JP2009521118A5 - - Google Patents
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Description
本発明は、電子装置、特に、有機発光装置およびその製造方法に関するものである。本発明は、また、電子装置に使用される正孔輸送材料およびその製造方法に関するものである。
このような電子装置は、有機発光ダイオード(OLED)を含む。この装置の層の1または2つ以上は、通常ポリマーを含む。さらに、この装置は、通常電極間に位置する1または2以上の半導体ポリマー層を含む。半導体ポリマーは、主鎖および/または側鎖において部分的または実質的な共役部を有する特徴を有する。
半導体ポリマーは、現在、WO90/13148に開示される高分子発光装置(PLEDs)、電界効果型トランジスタ(FETs)、WO96/16449に開示される光起電装置およびUS5523555に開示される光検出器などの多くの光学装置にしばしば使用される。
典型的なLEDは、その上にアノードが支持される基板、カソードおよび前記アノードとカソードの間に位置し、少なくとも1つの発光材料を含む有機発光層を有する。作動においては、正孔がアノードを通して装置に注入され、電子がカソードを通じて装置に注入される。正孔と電子は有機発光層中で結合して励起子を形成し、次いで励起子は放射性崩壊して光を与える。他の層もLEDに存在することができる。例えば、ポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホネート(PEDT/PSS)などの導電性有機正孔注入材料の層を前記アノードと前記有機発光層の間に供給して、アノードから有機発光層への正孔の注入を促進することができる。さらに、半導体有機正孔輸送材料の層がアノード(または、存在する場合は正孔注入層)および有機発光層の間に供給されて、正孔の有機発光層への輸送を促進することができる。
一般的に、前述の有機装置に使用されるポリマーは、装置の製造過程でその堆積を容易にするために通常の有機溶媒に可溶性であることが望ましい。多くのこのようなポリマーが知られている。この可溶性の重要な利点の1つは、ポリマー層が溶液処理、例えば、スピンコート、インクジェット印刷、スクリーン印刷、浸漬被覆、ロール印刷などによって製造することができることである。このようなポリマーの例としては、例えば、Adv.Mater.2000 12(23)1737−1750に開示されており、可溶化基を有するフルオレン、インデノフルオレン、フェニレン、アリーレンビニレン、チオフェン、アゾール、キノキサリン、ベンゾチアジアゾール、オキサジアゾール、チオフェンおよびトリアリールアミンのような芳香族またはヘテロ芳香族単位から形成される少なくとも部分的に共役された主鎖を有するポリマー、およびポリ(ビニルカルバゾール)のような非共役主鎖を有するポリマーが挙げられる。ポリフルオレンのようなポリアリーレンは良好な薄膜形成特性を有し、得られるポリマーの位置規則性(regioregularity)を高度に制御することができるスズキまたはヤマモト重合によって容易に形成されることができる。
ある装置においては、一つの基板表面上に、異なる材料(通常は、ポリマー)の多層、すなわち、ラミネートを成型することが望ましいことがある。例えば、これは、電子または正孔電荷輸送、輝度の制御、光子の閉じ込め、励起子の閉じ込め、光誘起電荷の生成および電荷の遮断または蓄積などの独立した機能の最適化の達成を可能にすることであり得る。
この点において、例えば、装置にわたって、電気および光学特性を制御するために複数の材料(例えば、ポリマー)の多層を形成できることが有益であり得る。これは、装置特性の最適化に有益であり得る。装置特性の最適化は、例えば、境界全体にわたって、電子および正孔輸送レベルのオッフセット、光学的屈折率の不整合およびエネルギーギャップの不整合の慎重な設計によって達成され得る。このような複合構造は、例えば、1つの担体の注入を容易化するが反対の担体の抽出を遮断し、および/またはクエンチ境界への励起子の拡散を防止することができる。これによって、このような複合構造は有益な担体および光子の閉じ込め効果を提供することができる。
WO2004/023573は光学装置の形成方法に関するもので、第1のタイプの電荷担体を注入または受容することができる第1の電極を有する基板を提供する工程、前記第1の電極の上に、架橋性のビニルまたはエチニル基が存在せず、かつ堆積時に溶媒に可溶性の第1の半導体材料を堆積させることにより、溶媒中に少なくとも部分的に可溶性である第1の層を形成する工程、前記溶媒中の溶液から第2の半導体材料を堆積させることにより前記第1の層に接触し第2の半導体材料を含む第2の層を形成する工程、および前記第2の層の上に、第2のタイプの電荷担体を注入または受容することができる第2の電極を形成する工程を含み、前記第1の層は、前記第1の半導体材料の堆積に続いて、熱、真空および大気乾燥処理の1または2以上によって少なくとも部分的に不溶性に変えられる光学装置の形成方法に関する。
第1の半導体材料がポリマー主鎖中にフルオレン繰返し単位を有するポリマーまたはPVKであるとき、第1の半導体材料は前記処理の1または2以上によって少なくとも部分的に不溶性に変えられることが教示されている。実施例では、「F8−TFB」正孔輸送ポリマー(第1の半導体材料)を使用する。正孔輸送ポリマー層は堆積後不活性雰囲気中で加熱される。加熱された「F8−TFB」層の使用は、装置の効率を改良することが示されている。「F8−TFB」中のフルオレン繰返し単位の存在の影響に加えて、特にポリマーが、プロトンを受容することができる、WO2004/023573で与えられる式1〜6のアミンのような基本単位、WO2004/023573で与えられる式7の範囲内のHet基を含むとき、効率が改良されることが13頁に教示されている。
EP1310539は発光装置に関するものである。より特定的には、これは次の様な発光装置に使用される発光材料に関するものである。すなわち、次の式(a)で表される繰返し単位および次の式(b)で表される繰返し単位を含み、
Ar1、Ar2およびAr6はそれぞれ独立してアリーレン基、2価のヘテロ環化合物基などを表し、Ar3はアリーレン基、アリーレンビニレン基または2価のヘテロ環化合物基であり、Ar4およびAr5はそれぞれ独立してアリール基または1価のヘテロ環化合物基を表すポリマー化合物である。
正孔輸送層は、例えば、EP1310539号の段落「0111」および「0117」に記載されている。公知の正孔輸送材料の例は、EP1310539号の段落「0132」から「0137」に開示されている。
欧州特許明細書1310539号
上記に照らして、有機(通常、ポリマー)電子装置に使用されるさらなる正孔輸送材料、好ましくは装置の効率を高める材料を提供する必要性が残っていることがわかる。
