JP2010040562A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】PINダイオードは、n-ドリフト層6、pアノード層8、nバッファ層12、n+層16、表面電極および裏面電極を備えている。n+層16の不純物濃度は、階段状のプロファイルを有し、第2主表面から所定の深さにわたりほぼ一定とされる。nバッファ層12の不純物濃度は、n+層16からn-ドリフト層6にかけて緩やかに減少する。n-ドリフト層6の不純物濃度は、半導体基板の不純物濃度を反映して、深さ方向に対してほぼ一定となる。pアノード層8の不純物濃度は、第1主表面からn-ドリフト層6にかけて比較的急峻に減少する。
【選択図】図3
Description
ここでは、カソード側に、階段状の不純物濃度プロファイルを有するn+層を備えたPINダイオードについて説明する。
ここでは、n+層が選択的に形成されたPINダイオードについて説明する。図37に示すように、本PINダイオード2では、n+層16は選択的に形成されている。裏面電極18は、n+層16とnバッファ層12に接触するように形成されている。なお、これ以外の構成については、図2に示すPINダイオードと同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を省略する。
ここでは、階段状の不純物濃度プロファイルを有するp+層がアノード側に形成されたPINダイオードについて説明する。図49に示すように、PINダイオード2は、n-ドリフト層6、p+層10、nバッファ層12、n+層16、表面電極14および裏面電極18を備えている。p+層10は、n型の半導体基板4の第1主表面から所定の深さにわたり形成されている。そのp+層10を取り囲むように、第1主表面上にシリコン酸化膜9が形成されている。表面電極14は、p+層10の表面に接触するようにp+層10の表面上に形成されている。
ここでは、階段状の不純物濃度プロファイルを有するp+層がpアノード層に形成されたPINダイオードについて説明する。図58に示すように、本PINダイオード2では、半導体基板4の第1主表面に表面から所定の深さにわたりp+層10が形成され、そのp+層10を側方と下方から取り囲むようにpアノード層8が形成されている。なお、これ以外の構成については、図49に示すPINダイオードと同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を省略する。
ここでは、階段状の不純物濃度プロファイルを有するp+層が選択に形成されたPINダイオードについて説明する。図67に示すように、本PINダイオード2では、p+層10は選択的に形成されている。表面電極14は、p+層10とpアノード層8に接触するように形成されている。なお、これ以外の構成については、図62に示すPINダイオードと同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を省略する。
Claims (20)
- 互いに対向する第1主表面および第2主表面を有する第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1主表面側に形成された第2導電型のアノード部と、
前記半導体基板の前記第2主表面側に形成された第1導電型のカソード部と、
前記アノード部および前記カソード部の少なくとも一方に形成され、前記半導体基板の表面から第1の深さにわたり対応する所定導電型の不純物を導入し、前記表面から前記所定導電型の不純物が導入された前記半導体基板の領域を含む、前記第1の深さよりも深い第2の深さにわたる所定の領域を溶融することにより、前記表面から前記第2の深さにわたって前記所定導電型の不純物の濃度を均一にした階段状の不純物濃度プロファイルを有する階段状不純物層と
を備えた、半導体装置。 - 前記階段状不純物層は前記カソード部に形成された、請求項1記載の半導体装置。
- 前記アノード部の不純物濃度と前記階段状不純物層の不純物濃度によって、順バイアス状態におけるオン抵抗が調整される、請求項2記載の半導体装置。
- オン状態では、前記アノード部の側のキャリア濃度よりも前記カソード部の側のキャリア濃度が高くなるように不純物濃度が調整された、請求項2記載の半導体装置。
- 前記階段状不純物層は前記第2主表面において選択的に形成された、請求項2〜4のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記カソード部は、前記階段状不純物層と前記第1導電型の前記半導体基板の領域との間に形成され、前記階段状不純物層から前記半導体基板の領域にわたり第1導電型の不純物濃度が徐々に減少するバッファ層を含む、請求項2〜5のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記半導体基板の領域と前記バッファ層との境界部分において、オン状態におけるキャリア濃度が、前記境界部分における不純物濃度に対して最も高くなるように設定された、請求項6記載の半導体装置。
