JP2010062005A - ランプ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電球形LEDランプ1において、金属基台10は、筒状をしている。給電口金16は、絶縁ケース15の開口側に取り付けられている。発光ユニット12は、LEDチップを構成中に含み、金属基台10におけるZ軸方向上方の開口側の端面に取り付けられている。点灯回路は、給電口金16に電気的に接続されているとともに、一部の電子部品14cが金属基台10におけるZ軸方向上側の開口から突出する状態で設けられている。反射体17は、発光ユニット12と点灯回路の電子部品14cとの間に介挿され、発光ユニット12側の面17aが光反射面となっている。
【選択図】図1
Description
図10に示すように、LED基板91の一方の主面上に実装された複数のLEDユニット92を有する。各LEDユニット92は、LEDチップとその外周を覆うように形成された蛍光体層とから構成されている。LED基板91は、金属基台90の底壁外面に載置されており、金属基台90の底壁内面には、回路基板93が載置されている。回路基板93には、複数の回路部品94a,94b,94cが実装されている。
絶縁ケース95の上端部分には、透光性カバー98が取り付けられており、透光性カバー98は、ドーム状をしており、金属基台90の底壁外面、およびそこに載置されたLEDユニット92の上方を覆っている。
本発明に係るランプは、基台と、給電口金と、発光ユニットと、点灯回路と反射体とを主な構成要素として備える。
・基台;筒状をしている。
・給電口金;基台の一方の開口側(一方の開口を塞ぐ状態)に取り付けられている。
・点灯回路;複数の電子部品を含み構成されており、給電口金に電気的に接続されており、複数の電子部品の内の一部の電子部品が基台の内部に収納され、残りの電子部品が基台における他方の開口から突出する状態で設けられている。
上記本発明に係るランプでは、次のバリエーションを採用することができる。
上記本発明に係るランプでは、反射体が、基台の筒軸に並行する軸を中心軸とする回転体であって、基台における他方の開口の少なくとも一部を塞ぐように設けられており、発光ユニットが、複数の半導体発光素子を有する。そして、複数の半導体発光素子が、基台における他方の開口側端面において、反射体の周囲を取り囲む状態であって、且つ、互いに間隔をあけて取り付けられており、基台における他方の開口から突出した点灯回路の電子部品が、反射体の内方に収納されている、という構成を採用することができる。このような構成を採用すれば、ランプの側方にもある程度均一に光の分散を図ることができ、基台における端部よりも上側で、影となる領域を生じることがない。また、複数の発光ユニットが互いに間隔をあけて取り付けられているので、互いの間での熱による影響を小さく抑えることができる。
また、上記本発明に係るランプでは、基台が、金属材料からなり、筒状をしたヒートシンク部と、当該ヒートシンク部の側周壁を取り囲むように配された絶縁性のカバー部とから構成されており、発光ユニットが、基板に実装され、当該基板を介した状態で前記ヒートシンク部に対して熱結合された状態で取り付けられている、という構成を採用することができる。このような構成を採用すれば、金属材料からなるヒートシンク部が絶縁性のカバーで囲まれているので、ユーザが誤ってヒートシンク部に触れることがなく、確実な安全性を確保することができる。
また、上記本発明に係るランプでは、基台の他方の開口側に、発光ユニットおよび反射体の外囲を覆うように透光性のカバーが取り付けられている、という構成を採用することができる。このような構成を採用すれば、発光ユニットを誤ってユーザが触れたり、空気中の水分により発光ユニットが劣化したりするという事態を防止することができる。また、視覚的にも電球代替性を向上させることができる。
また、上記本発明に係るランプでは、発光ユニットが、半導体発光素子と、その外周を覆うように形成され、半導体発光素子からの出射光の波長を変換する波長変換層とにより構成されている、という構成を採用することができる。
