JP2010026839A - 多層基板解析装置、多層基板解析プログラム及び方法、電子装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 より正確な多層基板の反り解析を行うことができる技術を提供する。
【解決手段】 複数種類の層からなる多層基板の構造を示す構造データを分割した領域のそれぞれに対して、それぞれの領域内の材料の種類に応じた物性値を割り当てる割り当て部と、割り当て部により物性値が割り当てられた領域のうち、所定の領域が属する層が複数種類の層における所定の種類の層かどうかを判断する判断部と、判断部により、所定の領域が属する層が所定の種類の層と判断された場合、割り当て部により所定の領域に割り当てられた物性値を変更する物性値変更部とを備えた。
【選択図】 図３

Description

本発明は多層基板の反り解析に関するものである。

複数の基板からなる多層基板は、配線層ごとの配線パターンと配線率、多層の基板において層間を接続するメッキ穴である層間ビアの配置、ソルダーレジストの配置、定尺ミシン目の配置などを主要因として、リフローはんだ付け工程のような熱荷重の加わる工程で反りを生じる。従来、このような反りを多層基板の配線設計の段階で数値シミュレーションを用いて予測し、この予測に基づいて多層基板の設計にフィードバックをかけることで、反りの少ない多層基板を提供する技術（反り解析）が知られている。また、この反り解析において、多層基板の設計情報である配線ＣＡＤ（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ａｉｄｅｄ Ｄｅｓｉｇｎ）データに基づいて、配線層ごとの配線パターン、層間ビアの配置、ソルダーレジストの配置、定尺ミシン目の配置を反映させた構造解析メッシュ（以下、ＦＥ（Ｆｉｎｉｔｅ Ｅｌｅｍｅｎｔ）メッシュ）データを生成する技術が知られている。

以下、従来のＦＥメッシュの生成について図を用いて説明する。図１６〜１８は、従来のＦＥメッシュの生成方法を示す図である。

まず、図１６に示すように、配線ＣＡＤデータに基づいて、配線形状（図１６においては導体と空気の位置）を格子状のグリッドに差分化する。次に、図１７に示すように、所定数のグリッドからなるＦＥメッシュを用意し、ＦＥメッシュ内の導体、または空気（穴）の含有率を算出する。そして、図１８に示すように、算出された含有率が所定の閾値以上であるＦＥメッシュを導体、または空気の存在箇所とする。このように生成されたＦＥメッシュに基づいて、従来は反り解析が行われていた。

なお、本発明の関連ある従来技術として、多層配線基板の外形などを示すモデルデータに基づいて多層配線基板を複数に分割する任意形状の複数の要素ｎを作成し、次に多層配線基板に形成される配線パターンＰのデータと各要素ｎとを比較して各層、各要素毎に配線パターンＰの占める割合を残銅率により算出し、次に各要素毎の残銅率に基づいて各層、各要素毎の機械的な物性値に基づいて多層配線基板の反りを解析する基板の反り解析方法及びそのシステム、基板の反り解析プログラムが知られている（例えば、特許文献１参照）。

また、層内の材質が不均一な板状体を積層した解析対象物の外形、各層の組成に基づいて各層ごとの単層モデルを生成し、各層ごとの単層モデルを、解析対象物の各層のそれぞれの厚み情報を用いて積層シェルモデルを生成し、積層シェルモデルから中立面を計算し、中立面に境界条件を与えてその変形した中立面を計算し、中立面の変形に厚み情報を用いて積層シェルモデルの変形を計算する板状体解析方法が知られている（例えば、特許文献２参照）
特開２００４−１３４３７号公報 特開２００６−３９６９２号公報

しかしながら、従来のＦＥメッシュにおいては、配線層と絶縁層のビアの両者とも導体（例えば銅）については同じ物性値（例えば、ヤング率、ポアソン比、熱膨張係数）が割り当てられていた。絶縁層のビアの銅は均一にはメッキされない場合があるため、配線層と絶縁層のビアの導体に対して同じ物性値が割り当てられていることにより、反り解析における数値シミュレーションを正確に行うことができないという問題がある。また、正確ではない反り解析に基づいて最適化された多層基板を備えた電子装置において不具合が生じる可能性がある。

