JP2009521118A - 電子装置 - Google Patents

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Abstract

【要約書】本発明は、ポリマー主鎖中のトリアリールアミンの第1の窒素およびポリマー主鎖から分岐したアリールアミンの第2の窒素を含む第1の繰返し単位から構成される正孔輸送半導体ポリマーを含み、前記半導体ポリマーが装置中の半導体材料へのまたはからの正孔の輸送を行うことを特徴とする電子装置を提供する。
【選択図】無し

Description

本発明は、電子装置、特に、有機発光装置およびその製造方法に関するものである。本発明は、また、電子装置に使用される正孔輸送材料およびその製造方法に関するものである。
このような電子装置は、有機発光ダイオード(OLED)を含む。この装置の1または2つの層は、通常ポリマーを含む、さらに、この装置は、通常電極間に位置する1または2以上の半導体ポリマー層を含む。半導体ポリマーは、主鎖および/または側鎖において部分的または実質的な共役部を有する特徴を有する。
半導体ポリマーは、現在、WO90/13148に開示される高分子発光装置(PLEDs)、電界効果型トランジスタ、WO96/16449に開示される光起電装置およびUS5523555に開示される光検出器にしばしば使用される。
典型的なLEDは、その上にアノードが支持される基板、カソードおよび前記アノードとカソードの間に位置し、少なくとも1つの発光材料を含む有機発光層を有する。作動においては、正孔がアノードを通して装置に注入され、電子がカソードを通じて装置に注入される。正孔と電子は有機発光層中で結合して励起子を形成し、次いで放射性崩壊して光を得る。他の層もLEDに存在することができる。例えば、ポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホネート(PEDT/PSS)が前記アノードと前記有機発光層の間に供給され、アノードから有機発光層への電子の注入を促進する。さらに、半導体有機正孔輸送材料相がアノード(または、存在する場合は正孔注入層)および有機発光層の間に供給されて、正孔の有機発光層への輸送を促進する。
一般的に、前述の有機装置に使用されるポリマーは、装置の製造過程でその積層を容易にするために共通の溶媒に可溶性であることが望ましい。この可溶性の重要な利点は、ポリマー層が溶液プロセス、例えば、スピンコート、インクジェット印刷、スクリーン印刷、浸漬印刷、ロール印刷などによって製造することができることである。このようなポリマーの例としては、例えば、Adv.Mater.2000 12(23)1737−1750に開示されており、可溶性基を有するフルオレン、インデノフルオレン、フェニレン、アリーレンビニレン、チオフェン、アゾール、キノクサリン、ベンゾチアジアゾール、オキサジアゾール、チオフェンおよびトリアリールアミンのような芳香族またはヘテロ芳香族単位から形成される少なくとも部分的に共役されるポリマー、およびポリ(ビニルカルバゾール)のような非共役主鎖を有するポリマーが挙げられる。ポリフルオレンのようなポリアリーレンは良好な薄膜形成特性を有し、得られるポリマーの部分規則性を十分井制御することができるスズキまたはヤマモト重合によって形成されることができる。
ある装置においては、単一の基板表面上に、異なる材料(通常は、ポリマー)の正孔輸送、輝度の制御、光子の閉じ込め、励起子の閉じ込め、光導入、電荷の生成および電荷の遮断または蓄積などの独立した機能の最適化の達成を可能にする。
この点において、例えば、装置にわたって、電子および光学特性を制御するために複数の材料(例えば、ポリマー)を形成できることが有益である。これは、これは装置特性の最適化に有益である。装置特性の最適化は、例えば、装置全体にわたって、電子および正孔輸送レベルの相殺、光学的屈折率の不適合およびエネルギーギャップの不適合の慎重な設計によって達成される。このような複合構造は、例えば、1つの輸送体の注入を容易化するが反対の輸送体の抽出を遮断し、および/またはクエンチ境界への励起子の拡散を防止する。これによって、このような複合構造は有益な輸送体および光子の閉じ込め効果を提供することができる。
WO2004/023573は光学装置の形成方法に関するもので、第1のタイプの電荷輸送体を注入または受容することができる第1の電極を有する基板を提供する工程、前記第1の電極の上に架橋性のビニルまたはエチニル基が存在せず、かつ蒸着時に溶媒に可溶性の第1の半導体材料を蒸着することにより溶媒中に少なくとも部分的に可溶性である第1の層を形成する工程、前記溶媒中の溶液から第2の半導体材料を蒸着することにより前記第1の層に接触し第2の半導体材料を含む第2の層を形成する工程、および前記第2の層の上に第2のタイプの電荷輸送体を注入または受容することができる第2の電極を形成する工程を含み、前記第1の層は、前記第1の半導体材料の蒸着に続いて、熱、真空および室温乾燥の1または2以上によって少なくとも部分的に不溶性に変えられる光学装置の形成方法に関する。
第1の半導体材料がポリマー主鎖中にフルオレン繰返し単位を有するポリマーまたはPVKであるとき、第1の半導体材料は前記処理の1または2以上によって少なくとも部分的に不溶性に変えられることが教えられる。正孔輸送ポリマー層は蒸着後不活性雰囲気中で加熱される。加熱された「F8−TFB」層の使用は、装置の効率を改良することが示されている。「F8−TFB」中のフルオレン繰返し単位の存在の影響に加えて、ポリマーが、プロトンを受容することができる、WO2004/023573で与えられる式1〜6のアミンのような基本単位、WO2004/023573で与えられる式7の範囲内のHet基を含むとき、効率が改良されることが13頁に教えられている。
EP1310539は発光装置に関するものである。より特定的には、これは次に様な発光装置に使用される発光材料に関するものである。すなわち、次の式(a)で表される繰返し単位および次の式(b)で表される繰返し単位を含み、
Ar、ArおよびArはそれぞれ独立してアリーレン基、2価のヘテロ環化合物基を表し、Arはアリーレン基、アリーレンビニル基または2価のヘテロ環化合物基であり、ArおよびArはそれぞれ独立してアリール基または単価のヘテロ環化合物基を表すポリマーである。
正孔輸送層は、例えば、EP1310539号の段落「0111」および「0117」に記載されている。公知の正孔輸送材料の例は、EP1310539号の段落「0132」から「0137」に開示されている。
欧州特許明細書1310539号
上記に照らして、さらに、有機(通常、ポリマー)電子装置に使用される正孔輸送層、好ましくは装置の効率を高める材料を提供する必要性が残っていることがわかる。
したがって、本発明の1つの目的は、正孔輸送層、好ましくは効率の改良された正孔輸送層により特徴付けられる新しい電子装置を提供することにある。さらに、新しい装置を製造するための方法を提供することも本発明の目的である。さらに、新規な正孔輸送材料およびこれを製造する方法を提供することも目的の1つである。
本発明の発明者は、ポリマー主鎖中のトリアリールアミンの第1の窒素およびポリマー主鎖から分岐したアリールアミンの第2の窒素を含む半導体ポリマーが電子装置、特に有機発光装置(LED)中の正孔輸送材料として使用されることを思いがけずに発見した。
したがって、本発明の第1の側面は、ポリマー主鎖中のトリアリールアミンの第1の窒素およびポリマー主鎖から分岐したアリールアミンの第2の窒素を含む第1の繰返し単位を含む正孔輸送半導体ポリマーを含み、前記半導体ポリマーが装置の半導体材料へのまたはからの正孔の輸送を行うことを特徴とする電子装置を提供する。
アリールアミンは好ましくはトリアリールアミンである。
好ましくは、前記電子装置は、前記正孔輸送半導体ポリマーが前記有機発光装置の発光層中の発光半導体材料に正孔を輸送する機能を果たす有機発光装置から構成される。
前記正孔輸送半導体ポリマーは前記発光層中に含まれる。あるいは、前記正孔輸送半導体ポリマーは前記装置の正孔輸送層中に含まれる。
本発明の発明者は、ポリマー主鎖中の第1の窒素およびポリマー主鎖から分岐した第2の窒素を含む第1の繰返し単位を含む半導体ポリマーが、良好な正孔輸送特性を有し、さらに、有機発光装置からの発光寿命を延ばすことによって装置特性を思いがけずに改良することを発見した。これは、特に、TFBまたはPFB繰返し単位を含むポリマーと比較することによって観察された。本発明によれば、発光寿命は、一定電流において輝度が半分に減少するのに要する時間を室温(2959K)で測定することによって得られる。
本明細書で使用される「トリアリールアミン」という用語は、それぞれ独立してアリールおよびヘテロアリールから選ばれる3つの基を有する中心の窒素を有するアミンを意味する。
好ましくは、第1の窒素を含むトリアリールアミンは第2の窒素を含むアリールアミンによって共役されている。
第1の窒素を含むトリアリールアミンは第2の窒素を含むアリールアミンの一部を含むことができる。特に、第1の窒素を含むトリアリールアミンは、第2の窒素を含むアリールアミンの少なくとも1つのアリールまたはヘテロアリール基を有する。