[実施の形態1]
1.電球形LEDランプ1の全体構成
本実施の形態1に係る電球形LEDランプ(以下では、単に「ランプ」と記載する。)1の全体構成について、図1を用い説明する。
一方、金属基台10のZ軸方向上側の開口部分の内面側には、回路基板13が取り付けられており、回路基板13には、点灯回路を構成する電子部品14a,14b,14cが実装されている。このうち、電子部品14a,14bは、金属基台10の内方空間10aに向けて立設され、残りの電子部品14cは、金属基台10のZ軸方向上側の開口から、Z軸方向上側に突出している。
金属基台10のZ軸方向上側の端面には、開口を塞ぐ状態で円錐状の反射体17が立設されている。反射体17は、ランプ1の軸Lを中心軸とする回転体であって、外壁面17aが光反射面となっている(図1の二点鎖線で囲んだ部分を参照)。また、点灯回路における電子部品14cは、反射体17の内方空間17bに収納された状態となっている。なお、本実施の形態では、反射体17は金属材料から構成されており、金属基台10に対して熱結合されている。
絶縁ケース15の作製には、例えば、金属酸化物粒子を含む熱伝導性の高い樹脂材料を用いることができる。また、エナメルや金属酸化物など絶縁性材料で金属基台10の表面を覆うことにより、絶縁ケース15と同様の絶縁効果を持たせることも可能である。
また、回路基板13を給電口金16寄りの位置でヒートシンク(基台)10に熱結合する場合には、回路で発生した熱が発光ユニット12のLEDチップ120側に伝わることを効果的に抑制することができ、給電口金16側へと放熱することが可能となる。
2.LED基板11および発光ユニット12の構成
LED基板11および発光ユニット12の構成について、図2を用い説明する。
(a1)セラミックス;AlN、Al203、BN、MgO、ZnO、SiC、Cや、これらの混合物
(a2)金属;Al、Cu、Fe、Auや、これらの混合物
(a3)ガラスエポキシなどの樹脂
(a4)ガラスおよびその混合物
図2における二点鎖線で囲んだ部分に示すように、発光ユニット12は、LEDチップ120と波長変換層128とを有し構成されており、バンプ121,127によりLED基板11の導電ランド111に金属接合されている。
波長変換層128は、樹脂材料やガラス材料に対して蛍光体粒子が分散されたもの、あるいは蛍光体セラミックスなどを用い構成されている。ここで、波長変換層128の構成には、一例として次のような蛍光体材料を用いることができる。
・ アルミン酸塩蛍光体;BaMgAl10O17:Eu2+
・ ハロ燐酸塩蛍光体;(Sr,Ba)10(PO4)6Cl2:Eu2+,Sr10(PO4)6Cl2:Eu2+
・ 珪酸塩(シリケート)蛍光体;Ba3MgSi2O8:Eu2+
(b2)青緑色蛍光体
・ アルミン酸塩蛍光体;Sr4Al14O25:Eu2+
・ 珪酸塩蛍光体 ⇒ Sr2Si3O8・2SrCl2:Eu2+
(b3)緑色蛍光体
・ アルミン酸塩蛍光体;BaMgAl10O17:Eu2+,Mn2+、(Ba,Sr,Ca)Al2O4:Eu2+
・ 珪酸塩(シリケート)蛍光体;(Ba,Sr)2SiO4:Eu2+
・ α-サイアロン蛍光体;Sr1.5Al3Si9N16:Eu2+、Ca-α-SiAlON:Yb2+
・ β-サイアロン蛍光体;β-Si3N4:Eu2+
・ 酸窒化物蛍光体
オクソニトリドシリケート;(Ba,Sr,Ca)Si2O2N2:Eu2+
オクソニトリドアルミノシリケート;(Ba,Sr,Ca)2Si4AlON7:Ce3+
(Ba,Sr,Ca)Al2−xSixO4−xNx:Eu2+(0<x<2)
・ 窒化物蛍光体
ニトリドシリケート蛍光体;(Ba,Sr,Ca)2Si5N8:Ce3+
・ 硫化物蛍光体
チオガレート;SrGa2S4:Eu2+
・ ガーネット蛍光体;Ca3Sc2Si3O12:Ce3+、BaY2SiAl4O12:Ce3+、Y3(Al,Ga)5O12:Ce3+