本発明は、上述した問題点を解決するためになされたものであり、より正確な多層基板の反り解析を行うことができる多層基板解析装置、多層基板解析プログラム及び方法、電子装置を提供することを目的としている。

上述した課題を解決するため、多層基板解析装置は、複数種類の層からなる多層基板の構造を示す構造データを分割した領域のそれぞれに対して、それぞれの領域内の材料の種類に応じた物性値を割り当てる割り当て部と、前記物性値が割り当てられた領域のうち、所定の領域が属する層が前記複数種類の層における所定の種類の層かどうかを判断する判断部と、前記判断部により、前記所定の領域が属する層が所定の種類の層と判断された場合、前記割り当て部により前記所定の領域に割り当てられた物性値を変更する物性値変更部とを備える。

また、多層基板解析プログラムは、複数種類の層からなる多層基板の構造を示す構造データを分割した領域のそれぞれに対して、それぞれの領域内の材料の種類に応じた物性値を割り当てる割り当てステップと、前記物性値が割り当てられた領域のうち、所定の領域が属する層が前記複数種類の層における所定の種類の層かどうかを判断する判断ステップと、前記判断ステップにより、前記所定の領域が属する層が所定の種類の層と判断された場合、前記割り当てステップにより前記所定の領域に割り当てられた物性値を変更する物性値変更ステップとをコンピュータに実行させる。

また、多層基板解析方法は、複数種類の層からなる多層基板の構造を示す構造データを分割した領域のそれぞれに対して、それぞれの領域内の材料の種類に応じた物性値を割り当てる割り当てステップと、前記物性値が割り当てられた領域のうち、所定の領域が属する層が前記複数種類の層における所定の種類の層かどうかを判断する判断ステップと、前記判断ステップにより、前記所定の領域が属する層が所定の種類の層と判断された場合、前記割り当てステップにより前記所定の領域に割り当てられた物性値を変更する物性値変更ステップとを備える。

また、電子装置は、上述の多層基板解析方法を用いて解析され、該解析に基づいて最適化された多層基板により構成される。

本発明によれば、より正確な多層基板の反り解析を行うことができるという効果を奏する。

以下、本発明の実施の形態について図を用いて説明する。まず、本実施の形態における反り解析の解析対象としての一般的なビルドアップ基板の製造プロセスについて説明する。図１及び２は、ビルドアップ基板の製造プロセスを示す図である。

まず、絶縁材（ＦＲ４など）による絶縁層がコア層として用意され（Ｓ１０１）、このコア層の両面に配線層としての銅メッキが施される（Ｓ１０２）。銅メッキが施された基板に対して、ビアを設ける部分にドリルでφ０．５ｍｍ程度の穴が空けられ（Ｓ１０３）、この穴に銅によるビアメッキが施され、内部が絶縁体で埋められる（Ｓ１０４）。なお、この穴に対するメッキには、均一にメッキが着かず、厚み方向の中心位置（図においてはコア層寄りの位置）のメッキが薄くなる。また、この穴に施されるメッキは配線層に施されるメッキとは異なるものである。穴に対してメッキが施された基板の両面にビルドアップ用の樹脂材料が絶縁層（ＢＵ層）として着けられる（Ｓ１０５）。

次に、ＢＵ層が着けられた基板に対して、ビア穴を作成するために、図２に示すように、レーザを用いてビルドアップ用樹脂材料（図２においては、基板上部のＢＵ層）に穴が空けられる（Ｓ１０６）。なお、この穴は一般的には台形になる。さらに、上部ＢＵ層に穴が空けられた基板の両面のＢＵ層に対して、配線層として銅メッキが施される（Ｓ１０７）。なお、この際、ビア用の穴も銅メッキにより埋められ、穴埋めされた部分はＢＵ層に空けられた穴の形状のように台形になる。また、さらに基板の層を重ねる場合は、ステップＳ１０５〜Ｓ１０７の処理を繰り返す。最後に、ＢＵ層に銅メッキが施された基板の両面に対して、レジスト層としてレジスト材料を着ける（Ｓ１０８）。以降、このようにして製造される９層のビルドアップ基板を、本実施の形態における解析対象基板（多層基板９）とする。なお、基板へのメッキは銅以外の導体によるものであっても構わない。

