeordneten Kontakt 130 auf. Der Kontakt 130 umfasst eine streifenförmige Kontaktschicht 135, eine Zwischenschicht 136 und eine Gold aufweisende metallische Schicht 140. Die Kontaktschicht 135 kann in Form einer einzelnen Schicht oder in Form eines nicht gezeigten Stapels aus unterschiedlichen metallischen Teilschichten verwirklicht sein. Für die Kontaktschicht 135 können Materialien bzw. Metalle aus der Gruppe Pd, Pt, Ti und ITO in Betracht kommen. Auch die Zwischenschicht 136 kann in Form einer einzelnen Schicht oder in Form eines nicht gezeigten Schichtenstapels ausgebildet sein, wobei hierbei Metalle aus der Gruppe Ni, Ti, Pd und Pt in Betracht kommen können. Die metallische Schicht 140 kann in Form einer Goldschicht verwirklicht sein.
  • Die streifenförmige Kontaktschicht 135 ist auf der rippenförmigen Erhebung 111 des Halbleiterbereichs 110 angeordnet (vgl. 12). Der Halbleiterbereich 110 kann zum Beispiel angrenzend an den Kontakt 130 p-dotiert ausgebildet sein. Bei dieser Ausgestaltung kann die Kontaktschicht 135 auch als p-Kontakt bzw. p-Kontaktschicht bezeichnet werden.
  • Die Zwischenschicht 136 des Kontakts 130 ist auf der streifenförmigen Kontaktschicht 135 und seitlich hiervon auf der Passivierungsschicht 120 angeordnet. Die metallische Schicht 140 ist auf der Zwischenschicht 136 angeordnet (vgl. die 11, 12). Die Zwischenschicht 136 und die metallische Schicht 140 besitzen übereinstimmende laterale Abmessungen. Die streifenförmige Kontaktschicht 135 besitzt eine größere Länge und eine kleinere Breite als die Zwischenschicht 136 und die metallische Schicht 140, so dass die Kontaktschicht 135 von oben betrachtet an zwei Stellen gegenüber der Zwischenschicht 136 und der metallischen Schicht 140 hervorsteht (vgl. die 10, 11). In diesen Bereichen ist die Kontaktschicht 135 nicht von der Zwischenschicht 136 bedeckt, sondern freistehend.
  • Anschließend wird, wie in den 13, 14, 15 gezeigt ist, eine durchgehende Passivierungsschicht 150 aus Siliziumdioxid auf dem bereitgestellten Substrat 104 ausgebildet. Die Passivierungsschicht 150 bedeckt den Kontakt 130, d.h. den Stapel umfassend die Zwischenschicht 136 und die metallische Schicht 140 einschließlich dessen Seitenflanken und die Kontaktschicht 135 in den nicht von der Zwischenschicht 136 bedeckten Bereichen, sowie die Passivierungsschicht 120.
  • Die Haftung der Passivierungsschicht 150 ist auf der metallischen Schicht 140 geringer als außerhalb der metallischen Schicht 140, also vorliegend auf der Zwischenschicht 136 an den Seitenflanken des Schichtenstapels 136, 140, auf der Kontaktschicht 135 und auf der Passivierungsschicht 120. Durch nachfolgendes Beaufschlagen der Passivierungsschicht 150 mit einer Flüssigkeit oder Anordnen einer Klebefolie auf der Passivierungsschicht 150 gefolgt von einem Ablösen der Klebefolie (nicht dargestellt) kann daher erzielt werden, dass die Passivierungsschicht 150, wie in den 16, 17, 18 gezeigt ist, im Bereich der metallischen Schicht 140 entfernt wird. Außerhalb der metallischen Schicht 140 ist das Substrat 104 hingegen weiterhin mit der Passivierungsschicht 150 überzogen.
  • Dies betrifft die Kontaktschicht 135 in den nicht von der Zwischenschicht 136 bedeckten Bereichen, wodurch diese Bereiche der Kontaktschicht 135 zuverlässig passiviert und gegenüber äußeren Einflüssen geschützt sein können (vgl. die 16, 17). Der restliche Stapel des Kontakts 130 aus Zwischenschicht 136 und metallischer Schicht 140 bzw. die metallische Schicht 140 ist mit einer gegenüber der Kontaktschicht 135 größeren Schichtdicke ausgebildet, und kann daher trotz der geöffneten Passivierungsschicht 150 eine hohe Unempfindlichkeit gegenüber äußeren Einflüssen besitzen. Diese Ausgestaltung ermöglicht des Weiteren eine zuverlässige Kontaktierung des Kontakts 130, was zum Beispiel mit Hilfe eines Drahtbondprozesses oder eines Lötprozesses erfolgen kann (nicht dargestellt).