・ 酸化物蛍光体;CaSc2O4:Ce3+
(b4)黄色蛍光体
・ 珪酸塩(シリケート)蛍光体;(Sr,Ba)2SiO4:Eu2+、Sr3SiO5:Eu2+
・ ガーネット蛍光体;(Y,Gd)3Al5O12:Ce3+、Y3Al5O12:Ce3+,Pr3+
・ 硫化物蛍光体
チオガレート;CaGa2S4:Eu2+
・ α-サイアロン蛍光体;Ca-α-SiAlON:Eu2+、
(0.75(Ca0.9Eu0.1)O・2.25AlN・3.25Si3N4:Eu2+、
Ca1.5Al3Si9N16:Eu2+など)
(b5)橙色蛍光体
・ 珪酸塩(シリケート)蛍光体;(Sr,Ca)2SiO4:Eu2+
・ ガーネット蛍光体;Gd3Al5O12:Ce3+
・ α-サイアロン蛍光体;Ca-α-SiAlON:Eu2+
(b6)赤色蛍光体
・ 硫化物蛍光体;(Sr,Ca)S:Eu2+、La2O2S:Eu3+,Sm3+
・ 珪酸塩(シリケート)蛍光体;Ba3MgSi2O8:Eu2+,Mn2+
・ 窒化物または酸窒化物蛍光体;
(Ca、Sr)SiN2:Eu2+、(Ca、Sr)AlSiN3:Eu2+、Sr2Si5-xAlxOxN8-x:Eu2+(0≦x≦1)
なお、蛍光体の代わりに金属錯体,有機染料,顔料などの波長変換材料を用いることもできる。
ランプ1では、金属基台10のZ軸方向上側の開口から、点灯回路における電子部品14cがZ軸方向上側に突出されている。このため、本実施の形態に係るランプ1では、金属基台10の内方空間10aだけに点灯回路の全ての電子部品14a,14b,14cを収納しようとする場合に比べて、金属基台10のサイズを小さく抑えることができる。よって、ランプ1では、発光に寄与しない領域、即ち、基台が占める容積比率を小さく抑えることができ、より小型化を図る上でも優位である。
また、ランプ1では、金属基台10のZ軸方向上側に、発光ユニット12および反射体17の外囲を覆うように透光性カバー18が取り付けられている。このような構成を採用することにより、本持実施の形態に係るランプ1では、点灯中などにユーザが発光ユニット12を誤って触れたり、空気中の水分により発光ユニット12が劣化したりするという事態を防止することができる。また、視覚的にも電球代替性を向上させることができる。
反射体17の表面は、反射率の高い金属、例えば、Al,Ag,Au,Ni,Rh,Pdや、これらの合金、金属酸化物(SiO2,Al2O3,ZnO,Y2O3,TiO2,ZrO2,HfO2,SnO2,Ta2O3,Nb2O5,BaSO4,ZnS,V2O5)やその混合物の薄膜、または、これら金属酸化物の微粒子を用い形成することができる。ここで、薄膜の好ましい膜厚は、100[nm]〜1000[nm]であり、微粒子の好ましい粒子径は、0.5[μm]〜3[μm]である。
上記のように、反射体17の表面を、微粒子や微細な凹凸にする場合、光が拡散反射するので、指向性を弱めて既存の白熱電球などと同様の配光に近づけることができる。
[実施の形態2]
実施の形態2に係るランプ2の構成について、図3を用い説明する。なお、図3においては、上記実施の形態1に係るランプ1と同一構成の要素に対しては同一符号を付しており、以下では同一構成要素についての説明を省略する。
図3に示すように、本実施の形態に係るランプ2では、反射体27の形状、およびその頂面にも発光ユニット24が載置されている点に特徴を有する。ランプ2における反射体27は、金属基台10のZ軸方向上側の端面からZ軸方向上方に離れるに従って、外形の断面サイズが大きくなる逆錐台形状を有しており、上記ランプ1における反射体17と同様に、内部に空間27bを有する。なお、反射体27についても、ランプ2の軸Lを中心軸とする回転体である。
金属基台10の底壁外面(Z軸方向上面)には、上記ランプ1と同様に、反射体27の周囲を取り囲むように発光ユニット22がLED基板21に実装された状態で取り付けられている。そして、反射体27の内方の空間27bには、回路基板13に実装された一部の電子部品14cが収納されている。
