JP2011135031A - 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板101上にバッファ層102、下部半導体DBR103、活性層105を含む共振器構造体、上部半導体DBR107、コンタクト層109が積層されている。そして、レーザ光が射出される射出面上に、射出領域を取り囲んで設けられたp側電極113を有している。また、射出領域内に、周辺部の反射率を中心部の反射率よりも低くする誘電体膜が設けられている。そして、誘電体膜の端部近傍は、射出面に対して傾斜している。
【選択図】図13
Description
この面発光レーザ素子100Aは、一例として図3及び図4に示されるように、基板101、バッファ層102、下部半導体DBR103、下部スペーサ層104、活性層105、上部スペーサ層106、上部半導体DBR107、コンタクト層109、p側電極113、n側電極114、及びモードフィルタ115などを有している。なお、図3は、面発光レーザ素子100AのXZ面に平行な切断図である。また、図4は、図3における射出面部分を拡大した平面図である。
この面発光レーザ素子100Bでは、一例として図17〜19に示されるように、低反射率領域が2本の平行な帯状となるように、2つのモードフィルタ(115A、115B)が形成されている。なお、図17は、面発光レーザ素子100Bのメサ上面部を拡大した平面図であり、図18は、面発光レーザ素子100BのYZ面に平行な切断図であり、図19は、面発光レーザ素子100BのXZ面に平行な切断図である。また、一例として、図17におけるL11は3.7μm、L12は2μm、L13は8μmとしている。
この面発光レーザ素子100Cは、一例として図22及び図23に示されるように、上記面発光レーザ素子100Aの射出領域全面に、更に光学的厚さが2λ/4のSiNからなる誘電体膜117が積層された面発光レーザ素子である。なお、図22は、面発光レーザ素子100CのXZ面に平行な切断図である。また、図23は、図22におけるメサ上面部を拡大した平面図である。この誘電体膜117の実際の膜厚(=2λ/4n)は、SiNの屈折率nが1.86、発振波長λが780nmであるため、約210nmに設定される。
この面発光レーザ素子100Dは、一例として図26〜図28に示されるように、上記面発光レーザ素子100Cにおける低反射率領域が2本の平行な帯状となるように形成されている面発光レーザ素子である。なお、図26は、面発光レーザ素子100Dのメサ上面部を拡大した平面図である。また、図27は、面発光レーザ素子100DのYZ面に平行な切断図であり、図28は、面発光レーザ素子100DのXZ面に平行な切断図である。
この面発光レーザ素子100Eは、上記面発光レーザ素子100Aにおける傾斜部表面の射出面に対する傾斜角を約70°にした面発光レーザ素子である。なお、面発光レーザ素子100Eについては、図示を省略する。
この面発光レーザ素子100Hは、一例として図31及び図32に示されるように、上記面発光レーザ素子100Aにおける傾斜部表面の射出面に対する傾斜角を約85°にした面発光レーザ素子である。なお、図31は、面発光レーザ素子100HのXZ面に平行な切断図である。また、図32は、図31におけるメサ上面部を拡大した平面図である。
Claims (19)
- 活性層を含む共振器構造体、及び該共振器構造体を挟んで設けられた半導体多層膜反射鏡を含む複数の半導体層が基板上に積層され、光が射出される射出面上に射出領域を取り囲んで設けられた電極、及び前記射出領域内に設けられ、周辺部の反射率と中心部の反射率を異ならせる誘電体膜を備える面発光レーザ素子において、
前記誘電体膜の端部近傍は、前記射出面に対して傾斜していることを特徴とする面発光レーザ素子。 - 前記誘電体膜は、前記射出領域内の中心部から外れた少なくとも1つの小領域に設けられ、該少なくとも1つの小領域の反射率を中心部の反射率よりも低くする誘電体膜であることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ素子。
- 前記誘電体膜は、互いに直交する2つの方向で形状異方性を有することを特徴とする請求項2に記載の面発光レーザ素子。
- 前記少なくとも1つの小領域は、複数の小領域であり、
該複数の小領域は、光の射出方向からみたときに、前記中心部を挟んで対向していることを特徴とする請求項3に記載の面発光レーザ素子。 - 前記誘電体膜の中央部の光学的厚さは、「発振波長/4」の奇数倍であることを特徴とする請求項2〜4のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。
- 前記誘電体膜は、SiNx、SiOx、TiOx及びSiONのいずれかの膜であることを特徴とする請求項2〜5のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。
- 前記誘電体膜は、SiNx、TiOx及びSiONのいずれかの膜であり、該誘電体膜は、バッファードフッ酸を用いてウェットエッチングされていることを特徴とする請求項6に記載の面発光レーザ素子。
- 前記射出領域内における相対的に反射率が高い領域は誘電体膜で被覆され、該誘電体膜の光学的厚さは、「発振波長/4」の偶数倍であることを特徴とする請求項2〜7のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。
- 前記射出領域内における相対的に反射率が高い領域を被覆している誘電体膜は、前記少なくとも1つの小領域に形成された誘電体膜と同じ材質であることを特徴とする請求項8に記載の面発光レーザ素子。
- 前記射出領域内における相対的に反射率が高い領域を被覆している誘電体膜は、互いに屈折率の異なる複数の膜が積層された誘電体膜であることを特徴とする請求項8に記載の面発光レーザ素子。
- 前記複数の膜における各膜の光学的厚さは、それぞれ「発振波長/4」の奇数倍であることを特徴とする請求項10に記載の面発光レーザ素子。
- 前記誘電体膜は、前記射出領域の中心部に設けられ、反射率を周辺部の反射率よりも高くする誘電体膜であり、
該誘電体膜は、互いに屈折率の異なる複数の膜が積層された誘電体膜であることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ素子。 - 前記複数の膜における各膜の光学的厚さは、それぞれ「発振波長/4」の奇数倍であることを特徴とする請求項12に記載の面発光レーザ素子。
- 前記射出領域は、全面が誘電体膜で被覆されていることを特徴とする請求項2〜13のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。
- 請求項1〜14のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子が集積された面発光レーザアレイ。
- 光によって被走査面を走査する光走査装置であって、
請求項1〜14のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子を有する光源と;
前記光源からの光を偏向する偏向器と;
前記偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と;を備える光走査装置。 - 光によって被走査面を走査する光走査装置であって、
請求項15に記載の面発光レーザアレイを有する光源と;
前記光源からの光を偏向する偏向器と;
前記偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と;を備える光走査装置。 - 少なくとも1つの像担持体と;
前記少なくとも1つの像担持体に対して画像情報に応じて変調された光を走査する少なくとも1つの請求項16又は17に記載の光走査装置と;を備える画像形成装置。 - 前記画像情報は、多色のカラー画像情報であることを特徴とする請求項18に記載の画像形成装置。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013058687A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
JP2015072992A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
US10224692B2 (en) * | 2017-01-12 | 2019-03-05 | Rohm Co., Ltd. | Surface emitting laser element and optical device |