第1の繰返し単位は次の一般式1を有する。
Ar、Ar、Ar、ArおよびArは、それぞれ独立してアリールまたはヘテロアリール環またはその縮合誘導体を表し、Xは選択的なスペーサー基を表す。
アリールおよびヘテロアリール環の好ましい縮合誘導体は、縮合炭素環芳香族、例えば、ナフタリン、アントラセンおよびフルオレン並びに縮合ヘテロ環芳香族、例えば、ベンゾチアジアゾールを含む。
好ましくは、Ar、Ar、Ar、ArおよびArの少なくとも1つは、アリールまたはヘテロアリール環の縮合誘導体を表す。より好ましくは、Arはアリールまたはヘテロアリール環の縮合誘導体を表す。
アリールまたはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体は置換されるかまたは置換されない。
式1において、これら示された結合に加えて、Arは直鎖または架橋基若しくは架橋原子によってArに結合され得る。ArおよびArの間の結合の生成は、ポリマーの主鎖に沿った平坦性を制御し、これによってポリマーに正孔注入特性が調整される。
第1の繰返し単位は、式2または3を有することができる。
ArないしArおよびXは本明細書のいずれかで定義されるものであり、Zは架橋基または架橋原子を表す。
Arは、直鎖または架橋基若しくは架橋原子によってArに結合され得る。Arは、直鎖または架橋基若しくは架橋原子によってArに結合され得る。ArおよびArは、Arに結合され得る。
第1の繰返し単位は一般式4を有することができる。
ArないしArおよびXは本明細書のいずれかで定義されるものであり、ZおよびZ’はそれぞれ独立して架橋基または架橋原子を表す。
Xが存在するとき、Arは直鎖または架橋基若しくは架橋原子によってXに結合され得る。同様に、Arは直鎖または架橋基若しくは架橋原子によってArに結合され得る。ArおよびArは直鎖または架橋基若しくは架橋原子によってArに結合され得る。同様に、Arは直鎖または架橋基若しくは架橋原子によってArに結合され得る。ArおよびArはArに結合され得る。
第1の繰返し単位は一般式5または6を有することができる、
ArないしArおよびXは本明細書のいずれかで定義されるものであり、ZおよびZ’はそれぞれ独立して架橋基または架橋原子を表す。
Zおよび/またはZ’が架橋原子である場合、これらは好ましくは、C,N,OおよびSから構成される群から選択される。CおよびN架橋原子は、置換されないか(すなわち、それぞれ−CH−および−NH−)置換され得る。アルキルは好ましい置換基である。Zは好ましくはヘテロ原子である。
Arは、直鎖または架橋基若しくは架橋原子によってArに結合され得る。
第1の繰返し単位は一般式7または8を有することができる。
ArないしArおよびXは本明細書のいずれかで定義されるものであり、Zは架橋基または架橋原子を表す。
アリール若しくはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体の2つが第1の繰返し単位中で結合される場合、当業者は、その結合は直鎖または架橋基若しくは架橋原子のどれが望ましいか知り得る。これは、これらそれぞれの選択によって第1繰返し単位内に生じる張力に依存する。この結合は、第1の窒素または第2の窒素を含む新しい5または6員環を形成することが好ましい。より好ましくは、この結合はカルバゾール単位内に含まれる新しい5員環を形成する。
適切な架橋基としては、CH基のようなアルキ基またはCH基の鎖が挙げられる。適切な架橋原子としては、酸素、硫黄、窒素、りんおよびシリコンが挙げられ、好ましくは酸素である。
1つの実施態様において、ArおよびArだけが結合される。他の実施態様において、ArおよびArだけが結合される。実施態様において、ArおよびArが結合され、ArおよびArが結合される。他の実施態様において、ArおよびArが結合され、ArおよびArが結合される。他の実施態様において、ArおよびArが結合され、ArおよびArが結合される。
ArおよびArは、半導体ポリマーの電子特性を調整するために選択され得る。ArおよびArは、独立して任意のアリール若しくはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体を表す。好ましくは、ArおよびArの1つまたは両者は電子濃度の高いアリール若しくはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体を表す。電子濃度の高いアリールまたはヘテロアリール環としては、選択的に縮合したフェニル2,5−結合チオフェン、フランおよびピロールが挙げられる。
好ましくは、ArおよびArの1つまたは両者は5〜14員環であり、より好ましくは6員環である。Arは、フェニル、好ましくは1,3フェニルまたは1,4フェニルを表す。Arは、フェニル、好ましくは1,3フェニルまたは1,4フェニルを表す。ArおよびArの両者がフェニルを表すことが好ましい。他の好ましいArまたはArは選択的に置換されるピリジンである。
第1の繰返し単位は一般式9または10を有することができる。
ArないしArおよびXは本明細書のいずれかで定義されるものである。
好ましくは、ArおよびArの1つまたは両者は置換されない。
ArおよびArはそれぞれ独立して任意のアリール若しくはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体を表す。好ましくは、ArおよびArの1つまたは両者は、電子濃度の高いアリール若しくはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体を表す。電子濃度の高いアリールまたはヘテロアリール環としては、選択的に縮合したフェニル1;2−チエニル、2−フリルおよびN−ピロールまたは2−ピロールが挙げられる。
好ましくは、ArおよびArの1つまたは両者は5〜14員環であり、より好ましくは6員環である。Arは、フェニルを表すことができる。Arは、フェニルを表すことができる。ArおよびArの両者がフェニルを表すことが好ましい。
ArおよびArの1つまたは両者は置換されたアリール若しくはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体、より好ましく置換されたフェニル環を表す。Arおよび/またはArが置換されたフェニル環を表すとき、Arおよび/またはArは最大5つまでの置換基を有することができる。適切な置換基は、アルキル、アルコキシ、アリール、アリールアルキル、ヘテロアリールおよびヘテロアリールアルキルから選択され得る。C1ないしC20アルキルまたはアルコキシ置換基が好ましく、CないしCが最も好ましい。適切な置換基としてはさらに、ポリエチレングリコール基、チオアルキル基およびシクロアルキル基が挙げられる。
第1の繰返し単位は一般式11または11aを有することができる。
ArないしArおよびXは本明細書のいずれかで定義されるものであり、RおよびRはそれぞれ独立して本明細書に記載される適切な置換基を表す。
第1の繰返し単位は式12、13、14または15を有することができる。
a=1ないし3、並びにRおよびRはそれぞれ独立して本明細書で記載される任意の適切な置換基を表す。
第1の繰返し単位は一般式16を有することができる。
a=1ないし3、並びにRおよびRはそれぞれ独立して本明細書で記載される任意の適切な置換基を表す。
およびRは同じか異なることができる。好ましくはRおよびRは同じである。好ましくは、RおよびRは共にC1ないしC20アルキル、より好ましくはC4ないしC8アルキルを表す。
Arが、追加のアリールまたはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体(Ar)に結合することができる。Arは電子濃度の高いアリールまたはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体、例えば、本明細書のいずれかで定義されるものを表す。Arは、好ましくは、5ないし14員環、より好ましくは6員環を表す。Arはフェニルを表すことができる。Arは置換されることができる。Arは、1−パラ置換フェニルを表すことができる。適切な置換基は、アルキル、アルコキシ、アリール、アリールアルキル、ヘテロアリールおよびヘテロアリールアルキルから選択することができる。C1ないしC20アルキルまたはアルコキシ置換基が好ましく、C4ないしC8が最も好ましい。適切な置換基としては、さらに、ポリエチレングリコール基、チオアルキルおよびシクロアルキル基があげられる。
Arは、追加のアリールまたはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体(Ar)に結合することができる。Arは電子濃度の高いアリールまたはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体、例えば、本明細書のいずれかで定義されるものを表す。Arは、好ましくは、5ないし14員環、より好ましくは6員環を表す。Arはフェニルを表すことができる。Arは置換されることができる。Arは、1−パラ置換フェニルを表すことができる。適切な置換基は、アルキル、アルコキシ、アリール、アリールアルキル、ヘテロアリールおよびヘテロアリールアルキルから選択することができる。C1ないしC20アルキルまたはアルコキシ置換基が好ましく、C4ないしC8が最も好ましい。適切な置換基としては、さらに、ポリエチレングリコール基、チオアルキルおよびシクロアルキル基があげられる。