本実施の形態に係るランプ2が備えるLED基板21および発光ユニット22の構成について、図4を用い説明する。
図2に示すように、ランプ2では、それぞれが台形状の平面形状であって、実質的に同一形状をした6つのLED基板21を有する。6つのLED基板21は、台形の並行する2辺のうち、それぞれの短辺が反射体27側となるよう、即ち、環状の内側となるように組み合わされる。
図4の二点鎖線で囲んだ部分に示すように、本実施の形態に係る発光ユニット22におけるLEDチップ220は、LED基板21の側から順に、電極層221、n−SiC基板222、n−GaN層223、発光層224、p−GaN層225および電極層226が積層された構成を有する。LEDチップ220は、下側の電極層221が、AuSn共晶ハンダ(図示を省略。)によりLED基板21における一部の導電ランド211に接合されており、上側の電極層226が他の部分の導電ランド211に対し金属ワイヤ227により接続されている。金属ワイヤ227は、大電流を流すことができる金属、例えば、Au/Al/Cuからなる。
LEDチップ220における電極層221は、例えば、Ni/Ag/Pt/Sn/Auからなり、上記LEDチップ120における電極層122と同様に、高反射層としての機能を有する。一方、電極層226は、例えば、Ni/Auからなる。
3.発光ユニット22の作製
発光ユニット22の作製方法について、図5を用い説明する。
次に、基板200に対し、予め設定された形状の発光ユニット22を切り出すための、スクライブ領域201a、201bに沿って、切り分け(スクライブ)を実行する。このようにして、発光ユニット22が設けられた台形状のLED基板21が形成できる。
4.ランプ2の優位性
ランプ2でも、反射体27を設け、その内方の空間27bに電子部品14cを収納しているので、上記実施の形態1に係るランプ1と同様の優位性を有する。また、本実施の形態に係るランプ2では、反射体27の頂面27c上にも発光ユニット24が取り付けられているので、ランプ1に比べて光量を高くすることができる。
さらに、本実施の形態に係るランプ2では、台形状の平面形状を有するLED基板21を採用することにより、円弧状のLED基板11を採用する上記ランプ1よりも、発光ユニット22の形成に係る部材の無駄を低減することができ、製造コスト面でさらに優位である。
[実施の形態3]
実施の形態3に係るランプ3の構成について、図6を用い説明する。なお、図6においては、上記実施の形態1,2に係るランプ1,2と同一構成の要素に対しては同一符号を付しており、以下では同一構成要素についての説明を省略する。
図6に示すように、本実施の形態に係るランプ3では、反射体37が略平板状をしている。そして、反射体37は、金属基台30における底壁の中央ではなく、外周に近い領域からZ軸方向に対して斜め方向に立設されている。ヒートシンク(金属基台)30には、反射体37よりも右側部分に孔が設けられており、そこから電子部品14cがZ軸方向上方に向けて突出している。点灯回路を構成する他の電子部品14a,14bなどについては、上記同様に、ヒートシンク(金属基台)30の内方の空間30aに収納されている。
ランプ3では、平板状の反射体37を採用し、その設置箇所もヒートシンク30における端面の中央部分ではなく、外周側に偏った箇所となっている。ただし、ランプ3においても、反射体37と透光性カバー18とで形成される空間37bに、突出した電子部品14cが収納されている構成は、上記実施の形態1,2と同様である。即ち、本実施の形態に係るランプ3でも、一部の電子部品14cがヒートシンク30のZ軸方向上側の開口からZ軸方向上側に突出しているが、発光ユニット32との間に反射体37が設けられているので、電子部品14cが影をつくることがない。
2.LED基板31および発光ユニット32の構成
本実施の形態に係るランプ3が備えるLED基板31および発光ユニット32の構成について、図7を用い説明する。図7は、発光ユニット32が実装されたLED基板31を平面視した図である。
