JP2010068446A - 音響的トランスデューサユニット - Google Patents

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Abstract

【課題】小型化・低背化が容易で、製造コスト低減が可能な音響的トランスデューサユニットを提供する。
【解決手段】(a)凹部34を有する第1部材30と、(b)一対の主面を有する平板状の第2部材20と、(c)第1部材30に結合され凹部34を第2部材20が覆うように形成されたハウジングと、(d)ハウジングの内部空間38に収納される音響的トランスデューサであるマイク素子2と、(e)内部空間38とハウジングの外部空間とを連通する音響経路16とを備える。第1部材30は、インサートモールド法により、樹脂の本体32に、導電性を有する電磁シールド部材40と、マイク素子2と外部回路とを電気的に接続する端子部材50とが埋め込まれている。第2部材20は、電磁シールド層26が電磁シールド部材40と電気的に接続される。
【選択図】図2

Description

本発明は、音響的トランスデューサユニットに関し、詳しくは、マイクやスピーカーなどの音響的トランスデューサ素子がハウジングに収納された音響的トランスデューサユニットに関する。
従来、例えば図17の断面図に示すように、基板114上にマイク等の素子112を搭載し、基板114上に結合した蓋部材120で素子112を覆う音響的トランスデューサユニット110の構成が知られている(例えば、特許文献1参照)。
米国特許第6781231号明細書
このように基板上に素子を配置し、蓋部材で覆う構成をもとに、素子の周囲に電磁シールドを形成する場合、例えば図16の断面図に示す比較例の構成が考えられる。すなわち、内部に電磁シール用の導電層30yを有する多層基板30xにマイク素子2を搭載し、ワイヤー3でボンディングする。そして、メッキ等で電磁シール用の導電層20yが形成された蓋部材20xを多層基板30xに結合し、蓋部材20xでマイク素子2を覆う。多層基板30xの内部には、ハウジングの外部とマイク素子2との間を連通する音響経路80を形成する。
しかし、図16のように構成すると、以下の問題点がある。
第1に、素子がフェースアップ構造で搭載されるため、ワイヤー配線スペースが必要であり、小型・低背化できない。また、不要な容積が大きいため、音響的な最適設計ができない。
第2に、電磁シールド機能を多層基板と蓋部材とに持たせているため、多層基板の構造が複雑になり、また、蓋部材に導電性を持たせるためのメッキ等の処理が必要になるなど、コストアップ要因がある。
第3に、音響経路を多層基板に形成しているため、多層基板の製造方法が複雑で難易度が高く、基板のコストアップ要因になっている。また、基板の製造過程で音響経路に接着剤がはみ出したり、音響経路が変形したりすると、性能のばらつきの要因になるため、製造に手間がかかり、コストアップの要因となる。
本発明は、かかる実情に鑑み、小型化・低背化が容易で、製造コスト低減が可能な音響的トランスデューサユニットを提供しようとするものである。
本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した音響的トランスデューサユニットを提供する。
音響的トランスデューサユニットは、(a)凹部を有する第1部材と、(b)一対の主面を有する板状の第2部材と、(c)前記第1部材に結合され前記凹部を前記第2部材が覆うように形成されたハウジングと、(d)前記ハウジングの部空間に収納される音響的トランスデューサと、(e)前記内部空間と前記ハウジングの外部空間を連通する音響経路とを備える。前記第1部材は、(i)前記凹部を形成する本体と、(ii)前記本体の内部に配置され導電性を有する電磁シールド部材と、(iii)前記本体の前記内部空間に延在し前記音響的トランスデューサと電気的に接続される内部端子部と、前記内部空間の前記外部空間に延在する外部端子部と、前記内部端子部と前記外部端子部とを接続する接続部とを含む端子部材とを有する。前記第2部材は導電性を有し、前記電磁シールド部材と電気的に接続される。
上記構成によれば、音響的トランスデューサが収納される内部空間をできるだけ小さくして、容易に音響的トランスデューサユニットを小型化・低背化することができる。また、本体に電磁シールド部材と端子部材とが埋め込まれた第1部材は、例えばインサートモールド法で作製することにより、複雑な構造の多層基板を用いる場合よりも製造コストを低減することができる。
好ましくは、前記内部端子部は前記凹部の底面に沿って延在する。前記音響的トランスデューサは、前記音響的トランスデューサの接続端子が前記内部端子部に対向するように、フェースダウンで配置される。