第1の繰り返し単位は式17を有することができる。
ArないしArおよびXは本明細書のいずれかで定義されるものである。
Arは、任意の適切なアリールまたはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体、好ましくは電子濃度の高いアリールまたはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体に結合することができる。電子濃度の高いアリールまたはヘテロアリール環としては、ナフタリンまたはアントラセンのような選択的に縮合されるフェニル、および2,5−結合チオフェン、フランまたはピロールが挙げられる。Arは、好ましくは、5ないし14員環、より好ましくは6員環を表す。Arはフェニルまたはこの縮合誘導体、例えば、1,4−または2,6−ナフタリンまたは9,10−アントラセンを表すことができる。Arは、好ましくは、平坦なアリール、ヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体である。
第1の繰り返し単位は一般式18または19を有することができる。
R1およびR2は本明細書のいずれかで定義される。
Xは、存在するときは、任意の適切なスペーサー基を表すことができる。
第1の窒素を含むトリアリールアミンは第2の窒素を含むアリールアミンと共に共役される。この場合、Xは共役されたスペーサー基を表すことができる。
Xは、アリールまたはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体(Ar)を表すことができる。第1の繰り返し単位は一般式20を有することができる。
ArないしArは本明細書のいずれかで定義される。Arは、好ましくは、電子濃度の高いアリールまたはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体、例えば、本明細書のいずれかに記載されるものを表す。Arは、好ましくは、5ないし14員環、より好ましくは6員環を表す。Arは置換され得る。
Xはフェニルを表すことができる。Xは、直鎖または架橋基または架橋原子によってArへの第2結合を有する。例えば、Arがフェニルを表し、Xがフェニルを表すとき、ArおよびXは炭素架橋原子による第2結合を有し、フルオレン基を形成する。フルオレン基は、下記に示される式21を有することができる。
およびRは、それぞれ独立して、アルキル、アルコキシ、アリール、アリールアルキル、ヘテロアリールまたはヘテロアリールアルキルを表す。好ましくは、RおよびRの少なくとも1つは、選択的に置換されたC4〜C20アルキル(より好ましくは、C4〜C8アルキル)またはアリール基を有する。
第1の繰り返し単位は一般式22を有することができる。
R1、R2、R3およびR4は本明細書で定義されるとおりである。
Xは、第1の繰り返し単位が一般式23を有するように一般式−Ar−Y−を有する基を表すことができる。
ArないしArは本明細書のいずれかで定義されるものである。Arは、アリールまたはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体を表し、Yは酸素、硫黄のような電子寄与基を表す。
本発明の第1の繰り返し単位の例は、一般式24ないし27を有する繰り返し単位を含む。
およびR、ZおよびZ’は本明細書のいずれかで定義される。
1つの実施態様において、第1の繰り返し単位は第3の窒素を含む追加のアリールアミンをさらに含む。第3の窒素はポリマーの主鎖中に存在するか、ポリマーの主鎖から分岐されて存在する。好ましくは、第3の窒素を含むアリールアミンはトリアリールアミンである。
第3の窒素はArまたはArに直接または間接的に結合されることができる。
第3の窒素はArまたはXに直接または間接的に結合されることができる。第1の繰り返し単位は一般式28を有することができる。
Ar、Ar、Ar、Ar、ArおよびXは本明細書のいずれかで定義される。Xは、本明細書のいずれかで定義される選択的なスペーサー基を表す。ArおよびAr10はそれぞれ独立して、アリールまたはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体を表し、好ましくは、本明細書のいずれかで記載される電子濃度の高いアリールまたはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体を表す。Arおよび/またはAr10は、それぞれ本明細書に記載されるAr、Ar、XおよびArの結合に類似の態様で、XまたはArに共に結合されることができる。
第1の繰り返し単位は、一般式29を有することができる。
好ましくは、一般式29は置換され、より好ましくは1ないし5の置換基、最も好ましくは少なくとも4の置換基によって置換される。任意の置換基は、好ましくは、1つの窒素のパラ位置に位置される。本明細書に開示される好ましい置換基はRおよびRである。
第1の繰り返し単位は第4の窒素を含む追加のアリールアミンをさらに含むことができる。第4の窒素を含むアリールアミンは好ましくはトリアリールアミンである。第3および第4の窒素はそれぞれ直接または間接的にArおよびArに結合されることができる。
第1の繰り返し単位は一般式30を有することができる。
ArないしAr、Ar、Ar10、XおよびXは本明細書のいずれかで定義される。Xは、本明細書のいずれかで定義される選択的なスペーサー基を表す。Ar11およびAr12はそれぞれ独立して、アリールまたはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体を表し、好ましくは、本明細書のいずれかで記載される電子濃度の高いアリールまたはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体を表す。Ar11および/またはAr12は、それぞれ本明細書に記載されるAr、Ar、XおよびArの結合に類似の態様で、XまたはArに共に結合されることができる。
第1の繰り返し単位は一般式31を有することができる。
好ましくは、一般式31は置換され、より好ましくは1ないし5の置換基で置換され、最も好ましくは4の置換基で置換される。任意の置換基は好ましくは窒素のパラの位置に位置される。好ましい置換基はRおよびRについて本明細書に記載したものである。
第3の窒素がポリマー主鎖に存在するとき、第4の窒素は第3の窒素を含むアリールアミンから分岐され、したがって、第4の窒素を含むアリールアミンはポリマー主鎖から分岐される。第1の繰り返し単位は一般式32を有することができる。
ArないしAr、ArないしAr12、XおよびXは一般式30に関連して定義される。第1の繰り返し単位は一般式33または33aを有することができる。
好ましくは、一般式33および33aは置換されることができ、より好ましくは1ないし5の置換基で置換され、最も好ましくは4の置換基で置換される。任意の置換基は好ましくは窒素のパラの位置に位置される。好ましい置換基はRおよびRについて本明細書に記載したものである。
式9、10、12ないし16、18、19、22、24ないし27、31,33および33aにおいて、ポリマー主鎖中の1,4フェニル環は、1,3フェニル環によって置換されることができ、また、この逆も可能である。
Arがフェニルを表すとき、これは、1,3(メタ)または1,4(パラ)結合される。好ましい実施態様において、Arはメタ結合フェニルであり、ArおよびしAr、(存在するとき、およびAr)は、それぞれパラ結合フェニルである。
第1の繰り返し単位における主鎖中のアリール基は、共役を最大化するためにパラ結合されるが、これらの単位の任意の主鎖アリール基は共役を分裂されるためにメタまたはパラ結合され、これによって第1繰り返し単位を含むポリマーのバンドギャップを増加させる。
好ましくは、半導体ポリマーは、アルキレートベンゼン、特に、キシレンおよびトルエンのような共通の有機溶媒に可溶性である。
半導体ポリマーは、好ましくは部分的にまたは完全にポリマー主鎖に沿って共役されている。
好ましくは、半導体ポリマーはコポリマーまたは高次ポリマー(例えば、ターポリマー)を有する。このポリマーは、0.1〜100モル%、より好ましくは5〜70モル%、さらに好ましくは15〜30モル%の第1の繰り返し単位を含むことができる。第1の繰り返し単位の最大の割合は繰り返し単位中の(トリ)アリール単位の数に依存し、存在する(トリ)アリールアミン単位の数が増えると、最大の割合は減る。