- 前記アノード部は、不純物濃度が前記第1主表面から所定の深さにかけて徐々に減少するように形成された、請求項2〜7のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記階段状不純物層は前記アノード部に形成された、請求項1記載の半導体装置。
- 前記アノード部は、前記階段状不純物層と前記第1導電型の前記半導体基板の領域との間に形成され、前記階段状不純物層から前記半導体基板の領域にわたり第2導電型の不純物濃度が徐々に減少するアノード層を含む、請求項9記載の半導体装置。
- 前記階段状不純物層は、前記第1主表面において選択的に形成された、請求項9または10に記載の半導体装置。
- 前記階段状不純物層は、前記カソード部にカソード側階段状不純物層として形成され、前記アノード部にアノード側階段状不純物層として形成された、請求項1記載の半導体装置。
- 前記アノード部は、前記アノード側階段状不純物層と前記第1導電型の前記半導体基板の領域との間に形成され、前記アノード側階段状不純物層から前記半導体基板の領域にわたり第2導電型の不純物濃度が徐々に減少するアノード層を含み、
前記カソード部は、前記カソード側階段状不純物層と前記第1導電型の前記半導体基板の領域との間に形成され、前記カソード側階段状不純物層から前記半導体基板の領域にわたり第1導電型の不純物濃度が徐々に減少するバッファ層を含む、請求項12記載の半導体装置。 - 第1導電型の半導体基板の第1主表面側にアノード部を形成する工程と、
前記半導体基板の前記第1主表面と対向する第2主表面側にカソード部を形成する工程と
を備え、
前記アノード部を形成する工程および前記カソード部を形成する工程の少なくともいずれかの工程は、
前記半導体基板の表面に、前記表面から第1の深さにわたり対応する所定導電型の不純物を導入する工程と、
前記表面から前記所定導電型の不純物が導入された前記半導体基板の領域を含む、前記第1の深さよりも深い第2の深さにわたる所定の領域を溶融することにより、前記表面から前記第2の深さにわたって前記所定導電型の不純物の濃度を均一にして階段状の不純物濃度プロファイルを有する階段状不純物層を形成する階段状不純物層形成工程と
を備えた、半導体装置の製造方法。 - 前記階段状不純物層形成工程では、前記階段状不純物層は第1導電型の階段状不純物層として前記第2表面側に形成される、請求項14記載の半導体装置の製造方法。
- 前記カソード部を形成する工程は、
前記第2主表面から第1導電型の不純物を導入する工程と、
熱処理を施すことにより、前記第2主表面から所定の深さにわたり不純物濃度が徐々に減少する第1導電型のバッファ層を形成する工程と
を備え、
前記階段状不純物層形成工程は、前記バッファ層を形成する工程の後に行なわれる、請求項15記載の半導体装置の製造方法。 - 前記階段状不純物層形成工程では、前記階段状不純物層は第2導電型の階段状不純物層として前記第1表面側に形成される、請求項14記載の半導体装置の製造方法。
- 前記アノード部を形成する工程は、
前記第1主表面から第2導電型の不純物を導入する工程と、
熱処理を施すことにより、前記第1主表面から所定の深さにわたり不純物濃度が徐々に減少する第2導電型のアノード層を形成する工程と
を備え、
前記階段状不純物層形成工程は、前記アノード層を形成する工程の後に行なわれる、請求項17記載の半導体装置の製造方法。 - 前記階段状不純物層形成工程は、
前記階段状不純物層を第2導電型の階段状不純物層として前記第1表面側に形成する工程と、
前記階段状不純物層を第1導電型の階段状不純物層として前記第2表面側に形成する工程と
を含む、請求項14記載の半導体装置の製造方法。 - 前記カソード部を形成する工程は、
前記第2主表面から第1導電型の不純物を導入する工程と、
熱処理を施すことにより、前記第2主表面から所定の深さにわたり不純物濃度が徐々に減少する第1導電型のバッファ層を形成する工程と
を含み、
前記アノード部を形成する工程は、
前記第1主表面から第2導電型の不純物を導入する工程と、
熱処理を施すことにより、前記第1主表面から所定の深さにわたり不純物濃度が徐々に減少する第2導電型のアノード層を形成する工程と
を含み、
前記階段状不純物層形成工程は、前記バッファ層を形成する工程の後に行なわれ、
前記階段状不純物層形成工程は、前記アノード層を形成する工程の後に行なわれる、請求項19記載の半導体装置の製造方法。
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