JP2008251679A - ダイオード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1電極と、該第1の電極上に積層した第1導電型の第1半導体層1と、該第1半導体層上に積層した第1導電型の第2半導体層2と、該第2半導体層上に積層した第1導電型の第3半導体層3と、該第3半導体層上に積層した第2導電型の第4半導体層4と、該第4半導体層上に積層した第2電極を備え、前記第2半導体層の層厚は30μm以上である。
【選択図】図1
Description
図17は、特許文献1に示されるダイオードの断面図を示す図である。n+層と第1のn−層n−(1)の間にn+より不純物濃度が低く、且つ第1のn−層より不純物濃度が高く、且つ少数キャリアライフタイムが第一のn−層とほぼ同等の第2のn−層n−(2)を設けたものである。
2 n層
3 n−層
4 p層
5 p層
10 カソード電極
11 アノード電極
11a N−層
12a N層
13 N+層
14 p層
15 アノード電極
16 カソード電極
Claims (14)
- 第1電極と、該第1の電極上に積層した第1導電型の第1半導体層と、該第1半導体層上に積層した第1導電型の第2半導体層と、該第2半導体層上に積層した第1導電型の第3半導体層と、該第3半導体層上に積層した第2導電型の第4半導体層と、該第4半導体層上に積層した第2電極を備え、前記第2半導体層の層厚は30μm以上であることを特徴とするダイオード。
- 第1電極と、該第1の電極上に積層した第1導電型の第1半導体層と、該第1半導体層上に積層した第1導電型の第2半導体層と、該第2半導体層上に積層した第1導電型の第3半導体層と、該第3半導体層上に積層した第2導電型の第4半導体層と、該第4半導体層上に積層した第2電極を備え、前記第3半導体層の抵抗率は25ないし100Ωcm、層厚は30ないし50μmであり、前記第2半導体層の抵抗率は2Ωcmより大きく且つ前記第3半導体層の抵抗率より小さく、層厚は30μm以上であることを特徴とする特徴とするダイオード。
- 請求項1記載のダイオードにおいて、
前記第3半導体層の抵抗率は25ないし100Ωcm、層厚は30μmないし50μmであり、前記第2半導体層の抵抗率は2Ωcmより大きく且つ前記第3半導体層の抵抗率より小さく、厚さが30ないし50μmの範囲であることを特徴とするダイオード。 - 請求項1記載のダイオードにおいて、
前記第3半導体層の抵抗率は45ないし200Ωcm、層厚は60μmないし110μmであり、前記第2半導体層の抵抗率は2Ωcmより大きく且つ前記第3半導体層の抵抗率より小さく、層厚は30ないし60μmであることを特徴とするダイオード。 - 請求項1記載のダイオードにおいて、
前記第3半導体層の抵抗率は100ないし300Ωcm、層厚は150μmないし280μmであり、前記第2半導体層の抵抗率は2Ωcmより大きく且つ前記第3半導体層の抵抗率より小さく、層厚は30ないし60μmであることを特徴とするダイオード。 - 請求項1記載のダイオードにおいて、
前記第3半導体層の抵抗率は180ないし500Ωcm、層厚は250μmないし350μmであり、前記第2半導体層の抵抗率は2Ωcmより大きく且つ前記第3半導体層の抵抗率より小さく、層厚は30ないし60μmであることを特徴とするダイオード。 - 請求項1記載のダイオードにおいて、
前記第3半導体層の抵抗率は200ないし600Ωcm、層厚は280μmないし370μmであり、前記第2半導体層の抵抗率は2Ωcmより大きく且つ前記第3半導体層の抵抗率より小さく、層厚は30ないし60μmであることを特徴とするダイオード。 - 請求項1記載のダイオードにおいて、
前記第3半導体層の抵抗率は300ないし800Ωcm、層厚は400μmないし590μmであり、前記第2半導体層の抵抗率は2Ωcmより大きく且つ前記第3半導体層の抵抗率より小さく、層厚は30ないし60μmであることを特徴とするダイオード。 - 請求項1記載のダイオードにおいて、
前記第3半導体層の抵抗率は400ないし1000Ωcm、層厚は550μmないし760μmであり、前記第2半導体層の抵抗率は2Ωcmより大きく且つ前記第3半導体層の抵抗率より小さく、層厚は30ないし60μmであることを特徴とするダイオード。 - 請求項1記載のダイオードにおいて、
前記第4半導体層の層厚は電子の拡散長以下であることを特徴とするダイオード。 - 請求項1記載のダイオードにおいて、
前記第4半導体層の層厚は0.3μmないし7μmであることを特徴とするダイオード。 - 請求項1記載のダイオードにおいて、
前記第4半導体層と前記第3半導体層との接合部近傍のキャリアライフタイムを、前記第2半導体層よりも短くすることを特徴とするダイオード。 - 請求項1記載のダイオードにおいて、
前記第2半導体層の不純物濃度はカソードからアノードに向かって低くなる分布をしていることを特徴とするダイオード。 - 第1電極と、該第1の電極上に積層した第1導電型の第1半導体層と、該第1半導体層上に積層した第1導電型の第2半導体層と、該第2半導体層上に積層した第1導電型の第3半導体層と、該第3半導体層上に積層した第2導電型の第4半導体層と、該第4半導体層上に積層した第2電極を有し、前記第3半導体の層厚は30μm以上であるダイオードを備えたことを特徴とするパワーモジュール。
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- 2007-03-29 JP JP2007088716A patent/JP2008251679A/ja active Pending
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