したがって、本発明の1つの目的は、正孔輸送層、好ましくは効率の改良された正孔輸送層により特徴付けられる新しい有機電子装置を提供することにある。さらに、新しい装置を製造するための方法を提供することも本発明の目的である。さらに、新規な正孔輸送材料およびこれを製造する方法を提供することも目的の1つである。
本発明の発明者は、ポリマー主鎖中のトリアリールアミンの第1の窒素およびポリマー主鎖から分岐したアリールアミンの第2の窒素を含む第1の繰返し単位を含む半導体ポリマーが電子装置、特に有機発光装置(LED)中の正孔輸送材料として有利に使用され得ることを思いがけずに発見した。
したがって、本発明の第1の側面は、ポリマー主鎖中のトリアリールアミンの第1の窒素およびポリマー主鎖から分岐したアリールアミンの第2の窒素を含む第1の繰返し単位を含む正孔輸送半導体ポリマーを含む電子装置であって、前記半導体ポリマーが前記装置の半導体材料へのまたはからの正孔の輸送の機能を果たすことを特徴とする電子装置を提供する。
アリールアミンは好ましくはトリアリールアミンである。
好ましくは、前記電子装置は、前記正孔輸送半導体ポリマーが前記有機発光装置の発光層中の発光半導体材料に正孔を輸送する機能を果たす有機発光装置から構成される。
前記正孔輸送半導体ポリマーは前記発光層中に含まれてもよい。あるいは、前記正孔輸送半導体ポリマーは前記装置の正孔輸送層中に含まれてもよい。
本発明の発明者は、ポリマー主鎖中の第1の窒素およびポリマー主鎖から分岐した第2の窒素を含む第1の繰返し単位を含む半導体ポリマーが、良好な正孔輸送特性を有し、さらに、有機発光装置からの発光寿命を延ばすことによって装置特性を思いがけずに改良することを発見した。これは、特に、TFBまたはPFB繰返し単位を含むポリマーと比較することによって観察された。本発明によれば、発光寿命測定値は、一定電流において発光が半分に減少するのに要する時間を測定することによって室温(295°K)で得られる。
本明細書で使用される「トリアリールアミン」という用語は、それぞれ独立してアリールおよびヘテロアリール基から選ばれる3つの基が結合した中心窒素原子を、有するアミンを意味することが理解されよう。
本明細書で使用される「アリールアミン」という用語は、少なくとも1つのアリールまたはヘテロアリール基が結合した中心窒素原子を、有するアミンを意味することが理解されよう。
本明細書で使用される「アリールアミン」という用語は、少なくとも1つのアリールまたはヘテロアリール基が結合した中心窒素原子を、有するアミンを意味することが理解されよう。
好ましくは、第1の窒素を含むトリアリールアミンは第2の窒素を含むアリールアミンと共役されている。
第1の窒素を含むトリアリールアミンは第2の窒素を含むアリールアミンの一部を含むことができる。特に、第1の窒素を含むトリアリールアミンは、第2の窒素を含むアリールアミンの少なくとも1つのアリールまたはヘテロアリール基を含んでもよい。
第1の繰返し単位は次の一般式1を含んでもよい。
Ar1、Ar2、Ar3、Ar4およびAr5は、それぞれ独立してアリールまたはヘテロアリール環あるいはその縮合誘導体を表し、Xは任意に選択されるスペーサー基を表す。
アリールおよびヘテロアリール環の好ましい縮合誘導体は、縮合炭素環芳香族、例えば、ナフタレン、アントラセンおよびフルオレン、並びに縮合ヘテロ環芳香族、例えば、ベンゾチアジアゾールを含む。
好ましくは、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4およびAr5の少なくとも1つは、アリールまたはヘテロアリール環の縮合誘導体を表す。より好ましくは、Ar3はアリールまたはヘテロアリール環の縮合誘導体を表す。
アリールまたはヘテロアリール環あるいはこれらの縮合誘導体は置換されていてもよく置換されていなくてもよい。
式1において、これら示された結合に加えて、Ar1は直接結合または架橋基若しくは架橋原子によってAr2に結合され得る。Ar1およびAr2の間の結合の生成は、ポリマーの主鎖に沿った平坦性を制御し、これによってポリマーに正孔注入特性が調整され得る。
Ar1は、直接結合または架橋基若しくは架橋原子によってAr3に結合され得る。Ar2は、直接結合または架橋基若しくは架橋原子によってAr3に結合され得る。Ar1およびAr2は、Ar3に結合され得る。
Xが存在するとき、Ar4は直接結合または架橋基若しくは架橋原子によってXに結合され得る。同様に、Ar5は直接結合または架橋基若しくは架橋原子によってXに結合され得る。Ar 4 およびAr 5 はXに結合され得る。Xが存在しない場合、Ar4 は直接結合または架橋基若しくは架橋原子によってAr3に結合され得る。同様に、Ar5は直接結合または架橋基若しくは架橋原子によってAr3に結合され得る。Ar4およびAr5はAr3に結合され得る。
Zおよび/またはZ’が架橋原子である場合、これらは好ましくは、C,N,OおよびSから構成される群から選択される。CおよびN架橋原子は、置換されていてもよく(すなわち、それぞれ−CH2−および−NH−)、置換されていてもよい。アルキルは好ましい置換基である。Zは好ましくはヘテロ原子である。
Ar4は、直接結合または架橋基若しくは架橋原子によってAr5に結合され得る。
アリール若しくはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体の2つが第1の繰返し単位中で結合される場合、当業者は、その結合は直接結合または架橋基若しくは架橋原子のどれが望ましいか判るであろう。これは、これらそれぞれの選択によって第1繰返し単位内に生じる張力に依存する。この結合は、第1の窒素または第2の窒素を含む新しい5または6員環を形成することが好ましい。より好ましくは、この結合はカルバゾール単位内に含まれる新しい5員環を形成する。
適切な架橋基としては、CH2基のようなアルキル基またはCH2基の鎖が挙げられる。適切な架橋原子としては、酸素、硫黄、窒素、りんおよびシリコンが挙げられ、好ましくは酸素である。
1つの実施態様において、Ar1およびAr2だけが結合される。他の実施態様において、Ar4およびAr5だけが結合される。他の実施態様において、Ar1およびAr2が結合され、Ar4およびAr5が結合される。他の実施態様において、Ar3およびAr4が結合され、Ar3およびAr5が結合される。他の実施態様において、Ar1およびAr3が結合され、Ar2およびAr3が結合される。
Ar1およびAr2は、半導体ポリマーの電子特性を調整するために選択され得る。Ar1およびAr2は、独立して任意の適切なアリール若しくはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体を表す。好ましくは、Ar1およびAr2の1つまたは両者は電子濃度の高いアリール若しくはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体を表す。電子濃度の高いアリールまたはヘテロアリール環としては、任意に縮合していてもよいフェニル、2,5−結合チオフェン、フランおよびピロールが挙げられる。