なお、本実施の形態に係るランプ3では、LED基板31に実装された複数の発光ユニット32が同心円を描くように配置されている構成を採用したが、必ずしもこのような構成に限定を受けるものではない。例えば、マトリクス状に配してもよい。ただし、発光ユニット32同士での熱の影響を抑えるために、分散配置することが望ましい。
本実施の形態に係るランプ3でも、発光ユニット32と突出した電子部品14cとの間に反射体37を介挿させているので、上記実施の形態1,2に係るランプ1,2と同様の優位性を有する。
また、ランプ3では、反射体37を中央から外周に近い領域に配置することにより、ヒートシンク(金属基台)30のZ軸方向に対して交差する方向(横方向)に出射することができる。例えば、ランプ3を水平方向に取り付ける場合、下向きに光を出射することができる。
[実施の形態4]
実施の形態4に係るランプ4の構成について、図8を用い説明する。なお、図8においては、上記実施の形態1,2,3に係るランプ1,2,3と同一構成の要素に対しては同一符号を付しており、以下では同一構成要素についての説明を省略する。
図8に示すように、本実施の形態に係るランプ4では、上記実施の形態1に係るランプ1と同様に、円錐状の反射体47が金属基台40における開口側に設けられている。ただし、本実施の形態に係るランプ4では、反射体47は金属基台40のZ軸方向上側の端面に取り付けられているのではなく、ベース板43の一方の主面に接合されている。なお、反射体47は、その外周面47aが光反射面となっており、内方の空間47bに一部の電子部品14cが収納されている点は、上記実施の形態1に係るランプ1と同様である。
反射体47は、金属材料などから構成されており、上記実施の形態1に係るランプ1などと同様に、側周壁外面47aが光反射面となっている。そして、反射体47は、ベース板43に対して、接合部材49(例えば、ろう材、あるいは半田など)を介して接合されている。
2.ベース板43および発光ユニット42の構成
ランプ4におけるベース板43および発光ユニット42の構成について、図9(a)を用い説明する。
なお、発光ユニット42の構成については、上記実施の形態1に係る発光ユニット12や、上記実施の形態2に係る発光ユニット22などの構成と同一構成を適用することができる。
ベース板43への反射体47の取り付け方法について、図9(b)を用い説明する。なお、図9(b)では、電子部品14a,14b,14cなどの図示を省略している。
図9(b)に示すように、ベース板43に対する反射体47の取り付けは、ベース板43における接合予定箇所43a1にろう材などの接合部材49(図8を参照。)を設けておき、この箇所43a1に対して、円錐状をした反射体47の開口端辺47dを当接させる。このとき、接合部材49が溶融するように加熱し、温度を低下させることにより反射体47の取り付けが完了する。
4.ランプ4の優位性
本実施の形態に係るランプ4でも、金属基台40におけるZ軸方向上側の開口から点灯回路の一部の電子部品14cが突設され、突設された電子部品14cと発光ユニット42との間に反射体47が介挿されている。このため、本実施の形態に係るランプ4でも、上記実施の形態1,2,3に係るランプ1,2,3と同様の効果を得ることができる。
[その他の事項]
上記実施の形態1,2,3,4に係るランプ1,2,3,4では、発光ユニット12,22,24,32,42の周囲が透光性カバー18で覆われている構成を採用したが、必ずしも上記実施の形態1,2,3,4で示した形態の透光性カバー18を備える必要はない。例えば、発光ユニット12,22,24,32,42毎に水分の侵入などを防止する構成を採用する場合には、透光性カバーの省略を図ることも可能である。
また、上記実施の形態1,2,3,4に係るランプ1,2,3,4では、一例としてエジソン型の給電口金16を採用することとしたが、これに限らず、ピン型の給電口金を採用することも可能である。