上記構成によれば、第1部材の端子部材の内部端子部が第1部材の凹部の側面に沿って延在する場合と比べ、音響的トランスデューサを容易に配置することができ、また、第1部材の端子部材の内部端子部との電気的接続の信頼性が高い。
好ましい一態様において、前記第2部材は、(a)前記第2部材の前記一対の主面のうち前記第1部材から遠い側の一方主面に、前記外部空間に連通する第1の開口が形成され、(b)前記第2部材の前記一対の主面のうち前記第1部材に近い側の他方主面に、前記内部空間に連通する第2の開口が形成され、(c)前記第2部材の内部に、前記第1の開口と前記第2の開口との間を連通する音響経路が形成され、(d)前記第1の開口と前記第2の開口とは、前記第2部材の前記一対の主面の法線方向から透視すると互いに離れている。
この場合、第2部材の第1部材から遠い方の主面に、すなわち音響的トランスデューサユニットの上面に、外部に連通する音響経路の開口を形成することができる。第1の開口と第2の開口との間を連通する音響経路は、折れ曲がるため、外部から内部空間への異物混入を防ぐことができる。
好ましい他の態様において、前記第1部材は、(a)前記第1部材の前記第2部材との結合面以外の外面に、前記外部空間に連通する第1の開口が形成され、(b)前記第1部材の前記第2部材との結合面に第2の開口が形成され、(c)前記第1部材の内部に、前記第1の開口と前記第2の開口との間を連通する第1の音響経路が形成される。前記第2部材は、(i)前記第2部材の前記第1部材との結合面に、前記第2の開口に対向して第3の開口が形成され、(ii)前記第2部材の前記一対の主面のうち前記第1部材に近い側の主面に、前記内部空間に連通する第4の開口が形成され、(iii)前記第2部材の内部に、前記第3の開口と前記第4の開口との間を連通する第2の音響経路が形成される。
この場合、第1部材の第2部材と接する面以外の面に、すなわち音響的トランスデューサユニットの側面又は底面に、外部に連通する音響経路の開口を形成することができる。第1及び第2の音響経路は全体として折れ曲がるため、外部から内部空間への異物混入を防ぐことができる。
好ましくは、前記内部端子部は前記凹部の底面から突出し、前記内部端子部の部分は弾性を有し、該部分は前記第2部材側に弾性的に付勢され、前記音響的トランスデューサを該部分と第2部材とで圧接して支持する。
この場合、音響的トランスデューサの高さ、第1部材の凹部の深さ、第1部材の端子部材の内部端子部側の突出高さなどの部品寸法に多少のばらつきがあっても吸収することができる。また、音響的トランスデューサが付勢され第2部材に沿って圧接することで密閉性が向上し、音漏れによる感度特性劣化をなくすことができる。
好ましくは、複数の貫通孔が形成されたメッシュ領域を有する。
この場合、メッシュ領域により、外部空間から内部空間に異物が混入ことを防ぐことができ、音響的トランスデューサが異物の悪影響を受けないようにすることができる。
好ましくは、前記メッシュ領域は前記音響経路を横断するように配置され、前記メッシュ領域はメッシュ部材を備える。
この場合、音響経路を経て内部空間に異物が混入することを防ぐことができる。
好ましくは、前記メッシュ領域は前記音響経路によって形成される。
この場合、音響経路自身でメッシュ領域が形成され、音響経路を経て内部空間に異物が混入することを防ぐことができる。
好ましくは、前記本体が、樹脂によって形成される。
この場合、インサートモールド法により第1部材を一体に成形することができる。
好ましくは、前記端子部材が、金属によって形成される。
この場合、インサートモールド法により第1部材を一体に成形することができる。
好ましくは、前記電磁シールド部材が、金属によって形成される。
この場合、インサートモールド法により第1部材を一体に成形することができる。
本発明の音響的トランスデューサユニットは、小型化・低背化が容易であり、製造コスト低減が可能である。
以下、本発明の実施の形態について、図1〜図15を参照しながら説明する。
<実施例> 実施例の音響的トランスデューサユニット10について、図1〜図14を参照しながら説明する。
図1は、音響的トランスデューサユニット10の外観を示す斜視図である。図2は、音響的トランスデューサユニット10の断面図である。図3は、音響的トランスデューサユニット10の分解斜視図である。図4は、音響的トランスデューサユニット10の分解断面図である。
図1〜図4に示すように、音響的トランスデューサユニット10は、大略、第1部材30と第2部材20とにより構成されるハウジング内に、音響的トランスデューサであるマイク素子2が収納されている。マイク素子2は、例えばセンサ部と周辺回路とを含むモジュール部品である。マイク素子2の代わりに、スピーカー素子などの他の音響的トランスデューサ素子を収納してもよい。
第1部材30は凹部34を有する。第2部材20は、第1部材30の凹部34を覆うように、第1部材30に結合される。マイク素子2は、第1部材30の凹部34と第2部材20とにより形成された内部空間38に収納され、第1部材30の凹部34の底面35に搭載される。