好ましくは、Ar1およびAr2の1つまたは両者は5〜14員環であり、より好ましくは6員環である。Ar1は、フェニル、好ましくは1,3フェニルまたは1,4フェニルであってもよい。Ar2は、フェニル、好ましくは1,3フェニルまたは1,4フェニルであってもよい。Ar1およびAr2の両者がフェニルを表すことが好ましい。他の好ましいAr1またはAr2は任意に置換されていてもよいピリジンである。
好ましくは、Ar1およびAr2の1つまたは両者は置換されない。
Ar4およびAr5はそれぞれ独立して任意の適切なアリール若しくはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体であってもよい。好ましくは、Ar4およびAr5の1つまたは両者は、電子濃度の高いアリール若しくはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体を表す。電子濃度の高いアリールまたはヘテロアリール環としては、縮合していてもよいフェニル;2−チエニル、2−フリルおよびN−ピロールまたは2−ピロールが挙げられる。
好ましくは、Ar4およびAr5の1つまたは両者は5〜14員環であり、より好ましくは6員環である。Ar4は、フェニルを表すことができる。Ar5は、フェニルを表すことができる。Ar4およびAr5の両者がフェニルを表すことが好ましい。
Ar4およびAr5の1つまたは両者は好ましくは置換されたアリール若しくはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体、より好ましく置換されたフェニル環を表す。Ar4および/またはAr5が置換されたフェニル環を表すとき、Ar4および/またはAr5は最大5つまでの置換基を有することができる。パラ位置に位置された1つの置換基が好ましい。適切な置換基は、アルキル、アルコキシ、アリール、アリールアルキル、ヘテロアリールおよびヘテロアリールアルキルからなる群から選択され得る。C1ないしC20アルキルまたはアルコキシ置換基が好ましく、C4ないしC8が最も好ましい。適切な置換基としてはさらに、ポリエチレングリコール基、チオアルキル基およびシクロアルキル基が挙げられる。
第1の繰返し単位は一般式11または11aを含んでもよい。
Ar1ないしAr 3 およびXは本明細書のいずれかで定義されるものであり、R1およびR2はそれぞれ独立して本明細書に記載される任意の適切な置換基を表す。
R1およびR2は同じか異なることができる。好ましくはR1およびR2は同じである。好ましくは、R1およびR2は共にC1ないしC20アルキル、より好ましくはC4ないしC8アルキルを表す。
Ar4が、更なるアリール若しくはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体(Ar7)に結合することができる。Ar7は、好ましくは、電子濃度の高いアリール若しくはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体、例えば、本明細書のいずれかで記載されるものを表す。Ar7は、好ましくは、5ないし14員環、より好ましくは6員環を表す。Ar7はフェニルを表すことができる。Ar7は置換されることができる。Ar7は、モノ、パラ置換フェニルを表すことができる。適切な置換基は、アルキル、アルコキシ、アリール、アリールアルキル、ヘテロアリールおよびヘテロアリールアルキルからなる群から選択することができる。C1ないしC20アルキルまたはアルコキシ置換基が好ましく、C4ないしC8が最も好ましい。適切な置換基としては、さらに、ポリエチレングリコール基、チオアルキルおよびシクロアルキル基があげられる。
Ar5は、更なるアリール若しくはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体(Ar8)に結合することができる。Ar8は、好ましくは、電子濃度の高いアリールまたはヘテロアリール環あるいはこれらの縮合誘導体、例えば、本明細書のいずれかで定義されるものを表す。Ar8は、好ましくは、5ないし14員環、より好ましくは6員環を表す。Ar 8 はフェニルを表すことができる。Ar 8 は置換されることができる。Ar8は、モノ、パラ置換フェニルを表すことができる。適切な置換基は、アルキル、アルコキシ、アリール、アリールアルキル、ヘテロアリールおよびヘテロアリールアルキルからなる群から選択することができる。C1ないしC20アルキルまたはアルコキシ置換基が好ましく、C4ないしC8が最も好ましい。適切な置換基としては、さらに、ポリエチレングリコール基、チオアルキルおよびシクロアルキル基があげられる。
Ar3は、任意の適切なアリールまたはヘテロアリール環あるいはこれらの縮合誘導体、好ましくは電子濃度の高いアリールまたはヘテロアリール環あるいはこれらの縮合誘導体を表すことができる。電子濃度の高いアリールまたはヘテロアリール環としては、ナフチレンまたはアントラセンのような縮合されていてもよいフェニル、および2,5−結合チオフェン、フランまたはピロールが挙げられる。Ar3は、好ましくは、5ないし14員環、より好ましくは6員環を表す。Ar3はフェニルまたはその縮合誘導体、例えば、1,4−若しくは2,6−ナフチレンまたは9,10−アントラセンを表すことができる。Ar3は、好ましくは、平坦なアリール若しくはヘテロアリール環またはこれらの縮合誘導体である。
Xは、存在するときは、任意の適切なスペーサー基を表すことができる。
第1の窒素を含むトリアリールアミンは第2の窒素を含むアリールアミンと共役され得る。この場合、Xは共役されたスペーサー基であることができる。
Xは、アリールまたはヘテロアリール環あるいはこれらの縮合誘導体(Ar6)を表すことができる。したがって、第1の繰り返し単位は一般式20を含んでもよい。
Ar1ないしAr6は本明細書のいずれかで定義される。Ar6は、好ましくは、電子濃度の高いアリールまたはヘテロアリール環あるいはこれらの縮合誘導体、例えば、本明細書のいずれかに記載されるものを表す。Ar6は、好ましくは、5ないし14員環、より好ましくは6員環を表す。Ar6は置換され得る。
Xはフェニルを表すことができる。Xは、直接結合または架橋基または架橋原子によってAr3への第2結合を有してもよい。例えば、Ar3がフェニルを表し、Xがフェニルを表すとき、Ar3およびXは炭素架橋原子による第2結合を有してもよく、したがってフルオレン基を形成する。フルオレン基は、下記に示される式21を含んでもよい。
R3およびR4は、それぞれ独立して、H、あるいはアルキル、アルコキシ、アリール、アリールアルキル、ヘテロアリールまたはヘテロアリールアルキルなどの置換基を表す。好ましくは、R3およびR4の少なくとも1つは、任意に置換されていてもよいC4〜C20アルキル(より好ましくは、C4〜C8アルキル)またはアリール基を含む。
