JP2010115832A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2010115832A5
JP2010115832A5 JP2008289806A JP2008289806A JP2010115832A5 JP 2010115832 A5 JP2010115832 A5 JP 2010115832A5 JP 2008289806 A JP2008289806 A JP 2008289806A JP 2008289806 A JP2008289806 A JP 2008289806A JP 2010115832 A5 JP2010115832 A5 JP 2010115832A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
self
block copolymer
forming
pattern
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008289806A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2010115832A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2008289806A priority Critical patent/JP2010115832A/ja
Priority claimed from JP2008289806A external-priority patent/JP2010115832A/ja
Priority to PCT/JP2009/004217 priority patent/WO2010055601A1/ja
Publication of JP2010115832A publication Critical patent/JP2010115832A/ja
Publication of JP2010115832A5 publication Critical patent/JP2010115832A5/ja
Priority to US13/085,954 priority patent/US20110186544A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2008289806A 2008-11-12 2008-11-12 ブロックコポリマーの自己組織化促進方法及びそれを用いたブロックコポリマーの自己組織化パターン形成方法 Pending JP2010115832A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008289806A JP2010115832A (ja) 2008-11-12 2008-11-12 ブロックコポリマーの自己組織化促進方法及びそれを用いたブロックコポリマーの自己組織化パターン形成方法
PCT/JP2009/004217 WO2010055601A1 (ja) 2008-11-12 2009-08-28 ブロックコポリマーの自己組織化促進方法及びそれを用いたブロックコポリマーの自己組織化パターン形成方法
US13/085,954 US20110186544A1 (en) 2008-11-12 2011-04-13 Method of accelerating self-assembly of block copolymer and method of forming self-assembled pattern of block copolymer using the accelerating method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008289806A JP2010115832A (ja) 2008-11-12 2008-11-12 ブロックコポリマーの自己組織化促進方法及びそれを用いたブロックコポリマーの自己組織化パターン形成方法

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010289550A Division JP4815011B2 (ja) 2010-12-27 2010-12-27 ブロックコポリマーの自己組織化促進方法及びそれを用いたブロックコポリマーの自己組織化パターン形成方法
JP2010289544A Division JP4815010B2 (ja) 2010-12-27 2010-12-27 ブロックコポリマーの自己組織化促進方法及びそれを用いたブロックコポリマーの自己組織化パターン形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010115832A JP2010115832A (ja) 2010-05-27
JP2010115832A5 true JP2010115832A5 (enExample) 2011-02-17

Family

ID=42169748

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008289806A Pending JP2010115832A (ja) 2008-11-12 2008-11-12 ブロックコポリマーの自己組織化促進方法及びそれを用いたブロックコポリマーの自己組織化パターン形成方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20110186544A1 (enExample)
JP (1) JP2010115832A (enExample)
WO (1) WO2010055601A1 (enExample)

