JP2010153768A - 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板101上にバッファ層102、下部半導体DBR103、下部スペーサ層104、活性層105、上部スペーサ層106、上部半導体DBR107、コンタクト層109が積層されている。そして、レーザ光が射出される射出面上に、射出領域を取り囲んで設けられたp側の電極113と、基板101側に設けられたn側の電極114とを有している。また、射出領域内で、該射出領域の中心部から外れた部分に設けられた2つの小領域(第1の小領域、第2の小領域)には、各小領域の反射率を射出領域の中心部の反射率よりも低くする透明な誘電体膜である透明層111A及び透明層111Bが「発振波長/4」の光学的厚さで設けられている。
【選択図】図3
Description
Claims (21)
- 基板に垂直な方向にレーザ光を射出する面発光レーザ素子であって、
レーザ光が射出される射出面上に、射出領域を取り囲んで設けられたp側電極と;
前記射出領域内で、該射出領域の中心部から外れた部分に形成され、反射率を前記射出領域の中心部の反射率よりも低くする透明な誘電体膜と;を備え、
前記射出領域内における反射率の低い領域は、互いに直交する2つの方向で異方性を有することを特徴とする面発光レーザ素子。 - 前記誘電体膜は、前記射出領域の中心部から外れた部分に設けられた複数の小領域に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ素子。
- 前記誘電体膜は、前記射出領域の中心部から外れた部分に設けられた環状の領域に形成され、
前記環状の領域は、互いに直交する2つの方向で径が異なることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ素子。 - 前記複数の小領域は、第1の小領域と第2の小領域とを含み、
前記第1の小領域及び前記第2の小領域は、前記射出領域の中心部を挟んで対向していることを特徴とする請求項2に記載の面発光レーザ素子。 - 前記レーザ光は直線偏光であり、
前記第1の小領域と前記第2の小領域は、前記レーザ光の偏光方向に平行な方向に関して対向していることを特徴とする請求項4に記載の面発光レーザ素子。 - 前記レーザ光は直線偏光であり、
前記環状の領域の短軸方向は、前記レーザ光の偏光方向に平行な方向であることを特徴とする請求項3に記載の面発光レーザ素子。 - 前記基板は、主面の法線方向が、結晶方位<1 0 0>の一の方向に対して、結晶方位<1 1 1>の一の方向に向かって傾斜している基板であることを特徴とする請求項4〜6のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。
- 前記環状の領域の短軸方向、あるいは前記第1の小領域と前記第2の小領域が対向している方向は、前記基板における主面の傾斜軸方向に平行であることを特徴とする請求項7に記載の面発光レーザ素子。
- 前記環状の領域の短軸方向、あるいは前記第1の小領域と前記第2の小領域が対向している方向は、前記基板における主面の傾斜軸方向に直交していることを特徴とする請求項7に記載の面発光レーザ素子。
- 前記誘電体膜の光学的厚さは、「発振波長/4」の奇数倍であることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。
- 前記射出領域の中心部は、誘電体膜で被覆され、該誘電体膜の光学的厚さは、「発振波長/4」の偶数倍であることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。
- 前記射出領域の中心部を被覆している誘電体膜は、前記複数の小領域又は前記環状の領域に形成されている誘電体膜と同じ材質であることを特徴とする請求項11に記載の面発光レーザ素子。
- 前記射出領域の周辺部で前記複数の小領域又は前記環状の領域を除く領域は、誘電体膜で被覆され、該誘電体膜の光学的厚さは、「発振波長/4」の偶数倍であることを特徴とする請求項2〜12のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。
- 前記射出領域の周辺部で前記複数の小領域又は前記環状の領域を除く領域を被覆している誘電体膜は、前記複数の小領域又は前記環状の領域に形成されている誘電体膜と同じ材質であることを特徴とする請求項13に記載の面発光レーザ素子。
- 前記複数の小領域又は前記環状の領域に形成されている誘電体膜は、SiNx、SiOx、TiOx及びSiONのいずれかの膜であることを特徴とする請求項2〜14のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。
- 前記射出面は、メサ構造体の上面であり、
前記メサ構造体の側面は、誘電体膜で被覆されていることを特徴とする請求項1〜15のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。 - 請求項1〜16のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子が集積された面発光レーザアレイ。
- 光によって被走査面を走査する光走査装置であって、
請求項1〜16のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子を有する光源と;
前記光源からの光を偏向する偏向手段と;
前記偏向手段で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と;を備える光走査装置。 - 光によって被走査面を走査する光走査装置であって、
請求項17に記載の面発光レーザアレイを有する光源と;
前記光源からの光を偏向する偏向手段と;
前記偏向手段で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と;を備える光走査装置。 - 少なくとも1つの像担持体と;