Xは、第1の繰り返し単位が一般式23を有する基を含むように式−Ar6−Y−を有する基を表すことができる。
Ar1ないしAr5は本明細書のいずれかで定義されるものである。Ar6は、アリールまたはヘテロアリール環あるいはこれらの縮合誘導体を表し、Yは酸素、硫黄のような電子供与基を表す。
1つの実施態様において、第1の繰り返し単位は第3の窒素を含む更なるアリールアミンをさらに含む。第3の窒素はポリマーの主鎖中に存在してもよく、ポリマーの主鎖からの分岐中に存在してもよい。好ましくは、第3の窒素を含むアリールアミンはトリアリールアミンである。
第3の窒素はAr4またはAr5に直接または間接的に結合されることができる。
第3の窒素はAr3またはXに直接または間接的に結合されることができる。第1の繰り返し単位は一般式28を含んでもよい。
Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5およびXは本明細書のいずれかで定義される。X1は、本明細書のいずれかで定義される任意に選択されるスペーサー基を表す。Ar9およびAr10はそれぞれ独立して、アリールまたはヘテロアリール環あるいはこれらの縮合誘導体を表し、好ましくは、本明細書のいずれかで記載される電子濃度の高いアリールまたはヘテロアリール環あるいはこれらの縮合誘導体を表す。Ar9および/またはAr10は、それぞれ本明細書に記載されるAr4、Ar5、XおよびAr3の結合に類似の態様で、X1またはAr3に共に結合されることができる。
好ましくは、一般式29は置換され、より好ましくは1ないし5の置換基、最も好ましくは少なくとも4の置換基によって置換される。任意の置換基は、好ましくは、窒素の1つとパラ位置に位置される。好ましい置換基はR1およびR2 について本明細書に記載したものである。
第1の繰り返し単位は第4の窒素を含む追加のアリールアミンをさらに含むことができる。第4の窒素を含むアリールアミンは好ましくはトリアリールアミンである。第3および第4の窒素はそれぞれ直接または間接的にAr4およびAr5に結合されることができる。
第1の繰り返し単位は一般式30を含んでもよい。
Ar1ないしAr5、Ar9、Ar10、XおよびX1は本明細書のいずれかで定義される。X2は、本明細書のいずれかで定義される任意に選択されるスペーサー基を表す。Ar11およびAr12はそれぞれ独立して、アリールまたはヘテロアリール環あるいはこれらの縮合誘導体を表し、好ましくは、本明細書のいずれかで記載される電子濃度の高いアリールまたはヘテロアリール環あるいはこれらの縮合誘導体を表す。Ar11および/またはAr12は、それぞれ本明細書に記載されるAr4、Ar5、XおよびAr3の結合に類似の態様で、X 2 またはAr 5 に共に結合されることができる。
好ましくは、一般式31は置換され、より好ましくは1ないし5の置換基で置換され、最も好ましくは少なくとも4の置換基で置換される。任意の置換基は好ましくは窒素の1つとパラの位置に位置される。好ましい置換基はR1およびR2について本明細書に記載したものである。
第3の窒素がポリマー主鎖に存在するとき、第4の窒素は第3の窒素を含むアリールアミンから分岐されていてもよく、したがって、第4の窒素を含むアリールアミンはポリマー主鎖から分岐されていてもよい。第1の繰り返し単位は一般式32を含んでもよい。
Ar 1 ないしAr 5 、Ar 9 ないしAr 12 、XおよびX 1 は一般式30に関連して定義される。第1の繰り返し単位は一般式33または33aを含んでもよい。
好ましくは、一般式33および33aは置換され、より好ましくは1ないし5の置換基で置換され、最も好ましくは少なくとも4の置換基で置換される。どの置換基も好ましくは窒素の1つとパラの位置に位置される。好ましい置換基はR1およびR2について本明細書に記載したものである。
式9、10、12ないし16、18、19、22、24ないし27、31,33および33aにおいて、ポリマー主鎖中の1,4フェニル環は、1,3フェニル環と交換してもよく、また、この逆も可能である。
Ar3がフェニルを表すとき、これは、1,3(メタ)または1,4(パラ)結合されてもよい。1つの好ましい実施態様において、Ar3はメタ結合フェニルであり、Ar1 、Ar2(存在するときは、およびAr9)は、それぞれパラ結合フェニルである。
上記の第1の繰り返し単位における主鎖中のアリール基は、共役を最大化するためにパラ結合されるが、これらの単位の任意の主鎖アリール基は共役を分裂させるためにメタまたはパラ結合され、これによって第1繰り返し単位を含むポリマーのバンドギャップを増加させてもよい。
好ましくは、半導体ポリマーは、アルキル化ベンゼン、特に、キシレンおよびトルエンのような共通の有機溶媒に可溶性である。
半導体ポリマーは、好ましくは部分的にまたは完全に、ポリマー主鎖に沿って共役されている。
好ましくは、半導体ポリマーはコポリマーまたは高次ポリマー(例えば、ターポリマー)を含む。このポリマーは、上記のいずれかで記載されたように、0.1〜100モル%、より好ましくは5〜70モル%、さらに好ましくは15〜30モル%の第1の繰り返し単位を含むことができる。第1の繰り返し単位の最適割合は繰り返し単位中の(トリ)アリールアミン単位の数に依存し、存在する(トリ)アリールアミン単位の数が増えるほど、最適割合は低くなる。
このポリマーは任意の適切な共繰り返し単位(co−repeat unit)を含むことができる。好ましい共繰り返し単位は、アリールまたはヘテロアリール基(縮合芳香族を含む)を含むものであり、特に、フェニレンまたはフルオレン繰り返し単位のような完全に共役された共繰り返し単位である。好ましくは、アリールまたはヘテロアリール基はポリマー主鎖中に存在する。好ましくは、このポリマーは2,7−結合フルオレン基を含む共繰り返し単位を含む。好ましくは、このフルオレン基は9位置において2置換される。好ましくは、共繰り返し単位は9,9ジアルキルフルオレンを含む。
好ましいコポリマーは第1の繰り返し単位およびフルオレン繰り返し単位からなる。繰り返し単位の好ましい割合は上記に述べたとおりである。
ポリマーは2つの異なるフルオレン含有共繰り返し単位を含むことが望ましいことがある。このコポリマーはアミン基を含む共繰り返し単位を含むことが好ましいことがある。
共繰り返し単位に存在する好ましいアリールおよびヘテロアリール基は、フルオレン(特に、2,7−結合フルオレン、より好ましくは、2,7結合9,9ジアルキルまたはジアリールフルオレン)、スピロフルオレン(特に、2,7−結合9,9−スピロフルオレン)、インデノフルオレン(特に、2,7−結合インデノフルオレン)、フェニレン(特に、p−結合アルキルまたはアルコキシ置換フェニレンのようなp−置換フェニレン)、アリーレンビニレン(例えば、フェニレンビニレン)、チオフェン(特に、2,5−結合置換または未置換チオフェン)、ベンゾチアジアゾール(特に、2,5−結合ベンゾチアジアゾール、より好ましくは、2,5−結合2置換ベンゾチアジアゾールのような2,5−結合置換ベンゾチアジアゾール)、トリアリールアミンまたはカルバゾールから選択される基を含むものである。このような共繰り替えし単位はポリマーの電子的およびプロセス特性をさらに調整するために使用され得る。