  • Das anhand der 10 bis 18 erläuterte Verfahren kann ebenfalls, wie die zuvor erläuterten Verfahren, in Bezug auf eine verbundweise Fertigung mehrerer Halbleiterbauelemente zur Anwendung kommen. Hierbei können die 10 bis 18 jeweils die Gegebenheiten eines einzelnes zu fertigenden Bauelements bzw. Halbleiterlasers im Ausschnitt veranschaulichen. In diesem Sinne kann das Substrat 104 mit einer Mehrzahl an Erhebungen 111 und Kontakten 130 bereitgestellt werden, kann die nachfolgend auf das Substrat 104 aufgebrachte Passivierungsschicht 150 sämtliche Kontakte 130 bedecken, und können in dem mechanischen Strukturierungsschritt mit Hilfe der aufgespritzten Flüssigkeit oder unter Verwendung der Klebefolie die metallischen Schichten 140 sämtlicher Kontakte 130 freigestellt werden. Im Anschluss hieran kann der Fertigungsverbund in separate Bauelemente vereinzelt werden.
  • Das in den 10 bis 18 gezeigte Verfahren kann ferner derart durchgeführt werden, dass die streifenförmige Kontaktschicht 135 bei jedem der hergestellten Bauelemente jeweils an zwei entgegen gesetzte laterale Seitenflächen heranreicht (vgl. 17). Diese Ausgestaltung bietet die Möglichkeit, im Betrieb einen elektrischen Strom homogen bis zu den Seitenflächen einzuprägen. Die Seitenflächen können als Spiegelfacetten zur Reflexion von Strahlung dienen, wodurch ein optischer Resonator vorliegt. Des Weiteren können die Seitenflächen im Rahmen des Vereinzelungsschritts durch Brechen des Substrats 104 gebildet werden. Hierbei kann die Kontaktschicht 135, verglichen mit dem restlichen Stapel aus Zwischenschicht 136 und metallischer Schicht 140, mit einer relativ kleinen Schichtdicke ausgebildet sein, wodurch das Brechen ohne Beeinträchtigung durchgeführt werden kann.
  • Möglich ist es auch, das Substrat 104 im Hinblick auf eine verbundweise Fertigung vorstrukturiert bereitzustellen, so dass der Halbleiterbereich 110 eine die einzelnen herzustellenden Bauelemente umschließende Grabenstruktur aufweist, über welche eine aktive Zone der Bauelemente lateral freigestellt ist. Hierbei kann die Passivierungsschicht 150 auch im Bereich der Grabenstruktur auf dem Substrat 104 ausgebildet werden. Dies führt dazu, dass bei den später vereinzelten Bauelementen zusätzlich ein Teil der Seitenflächen der Bauelemente im Bereich der aktiven Zone mit der Passivierungsschicht 150 bedeckt sein kann (jeweils nicht dargestellt). Auf diese Weise kann ein Schutz gegenüber Kriechströmen erzielt werden.
  • Für den anhand der 10 bis 18 erläuterten Verfahrensablauf können ferner weitere Varianten in Betracht kommen, wie im Folgenden näher erläutert wird. Eine mögliche Abwandlung ist in den 19, 20 gezeigt, welche Verfahrenszustände im Querschnitt entsprechend der 15, 18 veranschaulichen. Hierbei wird ein Substrat 105 bereitgestellt, auf welches, wie in 19 dargestellt ist, eine zusammenhängende Passivierungsschicht 150 aus Siliziumdioxid aufgebracht wird. Das bereitgestellte Substrat 105 weist einen Halbleiterbereich 110 mit einer rippenförmigen Erhebung 111, eine beidseitig der Erhebung 111 auf dem Halbleiterbereich 110 angeordnete Passivierungsschicht 120 und einen auf der Erhebung 111 und der Passivierungsschicht 120 angeordneten Kontakt 130 mit einer streifenförmigen Kontaktschicht 135, einer Zwischenschicht 136 und einer Gold aufweisenden metallischen Schicht 140 auf. Die auf das Substrat 105 aufgebrachte Passivierungsschicht 150 bedeckt den Kontakt 130 und die Passivierungsschicht 120.
