JP2010016142A - 回路装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この回路装置は、第1送信インダクタ200、第1絶縁層120、第1受信インダクタ300、及び第2受信インダクタ320を備える。第1送信インダクタ200は、渦巻状の導電パターンからなり、送信信号が入力される。第1受信インダクタ300は、第1絶縁層120を介して第1送信インダクタ200と重なる領域に配置されている。第1受信インダクタ300は、渦巻状の導電パターンからなり、第1送信インダクタ200に入力される送信信号に対応して受信信号を生成する。第2受信インダクタ320は、第1受信インダクタ300に直列に接続し、渦巻状の導電パターンからなっている。第2受信インダクタ320は、同一の向きの磁場に対して第1受信インダクタ300とは逆向きの電圧を生じる。
【選択図】図1
Description
前記第1送信インダクタの上または下に形成された第1絶縁層と、
前記第1絶縁層を介して前記第1送信インダクタと重なる領域に配置され、渦巻状の第2導電パターンからなり、前記送信信号に対応する受信信号を生成する第1受信インダクタと、
前記第1受信インダクタに直列に接続し、渦巻状の第3導電パターンからなり、同一の向きの磁場に対して前記第1受信インダクタとは逆向きの電圧を生じる第2受信インダクタと、
を備える回路装置が提供される。
101 基板
102 シリコン基板
104 絶縁層
106 シリコン層
108 埋込絶縁層
112 絶縁層
114 絶縁層
116 絶縁層
118 絶縁層
120 第1絶縁層
130 保護膜
142 第1引出配線
143 引出配線
144 第2引出配線
145 引出配線
146 引出配線
150 トランジスタ
152 電極
154 電極
160 トランジスタ
162 電極
164 電極
200 第1送信インダクタ
202 中心側の端部
204 外側の端部
206 電極
208 電極
220 第2送信インダクタ
222 中心側の端部
224 外側の端部
230 配線
300 第1受信インダクタ
302 中心側の端部
304 外側の端部
320 第2受信インダクタ
322 中心側の端部
324 外側の端部
340 第3受信インダクタ
342 中心側の端部
344 外側の端部
346 電極
348 電極
500 ワイヤ
501 ワイヤ
502 ワイヤ
504 ワイヤ
506 ワイヤ
507 ワイヤ
508 ワイヤ
509 ワイヤ
510 ワイヤ
600 基板
610 基板
630 保護膜
Claims (16)
- 渦巻状の第1導電パターンからなり、送信信号が入力される第1送信インダクタと、
前記第1送信インダクタの上または下に形成された第1絶縁層と、
前記第1絶縁層を介して前記第1送信インダクタと重なる領域に配置され、渦巻状の第2導電パターンからなり、前記送信信号に対応する受信信号を生成する第1受信インダクタと、
前記第1受信インダクタに直列に接続し、渦巻状の第3導電パターンからなり、同一の向きの磁場に対して前記第1受信インダクタとは逆向きの電圧を生じる第2受信インダクタと、
を備える回路装置。 - 請求項1に記載の回路装置において、
前記第1受信インダクタ及び前記第2受信インダクタは、渦巻きの向きが同一であり、中心側の端部同士又は外側の端部同士が電気的に接続されている回路装置。 - 請求項1に記載の回路装置において、
前記第1受信インダクタ及び前記第2受信インダクタは、渦巻きの向きが逆であり、前記第1受信インダクタの中心側の端部と前記第2受信インダクタの外側の端部、又は前記第1受信インダクタの外側の端部と前記第2受信インダクタの中心側の端部が電気的に接続されている回路装置。 - 請求項1〜3のいずれか一つに記載の回路装置において、
第2絶縁層または前記第1絶縁層を介して前記第2受信インダクタと重なる領域に配置され、前記第1送信インダクタと同一の送信信号が入力され、渦巻状の第4導電パターンからなる第2送信インダクタを備え、
前記送信信号が入力されたときに、前記第1送信インダクタと前記第2送信インダクタは発生する磁場の向きが逆である回路装置。 - 請求項4に記載の回路装置において、
前記第2送信インダクタは、渦巻きの向きが前記第1送信インダクタと逆であり、
前記第1送信インダクタの中心側の端部と前記第2送信インダクタの外側の端部が電気的に接続されており、
前記第1送信インダクタの外側の端部と前記第2送信インダクタの中心側の端部が電気的に接続されている回路装置。 - 請求項4に記載の回路装置において、