第1部材30は、例えばインサートモールド法により、樹脂の本体32と、金属の電磁シールド部材40及び端子部材50とが一体に成形されている。すなわち、図3(c)及び図4(c)に示すように、第1部材30は、凹部34が形成された樹脂の本体32の内部に、導電性を有する電磁シールド部材40が配置されている。また、端子部材50が本体32を貫通して内部空間38とハウジングの外側の外部空間との間に延在する。
電磁シールド部材40は、略矩形の底面部44と、底面部44の各辺43に沿って直角に折り曲げられた側面部42とを有する。電磁シールド部材40には、端子部材50と干渉しないように、開口46が形成されている。
端子部材50は、ハウジングの内側の内部空間38に延在する内部端子部52と、ハウジングの外側の外部空間に延在する外部端子部56と、内部端子部52と外部端子部56とを接続する接続部54とを有する。
図2に示すように、内部端子部52は、マイク素子2の接続端子6と接続される。接続方法としては、Auバンプ、半田バンプ、導電ペースト、ナノペーストなどを用いることができる。
外部端子部56は、音響的トランスデューサユニット10が不図示の外部回路に実装される際に、不図示の外部回路に電気的に接続される。
端子部材50は、可塑性を有するシート材を曲げて形成されており、本体32の凹部34の底面35から突出している部分が弾性を有する。
好ましくは、マイク素子2の高さ、凹部34の深さ、端子部材50の内部端子部52側の突出高さなどの部品寸法のばらつきがあっても、マイク素子2の接続端子6が端子部材50の内部端子部52に接続されたときにマイク素子2の上面2aが第1部材30の本体32の上面33よりも突出するように構成する。
このように構成すると、図2に示すように、第1部材30の本体32の上面33に第1部材20が結合されたときに、本体32の凹部34の底面35から突出している端子部材50の内部端子部52側の部分の弾性変形によって、マイク素子2が第1部材20側に弾力的に付勢され、マイク素子2の上面2aが第1部材20の下面21に沿って圧接する。これによって、密閉性が向上し、音漏れによる感度特性劣化をなくすことができる。
また、部品寸法のばらつきを吸収することができる。
第2部材20は、図3(a)及び図4(a)に示すように、上から順に、第1シート層22、第2シート層24、電磁シールド層26が積層されている。第1シート層22には、貫通孔22aと有底溝22bとが形成されている。有底溝22bは、第2シート層24に対向する下面側に形成され、有底溝22bの一端は貫通孔22aに連通する。第2シート層24には、第1シート層22の有底溝22bの他端に連通するように、貫通孔24aが形成されている。電磁シールド層26は、メッキや金属箔により形成され、第2シート層24の貫通孔24aに連通する貫通孔26aが形成されている。
図2に示すように、第1シート層22の貫通孔22aにより音響的トランスデュ−サユニット10の上面11aに形成される開口12と、電磁シールド層26の貫通孔26aにより第2部材20の下面21に形成される開口23との間は連通しており、断面が略S字状に湾曲した音響経路16が形成される。
電磁シールド層26に一つの貫通孔26aを形成する代わりに、貫通孔26aの部分に複数の貫通孔を形成してもよい。この場合、複数の貫通孔によるメッシュ構造により、外部からの内部空間38への異物混入を防ぐことができる。
なお、電磁シールド層26とは別に、複数の貫通孔が形成されたメッシュ領域を含むメッシュ部材を備え、外部空間と内部空間との間を連通する音響経路をメッシュ領域が横断するように、第2部材の内部もしくは上面又は下面にメッシュ部材を配置しても、異物混入を防ぐことができる。この場合、音響経路を折り曲げなくても、異物混入を防ぐことができる。
例えば、第2部材に音響経路として真っ直ぐの貫通孔を形成し、この貫通孔に、メッシュ部材としてスポンジ状の部材を詰め込むようにしてもよい。あるいは、メッシュ部材として、複数の貫通孔が形成された金属シートや網目状の部材を、第2部材の内部もしくは上面又は下面に配置してもよい。
あるいは、複数の音響経路自身でメッシュ領域を形成してもよい。この場合、別部材を用いることなく、メッシュ領域を形成することができる。
第1部材30と第2部材20とは、導電性接着材を用いて結合され、第1部材30の上面33に露出している電磁シールド部材40の上縁45と、第2部材20の下面21に形成された電磁シールド層26とが電気的に接続される。
以上に説明したように、音響的トランスデューサユニット10は、ハウジング内部において、マイク素子2がフェースダウンで接続されているので、ワイヤー配線スペースが不要であり、小型・低背化できる。また、内部空間38におけるマイク素子2の上下など周囲の容積を自由に決めることができるので、不要な容積をなくして、音響的な最適設計を行うことができる。