1,4−フェニレン繰り返し単位は、例えば、J.Appl.Phys.1996,79,934に開示されている。フルオレン繰り返し単位は、例えば、EP0842208に開示されている。インデノフルオレン繰り返し単位は、例えば、Macromolecules 2000,33(6),2016−2020に開示されており、スピロフルオレン繰り返し単位は、例えば、EP0707020に開示されている。
共繰り返し中に存在するアリールまたはヘテロアリール基は置換されていてもよい。置換基の例としては、可溶化基;フルオレン、ニトロまたはシアノのような電子求引基;ポリマーのガラス転移温度(Tg)を増加させる置換基があげられる。適切な可溶化基としては、C1ないしC20アルキルまたはアルコキシ基があげられる。分岐状C4ないしC20アルキルまたはアルコキシ基が好ましい。分岐状C4ないしC20アルキル基がより好ましい。第3炭素原子を含む分岐状C4ないしC20アルキルまたはアルコキシ基がより好ましい。
半導体ポリマーはABコポリマーを含むことができる。
半導体ポリマーは架橋されることができる。この場合、半導体ポリマーは架橋基を含む繰り返し単位を含む。この架橋基は半導体ポリマーの第1の繰り返し単位上、または存在する場合は共繰り返し単位上に存在することができる。架橋基は好ましくは共繰り返し単位中に存在する。この点で特に好ましい繰り返し単位は、下記の式(41)の繰り返し単位であり、R5およびR6の少なくとも1つは架橋基を有する。架橋繰り返し単位および基は、例えば、WO96/20253、WO2005/052027、J.Macro.Mol.Sci.−Pure Appl.Chem.,A38(4),353−364(2001)およびNature,Volume421,2003,829〜832頁に開示されている。
通常架橋ポリマーは、架橋反応によって架橋基を形成することができる架橋性基を含む同等のポリマーから形成される。架橋反応は、熱、UVまたは化学開始剤によって開始することができる。架橋ポリマー中の架橋基を形成することができる適切な架橋性基は、ビニル、(メタ)アクリレート((meth)acrylate)基およびアジドのような不飽和基、オキセタンおよびシクロブタン、特にベンゾシクロブタンのような環状基を含む。架橋基は、第1の繰り返し単位または共繰り返し単位に直接結合されていてもよく、またはスペーサー基によって第1の繰り返し単位または共繰り返し単位から離されていてもよい。スペーサー基は飽和されていていてもよく(例えば、C1−10アルキル)または不飽和(例えば、フェニル)であってもよい。
好ましくは、架橋基/架橋性基はポリマー主鎖中に含まれない。
好ましくは、架橋性基は末端基である。
1つの実施態様において、本明細書で記載される第1の繰り返し単位を含む半導体ポリマーは、電子装置の正孔輸送層中に含まれる。好ましくは、正孔輸送層の厚さは40nm未満、より好ましくは、10ないし30nmである。
本発明の装置は光起電装置を含んでもよい。
本発明の装置は、好ましくは、有機発光装置(LED)、より好ましくは、アノード、カソードおよび前記アノードとカソードの間に位置し少なくとも1つの発光材料を含む有機発光層を含む。
LEDの1つの態様において、本明細書に記載される第1の繰り返し単位を含む半導体ポリマーはアノードと発光層の間に位置する正孔輸送層中に含まれる。他の実施態様において、半導体ポリマーは発光層中に含まれる。
半導体ポリマーが発光層中に含まれるとき、これは正孔輸送および/または発光機能を果たすことができる。半導体ポリマーは青色光を放射することができる。「青色光」とは、波長範囲が400〜500nm、より好ましくは430〜500nmを有する光を意味する。
重要なパラメータは装置の寿命である。LEDのための不適切な装置寿命は青色発光ポリマーにおいて特に問題である。この点において、装置の寿命は、装置が本明細書に記載される第1の繰り返し単位を含む正孔輸送半導体ポリマーを含むとき、特に青色発光装置において改良されることが発見された。したがって、好ましくは、LEDは青色光を発光する。
好ましくは、LEDはパルス駆動ディスプレイ中に含まれる。予期せずして、正孔輸送層中の本発明の第1の側面の半導体ポリマーの使用は他の正孔輸送層に比較してパルス駆動ディスプレイの寿命を改良することが発見された。
他の実施態様において、LEDはd−c−駆動ディスプレイ中に含まれる。
本発明の第2の側面は、本発明の第1の側面に関連していずれかで記載されたように、ポリマー主鎖中にトリアリールアミンの第1の窒素およびポリマー主鎖から分岐したアリールアミンの第2の窒素を含む第1の繰り返し単位を含む半導体ポリマーの、電子装置中の半導体材料へまたはから、好ましくは発光材料へ正孔を輸送するための使用を提供する。好ましくは、この装置はフルカラー装置(すなわち、赤、緑および青色発光材料を含む)であり、本発明の第2の側面の半導体ポリマーは正孔を赤、緑および青色材料の少なくとも2つ、好ましくは3つ全てに輸送する。正孔を異なる色の発光体に輸送するための共通の材料の使用は装置の製造を容易化する。この装置は、本明細書のいずれかで検討されよう。
本発明の第3の側面は、本明細書のいずれかで記載されるように、電子装置、好ましくは有機発光装置の製造方法を提供する。
本発明の第3の側面による方法においては、第1の繰り返し単位を含む半導体ポリマーが溶液処理によって堆積されることが好ましい。
第1の繰り返し単位を含む半導体ポリマーが装置の正孔輸送層中に含まれるとき、この方法は、装置の次の層をその上に堆積させる前に半導体ポリマーを架橋する工程を含んでもよい。
あるいは、この方法は、例えば、WO2004/023573に記載されるように、装置の次の層をその上に堆積させる前に層を少なくとも部分的に不溶性に変えるために、この層を熱、真空または大気乾燥(ambient drying)により処理する工程を含んでもよい。
本発明の第4の側面は、本発明の第1の側面に関連して記載される新規な正孔輸送半導体ポリマーを提供する。特に、第4の側面は、本発明の第1の側面に関連して記載されるように一般式1を有する第1の繰り返し単位を含む半導体ポリマーを提供する。ただし、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4およびAr5の少なくとも1つは、アリールまたはヘテロアリール環の縮合誘導体を表す。好ましくは、アリールまたはヘテロアリール環の少なくとも1つの縮合誘導体は縮合炭素環芳香族、例えば、ナフタレン、アントラセンおよびフルオレン、および縮合へテロ環芳香族、例えば、ベンゾチアジアゾールからなる群より選択される。