このポリマーは任意の適切な共繰り返し単位を含むことができる。好ましい共繰り返し単位は、アリールまたはヘテロアリール基(縮合芳香族を含む)を含むものであり、特に、フェニレンまたはフルオレン繰り返し単位のような完全に共役された共繰り返し単位である。好ましくは、アリールまたはヘテロアリール基はポリマー主鎖中に存在する。好ましくは、このポリマーは2,7−結合フルオレン基を含む共繰り返し単位を含む。好ましくは、このフルオレン基は9位置において置換される。好ましくは、共繰り返し単位は9,9ジアルキルフルオレンを含む。
好ましいコポリマーは第1の繰り返し単位およびフルオレン繰り返し単位からなる。繰り返し単位の好ましい割合は上記に述べたとおりである。
ポリマーは2つの異なるフルオレン含有共繰り返し単位を含む。このコポリマーはアミン基を含む共繰り返し単位を含むことが好ましい。
共繰り返し単位に存在する好ましいアリールおよびヘテロアリール基は、フルオレン(特に、2,7−結合フルオレン、より好ましくは、2,7結合9,9ジアルキルまたはジアリールフルオレン)、スピロフルオレン(特に、2,7−結合9,9−スピロフルオレン)、インデノフルオレン(特に、2,7−結合インデノフルオレン)、フェニレン(特に、p−結合アルキルまたはアルコキシ置換フェニレンのようなp−置換フェニレン)、アリーレンビニレン(例えば、フェニレンビニレン)、チオフェン(特に、2,5−結合置換または未置換チオフェン)、ベンゾチアジアゾール(特に、2,5−結合ベンゾチアジアゾール、より好ましくは、2,5−結合2置換ベンゾチアジアゾールのような2,5−結合置換ベンゾチアジアゾール)、トリアリールアミンまたはカルバゾールである。このような共繰り替えし単位はポリマーの電子的およびプロセス特性をさらに調整するために使用される。
1,4−フェニレン繰り返し単位は、例えば、J.Appl.Phys.1996,79,934に開示されている。フルオレン繰り返し単位は、例えば、EP0842208に開示されている。インデノフルオレン繰り返し単位は、例えば、Macromolecules 2000,33(6),2016−2020に開示されており、スピロフルオレン繰り返し単位は、例えば、EP0707020に開示されている。
共繰り返し中に存在するアリールまたはヘテロアリールである。置換基の例としては、可溶性基、フルオレン、ニトロまたはシアノのような電子誘引基、ポリマーのガラス転移温度(Tg)を増加させる置換基があげられる。適切な可溶性基としては、C1ないしC20アルキルまたはアルコキシ基があげられる。分岐状C4ないしC20アルキルまたはアルコキシ基が好ましい。分岐状C4ないしC20アルキルがより好ましい。ターシャル炭素原子を含む分岐状C4ないしC20アルキルまたはアルコキシ基がより好ましい。
半導体ポリマーはABコポリマーを含むことができる。
半導体ポリマーは架橋されることができる。この場合、半導体ポリマーは架橋基を含む繰り返し単位を含む。この架橋基は半導体ポリマーの第1の繰り返し単位中、または存在する場合は共繰り返し単位上に存在することができる。架橋基は好ましくは共繰り返し単位中に存在する。この点で特に好ましい繰り返し単位は、下記の式(41)の繰り返し単位であり、RおよびRの少なくとも1つは架橋基を有する。架橋繰り返し単位および基は、例えば、WO96/20253、WO2005/052027、J.Macro.mol.Sci.−Pure Appl.Chem.,A38(4),353−364(2001)およびNature,Volume421,2003,829〜832頁に開示されている。
通常架橋ポリマーは、架橋反応によって架橋基を形成することができる架橋性基を含む同等のポリマーから形成される。架橋反応は、熱、UVまたは化学開始剤によって開始する。架橋ポリマー中の架橋基を形成することができる適切な架橋基は、ビニル、(メス)アクリレート基およびアジドのような不飽和基、オキセタンおよびシクロブタン、特にベンゾシクロブタンのような環状基を含む。架橋基は、第1の繰り返し単位または共繰り返し単位に直接結合されるか、またはスペーサー基によって共繰り返し単位から離れている。スペーサー基は飽和されているか(例えば、C1−10アルキル)または不飽和(例えば、フェニル)であり得る。
好ましくは、架橋基/架橋性基はポリマー主鎖中に含まれない。
好ましくは、架橋性基は末端基である。
架橋基/架橋性基が第1繰り返し単位上に存在するとき、好ましくは、それぞれ1つの窒素原子とパラの位置、例えば、下記のように位置する。
1つの実施態様において、本明細書で記載される第1の繰り返し単位を含む半導体ポリマーは、電子装置の正孔輸送層中に含まれる。好ましくは、正孔輸送層の厚さは40nm未満、より好ましくは、10ないし30nmである。
本発明の装置は光起電装置からなることができる。
本発明の装置は、好ましくは、有機発光装置、より好ましくは、アノード、カソードおよび前記アノードとカソードの間に位置し少なくとも1つの発行材料を含む発光層を含む。
LEDの1つの態様において、本明細書に記載される第1の繰り返し単位を含む半導体ポリマーはアノードと発光層の間に位置する正孔輸送層中に含まれる。他の実施態様において、半導体ポリマーは発光層中に含まれる。
半導体ポリマーが発光層中に含まれるとき、これは正孔輸送および/または発光機能を果たすことができる。半導体ポリマーは青色光を放射することができる。「青色光」とは、波長範囲が400〜500nm、より好ましくは430〜500nmを有する光を意味する。
重要なパラメータは装置の寿命である、LEDのための不適切な寿命は青色発光ポリマーにおいて特に問題である。この点において、装置の寿命は、装置が本明細書に記載される第1の繰り返し単位を含む正孔輸送層を含むとき、特に青色発光装置において改良されることを発見した。したがって、好ましくは、LEDは青色光を発光する。
好ましくは、LEDはパルス駆動ディスプレイ中に含まれる。予期せずして、正孔輸送層中の本発明の第1の側面の半導体ポリマーの使用は他の正孔輸送層に比較してパルス駆動ディスプレイの寿命を改良することが発見された。
他の実施態様において、LEDはd−c−駆動ディスプレイ中に含まれる。
本発明の第2の側面は、本発明の第1の側面に関連して記載されたように、ポリマー主鎖中にトリアリールアミンの第1の窒素を含む第1の繰り返し単位およびポリマー主鎖から分岐したアリールアミンの第2の窒素を含む半導体ポリマーを、電子装置中の半導体材料へまたはから、好ましくは発光材料へ正孔を輸送するために使用する。好ましくは、この装置はフルカラー装置(すなわち、赤、緑および青色発光材料を含む)であり、本発明の第2の側面の半導体ポリマーは正孔を赤、緑および青色材料の少なくとも2つ、好ましくは3つ全てに輸送する。正孔を異なる色の発光体に輸送するための共通の材料の使用は装置の製造を容易化する。この装置は、本明細書のいずれかで検討される。
本発明の第3の側面は、本明細書のいずれかで記載されるように、電子装置、好ましくは有機発光装置の製造方法を提供する。
本発明の第3の側面においては、第1の繰り返し単位を含む半導体ポリマーが溶液プロセスによって蒸着される。
第1の繰り返し単位を含む半導体ポリマーが装置の正孔輸送層中に含まれるとき、この方法は、装置の次の層を蒸着する前に半導体ポリマーを架橋する工程を含む。
あるいは、この方法は、例えば、WO2004/023573に記載されるように、装置の次の層を蒸着する前に層を少なくとも部分的に不溶性に変えるために、この層を熱、真空または室温乾燥により処理する工程を含む。
本発明の第4の側面は、本発明の第1の側面に関連して記載される新規な正孔輸送半導体ポリマーを提供する。特に、第4の側面は、本発明の第1の側面に関連して記載されるように一般式1を有する第1の繰り返し単位を含む半導体ポリマーを提供する。ただし、Ar、Ar、Ar、ArおよびArの少なくとも1つは、アリールまたはヘテロアリール環の縮合誘導体を表す。好ましくは、アリールまたはヘテロアリール環の少なくとも1つの縮合誘導体は縮合炭素環芳香族、例えば、ナフタリン、アントラセンおよびフルオレン、および縮合へテロ環芳香族、例えば、ベンゾチアジアゾールからなる群より選択される。
本発明の第5の側面は、重合に参加するために適切な少なくとも1つの反応性離脱基L、および本発明の第1の側面に関連して記載される第1の繰り返し単位を含む構造単位を含む新規なモノマーを提供し、これによって、重合されるとき、第1の窒素がポリマー主鎖に組み込まれ、第2の窒素がポリマーから分岐される。
本発明のモノマーは重合に参加するための2つの反応性離脱基LおよびL’を含む。本発明のモノマーは、第1の繰り返し単位の末端基に付加される反応性離脱基LおよびLを有する本発明の第1の側面に関連して記載される第1の繰り返し単位を含む。
L−第1の繰り返し単位−L (34)
本発明の第6の側面は、本発明の第5の側面に関連して定義される複数のモノマーを使用する第4の側面に関連して定義される半導体ポリマーの製造方法を提供する。
本発明の半導体ポリマーは、それが使用される装置の層および共繰り返し単位の性質に応じて、電子輸送および/または発光の機能を追加的に提供することができる。
本発明の半導体ポリマーは、式35ないし40の繰り返し単位から選択される共繰り返し単位を含むことができる。