次に、本実施の形態に係る多層基板解析装置について説明する。図３は、本実施の形態に係る多層基板解析装置の構成を示すブロック図である。また、図４は、物性値情報を示す図である。

本実施の形態に係る多層基板解析装置１０は、入力部１０１、メッシュ作成部１０２（割り当て部、判断部、物性値変更部）、解析部１０３、物性値データベース１０４、ＣＰＵ１０８、メモリ１０９を備えるものである。入力部１０１は、多層基板９の構造を示す設計情報である配線ＣＡＤデータ（構造データ）が入力されるものである。また、メッシュ作成部１０２は、入力部１０１に入力された多層基板９の配線ＣＡＤデータに基づいて、解析用メッシュ（グリッドメッシュ）を作成するものである。また、解析部１０３は、メッシュ作成部１０２により作成された解析用メッシュに基づいて、反り解析を行うものである。なお、入力部１０１、メッシュ作成部１０２、解析部１０３における処理は全てＣＰＵ１０８、メモリ１０９により実行されるものとする。また、物性値データベースは、メッシュ作成部１０２において用いられる物性値情報を格納するものである。この物性値情報は、図４に示すように、材料名称、各温度におけるヤング率及びポアソン比、熱膨張係数が対応づけられた情報であり、各材料のそれぞれに用意されている情報である。

次に、本実施の形態に係る多層基板解析装置におけるメッシュ作成部１０２の動作について説明する。図５は、メッシュ作成部の動作を示すフローチャートである。なお、この図において、すでに入力部に多層基板９の配線ＣＡＤデータが入力されているものとする。

まず、メッシュ作成部１０２は、入力部１０２に入力された配線ＣＡＤデータに基づいて、解析用メッシュを作成する（Ｓ２０１）。

ここで解析用メッシュについて説明する。図６は、３次元メッシュモデルを示す図である。また、図７は、積層シェルモデルを示す図である。図６に示す解析用メッシュとしての３次元メッシュモデルは、多層基板９の配線ＣＡＤデータに基いた配線形状が格子状のグリッドに差分化されたグリッドに基づくものである。つまり、多層基板の配線ＣＡＤデータの各層を複数の領域に分割するものである。具体的には背景技術において示したように、メッシュ作成部１０２が、所定数のグリッドからなるＦＥメッシュを用意し、ＦＥメッシュ内の導体、または空気（穴）の含有率を算出し、算出した含有率が所定の閾値以上であるＦＥメッシュにおける領域を導体、または空気の存在箇所としたものである。また、この３次元メッシュモデルの厚さは、計算負荷の軽減のため、所定数のメッシュに固定される。例えば、図６に示す３次元メッシュにおいて、各層の厚さは全て１単位数となっている。また、解析用メッシュは、図７に示すような積層シェルモデルと呼ばれる各層の厚みを考慮しない２次元メッシュの重ね合わせにより構成されても良く、本実施の形態において、多層基板解析装置１０は、この積層シェルモデルによる解析用メッシュを用いるものとする。

また、この解析用メッシュにおけるそれぞれのメッシュ（以下、メッシュと呼称する）にはメッシュ通し番号とエッジ座標が付加される。以下、メッシュ通し番号及びエッジ座標について説明する。図８は、メッシュ通し番号及びエッジ座標を示す図である。また、図９は、メッシュ通し番号とエッジ座標との対応を示す図である。図８に示すように、それぞれのメッシュにはｘ軸（多層基板９の幅方向）、ｙ軸（多層基板９の奥行き方向）、ｚ軸（多層基板９の厚み方向）順にメッシュ通し番号が付加されるとともに、メッシュの四隅のそれぞれに対してエッジ座標が割り当てられる。また、このメッシュ通し番号とエッジ座標は図９に示すように対応付けられる。