第1部材30についてインサートモールド法で作製することで、メッキなどの電極形成処理が不要になる。第2部材20については、電極形成済みの板材や金属箔貼り合せ板材などの利用が可能になり、安価な構成が可能になる。
また、第2部材20が平板形状であるため、板材の穴あけ加工、溝加工、接着で音響経路の形成が可能になり、多層基板に経路を形成するような複雑な工法が不要になる。また、形状精度が高い音響経路の形成が容易である。
次に、音響的トランスデューサユニット10の製造方法について、図5〜図14を参照しながら説明する。
まず、第1部材30と第2部材20とを作製する。
第2部材20については、図5(a)の断面図に示すように、貫通孔22aと有底溝22bとが形成された第1シート層22を作製する。第1シート層22は、板材の穴あけ加工、溝加工により一括して作製しても、鎖線で示すように第1シート層22を上部22sと下部22tとに分割し、それぞれの板材に貫通孔を加工した後に接着することにより作製してもよい。
また、図5(b)の断面図に示すように、第2シート層24の片面に電磁シールド層26をメッキ等により形成した後、第2シート層24及び電磁シールド層26に貫通孔24a,26aを形成することにより、積層体28を作製する。
そして、図5(a)に示した第1シート層22と、図5(b)に示した積層体28とを接合する。
第1部材30については、まず、金属箔を用いて、電磁シールド部材40用のシート部材40sと、端子部材50用のシート部材50sとを形成する。
電磁シールド部材40用のシート部材40sは、図6〜図8に示す工程により形成する。
すなわち、図6(a)の平面図に示すように、金属箔の打ち抜き加工等により、電磁シールド部材40の底面部44及び側面部42となる部分が支持部49を介して枠部41に接続されたシート部材40sを形成する。電磁シールド部材40の底面部44及び側面部42となる部分には、開口46が形成されている。このとき、図6(a)の線A−Aに沿って切断した要部断面図である図6(b)に示すように、電磁シールド部材40の底面部44となる部分と、側面部42となる部分とは、同一平面内にある。
次いで、図7(a)の平面図と、図7(a)の線A−Aに沿って切断した要部断面図である図7(b)と、図8の要部斜視図とに示すように、電磁シールド部材40の側面部42となる部分を、電磁シールド部材40の底面部44の各辺43となる部分に沿って直角に折り曲げる。
一方、端子部材50用のシート部材50sについては、図9及び図10に示す工程により形成する。
すなわち、図9(a)の平面図に示すように、金属箔の打ち抜き加工等により、3つの端子部材50となる部分59の基端側がそれぞれ枠部51に接続されたシート部材50sを形成する。このとき、図9(a)の線A−Aに沿って切断した要部断面図である図9(b)に示すように、端子部材50となる部分59は、すべて同一平面内にある。
次いで、図10(a)の平面図と、図10(a)の線A−Aに沿って切断した要部断面図である図10(b)とに示すように、端子部材50となる部分59の先端59a側を折り曲げる。すなわち、端子部材50の外部端子部56となる部分に対して直角に接続部54となる部分を折り曲げるとともに、内部端子部52となる部分を接続部54となる部分に対して直角に折り曲げる。
次に、作製した電磁シールド部材40用のシート部材40sと、端子部材50用のシート部材50sとを用いて、インサートモールド加工を行う。
すなわち、図11(a)の平面図と、図11(a)の線A−Aに沿って切断した要部断面図である図11(b)とに示すように、端子部材50用のシート部材50sの上に、電磁シールド部材40用のシート部材40sを、所定の間隔を設けて重ねる。
そして、図12(a)の平面図と、図12(a)の線A−Aに沿って切断した要部断面図である図12(b)とに示すように、端子部材50用のシート部材50sと電磁シールド部材40用のシート部材40sとを金型に入れる。鎖線は、金型により形成される空間を示している。
そして、図13(a)の平面図と、図13(a)の線A−Aに沿って切断した要部断面図である図13(b)とに示すように、金型により形成される空間に、本体32になる樹脂を注入する。
そして、図14(a)の平面図と、図14(a)の線A−Aに沿って切断した要部断面図である図14(b)とに示すように、シート部材40s,50s及び樹脂を切断して不要部分を取り除き、第1部材30となる部分を分離する。
第1部材30と第2部材20とを作製したら、組み立てを行う。
すなわち、第1部材30の凹部34にマイク素子2を搭載する。このとき、凹部34の側面36とマイク素子2との間の隙間の大きさを適宜に選択することにより、凹部34の側面36に沿ってマイク素子2を精度よく位置決めすることができる。
