JP2009545768A - フォトレジスト組成物およびこれのパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
ノボラック系ベース樹脂(A)は、本技術分野においてフォトレジストのベース樹脂として一般的に用いられるノボラック系樹脂を制限なく用いることができ、すべての本発明に含まれる。前記ノボラック系ベース樹脂(A)の製造方法の一例として、フェノール性化合物とアルデヒドを酸触媒存在下に縮合して製造することができる。
前記感光剤(B)は、レジスト分野に一般的に用いられる感光剤を用いることができ、特にキノンジアゾ型放射線−感光剤を使える。一例として、ジアゾナフトキノンを挙げることができる。
前記低吸光低分子体(C)の一例として、下記化学式1で表示される化合物を含むのが好ましい。
本発明も前記低吸光低分子体(C)を含むと共に、前記ノボラック系ベース樹脂(A)に比べて248nm、193nm、および157nmのうちの少なくとも1つの波長の吸光度が低い低吸光樹脂(D)をさらに含んでなされたことを特徴とする。
R3は炭素数1〜15のアルキルまたはアルコキシ、エステル、エーテル、カルボニル、アセタール、アルコール基のうちのいずれか1つであり、R4は水素または炭素数1〜5のアルキル基である。
R5は炭素数1〜5のアルキル基である。
R6は水素または炭素数1〜15のアルキル基である。
表1に記載された組成比で組成物を混合してフォトレジスト組成物を製造した。
a−2:ポリヒドロキシスチレン系樹脂(製造会社:住友ケミカル)
b−1:ジアゾナフトキノンタイプ感光剤(製造会社:住友ケミカル)
c−1:1,4−シクロヘキサンジオール(製造会社:シグマ−アルドリッチ)
d−1:前記化学式4で表示され、R6が水素である低吸光樹脂
e−1:ジアゾタイプ光酸発生剤(製造会社:和光株式会社)
比較例1および実施例1〜4のフォトレジスト組成物をメタノールに4×10−5%の濃度で薄めた後、UV−Visible分光器で光透過率を測定し、その結果を図2および図3に示した。図2および図3のx軸は波長(単位:nm)を示し、y軸は光透過率(単位:%)を示す。
比較例1および実施例1〜4のフォトレジスト組成物の各々を、6インチのシリコンウエハをヘキサメチルジシラザン(HMDS)により処理することにより得られた基板上にスピンコーターを用いて塗布した。そして、熱板上にて100℃で60秒間プリベイクをして乾燥させることで、膜厚さ350nmのレジスト層を形成した。
上述の方法に従って、比較例1および実施例のフォトレジスト組成物を使用することによりパターンを形成した。露光エネルギーを変化させてフォトレジスト膜の底辺までパターンが形成される最小露光エネルギを求めて感度を測定した。その結果を図5に示した。x軸は感度(単位:mJ/cm2)、y軸は比較例1および実施例1〜4を示した。
実施例4と比較例2のフォトレジスト組成物を使用することにより、シリコン酸化膜が蒸着されたシリコンウエハ上に上述の方法でパターンを形成させた後、準備されたBOEエッチング剤(40%のフッ化アンモニウム100重量部を基準として50%フッ化水素酸0.5重量部)に23℃で440秒間、浸漬させた。
Claims (8)
- ノボラック系ベース樹脂(A)、感光剤(B)、および低吸光低分子体(C)を含むフォトレジスト組成物であって、
前記低吸光低分子体(C)は、248nm、193nm、および157nmのうちの少なくとも1つの波長における吸光度が前記ノボラック系ベース樹脂の吸光度よりも低く、
前記フォトレジスト組成物は248nm以下の波長で用いられることを特徴とするフォトレジスト組成物。 - 前記ノボラック系ベース樹脂(A)100重量部、
前記感光剤(B)30〜60重量部、および
前記低吸光低分子体(C)10〜30重量部含まれることを特徴とする請求項1に記載のフォトレジスト組成物。 - 前記低吸光低分子体(C)は、下記化学式1で表現される化合物を含むことを特徴とする請求項1に記載のフォトレジスト組成物。
[化学式1]
前記化学式1において、
R1、R2はそれぞれ独立的して、水素、ヒドロキシ、または炭素数1〜10のアルキル基であり、n1は1〜5の自然数である。 - 前記フォトレジスト組成物は、下記化学式2と下記化学式3のうちの少なくとも1つの構造単位が含まれて形成されたノボラック系低吸光樹脂、および下記化学式4の構造単位が含まれて形成されたポリヒドロキシスチレン系低吸光樹脂のうちの少なくとも1つの低吸光樹脂(D)をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のフォトレジスト組成物。
[化学式2]
前記化学式2において、
R3は炭素数1〜15のアルキルまたはアルコキシ、エステル、エーテル、カルボニル、アセタール、アルコール基であり、R4は水素または炭素数1〜5のアルキル基である。
[化学式3]
前記化学式3において、
R5は炭素数1〜5のアルキル基である。
[化学式4]
前記化学式4において、
R6は水素または炭素数1〜15のアルキル基である。 - 前記低吸光樹脂(D)は、前記ベース樹脂100重量部を基準として5〜50重量部含まれることを特徴とする請求項4に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記フォトレジスト組成物をメタノールに4×10−5%の濃度で薄めた後、UV−Vis分光器で吸光度を測定したときの248nmの波長における光透過率が、前記フォトレジスト組成物において前記低吸光低分子体を組成から除外し、同一条件下でUV−Vis分光器で吸光度を測定した場合の248nmの波長における光透過率に比べて10%〜35%増加することを特徴とする請求項1に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記フォトレジスト組成物は、非化学増幅型フォトレジストであることを特徴とする請求項1に記載のフォトレジスト組成物。
- 請求項1〜7のうちのいずれか一項のフォトレジスト組成物を塗布するステップ、
前記フォトレジスト組成物の一部領域を周波長が248nm以下の波長範囲を有する光で露光するステップ、および
前記フォトレジスト組成物の露光領域または非露光領域を除去するステップ、
を含むことを特徴とするフォトレジスト組成物のパターン形成方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20060073900 | 2006-08-04 | ||
KR10-2006-0073900 | 2006-08-04 | ||
PCT/KR2007/003726 WO2008016270A1 (en) | 2006-08-04 | 2007-08-02 | Photoresist composition and patterning method thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009545768A true JP2009545768A (ja) | 2009-12-24 |
JP5057530B2 JP5057530B2 (ja) | 2012-10-24 |
Family
ID=38997406
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009522719A Active JP5057530B2 (ja) | 2006-08-04 | 2007-08-02 | ポジティブ型のフォトレジスト組成物およびこれのパターン形成方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8211614B2 (ja) |
JP (1) | JP5057530B2 (ja) |
KR (1) | KR101363738B1 (ja) |
CN (1) | CN101501570B (ja) |
TW (1) | TWI416252B (ja) |
WO (1) | WO2008016270A1 (ja) |
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- 2007-08-02 WO PCT/KR2007/003726 patent/WO2008016270A1/en active Application Filing
- 2007-08-02 JP JP2009522719A patent/JP5057530B2/ja active Active
- 2007-08-02 KR KR1020070077716A patent/KR101363738B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-02 US US12/376,107 patent/US8211614B2/en active Active
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WO2008016270A1 (en) | 2008-02-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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