本発明の第5の側面は、重合に参加するために適切な少なくとも1つの反応性離脱基(reactive leaving group)Lと、本発明の第1の側面に関連して記載される第1の繰り返し単位を含む構造単位とを含む新規なモノマーを提供し、これによって、重合されるとき、第1の窒素がポリマー主鎖に組み込まれ、第2の窒素がポリマー主鎖から分岐される。
本発明のモノマーは重合に参加するために適切な2つの反応性離脱基LおよびL’を含んでもよい。本発明のモノマーは、第1の繰り返し単位の末端基に付加される反応性離脱基LおよびL1を有する本発明の第1の側面に関連していずれかで記載される第1の繰り返し単位を含んでもよい。これは下記に例示される。
L−第1の繰り返し単位−L 1 (34)
L−第1の繰り返し単位−L 1 (34)
本発明の第6の側面は、本発明の第5の側面に関連して定義される複数のモノマーを使用する、第4の側面に関連して定義される半導体ポリマーの製造方法を提供する。
本発明を、添付図面を参照して、以下にさらに詳細に説明する。
本発明を、添付図面を参照して、以下にさらに詳細に説明する。
本発明の半導体ポリマーは、それが使用される装置の層および共繰り返し単位の性質に応じて、電子輸送および/または発光の機能を追加的に提供することができる。
本発明の半導体ポリマーは、式35ないし40の繰り返し単位から選択される共繰り返し単位を含むことができる。
A’,B’,A,B,CおよびDは、Hまたは置換基から独立して選択される。より好ましくは、A’,B’,A,B,CおよびDの1つまたは2以上は、アルキル、アリール、ペルフルオロアルキル、チオアルキル、シアノ、アルコキシ、ヘテロアリール、アルキルアリールおよびアリールアルキル基からなる群より独立して選択される。最も好ましくは、A’,B’,A,およびBは、C1−10アルキルである。
繰り返し単位35ないし40におけるフェニル基の1または2以上は、任意に結合されていてもよい。
半導体ポリマーは選択的に置換された炭素環芳香族繰り返し単位、例えば、フルオレン繰り返し単位、例えば、EP0707020に開示されるスピロビフルオレン繰り返し単位、および例えば、Adv.Mater.(2001),13(14),1096−1099)に開示されるインデノフルオレン繰り返し単位を含むことができる。好ましいフルオレン繰り返し単位は式41を含む。
R5およびR6は、水素または任意に置換されていてもよいアルキル、アルコキシ、アリール、アリールアルキル、ヘテロアリールおよびヘテロアリールアルキルから独立して選択される。R5およびR6は結合して環を形成してもよい。より好ましくは、R5とR6の少なくとも1つは任意に置換されていてもよいC4−C20アルキルまたはアリール基を含む。最も好ましくは、R5およびR6は、n−オクチルを表す。
好ましくは、正孔輸送材料は5.5eV以下、より好ましくは約4.8ないし6eVの範囲、さらにより好ましくは4.8ないし5.5eVの範囲のHOMOレベルを有する。
正孔輸送材料中に含まれる半導体ポリマーは、他の領域のHOMOおよびLUMOエネルギーレベルと区別されたHOMOエネルギーレベルおよびLUMOエネルギーレベルをそれぞれ有する領域を含んでもよい。区別されたHOMOおよびLUMOエネルギーレベルを勘案すれば、それぞれの領域は機能的に異なる。
半導体ポリマーは、1または2以上の正孔輸送領域を含むことができ、それぞれの正孔輸送領域は、ポリマー主鎖中のトリアリールアミンの第1の窒素とポリマー主鎖から分岐されたアリールアミンの第2の窒素を含む少なくとも1つの第1の繰り返し単位を含む。半導体ポリマーまたは半導体ポリマー中の正孔輸送領域は、好ましくは少なくとも4.8eV、より好ましくは4.8ないし6eVの範囲、さらにより好ましくは4.8ないし5.5eVの範囲のHOMOエネルギーレベルを有する。
半導体ポリマーの主鎖は共役の領域を有することができる。共役の領域は非共役の領域によって中断される。主鎖は完全に共役されていてもよい。共役領域は主鎖上の1または2以上の共役された基からなる。
図1を参照すると、装置がLEDである場合、LEDは、アノード(2)、カソード(4)および前記アノードと前記カソードの間に位置する発光層(3)を有する。アノードは、例えば、透明なインジウム錫酸化物層であってもよい。アノードは基板(1)上に位置することができる。カソードは、例えば、LiAlであってもよい。装置に注入される正孔と電子は発光層中で放射的に再結合する。正孔輸送層はアノードと発光層の間に位置してもよい。任意選択的に、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)の層のような正孔注入層が正孔輸送層とアノードの間に存在してもよい。これは、正孔がアノードから注入されて正孔輸送層および/または発光層に到達するのを促進するエネルギーレベルを提供する。特に、ドープされた有機材料から形成される導電性正孔注入層を供給することが好ましい。ドープされた有機正孔注入材料の例としては、ポリ(エチレンジオキシチオフェン)(PEDT)、特に、EP0901176およびEP0947123に開示されるポリスチレンスルフォネート(PSS)またはUS5723873およびUS5798170に開示されるポリアニリンでドープされたPEDTが挙げられる。
本発明のLEDは、前記カソードと発光層の間に配置される電子輸送層も有することができる。これは、電子がカソードから注入されて発光層へ到達するのを助けるエネルギーレベルを提供する。もし存在するならば、電子輸送層は、好ましくは約3ないし3.5eVのLUMOレベルを有する。
発光層それ自体が、有効的には副層(sub−layers)からなるラミネートを、含んでもよい。
発光層は、発光材料単独からなってもよく、あるいは1または2以上のさらなる材料と組み合わせた発光材料を含んでもよい。特に、発光材料は、例えば、WO99/48160に開示される正孔および/または電子輸送材料と混合されることができる。あるいは、発光材料は電荷輸送材料に共有結合されることができる。
LEDの発光層は、蛍光材料および/または燐光材料のような電子発光材料を含んでもよい。発光層が燐光性材料を含むとき、燐光性材料は、典型的には、ホスト材料と共に存在する。
多数の公知の燐光性材料が重金属錯体を含む。いくつかの蛍光材料は、より軽い金属、例えば、Alの錯体も含む。
好ましい電子発光材料は電子発光ポリマーを含む。適切には、電子発光ポリマーは半導体であり、より適切には電子発光ポリマーは共役されている。発光層に使用される適切な電子発光ポリマーとしては、ポリ(p−フェニレンビニレン)のようなポリ(アリーレンビニレン)、およびポリアリーレン、例えば、ポリフルオレン、特に、2,7−結合9,9−ジアルキルポリフルオレンまたは2,7−結合9,9ジアリールポリフルオレン;ポリスピロフルオレン、特に2,7−結合ポリ−9,9−スピロフルオレン;ポリインデノフルオレン、特に2,7結合ポリインデノフルオレン;ポリフェニレン、特にアルキルまたはアルコキシ置換ポリ−1,4−フェニレンが挙げられる。このようなポリマーは、例えばAdv.Mater.2000 12(23)1737−1750およびこの引用文献に開示されている。