マイク素子2を搭載した後、第1部材30の上面33に導電性接着材を用いて第1部材20を接着する。これによって、音響的トランスデューサユニット10が完成する。
あるいは、第2部材20の下面21にマイク素子2を固定して第2部材20とマイク素子2とを一体化した結合体を形成した後、結合体のマイク素子2を第1部材30の凹部34に挿入し、第1部材30と第2部材20とを結合してもよい。
以上のようにインサートモールド法により作製された第1部材30を用いると、多層基板を用いた場合よりも、音響的トランスデューサユニット10の製造コストを低減することができる。
<変形例> 変形例の音響的トランスデューサユニット10a〜10cについて、図15を参照しながら説明する。変形例の音響的トランスデューサユニット10a〜10cは、実施例の音響的トランスデューサユニット10とは、音響経路16a,17a;16b,17b;16c,17cの構成が異なる。
すなわち、図15(a)の断面図に示す音響的トランスデューサユニット10aは、音響的トランスデューサユニット10aの底面11bに開口12aが形成されている。この開口12aとマイク素子2側の開口23との間は、第1部材30aに形成された貫通孔である第1の音響経路17aと、第2部材20aに形成された貫通孔である第2の音響経路16aとを介して、連通している。
図15(b)の断面図に示す音響的トランスデューサユニット10bは、音響的トランスデューサユニット10bの側面13に開口12bが形成されている。この開口12bとマイク素子2側の開口23との間は、第1部材30bに形成された貫通孔である第1の音響経路17bと、第2部材20bに形成された貫通孔である第2の音響経路16bとを介して、連通している。
図15(c)の断面図に示す音響的トランスデューサユニット10cは、音響的トランスデューサユニット10cの側面13に複数の開口12cが形成されている。それぞれの開口12cとマイク素子2側の開口23との間は、第1部材30cに形成された貫通孔である第1の音響経路17cと、第2部材20cに形成された貫通孔である第2の音響経路16cとを介して、連通している。第1及び第2の音響経路17c,16cは、分岐している。
図15(a)、(b)及び(c)の第1部材30a,30b,30cは、実施例と同様にインサートモールド法により作製することができ、それによって形状精度の高い第1の音響経路17a,17b,17cを形成することができる。図15(a)、(b)及び(c)の第2部材20a,20b,20cは、実施例と同様に、板材の穴あけ加工、溝加工、接着などにより、形状精度の高い音響経路を容易に形成することができる。
<まとめ> 以上に説明したように、インサートモールド等により電磁シールド部材40と端子部材50とが埋め込まれた第1部材30の本体32の凹部34にマイク素子2を収納し、第2部材20で蓋をする音響的トランスデューサユニット10,10a,10b,10cは、小型化・低背化が容易で、製造コスト低減が可能である。
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。
例えば、音響的トランスデューサユニットの上面や底面に、内部空間に連通する複数の開口を設けてもよい。
音響的トランスデューサユニットの斜視図である。(実施例) 音響的トランスデューサユニットの断面図である。(実施例) 音響的トランスデューサユニットの分解斜視図である。(実施例) 音響的トランスデューサユニットの分解断面図である。(実施例) 蓋部材の分解断面図である。(実施例) 製造工程を示す(a)平面図、(b)要部断面図である。(実施例) 製造工程を示す(a)平面図、(b)要部断面図である。(実施例) 製造工程を示す要部斜視図である。(実施例) 製造工程を示す(a)平面図、(b)要部断面図である。(実施例) 製造工程を示す(a)平面図、(b)要部断面図である。(実施例) 製造工程を示す(a)平面図、(b)要部断面図である。(実施例) 製造工程を示す(a)平面図、(b)要部断面図である。(実施例) 製造工程を示す(a)平面図、(b)要部断面図である。(実施例) 製造工程を示す(a)平面図、(b)要部断面図である。(実施例) 音響的トランスデューサユニットの断面図である。(変形例) 音響的トランスデューサユニットの断面図である。(比較例) 音響的トランスデューサユニットの断面図である。(従来例)
符号の説明
2 マイク素子(音響的トランスデューサ)
2a 上面
2b 底面
6 接続端子
10,10a,10b,10c 音響的トランスデューサユニット
11a 上面
11b 下面
12 開口
14 開口
16 音響経路
16a,16b,16c 第2の音響経路
17a,17b,17c 第1の音響経路
20,20a,20b,20c 第2部材
21,21a,21b,21c 音響経路