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009079241A2 (en) 2007-12-07 2009-06-25 Wisconsin Alumni Research Foundation Density multiplication and improved lithography by directed block copolymer assembly
JP5300799B2 (ja) * 2010-07-28 2013-09-25 株式会社東芝 パターン形成方法及びポリマーアロイ下地材料
JP5259661B2 (ja) 2010-09-07 2013-08-07 株式会社東芝 パターン形成方法
JP5112500B2 (ja) * 2010-11-18 2013-01-09 株式会社東芝 パターン形成方法
KR20120126725A (ko) 2011-05-12 2012-11-21 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 소자의 형성 방법
WO2013040483A1 (en) 2011-09-15 2013-03-21 Wisconsin Alumni Research Foundation Directed assembly of block copolymer films between a chemically patterned surface and a second surface
JP5694109B2 (ja) * 2011-09-26 2015-04-01 株式会社東芝 パターン形成方法
JP2013075984A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Toshiba Corp 微細構造体の製造方法
SG11201404415VA (en) 2012-02-10 2014-08-28 Univ Texas Using chemical vapor deposited films to control domain orientation in block copolymer thin films
US9314819B2 (en) 2012-02-10 2016-04-19 Board Of Regents, The University Of Texas System Anhydride copolymer top coats for orientation control of thin film block copolymers
SG11201404414SA (en) 2012-02-10 2014-08-28 Univ Texas Anhydride copolymer top coats for orientation control of thin film block copolymers
JP6089298B2 (ja) * 2012-04-10 2017-03-08 裕司 清野 パターン形成方法、スチレン系ポリマー薄膜付き基材、表面撥水性材料、パスワード生成装置、培養器、パターン形成剤、及び反転パターン形成方法。
JP5752655B2 (ja) * 2012-09-10 2015-07-22 株式会社東芝 パターン形成方法
KR101529646B1 (ko) * 2012-09-10 2015-06-17 주식회사 엘지화학 실리콘 옥사이드의 나노 패턴 형성 방법, 금속 나노 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 정보저장용 자기 기록 매체
JP5537628B2 (ja) * 2012-10-09 2014-07-02 株式会社東芝 自己組織化パターンの形成方法
JP6027912B2 (ja) * 2013-02-22 2016-11-16 東京応化工業株式会社 相分離構造を含む構造体の製造方法、及びパターン形成方法、並びにトップコート材料
WO2014139793A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Asml Netherlands B.V. Methods for providing lithography features on a substrate by self-assembly of block copolymers
TWI658055B (zh) * 2013-06-19 2019-05-01 德州大學董事會 用於薄膜嵌段共聚物之定向控制之酸酐共聚物面塗層
JP5981392B2 (ja) 2013-06-19 2016-08-31 株式会社東芝 パターン形成方法
KR102394994B1 (ko) 2013-09-04 2022-05-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 유도 자기 조립용 화학 템플릿을 생성하기 위한 경화 포토레지스트의 자외선을 이용한 박리
US9349604B2 (en) 2013-10-20 2016-05-24 Tokyo Electron Limited Use of topography to direct assembly of block copolymers in grapho-epitaxial applications
US9793137B2 (en) 2013-10-20 2017-10-17 Tokyo Electron Limited Use of grapho-epitaxial directed self-assembly applications to precisely cut logic lines
CN105934455B (zh) 2013-12-06 2019-01-18 株式会社Lg化学 嵌段共聚物
JP6361893B2 (ja) 2013-12-06 2018-07-25 エルジー・ケム・リミテッド ブロック共重合体
JP6334706B2 (ja) 2013-12-06 2018-05-30 エルジー・ケム・リミテッド ブロック共重合体
US10202480B2 (en) 2013-12-06 2019-02-12 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
JP6419820B2 (ja) 2013-12-06 2018-11-07 エルジー・ケム・リミテッド ブロック共重合体
US10239980B2 (en) 2013-12-06 2019-03-26 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
CN106459326B (zh) 2013-12-06 2019-08-13 株式会社Lg化学 嵌段共聚物
US10227436B2 (en) 2013-12-06 2019-03-12 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
TWI596126B (zh) * 2013-12-06 2017-08-21 Ｌｇ化學股份有限公司 嵌段共聚物
EP3078654B1 (en) 2013-12-06 2021-07-07 LG Chem, Ltd. Monomer and block copolymer
EP3078692B1 (en) 2013-12-06 2021-01-27 LG Chem, Ltd. Block copolymer
CN105899560B (zh) 2013-12-06 2018-01-12 株式会社Lg化学 嵌段共聚物
US10087276B2 (en) 2013-12-06 2018-10-02 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
JP6432847B2 (ja) 2013-12-06 2018-12-05 エルジー・ケム・リミテッド ブロック共重合体
WO2015084126A1 (ko) 2013-12-06 2015-06-11 주식회사 엘지화학 블록 공중합체
WO2016053005A1 (ko) 2014-09-30 2016-04-07 주식회사 엘지화학 블록 공중합체
JP6538159B2 (ja) 2014-09-30 2019-07-03 エルジー・ケム・リミテッド ブロック共重合体