電子発光ポリマーまたは電荷輸送ポリマーは、好ましくは、アリーレン繰り返し単位、特にJ.Appl.Phys.1996,79,934に開示される1,4-フェニレン繰り返し単位、EP0842208に開示されるフルオレン繰り返し単位、例えば、Macromolecules2000,33(6),2016−2020に開示されるインデノフルオレン繰り返し単位、および例えば、EP0707020に開示されるスピロフルオレン繰り返し単位から選択される繰り返し単位を含む。これらの繰り返し単位は、それぞれ、任意に置換されていてもよい。置換基の例としては、C1−20アルキルまたはアルコキシのような可溶化基;フッ素、ニトロまたはシアノのような電子求引基;およびポリマーのガラス転移温度(Tg)を高める置換基がある。
特に好ましい電子発光および電荷輸送ポリマーは、任意に置換されていてもよい2,7−結合フルオレン、最も好ましくは上記の式の繰り返し単位を含む。
特に:
9,9−ジアルキルフルオレン−2,7−ジイルのホモポリマーのようなフルオレン繰り返し単位のホモポリマーを、電子輸送を供給するために利用してもよい。
フルオレン繰り返し単位およびトリアリールアミン繰り返し単位、特に、式35ないし40から選択される繰り返し単位から構成されるコポリマーを、正孔輸送および/または発光を提供するために利用してもよい。
フルオレン繰り返し単位およびヘテロアリーレン繰り返し単位を含むコポリマーを、電荷輸送または発光のために利用してもよい。好ましいヘテロアリーレン繰り返し単位は式42ないし56から選択される。
R7およびR8は同じか異なり、それぞれ独立して水素または置換基、好ましくは、アルキル、アリール、ペルフルオロアルキル、チオアルキル、シアノ、アルコキシ、ヘテロアリール、アルキルアリールまたはアリールアルキルである。製造の容易化のためには、R7およびR8は好ましくは同じである。より好ましくは、これらは同じであり、それぞれフェニル基である。
9,9−ジアルキルフルオレン−2,7−ジイルのホモポリマーのようなフルオレン繰り返し単位のホモポリマーを、電子輸送を供給するために利用してもよい。
フルオレン繰り返し単位およびトリアリールアミン繰り返し単位、特に、式35ないし40から選択される繰り返し単位から構成されるコポリマーを、正孔輸送および/または発光を提供するために利用してもよい。
フルオレン繰り返し単位およびヘテロアリーレン繰り返し単位を含むコポリマーを、電荷輸送または発光のために利用してもよい。好ましいヘテロアリーレン繰り返し単位は式42ないし56から選択される。
電子発光コポリマーは、例えば、WO00/55927およびUS6353083号に開示されるように、電子発光領域と、正孔輸送領域および電子輸送領域のうち少なくとも1つとを、含んでもよい。もし、正孔輸送領域および電子輸送領域のうち1つのみが与えられると、電子発光領域は正孔輸送機能および電子輸送機能の他方をも与えてもよい。
このようなポリマー内の異なる領域は、US6353083に開示されるようにポリマー主鎖に沿って与えられてもよく、またはWO01/62869に開示されるようにポリマー主鎖からの分岐基として与えられてもよい。
電子発光材料は金属錯体のような電子発光低分子を含んでいてもよい。Ikai et al.(Appl.Phys.Lett.,79 no.2,2001,156)に開示されるCBPとして知られる4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)ビフェニル)およびTCTAとして知られる(4,4’,4”−トリス(カルバゾール−9−イル)トリフェニルアミン)、およびMTDATAとして知られるトリス−4−(N−3−メチルフェニル−N−フェニル)フェニルアミンのようなトリアリールアミンのような「低分子」ホスト材料を含む金属錯体のための多くのホスト材料が、従来技術に記載されている。ポリマーもホストとして知られており、特に、例えば、Appl.Phys.Lett.2000,77(15),2280に開示されるポリ(ビニルカルバゾール)、Synth.Met.2001,116,379,Phys.Rev.B2001,63,235206およびAppl.Phys.Lett.2003,82(7),1006におけるポリフルオレン、Adv.Mater.1999,11(4),285におけるポリ[4−(N−4−ビニルベンジルオキシエチル,N−メチルアミノ)−N−(2,5−ジ−tert−ブチルフェニルナフタルイミド]、およびJ.Mater.Chem.2003,13,50−55におけるポリ(パラ−フェニレン)のようなホモポリマーが知られる。コポリマーもホスト材料として知られる。
好ましい金属錯体は、任意に置換されていてもよい式(57)の錯体を含む。
ML1 qL2 rL3 s (57)
上記式において、Mは金属であり、L1、L2、およびL3 のそれぞれは配位基であり、qは整数であり、rおよびsはそれぞれ独立して0または整数であり、(a.q)+(b.r)+(c.s)の総計はM上で有効な配位部位(coordination sites)の数と等しく、aはL1上の配位部位の数、bはL2上の配位部位の数、cはL3上の配位部位の数である。
ML1 qL2 rL3 s (57)
上記式において、Mは金属であり、L1、L2、およびL3 のそれぞれは配位基であり、qは整数であり、rおよびsはそれぞれ独立して0または整数であり、(a.q)+(b.r)+(c.s)の総計はM上で有効な配位部位(coordination sites)の数と等しく、aはL1上の配位部位の数、bはL2上の配位部位の数、cはL3上の配位部位の数である。
重元素Mは、急速な項間交差および3重項からの発光(燐光)を可能にする強いスピン軌道結合を引き起こす。適切な重金属Mとしては、次のものがある。
セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、ジスプロジウム、ツリウム、エルビウムおよびネオジムのようなランタニド金属、および
d−ブロック金属、特に、第2および3周期(rows 2 and 3)のもの、すなわち、元素39ないし48および72ないし80、特に、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金および金。
d−ブロック金属、特に、第2および3周期(rows 2 and 3)のもの、すなわち、元素39ないし48および72ないし80、特に、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金および金。