A’,B’,A,B,CおよびDは、Hまたは置換基から独立して選択される、より好ましくは、A’,B’,A,B,CおよびDの少なくとも1つは、アルキル、アリール、ペルフルオロアルキル、チオアルキル、シアノ、アルコキシ、ヘテロアリール、アリールアルキルおよびアリールアルキル基からなる群より選択される。最も好ましくは、A’,B’,A,およびBは、C1−10アルキルである。
繰り返し単位35ないし40におけるフェニル基の1または2以上は、選択的に結合される。
半導体ポリマーは選択的に置換された炭素環芳香族繰り返し単位、例えば、フルオレン繰り返し単位、例えば、EP0707020に開示されるスピロビフルオレン繰り返し単位、および例えば、Adv.Mater.(2001),13(14),1096−1099に開示されるインデノフルオレン繰り返し単位を含むことができる。好ましいフルオレン繰り返し単位は式41を有する。
およびRは、水素または選択的に置換されるアルキル、アリール、アリールアルキル、ヘテロアリールおよびヘテロアリールアルキルから独立して選択される。RおよびRは結合して環を形成する。より好ましくは、RとRの少なくとも1つは選択的に置換されるC−C20アルキルまたはアリール基を含む。最も好ましくは、RおよびRは、n−オクチルを表す。
好ましくは、正孔輸送材料は5.5eV以下、より好ましくは約4.8ないし6eVの範囲、最も好ましくは4.8ないし5.5eVの範囲のHOMOレベルを有する。
正孔輸送材料中に含まれる半導体ポリマーは、他の領域のHOMOおよびLUMOエネルーレベルと区別されたHOMOエネルギーレベルおよびLUMOエネルギーレベルをそれぞれ有する領域を含む。区別されたHOMOおよびLUMOエネルギーレベルとは、それぞれの領域が機能的に異なることを意味する。
半導体ポリマーは、1または2以上の正孔輸送領域を含むことができ、それぞれの正孔輸送領域は、ポリマー主鎖中のトリアリールアミンの第1の窒素を含む少なくとも1つの繰り返し単位とポリマー主鎖から分岐されたアリールアミンの第2の窒素を含む。半導体ポリマーまたは半導体ポリマー中の正孔輸送領域は、少なくとも4.8eV、より好ましくは4.8ないし6eV、より好ましくは4.8eV、最も好ましくは4.8ないし5.5eVのHOMOエネルギーレベルを有する。
半導体ポリマーの主鎖は共役の領域を有することができる。共役の領域は非共役の領域によって中断される。主鎖は完全に共役される。共役領域は主鎖上の1または2以上の共役された基からなる。
図1を参照すると、装置がLEDである場合、LEDは、アノード(2)、カソード(4)および前記アノードと前記カソードの間に位置する発光層(3)を有する。アノードは、例えば、透明なインジウム錫酸化物層である。アノードは基板(1)上に位置することができる。カソードは、例えば、LiAlである。装置に注入される正孔と電子は発光層中で放射的に再結合する。選択的に、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)のような正孔注入層が正孔輸送層とアノードの間に存在する。これは、正孔がアノードから注入されて正孔輸送および/または発光層に到達するのを促進する。特に、ドープされた有機材料から形成される導電性正孔注入層を供給することが好ましい。ドープされた有機正孔注入材料の例としては、ポリ(エチレンジオキシチオフェン)(PEDT)、特に、EP0901176およびEP0947124に開示されるポリスチレンスルフォネート(PSS)またはUS5723873およびUS5798170に開示されるポリアニリンが挙げられる。
本発明のLEDは、前記カソードと発光層の間に配置される電子輸送層も有することができる。これは、電子がカソードから注入されて発光層へ到達するのを助けるエネルギーレベルを提供する。もし存在するならば、電子輸送層は、好ましくは約3ないし3.5eVのLUMOレベルを有することができる。
発光層はそれ自体、有効的には、副層からなるラミネートから構成されることができる。
発光層は、発光材料単独、1または2以上の追加の材料と組み合わせた発光材料から構成されることができる。特に、発光材料は、例えば、WO99/48160に開示される正孔および/または電子輸送材料と混合されることができる。あるいは、発光材料は電荷輸送材料に共有結合されることができる。
LEDの発光層は、蛍光材料および/または燐光材料のような電子発光材料から構成されることができる。発光層が燐光性材料から構成されるとき、燐光性材料は、通常、ホスト材料と共に存在する。
多数の高知の燐光性材料が重金属錯体から構成される。いくつかの蛍光材料も軽金属、例えば、Alの錯体から構成される。
好ましい電子発光材料は電子発光ポリマーから構成される。適切には、電子発光ポリマーは半導体であり、より適切には電子発光ポリマーは共役されている。発光層に使用される適切な電子発光ポリマーとしては、ポリ(p−フェニレンビニレン)のようなポリ(アリーレンビニレン)、ポリフルオレン、特に、2,7−結合9,9−ジアルキルポリフルオレンまたは2,7−結合9,9ジアリールポリフルオレンのようなポリアリーレン、ポリスピロフルオレン、特に2,7-結合ポリ−9,9−スピロフルオレン、ポリインデノフルオレン、特に2,7結合ポリインデノフルオレン、ポリフェニレン、特にアルキルまたはアルコキシ置換ポリ−1,4−フェニレンが挙げられる。このようなポリマーは、例えばAdv.Mater.2000 12(23)1737−1750およびこの引用文献に開示されている。
電子発光ポリマーまたは電荷輸送ポリマーは、好ましくは、アリーレン繰り返し単位、特にJ.Appl.Phys.1996,79,934に開示される1,4-フェニレン繰り返し単位、EP0842208に開示されるフルオレン繰り返し単位、例えば、Macromolecule2000,33(6),2016−2020に開示されるインデノフルオレン繰り返し単位、および例えば、EP0707020に開示されるスピロフルオレン繰り返し単位から構成される。これらの繰り返し単位は、それぞれ、選択的に置換される。置換基の例としては、C1−20アルキルまたはアルコキシのような可溶性基、フルオレン、ニトロまたはシアノのような電子誘引基、ポリマーのガラス転移温度を高める置換基がある。
特に好ましい電子発光および電荷輸送ポリマーとしては、選択的に置換された2,7−結合フルオレンであり、上記の一般式の最も好ましい繰り返し単位である。
特に、9,9−ジアルキルフルオレン−2,7−ジイルのホモポリマーのようなフルオレン繰り返し単位のホモポリマーが電子輸送を供給するために利用される。
フルオレン栗化成単位およびとりアリールアミン繰り返し単位、特に、式35ないし40から選択される繰り返し単位から構成されるコポリマーが正孔輸送および/または発光を提供するために使用される。
フルオレン繰り返し単位およびヘテロアリール繰り返し単位を含むコポリマーが電荷輸送のために利用される。好ましいヘテロアリール繰り返し単位は式42ないし56から選択される。
およびRは同じか異なり、それぞれ独立して水素または置換基、好ましくは、アルキル、アリール、ペルフルオロアルキル、チオアルキル、シアノ、アルコキシ、ヘテロアリール、アルキルアリールまたはアリールアルキルである。製造の容易化のためには、RおよびRは好ましくは同じである。より好ましくは、これらは同じであり、それぞれフェニル基である。
電子発光コポリマーは、例えば、WO00/55927およびUS6353083号に開示されるように、電子発光領域および正孔輸送領域と電子輸送領域の少なくとも1つから構成されることができる。もし、正孔輸送領域と電子輸送領域の1つが供給されると、電子発光領域は他の正孔輸送および電子輸送機能も供給することができる。
このようなポリマー内の異なる領域は、US6353083に開示されるようにポリマー主鎖に沿って供給されるか、またはWO01/62869に開示されるようにポリマー主鎖からの分岐基によって供給される。
電子発光材料は金属錯体のような電子発光低分子から構成される。金属錯体のための多くのホスト材料が、Ikai et al.(Appl.Phys.Lett.,79 no.2,2001,156)に開示されるCBPとして知られる4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)ビフェニル)およびTCTAとして知られる(4,4’,4”−トリス(カルバゾール−9イル)トリフェニルアミン)、およびMTDATAとして知られるトリス−4−(N−3−メチルフェニル−N−フェニル)フェニルアミンのようなトリアリールアミンのような「低分子」ホスト材料を含む公知文献に記載されている。ポリマーもホスト、特に、例えば、Appl.Phys.Lett.2000,77(15),2280に開示されるポリ(ビニルカルバゾール)、Synth.Met.2001,116,379,Phys.Rev.B2001,63,235206およびAppl.Phys.Lett.2003,82(7),1006におけるポリフルオレン、J.Mater.Chem.2003,13,50−55におけるポリ(パラ−フェニレン)のようなホモポリマーとして知られる。コポリマーもホスト材料として知られる。