次に、メッシュ作成部１０２は、図５に示すように、解析用メッシュにおけるそれぞれのメッシュを層、材料毎に分類する（Ｓ２０２、判断ステップ）。

ここで層、材料の分類方法について説明する。すでに説明したように、多層基板は、一般的にコア層と呼ばれる層を中心として、このコア層の厚さ方向に対称に配線層と絶縁層が堆積され、両表面はレジスト層により構成される。メッシュ作成部１０２は、この構成を利用して層の分類を行う。図１０は、層の分類方法を示す図である。まず、図１０に示すように、基板の厚さ方向における最下部の層から順番に基板を数えた場合、メッシュ作成部１０２は、解析用メッシュの全層数をｎとし、１層目、ｎ層目（図１０においては、９層目）をレジスト層とする。また、メッシュ作成部１０２は、基板の厚さ方向における最下部の層から数えて偶数となる層を配線層とし、配線層の厚さ方向における最下部の層から順番にＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４とする。また、メッシュ作成部１０２は、基板の厚さ方向における最下部の層から数えて奇数となる層を絶縁層とする。なお、基板の解析において、コア層と他の絶縁層を区別する必要がある場合、メッシュ作成部１０２は、基板の全層数ｎを２で除算した値の整数部に１を加えた層（多層基板９においては９／２の整数部＋１＝５層目）をコア層（中心絶縁層）とする。

メッシュ作成部１０２は、このように多層基板の層の種類を分類するとともに、解析用メッシュを各層における材料毎に分類する。具体的には、すでに作成されたメッシュの通し番号を、そのメッシュが構成する層及び材料により分類する。図１１は、層及び材料別の分類の一例を示す図である。図１１に示すように、メッシュ作成部１０２は、配線層（Ｌ１）において材料が導体であるメッシュの通し番号と、これらのメッシュを示すグループの名称“ＣＵ＿Ｌ０１”とを対応付ける。また同様に、メッシュ作成部１０２は、Ｌ１層とＬ２層との間の絶縁層において材料が導体であるメッシュの通し番号と、これらのメッシュを示すグループの名称“ＣＵ＿Ｌ０１Ｌ０２”とを対応付ける。

上述したような層と材料の分類を終えると、メッシュ作成部１０２は、図５に示すように、物性値データベース１０４を参照し、解析用メッシュに材料の物性値を割り当てる（Ｓ２０３、割り当てステップ）。具体的には、グループに割り当てられた物性値を示す図である図１２に示すように、解析部１０３により解析可能なフォーマットにより、グループ名称と、グループに対応する物性値を表現する。なお、解析用メッシュを多層基板解析装置１０が作成し、解析は外部ソフトウェアにより行われても良く、この場合、メッシュ作成部１０２は、外部ソフトウェアにより読み込み可能なフォーマットによりグループ名称と、グループに対応する物性値を表現する。

上述したように解析用メッシュに材料物性を割り当てると、メッシュ作成部１０３は、解析用メッシュにおいて未選択の層を選択し（Ｓ２０４）、選択した層が絶縁層かどうかを判断する（Ｓ２０５、判断ステップ）。

選択した層が絶縁層である場合（Ｓ２０５，ＹＥＳ）、メッシュ作成部１０３は、選択した層の導体のヤング率を９０％に設定する（Ｓ２０６、物性値変更ステップ）。

ここでヤング率の変更について説明する。図１３は多層基板の断面に解析用メッシュを重ねた状態を示す図である。また、図１４は、ヤング率が変更されたグループとその物性値を示す図である。図１３に示すように、絶縁層におけるメッシュ内のメッキは、配線層におけるメッシュ内の同じ種類の導体によるメッキ（つまり、ビアメッキ）とその形状が実際には異なり、これにより解析において考慮すべき物性値（本実施の形態においてはヤング率）も当然異なる。よって、図１４に示すように、配線層におけるヤング率を９０％に設定する。図１４に示すグループ（ＣＵ＿Ｌ０１Ｌ０２）の材料は、図１２に示したグループ（ＣＵ＿Ｌ０１）の材料と同様である。しかし、ＣＵ＿Ｌ０１Ｌ０２のヤング率は、ＣＵ＿Ｌ０１のヤング率の９０％に設定されている。なお、物性値の変更は、例えば所定の値を増減するなど、どのように行われても良い。また、変更すべき物性値の種類はヤング率に限らず、本実施の形態は一例に過ぎない。