前記第2送信インダクタは、渦巻きの向きが前記第1送信インダクタと同一であり、かつ中心側の端部同士及び外側の端部同士が電気的に接続されている回路装置。 - 請求項4〜6のいずれか一つに記載の回路装置において、
平面視において、前記第1送信インダクタと前記第2送信インダクタの間には他のインダクタが配置されていない回路装置。 - 請求項1〜3のいずれか一つに記載の回路装置において、
第3絶縁層または前記第1絶縁層を介して前記第2受信インダクタと重なる領域に配置され、渦巻状の第5導電パターンからなる第3受信インダクタをさらに備える回路装置。 - 請求項8に記載の回路装置において、
前記第1受信インダクタの中心側の端部は、前記第2受信インダクタの中心側の端部に電気的に接続しており、
前記第1受信インダクタの外側の端部は、前記第2受信インダクタの外側の端部に電気的に接続している回路装置。 - 請求項8又は9に記載の回路装置において、
前記第1送信インダクタ、前記第1受信インダクタ、前記第2受信インダクタ、及び前記第3受信インダクタを有する信号送信回路を偶数個有しており、
前記偶数個の信号送信回路は、同一のインダクタが隣り合うように並んで配置されており、かつ前記第1送信インダクタに互いに同一の前記送信信号が入力され、
隣り合う前記第1送信インダクタは、前記送信信号が入力されたときに互いに逆向きの磁場を発生させ、
隣り合う前記第3受信インダクタは、同一方向の磁場に対して逆向きの電圧を発生させ、かつ前記送信信号が前記第1送信インダクタに入力されたときに、前記第3受信インダクタに生じる電圧を加算する方向に互いに直列に接続されている回路装置。 - 請求項8〜10のいずれか一つに記載の回路装置において、
基板と、
前記基板に形成され、前記送信信号を前記第1送信インダクタに入力する送信回路及び前記第1受信インダクタから前記受信信号が入力される受信回路の一方を構成する第1トランジスタと、
を備え、
前記第1送信インダクタ、前記第1受信インダクタ、前記第2受信インダクタ、及び前記第3受信インダクタは、前記基板上に形成されており、
前記第1トランジスタが前記送信回路を構成するときは、前記第1送信インダクタが前記第1受信インダクタの下方に位置し、
前記第1トランジスタが前記受信回路を構成するときは、前記第3受信インダクタが前記第2受信インダクタの下方に位置する回路装置。 - 請求項8〜10のいずれか一つに記載の回路装置において、
第1基板及び第2基板を備え、
前記第1送信インダクタ及び前記第1受信インダクタは前記第1基板上に形成されており、前記第2受信インダクタ及び前記第3受信インダクタは前記第2基板上に形成されている回路装置。 - 請求項1〜12のいずれか一つに記載の回路装置において、
前記第1絶縁層は、少なくとも第1の配線層、及び前記第1の配線層より前記第1受信インダクタに近い第2配線層を含み、
前記第1送信インダクタの中心側の端部は、平面視において前記第1受信インダクタの中心側の端部と重なっておらず、
前記第1配線層に形成され、前記第1送信インダクタの中心側の端部を平面視において前記第1送信インダクタの外側に引き出す第1引出配線と、
前記第2配線層に形成され、前記第1受信インダクタの中心側の端部を平面視において前記第1受信インダクタの外側に引き出す第2引出配線と、
を備え、
前記第1引出配線と前記第2引出配線は重なっていない回路装置。 - 請求項1〜13のいずれか一つに記載の回路装置において、
前記第1送信インダクタ及び前記第1受信インダクタのうち上方に位置するインダクタである上方インダクタの上に形成された保護膜と、
前記保護膜に形成され、前記上方インダクタの中心側の端部を前記保護膜から露出させる開口部と、
前記上方インダクタの中心側の端部に接続され、平面視において当該中心側の端部を前記上方インダクタの外側に引き出すワイヤと、
を備える回路装置。 - 請求項1〜14のいずれか一つに記載の回路装置において、
前記第1送信インダクタを構成する前記第1導電パターンと、前記第1受信インダクタを構成する前記第2導電パターンは、平面視において重なっていない回路装置。 - 請求項1〜14のいずれか一つに記載の回路装置において、
SOI(Silicon On Insulator)基板と、
前記SOI基板のシリコン層に設けられ、互いに離間している複数の埋込絶縁層と、
を有しており、
前記第1送信インダクタ及び前記第1受信インダクタは前記SOI基板の前記複数の埋込絶縁層の上方に位置している回路装置。
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