  • Das bereitgestellte Substrat 105 unterscheidet sich von dem Substrat 104 dadurch, dass die Passivierungsschicht 120 mit einer im Vergleich zu der Erhebung 111 kleineren Schichtdicke ausgebildet wird. Ansonsten liegen zu dem Substrat 104 vergleichbare Gegebenheiten wie zum Beispiel ein seitliches Hervorstehen der Kontaktschicht 135 gegenüber dem Schichtenstapel 136, 140 vor, so dass in dieser Ausgestaltung des Verfahrens die 10, 11 bzw. nach dem Aufbringen der Passivierungsschicht 150 die 13, 14 in entsprechender Weise zur Anwendung kommen können.
  • Bei dem Verfahrensablauf der 19, 20 wird erneut die geringe Haftung der Passivierungsschicht 150 auf der metallischen Schicht 140 dazu genutzt, um die Passivierungsschicht 150 im Bereich der metallischen Schicht 140 durch Aufspritzen einer Flüssigkeit oder unter Verwendung einer Klebefolie (nicht dargestellt) mechanisch zu strukturieren. Nach der Strukturierung ist die Passivierungsschicht 150 im Bereich der metallischen Schicht 140 geöffnet, wie in 20 veranschaulicht ist. Für diesen Verfahrenszustand können in entsprechender Weise die 16, 17 zur Anwendung kommen.
  • Eine weitere Abwandlung des Verfahrens der 10 bis 18 ist in den 21, 22 gezeigt. Diese zeigen ebenfalls Verfahrenszustände im Querschnitt entsprechend den 15, 18. Hierbei wird ein Substrat 106 bereitgestellt, welches, wie in 21 gezeigt ist, mit einer durchgehenden Passivierungsschicht 150 aus Siliziumdioxid überzogen wird. Das bereitgestellte Substrat 106 weist dieselben Komponenten wie die zuvor erläuterten Substrate 104, 105 auf. Auch bedeckt die auf das Substrat 106 aufgebrachte Passivierungsschicht 150 den Kontakt 130 und die Passivierungsschicht 120. Hierbei können in entsprechender Weise die 10, 11 bzw. 13, 14 zur Anwendung kommen.
  • Im Unterschied zu den Substraten 104, 105 ist die Passivierungsschicht 120 des bereitgestellten Substrats 106 mit einer im Vergleich zu der Erhebung 111 des Halbleiterbereichs 110 größeren Schichtdicke ausgebildet. Die Schichtdicke kann derart gewählt sein, dass die Passivierungsschicht 120, wie in 21 gezeigt ist, vorderseitig bündig mit der Kontaktschicht 135 des Kontakts 130 abschließt.
  • Durch Beaufschlagen der Passivierungsschicht 150 mit einer Flüssigkeit oder Anordnen einer Klebefolie auf der Passivierungsschicht 150 gefolgt von einem Ablösen der Klebefolie (nicht dargestellt) kann erzielt werden, dass die Passivierungsschicht 150 im Bereich der metallischen Schicht 140 entfernt wird. Der nach der Strukturierung der Passivierungsschicht 150 vorliegende Verfahrenszustand ist in 22 gezeigt. Für diesen Verfahrenszustand können in entsprechender Weise die 16, 17 zur Anwendung kommen.
  • Die anhand der Figuren erläuterten Ausführungsformen stellen bevorzugte bzw. beispielhafte Ausführungsformen der Erfindung dar. Neben den beschriebenen und abgebildeten Ausführungsformen sind weitere Ausführungsformen vorstellbar, welche weitere Abwandlungen und/oder Kombinationen von Merkmalen umfassen können.
  • Es ist zum Beispiel möglich, die oben erläuterten Schritte des Bereitstellens eines Substrats mit einer Gold aufweisenden metallischen Schicht 140, des Aufbringens einer Passivierungsschicht 150 aus Siliziumdioxid auf das Substrat und des mechanischen Strukturierens der Passivierungsschicht 150 nicht nur im Rahmen der Herstellung optoelektronischer Bauelemente einzusetzen. Eine solche Vorgehensweise kann auch in Bezug auf die Herstellung anderer Halbleiterbauelemente in Betracht kommen.
  • Auch ist es möglich, dass – abgesehen von der metallischen Schicht 140 und der Passivierungsschicht 150 – anstelle der oben angegebenen Materialien für Substratbereiche und Schichten andere Materialien eingesetzt werden. In gleicher Weise können obige Zahlenangaben durch andere Angaben ersetzt werden.
  • Des Weiteren können Bauelemente zusätzlich zu den in den Figuren gezeigten und beschriebenen Komponenten mit weiteren Komponenten und Strukturen gefertigt werden. Hierunter fällt zum Beispiel ein an einer Rückseite eines Bauelements vorgesehener Kontakt.