また、上記実施の形態1,4に係るランプ1,4などでは、反射体17,47の形状を円錐状としたが、必ずしもこれに限定されるものではない。例えば、単なる円柱状のものを採用することもできるし、表面に凹凸をつけることも可能である。さらに、回転体ではなく、三角柱や四角柱などの多角形断面を有する反射体を採用することも可能である。
10,30,40.ヒートシンク
11,21,23,31.LED基板
12、22,24,32,42.発光ユニット
13.回路基板
14a,14b,14c.回路部品
15.絶縁ケース
16.給電口金
17,27,37,47.反射体
18.透光性カバー
43.ベース板
49.接合部材
111.導電ランド
120,220.LEDチップ
121.バンプ
122,127,221,226.電極層
123,225.p−GaN層
124,224.発光層
125,223.n−GaN層
126.サファイア基板
128,228.波長変換層
201a,201b.スクライブ領域
222.n−SiC基板
227.金属ワイヤ
Claims (9)
- 筒状の基台と、
前記基台の一方の開口を塞ぐ状態に取り付けられた給電口金と、
半導体発光素子を構成中に含み、前記基台における他方の開口側端面に取り付けられた発光ユニットと、
複数の電子部品を含み構成されているとともに、前記給電口金に電気的に接続されており、前記複数の電子部品の内の一部が前記基台の内部に収納され、且つ、残りの電子部品が前記基台における他方の開口から外方に突出する状態で設けられた点灯回路と、
前記発光ユニットと、前記点灯回路における前記他方の開口から突出した電子部品との間に介挿され、前記発光ユニット側の面が光反射面となっている反射体とを有する
ことを特徴とするランプ。 - 前記反射体は、前記基台の筒軸に並行する軸を中心軸とする回転体であって、前記基台の他方の開口の少なくとも一部を塞ぐ状態に設けられており、
前記発光ユニットは、複数の半導体発光素子を有し、
前記複数の半導体発光素子は、前記基台における他方の開口側端面において、前記反射体の周囲を取り囲む状態であって、且つ、互いに間隔をあけて取り付けられており、
前記点灯回路における前記他方の開口から突出した電子部品は、前記反射体の内方に収納されている
ことを特徴とする請求項1に記載のランプ。 - 前記反射体は、前記基台における他方の開口から離れるに従って、断面サイズが大きくなる逆錐台形状を有しており、
前記反射体の頂面上にも、半導体発光素子を構成中に含む発光ユニットが取り付けられている
ことを特徴とする請求項2に記載のランプ。 - 前記基台における他方の開口側端面に取り付けられた発光ユニットは、前記点灯回路と基板を共有している
ことを特徴とする請求項1から3の何れかに記載のランプ。 - 前記基台は、金属材料からなり、筒状をしたヒートシンク部と、当該ヒートシンク部の側周壁を取り囲むように配された絶縁性のカバー部とから構成されており、
前記発光ユニットは、基板に実装され、当該基板を介した状態で前記ヒートシンク部に対して熱結合された状態で取り付けられている
ことを特徴とする請求項1から3の何れかに記載のランプ。 - 前記反射体は、金属材料から構成されており、前記ヒートシンク部に対して熱結合されている
ことを特徴とする請求項5に記載のランプ。 - 前記基台における他方の開口側には、前記発光ユニットおよび前記反射体の外囲を覆うように透光性のカバーが取り付けられている
ことを特徴とする請求項1から6の何れかに記載のランプ。 - 前記カバーの内面には、光拡散層が形成されている
ことを特徴とする請求項7に記載のランプ。 - 前記発光ユニットは、前記半導体発光素子と、その外周を覆うように形成され、前記半導体発光素子からの出射光の波長を変換する波長変換層とにより構成されている
ことを特徴とする請求項1から8の何れかに記載のランプ。
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