上述したように、導体のヤング率を変更すると、メッシュ作成部１０２は、解析用メッシュにおいて未選択の層があるかどうかを判断する（Ｓ２０７）。

解析用メッシュにおいて未選択の層がない場合（Ｓ２０７，ＮＯ）、メッシュ作成部１０２は、処理を終了する。

一方、解析用メッシュにおいて未選択の層がある場合（Ｓ２０７，ＹＥＳ）、メッシュ作成部１０２は、再度、解析用メッシュにおいて未選択の層を選択する（Ｓ２０４）。

また、ステップＳ２０５において、選択した層が絶縁層ではない場合（Ｓ２０５，ＮＯ）、メッシュ作成部１０２は、再度、解析用メッシュにおいて未選択の層があるかどうかを判断する（Ｓ２０７）。

このように、構成するそれぞれのメッシュに適切な物性値が与えられた解析用メッシュを用いて、解析部１０３は多層基板９に対する反り解析を行い、この解析結果は多層基板９の設計情報にフィードバックされる。

上述したように、解析対象とする多層基板９において、絶縁体における導体の物性値を変更することによって、より正確な多層基板９の解析を行うことができる。また、より精度の高い解析に基づいて最適化された多層基板９により電子装置を構成することによって、より不具合の少ない電子装置を製造することができる。

本発明は、その要旨または主要な特徴から逸脱することなく、他の様々な形で実施することができる。そのため、前述の実施の形態は、あらゆる点で単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、何ら拘束されない。更に、特許請求の範囲の均等範囲に属する全ての変形、様々な改良、代替および改質は、全て本発明の範囲内のものである。

なお、本発明は以下に示すようなコンピュータシステムにおいて適用可能である。図１５は、本発明が適用されるコンピュータシステムの一例を示す図である。図１５に示すコンピュータシステム９００は、ＣＰＵやディスクドライブ等を内蔵した本体部９０１、本体部９０１からの指示により画像を表示するディスプレイ９０２、コンピュータシステム９００に種々の情報を入力するためのキーボード９０３、ディスプレイ９０２の表示画面９０２ａ上の任意の位置を指定するマウス９０４及び外部のデータベース等にアクセスして他のコンピュータシステムに記憶されているプログラム等をダウンロードする通信装置９０５を有する。通信装置９０５は、ネットワーク通信カード、モデムなどが考えられる。

上述したような、多層基板解析装置を構成するコンピュータシステムにおいて上述した各ステップを実行させるプログラムを、多層基板解析プログラムとして提供することができる。このプログラムは、コンピュータシステムにより読取り可能な記録媒体に記憶させることによって、多層基板解析装置を構成するコンピュータシステムに実行させることが可能となる。上述した各ステップを実行するプログラムは、ディスク９１０等の可搬型記録媒体に格納されるか、通信装置９０５により他のコンピュータシステムの記録媒体９０６からダウンロードされる。また、コンピュータシステム９００に少なくとも解析機能を持たせる多層基板解析プログラム（多層基板解析ソフトウェア）は、コンピュータシステム９００に入力されてコンパイルされる。このプログラムは、コンピュータシステム９００を解析機能を有する解析システムとして動作させる。また、このプログラムは、例えばディスク９１０等のコンピュータ読み取り可能な記録媒体に格納されていても良い。ここで、コンピュータシステム９００により読取り可能な記録媒体としては、ＲＯＭやＲＡＭ等のコンピュータに内部実装される内部記憶装置、ディスク１１０やフレキシブルディスク、ＤＶＤディスク、光磁気ディスク、ＩＣカード等の可搬型記憶媒体や、コンピュータプログラムを保持するデータベース、或いは、他のコンピュータシステム並びにそのデータベースや、通信装置１０５のような通信手段を介して接続されるコンピュータシステムでアクセス可能な各種記録媒体を含む。