KR101835092B1 (ko) * 2014-09-30 2018-04-19 주식회사 엘지화학 블록 공중합체
CN107075055B (zh) * 2014-09-30 2019-08-27 株式会社Lg化学 嵌段共聚物
US10240035B2 (en) 2014-09-30 2019-03-26 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
EP3225641B1 (en) * 2014-09-30 2021-11-24 LG Chem, Ltd. Block copolymer
US10287430B2 (en) 2014-09-30 2019-05-14 Lg Chem, Ltd. Method of manufacturing patterned substrate
JP6394798B2 (ja) 2014-09-30 2018-09-26 エルジー・ケム・リミテッド ブロック共重合体
EP3202799B1 (en) 2014-09-30 2021-08-25 LG Chem, Ltd. Block copolymer
EP3214102B1 (en) * 2014-09-30 2022-01-05 LG Chem, Ltd. Block copolymer
JP6633062B2 (ja) 2014-09-30 2020-01-22 エルジー・ケム・リミテッド パターン化基板の製造方法
EP3202801B1 (en) 2014-09-30 2021-08-18 LG Chem, Ltd. Block copolymer
US9947597B2 (en) 2016-03-31 2018-04-17 Tokyo Electron Limited Defectivity metrology during DSA patterning
US10303049B2 (en) * 2017-03-22 2019-05-28 Canon Kabushiki Kaisha Reducing electric charge in imprint lithography
TWI805617B (zh) * 2017-09-15 2023-06-21 南韓商Ｌｇ化學股份有限公司 層壓板
JP7552110B2 (ja) * 2020-07-10 2024-09-18 Ｔｏｐｐａｎホールディングス株式会社 パターン膜の形成方法及びパターン膜
JP7528580B2 (ja) * 2020-07-10 2024-08-06 Ｔｏｐｐａｎホールディングス株式会社 パターン膜及びその形成方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW576864B (en) * 2001-12-28 2004-02-21 Toshiba Corp Method for manufacturing a light-emitting device
JP4455645B2 (ja) * 2001-12-28 2010-04-21 株式会社東芝 発光素子
US10618013B2 (en) * 2005-03-09 2020-04-14 The Regents Of The University Of California Nanocomposite membranes and methods of making and using same
US20070093587A1 (en) * 2005-10-25 2007-04-26 Starfire Systems Silicon carbide precursors and uses thereof
JP4673266B2 (ja) * 2006-08-03 2011-04-20 日本電信電話株式会社 パターン形成方法及びモールド
US20080038467A1 (en) * 2006-08-11 2008-02-14 Eastman Kodak Company Nanostructured pattern method of manufacture
US8097175B2 (en) * 2008-10-28 2012-01-17 Micron Technology, Inc. Method for selectively permeating a self-assembled block copolymer, method for forming metal oxide structures, method for forming a metal oxide pattern, and method for patterning a semiconductor structure
US8101261B2 (en) * 2008-02-13 2012-01-24 Micron Technology, Inc. One-dimensional arrays of block copolymer cylinders and applications thereof
JP4654279B2 (ja) * 2008-08-28 2011-03-16 株式会社日立製作所 微細構造を有する高分子薄膜およびパターン基板の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010115832A5 (enExample)
JP2008532263A5 (enExample)
JP2008522001A5 (enExample)
JP2013511151A5 (enExample)
EP2650112A3 (en) Nanopatterned biopolymer optical device and method of manufacturing the same
EP1768196A3 (en) Semiconductor light emitting device and method for fabricating same
JP2008505486A5 (enExample)
US20110186544A1 (en) Method of accelerating self-assembly of block copolymer and method of forming self-assembled pattern of block copolymer using the accelerating method
JP2009505424A5 (enExample)
WO2007084982A3 (en) Dual-damascene process to fabricate thick wire structure
JP2010513601A5 (enExample)
TW200629412A (en) Method for defining a feature on a substrate
JP2010103464A5 (enExample)
JP2007525550A5 (enExample)
EP1804958A4 (en) NANOSTRUCTURED THIN FILMS AND ITS USE
WO2006025967A3 (en) Semiconductor processing using energized hydrogen gas and in combination with wet cleaning
WO2008103456A8 (en) Pulsed plasma system with pulsed sample bias for etching semiconductor structures
JP2013513472A5 (enExample)
JP2009532245A5 (enExample)
JP2005530338A5 (enExample)
TW200626482A (en) Method and system for xenon fluoride etching with enhanced efficiency
JP2011164598A5 (enExample)
EP1884994A3 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
SG140481A1 (en) A method for fabricating micro and nano structures
JP2014063884A (ja) パターン形成方法