JP2021082782A (ja) * | 2019-11-22 | 2021-05-27 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、面発光レーザ、面発光レーザ装置、光源装置及び検出装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5527714B2 (ja) * | 2009-11-18 | 2014-06-25 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
JP6085956B2 (ja) | 2012-03-09 | 2017-03-01 | 株式会社リコー | 面発光レーザアレイ素子、光走査装置及び画像形成装置 |
US9384607B1 (en) | 2014-12-03 | 2016-07-05 | Tyco Fire & Security Gmbh | Access control system |
US9384608B2 (en) | 2014-12-03 | 2016-07-05 | Tyco Fire & Security Gmbh | Dual level human identification and location system |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001156395A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-06-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光半導体レーザ素子 |
WO2005082010A2 (en) * | 2004-02-25 | 2005-09-09 | Finisar Corporation | Methods for polarization control for vcsels |
JP2006210429A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Sony Corp | 面発光型半導体レーザ |
EP1734591A1 (en) * | 2005-06-16 | 2006-12-20 | STMicroelectronics S.r.l. | Optical radiation emitting device and method for manufacturing this device |
JP2008016824A (ja) * | 2006-06-08 | 2008-01-24 | Sony Corp | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2009188382A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-08-20 | Sony Corp | 面発光型半導体レーザ |
JP2010153768A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-07-08 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6744805B2 (en) | 2000-04-05 | 2004-06-01 | Nortel Networks Limited | Single mode operation of microelectromechanically tunable, half-symmetric, vertical cavity surface emitting lasers |
JP2002009393A (ja) * | 2000-04-19 | 2002-01-11 | Fuji Xerox Co Ltd | 垂直共振器型面発光半導体レーザ装置及びその製造方法 |
US6905900B1 (en) | 2000-11-28 | 2005-06-14 | Finisar Corporation | Versatile method and system for single mode VCSELs |
US6727520B2 (en) * | 2000-12-29 | 2004-04-27 | Honeywell International Inc. | Spatially modulated reflector for an optoelectronic device |
JP2003115634A (ja) | 2001-08-02 | 2003-04-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光レーザ素子 |
JP4381017B2 (ja) | 2003-03-25 | 2009-12-09 | 三洋電機株式会社 | 面発光型半導体レーザ素子 |
JP4899344B2 (ja) * | 2004-06-29 | 2012-03-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 表面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
JP5376104B2 (ja) | 2005-07-04 | 2013-12-25 | ソニー株式会社 | 面発光型半導体レーザ |
US8233209B2 (en) * | 2007-01-31 | 2012-07-31 | Ricoh Company, Limited | Optical scanning device and image forming apparatus |
US8077752B2 (en) | 2008-01-10 | 2011-12-13 | Sony Corporation | Vertical cavity surface emitting laser |
-
2010
- 2010-07-09 JP JP2010156453A patent/JP5532239B2/ja active Active
- 2010-11-23 US US12/952,284 patent/US8275014B2/en active Active
- 2010-11-26 EP EP10192712.7A patent/EP2330698B1/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001156395A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-06-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光半導体レーザ素子 |
WO2005082010A2 (en) * | 2004-02-25 | 2005-09-09 | Finisar Corporation | Methods for polarization control for vcsels |
JP2006210429A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Sony Corp | 面発光型半導体レーザ |
EP1734591A1 (en) * | 2005-06-16 | 2006-12-20 | STMicroelectronics S.r.l. | Optical radiation emitting device and method for manufacturing this device |
JP2008016824A (ja) * | 2006-06-08 | 2008-01-24 | Sony Corp | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2009188382A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-08-20 | Sony Corp | 面発光型半導体レーザ |
JP2010153768A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-07-08 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013058687A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
JP2015072992A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
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