以上、本実施の形態によれば、以下の付記で示す技術的思想が開示されている。
（付記１） 複数種類の層からなる多層基板の構造を示す構造データを分割した領域のそれぞれに対して、それぞれの領域内の材料の種類に応じた物性値を割り当てる割り当て部と、
前記物性値が割り当てられた領域のうち、所定の領域が属する層が前記複数種類の層における所定の種類の層かどうかを判断する判断部と、
前記判断部により、前記所定の領域が属する層が所定の種類の層と判断された場合、前記割り当て部により前記所定の領域に割り当てられた物性値を変更する物性値変更部と
を備える多層基板解析装置。
（付記２） 付記１に記載の多層基板解析装置において、
前記所定の種類の層は、絶縁層であることを特徴とする多層基板解析装置。
（付記３） 付記１に記載の多層基板解析装置において、
前記所定の領域は、領域内の材料の種類が導体である領域であることを特徴とする多層基板解析装置。
（付記４） 付記１に記載の多層基板解析装置において、
前記物性値変更部は、前記割り当て部により割り当てられた物性値に基づいた演算値を前記所定の領域の物性値とすることを特徴とする多層基板解析装置。
（付記５） 付記１に記載の多層基板解析装置において、
前記判断部は、前記多層基板における層の順序に基づいて、所定の領域が属する層が前記複数種類の層における所定の種類の層かどうかを判断することを特徴とする多層基板解析装置。
（付記６） 付記１に記載の多層基板解析装置において、
前記物性値はヤング率であることを特徴とする多層基板解析装置。
（付記７） 付記１に記載の多層基板解析装置において、
前記構造データの分割は、グリッドメッシュによってなされることを特徴とする多層基板解析装置。
（付記８） 複数種類の層からなる多層基板の構造を示す構造データを分割した領域のそれぞれに対して、それぞれの領域内の材料の種類に応じた物性値を割り当てる割り当てステップと、
前記物性値が割り当てられた領域のうち、所定の領域が属する層が前記複数種類の層における所定の種類の層かどうかを判断する判断ステップと、
前記判断ステップにより、前記所定の領域が属する層が所定の種類の層と判断された場合、前記割り当てステップにより前記所定の領域に割り当てられた物性値を変更する物性値変更ステップと
をコンピュータに実行させる多層基板解析プログラム。
（付記９） 付記８に記載の多層基板解析プログラムにおいて、
前記所定の種類の層は、絶縁層であることを特徴とする多層基板解析プログラム。
（付記１０） 付記８に記載の多層基板解析プログラムにおいて、
前記所定の領域は、領域内の材料の種類が導体である領域であることを特徴とする多層基板解析プログラム。
（付記１１） 付記８に記載の多層基板解析プログラムにおいて、
前記物性値変更ステップは、前記割り当てステップにより割り当てられた物性値に基づいた演算値を前記所定の領域の物性値とすることを特徴とする多層基板解析プログラム。
（付記１２） 付記８に記載の多層基板解析プログラムにおいて、
前記判断ステップは、前記多層基板における層の順序に基づいて、所定の領域が属する層が前記複数種類の層における所定の種類の層かどうかを判断することを特徴とする多層基板解析プログラム。
（付記１３） 付記８に記載の多層基板解析プログラムにおいて、
前記物性値はヤング率であることを特徴とする多層基板解析プログラム。
（付記１４） 付記８に記載の多層基板解析プログラムにおいて、
前記構造データの分割は、グリッドメッシュによってなされることを特徴とする多層基板解析プログラム。
（付記１５） 複数種類の層からなる多層基板の構造を示す構造データを分割した領域のそれぞれに対して、それぞれの領域内の材料の種類に応じた物性値を割り当てる割り当てステップと、
前記物性値が割り当てられた領域のうち、所定の領域が属する層が前記複数種類の層における所定の種類の層かどうかを判断する判断ステップと、
前記判断ステップにより、前記所定の領域が属する層が所定の種類の層と判断された場合、前記割り当てステップにより前記所定の領域に割り当てられた物性値を変更する物性値変更ステップと
を備える多層基板解析方法。
（付記１６） 付記１５に記載の多層基板解析方法において、
前記所定の種類の層は、絶縁層であることを特徴とする多層基板解析方法。
（付記１７） 付記１５に記載の多層基板解析方法において、
前記所定の領域は、領域内の材料の種類が導体である領域であることを特徴とする多層基板解析方法。
（付記１８） 付記１５に記載の多層基板解析方法において、
前記物性値変更ステップは、前記割り当てステップにより割り当てられた物性値に基づいた演算値を前記所定の領域の物性値とすることを特徴とする多層基板解析方法。
（付記１９） 付記１５に記載の多層基板解析方法において、
前記判断ステップは、前記多層基板における層の順序に基づいて、所定の領域が属する層が前記複数種類の層における所定の種類の層かどうかを判断することを特徴とする多層基板解析方法。
（付記２０） 付記１５に記載の多層基板解析方法を用いて解析され、該解析に基づいて最適化された前記多層基板により構成される電子装置。