好ましい金属錯体は、選択的に置換される式(57)の錯体から構成される。
ML (57)
上記式において、Mは金属であり、L、L、およびLは配位基であり、qは整数であり、rおよびsはそれぞれ独立して0または整数であり、)(a.q)+(b.r+(c.s)の総計はM上で有効な配位位置の数であり、aはL上の配位位置の数、bはL上の配位位置の数、cはL上の配位位置の数である。
重元素Mは、急速な系の間の架橋および3重項からの発光を可能にする強いスピン軌道結合を引き起こす。適切な重金属Mとしては、次のものがある。
セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、ジスプロジウム、ツリウム、エルビウムおよびネオジウムのようなランタニド金属、および
d−ブロック金属、特に、2および3族のもの、すなわち、元素39ないし48および72ないし80、特に、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、レニウム、オスミウム、イリジウム、プラチナおよび金。
f−ブロック金属の適切な配位基は、カルボン酸、1,3−ジケトネート、水酸化カルボン酸、アシルフェノールおよびイミノアシール基を含むシッフ塩基を含む。公知のように、発光金属錯体は、金属イオンの第1励起状態より高い3重項励起エネルギーレベルを有する感光基を必要とする。発光は、金属のf−f遷移からであり、したがって発光色は金属の選択によって決められる。鋭い発光は、通常狭く、ディスプレイへの応用に有益な純色発光をもたらす。
上記式において、ArおよびArは同じか異なり、選択的に置換されるアリールまたはヘテロアリールから独立して選択され、YおよびYは同じか異なり、炭素および窒素から独立して選択され、ArおよびArは互いに縮合する、Yが炭素であり、Yが窒素であるリガンドは特に好ましい。
2座リガンドの例は下記に示される。
ArおよびArはそれぞれ1または2以上の置換基を有することができる。特に好ましい置換基は、WO02/45466、WO02/44189、US2002−117662およびUS2002−18244に開示される錯体の発光の青色シフトに使用されるフルオレンまたはトリフルオレン、WO02/81448に開示される発光材料として使用されるとき錯体に正孔を輸送するのを促進するのに使用されるカルバゾール、WO02/68435およびEP1245659に開示される追加の基の付着のためのリガンドを機能化する働きをする臭素、塩素またはヨウ素、およびWO02/66552に開示される金属錯体の溶液プロセス性を得るためまたは高めるために使用されるデンドロンを含む。
dブロック元素と共に使用されるのに適する他のリガンドとしては、ジケトネート、特に、アセチルアセトネート(acac)、トリアリールホスフィンおよびピリジンが挙げられ、これらのそれぞれは置換され得る。
主要基の金属錯体は、リガンド系または電荷転移型発光を示す。これらの錯体において、発光色は金属だけでなくリガンドの選択によって決められる。
ホスト材料および金属錯体は物理的混合の形で結合されることができる。あるいは、金属錯体はホスト材料に化学的に結合され得る。ポリマーホスト材料の場合、例えば、EP1245659、WO02/31896、WO03/18653およびWO03/22908に開示されるように、金属錯体はポリマー主鎖に付着する置換基として結合され、ポリマー主鎖中の繰り返し単位として組み込まれるか、またはポリマーの末端基として供給される。
蛍光性低分子量金属錯体の広い範囲が公知であり、有機発光装置において試作されている(例えば、Macromol.Sym.1251997)1−48,US−A5,150,006,US−A6,083,634およびUS−A5,432,014参照)、特に、トリス−(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウムが公知である。2価または3価金属のための適切なリガンドは、オキシノイド、例えば、酸素−窒素または酸素−酸素寄与原子、通常、置換酸素原子を有する環系窒素原子、または8−ヒドロキシキノレートおよびhドロキシキノクサリノール−10−ヒドロキシベンゾ(h)キノリナート(II)のような置換酸素原子を有する置換窒素または酸素原子、ベンザゾール(III)、シッフ塩基、アゾインドール、クロモネ誘導体、3−ヒドロキシフラボンおよびサリチルレートアミノカルボキシレートおよびエステルカルボキシレートのようなカルボン酸を含む。選択的な置換基は、発光色を改良することができる(ヘテロ)芳香環上のハロゲン、アルキル、アルコキシ、ハロアルキル、シアノ、アミノ、アミド、スルフォニル、カルボニル、アリールまたはヘテロアリールを含む。
カソードは電子を発光層に注入することを可能にする仕事関数を有する材料から選択される。他の要素、例えば、カソードと発光材料の間の悪い相互作用の可能性がカソードの選択に影響する。カソードはアルミニウム層のような単一材料からなる。あるいは、それは、複数の金属、たとえば、WO98/10621に開示されるカルシウムとアルミニウムの2層、WO98/57381、Appl.Phys.Lett.2002,81(4),634およびWO02/84759に開示されるバリウム元素、電子の注入を促進するための誘電材料の薄膜、例えば、WO00/48258に開示されるフッ化リチウム、またはAppl.Phys.Lett.2001,79(5),2001に開示されるフッ化バリウムから構成される。電子を効率よく装置に注入するために、カソードは好ましくは3.5eV未満、より好ましくは3.2eV未満、最も好ましくは3eV未満の仕事関数を有する。
光学装置は、湿気および酸素に敏感である傾向にある。したがって、基板は、好ましくは、湿気および酸素が装置に浸入するのを防ぐための良好な障壁特性を有する。基板は通常ガラスであるが、特に装置の柔軟性が望まれる場合には他の基板が使用される、例えば、プラスチックと障壁層の交互層の基板を開示するUS6268695に開示されるように、プラスチックを含むことができ、またはEP0949850に開示されるように薄いガラスとプラスチックのラミネートを含むことができる。
本発明の装置は、湿気および酸素の浸入を防ぐために、好ましくはカプセル材でカプセル化される。好ましいカプセル材は、ガラスのシート、例えば、WO01/81649に開示されるポリマーと誘電体の交互の堆積層のような適切な障壁特性を有する薄膜、または、例えば、WO01/19142に開示されるような気密性の容器を含む。基板またはカプセル材を貫通する大気中の湿気および酸素を吸収するゲッター材料は基板とカプセル材の間に配置される。
実用的な装置において、電極の少なくとも1つは、光が吸収される(光感知装置の場合)または放射される(OLEDの場合)ように半透明である。アノードが透明の場合、それは通常インジウム錫酸化物を含む。透明なカソードの例は、例えば、GB2348316に開示される。
図1の実施態様は、装置が第1に基板上のアノードを形成し、続いて発光層およびカソードを積層することによって形成される装置を例示するが、本発明の装置は、基板上のカソードを形成し、続いて発光層およびアノードを積層することによっても形成され得る。
本発明のLEDは上記のものに加えて追加の層を有することができる。例えば、このLEDは1または2以上の電荷または励起子遮断層を有することができる。
多くのディスプレイは、基板上に積層された行および列の交差点に形成される画素のマトリックスからなる。それぞれの画素は、ポリマーLEDのような発光ダイオード(LED)である。
カラーディスプレイは、赤、緑および青色画素のマトリックスを互いに近接して配置することによって形成される。画素を制御し、必要とされる映像を形成するために、「パッシブ」または「アクティブ」マトリックス駆動方法が使用される。
アクティブマトリックスディスプレイは、電流を制御しこれによって個々の画素の輝度を制御する各画素が伴う一連のトランジスタ(TFT)を組み込んでいる。低い電流は、単にTFTドライバーをプログラムするだけなので制御配線を流れ、この配線は結果として微細にすることができる。また、トランジスタは、他の制御信号を受信するまで画素を必要な輝度に保持するように電流のセッティングを保持することができる。DC駆動条件は通常アクティブマトリックスディスプレイに使用される。
パッシブマトリックスでいすプレイは、ディスプレイのそれぞれの行と列はそれ自体のドライバーを有し、画像を生成し、マトリックスはそれぞれの画素が必要に応じてオンオフされるように迅速にスキャンされる。制御電流は画素が照明を要求されればいつでも存在しなければならない。パルス駆動条件が通常パッシブマトリックスディスプレイには使用される。
本発明において、連続(すなわちDC)およびパルス駆動条件が共に使用される。本発明は、非ディスプレイ製品、例えば、環境照明にも使用することができる。
本発明の装置は、パッシブマトリックスディスプレイのようなディスプレイ中に含まれる。あるいは、この装置は、DC駆動条件で駆動されるアクティブマトリックスディスプレイ中に含まれる。