22 第1シート層
24 第2シート層
26 電磁シールド層
30,30a,30b,30c 第1部材
32 本体
34 凹部
35 底面
36 側面
38 内部空間
40 電磁シールド部材
42 底面部
44 側面部
46 開口
50 端子部材
52 内部端子部
54 接続部
56 外部端子部

Claims (11)

  1. 凹部を有する第1部材と、
    一対の主面を有する板状の第2部材と、
    前記第1部材に結合され前記凹部を前記第2部材が覆うように形成されたハウジングと、
    前記ハウジングの内部空間に収納される音響的トランスデューサと、
    前記内部空間と前記ハウジングの外部空間を連通する音響経路と、
    を備え、
    前記第1部材は、
    前記凹部を形成する本体と、
    前記本体の内部に配置され導電性を有する電磁シールド部材と、
    前記本体の前記内部空間に延在し前記音響的トランスデューサと電気的に接続される内部端子部と、前記内部空間の前記外部空間に延在する外部端子部と、前記内部端子部と前記外部端子部とを接続する接続部とを含む端子部材と、
    を有し、
    前記第2部材は導電性を有し、前記電磁シールド部材と電気的に接続されることを特徴とする、音響的トランスデューサユニット。
  2. 前記内部端子部は前記凹部の底面に沿って延在し、
    前記音響的トランスデューサは、前記音響的トランスデューサの接続端子が前記内部端子部に対向するように、フェースダウンで配置されることを特徴とする、請求項1に記載の音響的トランスデューサユニット。
  3. 前記第2部材は、
    前記第2部材の前記一対の主面のうち前記第1部材から遠い側の一方主面に、前記外部空間に連通する第1の開口が形成され、
    前記第2部材の前記一対の主面のうち前記第1部材に近い側の他方主面に、前記内部空間に連通する第2の開口が形成され、
    前記第2部材の内部に、前記第1の開口と前記第2の開口との間を連通する音響経路が形成され、
    前記第1の開口と前記第2の開口とは、前記第2部材の前記一対の主面の法線方向から透視すると互いに離れていることを特徴とする、請求項1又は2に記載の音響的トランスデューサユニット。
  4. 前記第1部材は、
    前記第1部材の前記第2部材との結合面以外の外面に、前記外部空間に連通する第1の開口が形成され、
    前記第1部材の前記第2部材との結合面に第2の開口が形成され、
    前記第1部材の内部に、前記第1の開口と前記第2の開口との間を連通する第1の音響経路が形成され、
    前記第2部材は、
    前記第2部材の前記第1部材との結合面に、前記第2の開口に対向して第3の開口が形成され、
    前記第2部材の前記一対の主面のうち前記第1部材に近い側の主面に、前記内部空間に連通する第4の開口が形成され、
    前記第2部材の内部に、前記第3の開口と前記第4の開口との間を連通する第2の音響経路が形成されたことを特徴とする、請求項1又は2に記載の音響的トランスデューサユニット。
  5. 前記内部端子部は前記凹部の底面から突出し、前記内部端子部の部分は弾性を有し、該部分は前記第2部材側に弾性的に付勢され、前記音響的トランスデューサを該部分と前記第2部材とで圧接して支持することを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか一つに記載の音響的トランスデューサユニット。
  6. 複数の貫通孔が形成されたメッシュ領域を有することを特徴とする、請求項1乃至5のいずれか一つに記載の音響的トランスデューサユニット。
  7. 前記メッシュ領域は前記音響経路を横断するように配置され、前記メッシュ領域はメッシュ部材を備えたことを特徴とする、請求項1乃至6のいずれか一つに記載の音響的トランスデューサユニット。
  8. 前記メッシュ領域は前記音響経路によって形成されることを特徴とする、請求項1乃至5のいずれか一つに記載の音響的トランスデューサユニット。
  9. 前記本体が、樹脂によって形成されたことを特徴とする、請求項1に記載の音響的トラスデューサユニット。
  10. 前記端子部材が、金属によって形成されたことを特徴とする、請求項1に記載の音響的トラスデューサユニット。
  11. 前記電磁シールド部材が、金属によって形成されたことを特徴とする、請求項1に記載の音響的トラスデューサユニット。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011254267A (ja) * 2010-06-01 2011-12-15 Omron Corp マイクロフォン
JP2012090332A (ja) * 2011-12-28 2012-05-10 Omron Corp マイクロフォン