前記少なくとも1つの像担持体に対して画像情報に応じて変調された光を走査する少なくとも1つの請求項18又は19に記載の光走査装置と;を備える画像形成装置。 - 前記画像情報は、多色のカラー画像情報であることを特徴とする請求項20に記載の画像形成装置。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009122907A JP5261754B2 (ja) | 2008-11-27 | 2009-05-21 | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
EP09829185.9A EP2351172B1 (en) | 2008-11-27 | 2009-11-24 | Surface-emitting laser device, surface-emitting laser array, optical scanning apparatus and image forming apparatus |
CN2009801467988A CN102224646B (zh) | 2008-11-27 | 2009-11-24 | 表面发射激光器器件、表面发射激光器阵列、光学扫描装置和成像设备 |
US13/127,845 US8483254B2 (en) | 2008-11-27 | 2009-11-24 | Surface-emitting laser device, surface-emitting laser array, optical scanning apparatus and image forming apparatus |
KR1020117011668A KR101353696B1 (ko) | 2008-11-27 | 2009-11-24 | 면 발광 레이저 소자, 면 발광 레이저 어레이, 광 주사 장치, 및 화상 형성 장치 |
PCT/JP2009/070087 WO2010061947A1 (en) | 2008-11-27 | 2009-11-24 | Surface-emitting laser device, surface-emitting laser array, optical scanning apparatus and image forming apparatus |
US13/887,778 US8649407B2 (en) | 2008-11-27 | 2013-05-06 | Surface-emitting laser device, surface-emitting laser array, optical scanning apparatus and image forming apparatus |
US14/134,718 US8958449B2 (en) | 2008-11-27 | 2013-12-19 | Surface-emitting laser device, surface-emitting laser array, optical scanning apparatus and image forming apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008302450 | 2008-11-27 | ||
JP2008302450 | 2008-11-27 | ||
JP2009122907A JP5261754B2 (ja) | 2008-11-27 | 2009-05-21 | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013087937A Division JP5445806B2 (ja) | 2008-11-27 | 2013-04-19 | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010153768A true JP2010153768A (ja) | 2010-07-08 |
JP5261754B2 JP5261754B2 (ja) | 2013-08-14 |
Family
ID=42225809
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009122907A Active JP5261754B2 (ja) | 2008-11-27 | 2009-05-21 | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8483254B2 (ja) |
EP (1) | EP2351172B1 (ja) |
JP (1) | JP5261754B2 (ja) |
KR (1) | KR101353696B1 (ja) |
CN (1) | CN102224646B (ja) |
WO (1) | WO2010061947A1 (ja) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
EP2351172A1 (en) | 2011-08-03 |
US8958449B2 (en) | 2015-02-17 |
US20140105647A1 (en) | 2014-04-17 |
US20110217077A1 (en) | 2011-09-08 |
EP2351172B1 (en) | 2020-01-01 |
KR20110089147A (ko) | 2011-08-04 |
KR101353696B1 (ko) | 2014-01-20 |
WO2010061947A1 (en) | 2010-06-03 |
CN102224646B (zh) | 2013-05-29 |
US20130243022A1 (en) | 2013-09-19 |
JP5261754B2 (ja) | 2013-08-14 |
US8649407B2 (en) | 2014-02-11 |
EP2351172A4 (en) | 2012-08-29 |
CN102224646A (zh) | 2011-10-19 |
US8483254B2 (en) | 2013-07-09 |
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