ポリマー主鎖中のトリアリールの第1窒素およびポリマー主鎖から分岐したアリールアミンの第2窒素うぃ含む半導体ポリマーの製造の好ましい方法は、例えば、WO00/536536に記載されるスズキ重合および例えば、T.Yamamoto,“Electrically Conducting And Thermally Stable π−Conjugated Poly(arylene)s Prepared by Organometallic Process”,Progress in Polymer Science 1993,17,1153−1205に記載されるヤマモト重合である。これらの重合技術は、金属錯体触媒の金属原子がモノマーのアリール基と離脱基(L,L’)の間に挿入される「金属挿入」によって作動する。ヤマモト重合の場合、ニッケル触媒が使用され、スズキ重合の場合、パラジウム触媒が使用される。
例えば、ヤマモト重合による直鎖ポリマーの合成において、2つの反応性ハロゲン基(LおよびL)を有するモノマーが使用される。同様に、スズキ重合の方法に基づいて、少なくとも1つの反応基はボロン酸またはボロンエステルのようなボロン誘導基であり、他の反応基はハロゲンである。好ましいハロゲンは塩素、臭素およびヨウ素であり、最も好ましくは臭素である。
したがって、この出願を通じて例示されているアリール基を含む繰り返し単位は、それぞれ適切な離脱基(LおよびL1)を有するモノマーから導かれると理解されよう。
末端キャップモノマーの場合、このモノマーは異端に離脱基を有し、他の端に水素のような不活性基を有する第1の繰り返し単位に等しい。
スズキ重合は、部分規則、ブロックおよびランダムコポリマーに使用される。特に、ホモポリマーまたはランダムコポリマーは、1つの反応基がハロゲンであり、他の反応基がボロン誘導基であるときに製造される。
あるいは、ブロックまたは部分規則、特に、AB,コポリマーは、第1のモノマーの反応基が共にボロンであり、第2のモノマーの反応基が共にハロゲンであるときに製造される。
ハロゲン化物の代替として、金属挿入に参加することができる離脱基は、トシレート、メシレート、フェニルスルホネートおよびトリフレートを含む。
単一のポリマーまたは複数のポリマーが溶液から積層される。ポリアリーレン、特にポリフルオレンのような有機半導体のための適切な溶媒は、トルエンおよびキシレンのようなモノまたはポリ−アルキルベンゼンを含む。特に好ましい溶液積層技術は、スピンコート、インクジェット印刷およびロール印刷である。
スピンコートは、発光装置のパターニングが必要のない装置、例えば、照明製品や単純なモノクロ区域ディスプレイに特に適している。
インクジェット印刷は高度情報コンテンツディスプレイ、特にフルカラーディスプレイに適している。OLEDのインクジェット印刷はEP0880303に開示されている。
装置の多層が溶液プロセスによって形成されるとき、当業者は、隣接する層の相互の混合を防ぐ技術、例えば、次の層の蒸着の前に前の層を架橋するとか、または第1の層を形成する材料が第2の層を蒸着する差異に使用される溶媒に溶解しないように隣接する層の材料を選択することを知るだろう。
実施例1
モノマー1およびポリマー1の製造
モノマー1の合成ルー
1.段階1
用具の準備
機械的撹拌手段、還流濃縮器、窒素の入口および出口を備えた3Lの3首丸底フラスコを用意する。
アニリン(19.86g,0.214mol)および4−ブロモ−n−ブチルベンゼン(100.0g,0.469mol)が3Lの3首丸底フラスコに入れられた。1Lのトルエンが加えられ、フラスコは機械的撹拌手段および還流濃縮器が備えられた。窒素がピペットにより60分間この混合物中に混入された。触媒であるトリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0.98g,1.07mol)およびリガンドであるトリ−タート−ブチルホスフィントリフルオロボラーテ(0.465g,1.6mmol)が加えられ、反応混合物は窒素雰囲気中で15分間混合された。反応混合物は氷浴で冷却され、ナトリウムタート−ブトキシド(61.5g,0.64mol)が分割して加えられた。反応は発熱性なので注意を要する。混合物は室温で4時間撹拌され、一晩で80℃(油浴温度)まで加熱された。水(1L)が反応をクエンチするために加えられ、分離用漏斗で相分離された。有機相が回転蒸発器上で還元されてこげ茶の油を生成した。油はトルエン(100mL)で希釈されて、シリカプラグを通じてろ過された(直径10cm、高さ15cm)。プラグはトルエンで希釈された(4.5L)。ろ過物は回転蒸発器で圧縮されて122gの色つき油を得た。これは、ビス(4−n−ブチルフェニル)フェニルアミンを含み、追加の純化なしに次の工程で使用された。
2.段階2
用具の準備
固定具を有する温度計、磁気撹拌手段および窒素の入口および出口を備えた5Lの3首丸底フラスコを用意する。
5Lの3首丸底フラスコに段階1の生のN11(244.5g、理論的に0.64mol含有)が満たされた。2.5Lのジクロロメタンが加えられ、フラスコは窒素で充満された。反応混合物は氷浴で10℃未満に冷却された。N−ブロモサクシニミド(127.8g,0.72mol)が分割して加えられ、10℃以下に保持された。反応混合物は、一晩で室温まで保持された。次いで、Celiteのプラグでろ過された。プラグはジクロロメタンで希釈された(2L)。ろ過物は蒸発され、乾燥され、250gの生の段階2材料を得た。
不純物(主として、ブロモ―n−ブチルベンゼン)が高真空蒸留法により除去されて、残渣(230g,78%生成)が次の段階で追加の純化なしで使用された。
3.段階3
用具の準備
還流濃縮器、機械的撹拌手段、窒素の入口および出口を備えた2Lの3首丸底フラスコを用意する。
段階2の材料(50g,0.11mol)が還流濃縮器、機械的撹拌手段、窒素の入口および出口を備えた2Lの3首丸底フラスコに入れられた。これは750mLのトルエン中に溶解された。窒素がピペットにより60分間この混合物中に混入された。パラジウムアセテート(0.74g,3.3mol)およびトリ−(o−トリイル)ホスフィン(2.5g,6.6mmol)が加えられ、反応混合物は窒素雰囲気中で15分間混合された。塩基であるナトリウムタート−ブトキシド(28.8g,0.30mol)が分割して加えられ、混合物は還流器に加熱された。混合物は水(2L)に注がれ、混合物はCeliteのプラグを通じてろ過されて相分離を助ける。有機相が分離されて、硫化マグネシウム上で乾燥され、回転乾燥器で圧縮されて乾燥物にされた。得られた個体は、2−プロパノールから再結晶されて段階3の生成物63gを得た。これは次の工程で使用するに十分純度が高い。
4.モノマー1
用具の準備
機械的撹拌手段、窒素の入口および出口を備えた2Lの3首丸底フラスコを用意する。
実験
2Lの3首丸底フラスコにおいて段階3の材料(77.8g,0.15mol)がジクロロメタン中に溶解された(750mL)。フラスコは窒素で充満された。反応混合物は氷浴で10℃未満に冷却された。N−ブロモサクシニミド(52.8g,0.30mol)が分割して加えられ、10℃以下に保持された。反応混合物は、一晩攪拌された。反応混合物は、シリカプラグを通じてろ過され、ジクロロメタンで希釈された(2L)。ろ過物は蒸発され、油を得た。この油は2Lの2−プロパノールに溶解され室温まで除冷され沈殿物を得た。沈殿物はろ過により除去され、溶解、冷却およびろ過の工程はさらに2回繰り返された。生成物はヘキサンから再結晶化され、真空中40℃で乾燥され生成物18.3g(18%生成)を得た。結合されたろ過ブルは真空中で収縮され再結集して追加の生成物を得た。
1H−NMR(CDCl3,400MHz):δ[ppm]0.93(6H,t,J=7.4Hz),1.32−1.41(4H,m),1.55−1.59(4H,m),2.56(4H,t,J=7.6Hz),6.89−7.06(16H,m)+7.31(4H,d,J=8.8Hz)
本発明のポリマー1は85モル%の9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル繰り返し単位を含み、15モル%のモノマー1繰り返し単位は、WO00/53653に記載される方法にしたがってスズキ重合によって製造された。
実施例2
発光装置(装置1)の製造
Baytron P(登録商標)として、H C Starck of Leverkusen,Germanyから入手されるポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホネート)(PEDT/PSS)がスピンコートによりガラス基板上に支持されたインジウム錫酸化物アノード上に蒸着された。実施例1で製造されたポリマー1の正孔輸送層がキシレン溶液からスピンコートによりPEDT/PSS層上に厚さ30nmに蒸着され、180℃で1時間加熱された。WO04/083277に開示される青色電子発光ポリマーは、キシレン溶液からスピンコートによりポリマー1層上に厚さ約65nmに蒸着された。半導体ポリマー上にバリウムの第1層を約10nmの厚さまで蒸着し、アルミニウムの第2層を約100nmの厚さまで蒸着することにより、Ba/Alカソードが半導体ポリマー層上に形成される。最後に、装置の上に置かれたゲッターを含む金属封入を使用して装置は封止され、気密封止を形成するために基板上に接着された。