ビルドアップ基板の製造プロセスを示す図である。 ビルドアップ基板の製造プロセスを示す図である。 本実施の形態に係る多層基板解析装置の構成を示すブロック図である。 物性値情報を示す図である。 メッシュ作成部の動作を示すフローチャートである。 ３次元メッシュモデルを示す図である。 積層シェルモデルを示す図である。 メッシュ通し番号及びエッジ座標を示す図である。 メッシュ通し番号とエッジ座標との対応を示す図である。 層の分類方法を示す図である。 層及び材料別の分類の一例を示す図である。 グループに割り当てられた物性値を示す図である。 多層基板の断面に解析用メッシュを重ねた状態を示す図である。 ヤング率が変更されたグループとその物性値を示す図である。 本発明が適用されるコンピュータシステムの一例を示す図である。 従来のＦＥメッシュの生成方法を示す図である。 従来のＦＥメッシュの生成方法を示す図である。 従来のＦＥメッシュの生成方法を示す図である。

符号の説明

多層基板 ９、多層基板解析装置 １０、入力部 １０１、メッシュ作成部 １０２、解析部 １０３、物性値データベース １０４、ＣＰＵ １０８、メモリ １０９。

Claims (8)

1. 複数種類の層からなる多層基板の構造を示す構造データを分割した領域のそれぞれに対して、それぞれの領域内の材料の種類に応じた物性値を割り当てる割り当て部と、
   前記物性値が割り当てられた領域のうち、所定の領域が属する層が前記複数種類の層における所定の種類の層かどうかを判断する判断部と、
   前記判断部により、前記所定の領域が属する層が所定の種類の層と判断された場合、前記割り当て部により前記所定の領域に割り当てられた物性値を変更する物性値変更部と
   を備える多層基板解析装置。
2. 請求項１に記載の多層基板解析装置において、
   前記所定の種類の層は、絶縁層であることを特徴とする多層基板解析装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の多層基板解析装置において、
   前記所定の領域は、領域内の材料の種類が導体である領域であることを特徴とする多層基板解析装置。
4. 複数種類の層からなる多層基板の構造を示す構造データを分割した領域のそれぞれに対して、それぞれの領域内の材料の種類に応じた物性値を割り当てる割り当てステップと、
   前記物性値が割り当てられた領域のうち、所定の領域が属する層が前記複数種類の層における所定の種類の層かどうかを判断する判断ステップと、
   前記判断ステップにより、前記所定の領域が属する層が所定の種類の層と判断された場合、前記割り当てステップにより前記所定の領域に割り当てられた物性値を変更する物性値変更ステップと
   をコンピュータに実行させる多層基板解析プログラム。
5. 請求項４に記載の多層基板解析プログラムにおいて、
   前記所定の種類の層は、絶縁層であることを特徴とする多層基板解析プログラム。
6. 複数種類の層からなる多層基板の構造を示す構造データを分割した領域のそれぞれに対して、それぞれの領域内の材料の種類に応じた物性値を割り当てる割り当てステップと、
   前記物性値が割り当てられた領域のうち、所定の領域が属する層が前記複数種類の層における所定の種類の層かどうかを判断する判断ステップと、
   前記判断ステップにより、前記所定の領域が属する層が所定の種類の層と判断された場合、前記割り当てステップにより前記所定の領域に割り当てられた物性値を変更する物性値変更ステップと
   を備える多層基板解析方法。
7. 請求項６に記載の多層基板解析方法において、
   前記所定の種類の層は、絶縁層であることを特徴とする多層基板解析方法。
8. 請求項６または請求項７に記載の多層基板解析方法を用いて解析され、該解析に基づいて最適化された前記多層基板により構成される電子装置。

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