  • Ferner kann eine Gold aufweisende metallische Schicht 140 nicht nur auf einem Kontakt 130 bzw. auf einer weiteren metallischen Schicht eines Kontakts 130 zur Anwendung kommen. Möglich ist auch eine Anordnung der Schicht 140 auf einer anderen Schicht bzw. einem anderen Substratbereich, zum Beispiel einem Halbleiterbereich 110 eines bereitgestellten Substrats.
  • In Bezug auf die Verwendung einer freigelegten metallischen Schicht 140 als Startschicht für eine elektrochemische oder stromlose chemische Abscheidung nach einem Strukturieren einer Passivierungsschicht 150 ist die Möglichkeit gegeben, nicht nur Gold, sondern ein anderes Metall, oder auch mehrere Metalle, hierauf abzuscheiden.
  • Obwohl die Erfindung im Detail durch bevorzugte Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.
  • Bezugszeichenliste
    • 101, 102
    Substrat
    103, 104
    Substrat
    105, 106
    Substrat
    110
    Halbleiterbereich
    111
    Erhebung
    120
    Schicht, Passivierungsschicht
    130
    Kontakt
    131
    Kontaktschicht
    135
    Kontaktschicht
    136
    Zwischenschicht
    140
    metallische Schicht
    141
    metallische Schicht
    150
    Passivierungsschicht
    170
    Flüssigkeit
    175
    Düse
    180
    Klebefolie

Claims (12)

  1. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, umfassend: Bereitstellen eines Substrats (101, 102, 103, 104, 105, 106) mit einer metallischen Schicht (140), welche Gold aufweist; Ausbilden einer Passivierungsschicht (150) aus Siliziumdioxid auf dem Substrat (101, 102, 103, 104, 105, 106), welche die metallische Schicht (140) des Substrats (101, 102, 103, 104, 105, 106) und das Substrat (101, 102, 103, 104, 105 106) außerhalb der metallischen Schicht (140) bedeckt, wobei die Passivierungsschicht (150) auf der metallischen Schicht (140) eine geringere Haftung aufweist als auf dem Substrat (101, 102, 103, 104, 105, 106) außerhalb der metallischen Schicht (140); und Mechanisches Strukturieren der Passivierungsschicht (150), wobei die Passivierungsschicht (150) aufgrund der unterschiedlichen Haftung im Bereich der metallischen Schicht (140) entfernt wird und im Bereich außerhalb der metallischen Schicht (140) auf dem Substrat (101, 102, 103, 104, 105, 106) verbleibt.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das mechanische Strukturieren der Passivierungsschicht (150) ein Spritzen einer Flüssigkeit (170) auf die Passivierungsschicht (150) umfasst.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die Flüssigkeit (170) unter einem Druck in einem Bereich von 30bar bis 200bar auf die Passivierungsschicht (150) gespritzt wird.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 oder 3, wobei als Flüssigkeit (170) deionisiertes Wasser oder ein organisches Lösungsmittel eingesetzt wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das mechanische Strukturieren der Passivierungsschicht (150) ein Anordnen einer Klebefolie (180) auf der Passivierungsschicht (150) und ein nachfolgendes Ablösen der Klebefolie (180) umfasst, und wobei die Passivierungsschicht (150) im Bereich der metallischen Schicht (140) an der Klebefolie (180) haften bleibt.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Passivierungsschicht (150) mit einer Schichtdicke in einem Bereich von 50nm bis 500nm, insbesondere mit einer Schichtdicke in einem Bereich von 200nm bis 400nm ausgebildet wird.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die metallische Schicht (140) eine Goldschicht ist.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die metallische Schicht (140) eine oberste Schicht eines aus mehreren Schichten ausgebildeten Kontakts (130) ist.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei die metallische Schicht (140) kleinere laterale Abmessungen aufweist als eine unterhalb der metallischen Schicht (140) angeordnete weitere Schicht (131) des Kontakts (130).
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 oder 9, wobei der Kontakt (130) auf einem Halbleiterbereich (110) des Substrats (101, 102, 103, 104, 105, 106) angeordnet ist.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, wobei der Kontakt (130) auf einer rippenförmigen Erhebung (111) eines Halbleiterbereichs (110) des Substrats (101, 104, 105, 106) angeordnet ist.
  12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei nach dem Strukturieren der Passivierungsschicht (150) eine elektrochemische oder eine stromlose chemische Abscheidung unter Verwendung der metallischen Schicht (140) als Startschicht durchgeführt wird.
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