比較の目的のため、第2の装置(装置2)が、ポリマー1の替わりにWO99/54385に開示される、ジオクチルフルオレン繰り返し単位の85モル%およびジアミン「PFB」繰り返し単位の15モル%を含むポリマー2が使用された以外は上記の方法に従って製造された。
装置1および2の寿命が測定され、結果が下記の表1に要約されている。
装置1は装置2より16%長い寿命を示した。
実施例3
ポリマー3および4を比較するデータ
30モル%のモノマー1および70モル%のジオクチルフルオレンを含む本発明のポリマー3が実施例1の方法に従って製造された。比較の目的のため、30モル%のPFBおよび70モル%のジオクチルフルオレンを含むポリマー4が製造された。
装置3および4の寿命が測定され、結果が下記の表2に要約された。
装置3は装置4より16%長い寿命を示した。
LEDを表す。
符号の説明
1 基板
2 アノード
3 発光層
4 カソード

Claims (35)

  1. ポリマー主鎖中のトリアリールアミンの第1の窒素およびポリマー主鎖から分岐したアリールアミンの第2の窒素を含む第1の繰返し単位から構成される正孔輸送半導体ポリマーを含み、前記半導体ポリマーが装置中の半導体材料へのまたはからの正孔の輸送を行うことを特徴とする電子装置。
  2. 前記装置は有機発光装置から構成され、前記正孔輸送半導体ポリマーが前記有機発光装置の発光層中の発光半導体材料に正孔を輸送する機能を果たす請求項1に記載の装置。
  3. 前記装置は青色光を発光する請求項2に記載の装置。
  4. 前記半導体ポリマーは前記装置の正孔輸送層中に含まれる請求項1ないし3のいずれかに記載の装置。
  5. 前記正孔輸送半導体ポリマーは前記装置の前記発光層中に含まれる請求項2または3に記載の装置。
  6. 前記第1繰り返し単位は一般式1から構成される請求項1ないし5のいずれかに記載の装置であって、
    上記式において、Ar、Ar、Ar、ArおよびArは、それぞれ独立してアリールまたはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体を表し、Xは選択的なスペーサー基を表す装置。
  7. Ar、Arの1つまたは両者は電子濃度の高いアリールまたはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体を表す請求項1ないし6のいずれかに記載の装置。
  8. Ar、Arの両者は独立してフェニルを表す請求項7に記載の装置。
  9. Ar、Arの1つまたは両者は電子濃度の高いアリールまたはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体を表す請求項1ないし8のいずれかに記載の装置。
  10. Ar、Arの両者は独立してフェニルを表す請求項9に記載の装置。
  11. Arおよび/またはArは1つの置換基を有する置換されたフェニルを表し、前記1つの置換基はパラ位置に配置される請求項10に記載の装置。
  12. Arはフェニルまたはこの縮合誘導体を表す請求項1ないし11のいずれかに記載の装置。
  13. 前記第1窒素を含む前記トリアリールアミンは、第2の窒素を含むアリールアミンと共に共役されている請求項1ないし12のいずれかに記載の装置。
  14. 前記半導体ポリマーはコポリマーまたは高次ポリマーから構成される請求項1ないし13のいずれかに記載の装置。
  15. 前記ポリマーは前記第1繰返し単位の15ないし30モル%を含む請求項14に記載の装置。
  16. 前記ポリマーは2,7−結合フルオレン基から構成される共繰り返し単位を含む請求項14または15に記載の装置。
  17. 前記装置はパルス駆動ディスプレイ中に含まれる請求項1ないし16のいずれかに記載の装置。
  18. 前記第1の繰り返し単位は、一般式12、13、14または15から構成される請求項1ないし17のいずれかに記載の装置であって、
    上記式において、a=1ないし3およびRおよびRはそれぞれ置換基を表す装置。
  19. 前記第1の繰り返し単位は一般式17から構成される請求項1ないし17のいずれかに記載の装置であって、
    上記式において、ArないしArおよびXは請求項1ないし13のいずれかで定義され、ArおよびArはそれぞれ独立してアリールまたはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体を表す装置。
  20. 前記第1の繰り返し単位は一般式20から構成される請求項1ないし17のいずれかに記載の装置であって、
    上記式において、ArないしArは請求項1ないし13のいずれかで定義され、Arはアリールまたはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体を表す装置。
  21. 前記第1の繰り返し単位は一般式22から構成される請求項20に記載の装置であって、
    上記式において、R、R、RおよびRはそれぞれ独立して置換基を表す装置。
  22. 前記第1の繰り返し単位は一般式23から構成される請求項1ないし17のいずれかに記載の装置であって、
    上記式において、ArないしArは請求項1ないし13のいずれかで定義され、Arはアリールまたはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体を表し、Yは電子寄与基を表す装置。
  23. 前記第1の繰返し単位は第3の窒素を含む追加のアリールアミンをさらに含む請求項請求項1ないし17のいずれかに記載の装置。
  24. 前記第1の繰返し単位は一般式28から構成される請求項23に記載の装置であって、
    上記式において、Ar、Ar、Ar、Ar、ArおよびXは請求項1ないし13のいずれかで定義され、Xは選択的なスペーサー基を表し、ArおよびAr10はそれぞれ独立してアリールまたはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体を表す装置。
  25. 前記第1の繰返し単位は一般式29から構成される請求項24に記載の装置。
  26. 前記第1の繰返し単位は第4の窒素を含む追加のアリールアミンをさらに含む請求項23に記載の装置。
  27. 前記第1の繰返し単位は一般式30から構成される請求項26に記載の装置であって、
    上記式において、ArないしArおよびXは請求項1ないし13のいずれかで定義され、XおよびXは独立してスペーサー基を表し、Ar、Ar10、Ar11およびAr12はそれぞれ独立してアリールまたはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体を表す装置。
  28. 前記第1の繰返し単位は一般式31から構成される請求項27に記載の装置。
  29. 前記第1の繰返し単位は一般式32から構成される請求項26に記載の装置であって、
    上記式において、ArないしArおよびXは請求項1ないし13のいずれかで定義され、Xはスペーサー基を表し、Ar、Ar10、Ar11およびAr12はそれぞれ独立してアリールまたはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体を表す装置。
  30. ポリマー主鎖中のトリアリールアミンの第1の窒素およびポリマー主鎖からの分岐したアリールアミンの第2窒素から構成される半導体ポリマーを電子装置中の半導体材料へまたはから正孔を輸送するために使用する方法。
  31. 正孔を発光材料に輸送するための請求項30に記載の半導体ポリマーを使用する方法。
  32. ポリマー主鎖中のトリアリールアミンの第1の窒素およびポリマー主鎖からの分岐したアリールアミンの第2窒素から構成される半導体ポリマーの溶液を溶液プロセスにより積層して半導体ポリマーから構成される層を形成する工程を含む電子装置の製造方法であって、前記半導体ポリマーは前記装置中の半導体材料へまたはから正孔を輸送する機能を果たす製造方法。
  33. 前記半導体ポリマーから構成される層を架橋し、次いでその上に次の層を積層する工程をさらに含む請求項32に記載の方法。
  34. 前記半導体ポリマーから構成される層を熱、真空または室内乾燥により処理して前記層を少なくとも部分的に可溶性に改変し、次いでその上に次の層を積層する工程をさらに含む請求項32に記載の方法。
  35. 一般式1から構成される第1繰返し単位から構成される半導体正孔輸送ポリマーであって、
    上記式において、Ar、Ar、Ar、ArおよびArはそれぞれ独立してアリールまたはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体を表し、Xは選択的なスペーサー基を表し、Ar、Ar、Ar、ArおよびArの少なくとも1つはアリールまたはヘテロアリール環の縮合誘導体を表す半導体正孔輸送ポリマー。
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