JP2014522102A (ja) * 2011-07-29 2014-08-28 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 半導体チップのハウジングおよびハウジングを有する半導体チップ
JP2014192533A (ja) * 2013-03-26 2014-10-06 Omron Corp マイクロフォン
JP2014203510A (ja) * 2013-04-01 2014-10-27 Smk株式会社 スルーボードソケットとその製造方法
JP2017220874A (ja) * 2016-06-09 2017-12-14 リオン株式会社 計測用マイクロホンモジュール

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012051340A1 (en) * 2010-10-12 2012-04-19 Analog Devices, Inc. Microphone package with embedded asic
KR20120069256A (ko) * 2010-12-20 2012-06-28 삼성전자주식회사 휴대용 단말기의 스피커 장치
JP6004305B2 (ja) * 2011-03-22 2016-10-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 超音波センサ
CN110078016A (zh) * 2013-09-30 2019-08-02 日月光半导体制造股份有限公司 封装结构及其制造方法
GB2521448B (en) * 2013-12-20 2021-07-21 Nokia Technologies Oy An apparatus and method for providing an apparatus comprising a covering portion for an electronic device
CN105765716B (zh) * 2014-05-15 2018-06-22 富士电机株式会社 功率半导体模块和复合模块
WO2015197105A1 (en) * 2014-06-23 2015-12-30 Epcos Ag Microphone and method of manufacturing a microphone
DK3065418T3 (da) 2015-03-05 2020-07-06 Oticon As Mikrofonindgang til høreapparat
CN104811835B (zh) * 2015-05-12 2018-11-09 歌尔股份有限公司 扬声器模组
US20180134546A1 (en) * 2016-11-14 2018-05-17 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN109218862B (zh) * 2018-08-31 2019-12-24 合翔(常州)电子有限公司 一种电声元件及其生产工艺
US11785375B2 (en) 2021-06-15 2023-10-10 Quiet, Inc. Precisely controlled microphone acoustic attenuator with protective microphone enclosure

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000236596A (ja) * 1999-02-17 2000-08-29 Hosiden Corp 半導体エレクトレットコンデンサマイクロホン
JP2001245394A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Kyocera Corp エレクトレットコンデンサマイクロホン
JP2003259493A (ja) * 2002-02-27 2003-09-12 Star Micronics Co Ltd エレクトレットコンデンサマイクロホン
JP2005027182A (ja) * 2003-07-04 2005-01-27 Star Micronics Co Ltd エレクトレットコンデンサマイクロホン
JP2007043327A (ja) * 2005-08-01 2007-02-15 Star Micronics Co Ltd コンデンサマイクロホン
JP2008048329A (ja) * 2006-08-21 2008-02-28 Star Micronics Co Ltd コンデンサマイクロホン及びコンデンサマイクロホンの積層構造体の製造方法
JP2008141409A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Star Micronics Co Ltd コンデンサマイクロホンの製造方法及びコンデンサマイクロホン

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2315417A1 (en) * 1999-08-11 2001-02-11 Hiroshi Une Electret capacitor microphone
US7166910B2 (en) * 2000-11-28 2007-01-23 Knowles Electronics Llc Miniature silicon condenser microphone
JP3852913B2 (ja) * 2001-10-31 2006-12-06 松下電器産業株式会社 コンデンサマイクロホン及びこれを用いた携帯電話機器
US6781231B2 (en) * 2002-09-10 2004-08-24 Knowles Electronics Llc Microelectromechanical system package with environmental and interference shield
US7165647B2 (en) * 2003-12-18 2007-01-23 Pei-Chau Lee Mechanical acoustic filter by erosion etching
KR20080014622A (ko) * 2006-08-10 2008-02-14 스타 마이크로닉스 컴퍼니 리미티드 마이크로폰의 케이싱 및 마이크로폰

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000236596A (ja) * 1999-02-17 2000-08-29 Hosiden Corp 半導体エレクトレットコンデンサマイクロホン
JP2001245394A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Kyocera Corp エレクトレットコンデンサマイクロホン
JP2003259493A (ja) * 2002-02-27 2003-09-12 Star Micronics Co Ltd エレクトレットコンデンサマイクロホン
JP2005027182A (ja) * 2003-07-04 2005-01-27 Star Micronics Co Ltd エレクトレットコンデンサマイクロホン
JP2007043327A (ja) * 2005-08-01 2007-02-15 Star Micronics Co Ltd コンデンサマイクロホン
JP2008048329A (ja) * 2006-08-21 2008-02-28 Star Micronics Co Ltd コンデンサマイクロホン及びコンデンサマイクロホンの積層構造体の製造方法
JP2008141409A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Star Micronics Co Ltd コンデンサマイクロホンの製造方法及びコンデンサマイクロホン

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011254267A (ja) * 2010-06-01 2011-12-15 Omron Corp マイクロフォン
US8620014B2 (en) 2010-06-01 2013-12-31 Omron Corporation Microphone
JP2014522102A (ja) * 2011-07-29 2014-08-28 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 半導体チップのハウジングおよびハウジングを有する半導体チップ
US9177880B2 (en) 2011-07-29 2015-11-03 Epcos Ag Housing for a semiconductor chip and semiconductor chip with a housing
JP2012090332A (ja) * 2011-12-28 2012-05-10 Omron Corp マイクロフォン
JP2014192533A (ja) * 2013-03-26 2014-10-06 Omron Corp マイクロフォン
JP2014203510A (ja) * 2013-04-01 2014-10-27 Smk株式会社 スルーボードソケットとその製造方法
JP2017220874A (ja) * 2016-06-09 2017-12-14 リオン株式会社 計測用マイクロホンモジュール

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