f−ブロック金属の適切な配位基は、カルボン酸、1,3−ジケトネート、ヒドロキシカルボン酸、アシルフェノールおよびイミノアシール基を含むシッフ塩基などの酸素または窒素供与系を含む。公知のように、発光ランタニド金属錯体は、金属イオンの第1励起状態より高い3重項励起エネルギーレベルを有する増感基(sensitizing group(s))を必要とする。発光は、金属のf−f遷移からであり、したがって発光色は金属の選択によって決められる。鋭い発光は、通常狭く、ディスプレイへの応用に有益な純色発光をもたらす。
d−ブロック金属は、ポルフィリンまたは式(58)の2座リガントなどの炭素または窒素供与体と有機金属錯体を形成する。
上記式において、Ar4およびAr5は同じでも異なっていてもよく、任意に置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリールから独立して選択され、YおよびY1は同じでも異なっていてもよく、炭素および窒素から独立して選択され、Ar4およびAr5は互いに縮合していてもよい。Yが炭素であり、Y1が窒素であるリガンドは特に好ましい。
Ar4およびAr5はそれぞれ1または2以上の置換基を有することができる。特に好ましい置換基は、WO02/45466、WO02/44189、US2002−117662およびUS2002−182441に開示される錯体の発光の青色シフトに使用してもよいフッ素またはトリフルオロメチル、JP2002−324679に開示されるアルキルまたはアルコキシ基、WO02/81448に開示される発光材料として使用されるとき錯体に正孔を輸送するのを促進するのに使用してもよいカルバゾール、WO02/68435およびEP1245659に開示される追加の基の付着のためのリガンドを機能化する働きをすることができる臭素、塩素またはヨウ素、およびWO02/66552に開示される金属錯体の溶液処理性を得るためまたは高めるために使用してもよいデンドロンを含む。
dブロック元素と共に使用されるのに適する他のリガンドとしては、ジケトネート、特に、アセチルアセトネート(acac)、トリアリールホスフィンおよびピリジンが挙げられ、これらのそれぞれは置換されていてもよい。
主要基の金属錯体は、リガンド系または電荷転移型発光を示す。これらの錯体において、発光色はリガンドの選択によっても、金属の選択によっても決められる。
ホスト材料および金属錯体は物理的混合物の形で合わせることができる。あるいは、金属錯体はホスト材料に化学的に結合され得る。ポリマーホスト材料の場合、例えば、EP1245659、WO02/31896、WO03/18653およびWO03/22908に開示されるように、金属錯体はポリマー主鎖に結合する置換基として化学的に結合され、ポリマー主鎖中の繰り返し単位として組み込まれてもよいか、またはポリマーの末端基として与えられてもよい。
広い範囲の蛍光性低分子量金属錯体、特にトリス−(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム、が公知で有機発光装置において試作されている(例えば、Macromol.Sym.125(1997)1−48,US−A5,150,006,US−A6,083,634およびUS−A5,432,014参照)。2価または3価金属のための適切なリガンドは、オキシノイド、例えば、酸素−窒素または酸素−酸素供与原子、通常、置換酸素原子を有する環系窒素原子または置換酸素原子を有する置換窒素原子もしくは酸素原子を、有する、例えば、8−ヒドロキシキノレートおよびヒドロキシキノキサリノール−10−ヒドロキシベンゾ(h)キノリナート(II)のようなオキシノイド、ベンザゾール(III)、シッフ塩基、アゾインドール、クロモン誘導体、3−ヒドロキシフラボン、並びにサリチラトアミノカルボキシレートおよびエステルカルボキシレートのようなカルボン酸を含む。任意選択的な置換基は、発光色を改良することができる(ヘテロ)芳香環上のハロゲン、アルキル、アルコキシ、ハロアルキル、シアノ、アミノ、アミド、スルフォニル、カルボニル、アリールまたはヘテロアリールを含む。
カソードは電子を発光層に注入することを可能にする仕事関数を有する材料から選択される。他の要素、例えば、カソードと発光材料の間の悪い相互作用の可能性がカソードの選択に影響する。カソードはアルミニウム層のような単一材料からなってもよい。あるいは、それは、複数の金属、たとえば、WO98/10621に開示されるカルシウムとアルミニウムの2層、WO98/57381、Appl.Phys.Lett.2002,81(4),634およびWO02/84759に開示されるバリウム元素、または電子の注入を促進するための誘電材料の薄層、例えば、WO00/48258に開示されるフッ化リチウム、またはAppl.Phys.Lett.2001,79(5),2001に開示されるフッ化バリウムを含んでもよい。電子を効率よく装置に注入するために、カソードは好ましくは3.5eV未満、より好ましくは3.2eV未満、最も好ましくは3eV未満の仕事関数を有する。
光学装置は、湿気および酸素に敏感である傾向にある。したがって、基板は、好ましくは、湿気および酸素が装置に浸入するのを防ぐための良好な障壁特性を有する。基板は通常ガラスであるが、特に装置の柔軟性が望まれる場合には他の基板を使用してもよい。例えば、基板は、プラスチックと障壁層の交互層の基板を開示するUS6268695に開示されるように、プラスチックを含むことができ、またはEP0949850に開示されるように薄いガラスとプラスチックのラミネートを含むことができる。
本発明の装置は、湿気および酸素の浸入を防ぐために、好ましくは封止材(図示されず)で封止される。好ましい封止材は、ガラスのシート、例えば、WO01/81649に開示されるポリマーと誘電体の交互の堆積層のような適切な障壁特性を有する薄膜、または、例えば、WO01/19142に開示されるような気密性の容器を含む。基板または封止材を浸透するかもしれない大気中の湿気および/または酸素を吸収するゲッター材料を基板と封止材の間に配置してもよい。
実際の装置において、電極の少なくとも1つは、光が吸収され得る(光応答性装置の場合)または放射され得る(OLEDの場合)ように半透明である。アノードが透明の場合、それは通常インジウム錫酸化物を含む。透明なカソードの例は、例えば、GB2348316に開示される。
図1の実施態様は、装置が第1に基板上のアノードを形成し、続いて発光層およびカソードを堆積することによって形成される装置を例示するが、本発明の装置は、最初に基板上のカソードを形成し、続いて発光層およびアノードを堆積することによっても形成され得ることが理解されよう。
本発明のLEDは上記のものに加えて追加の層を有することができる。例えば、このLEDは1または2以上の電荷または励起子遮断層を有することができる。
多くのディスプレイは、基板上に堆積された行および列の交差点に形成される画素のマトリックスからなる。それぞれの画素は、ポリマーLED(PLED)のような発光ダイオード(LED)である。
カラーディスプレイは、赤、緑および青色画素のマトリックスを互いに非常に近接して配置することによって形成される。画素を制御し、これによって必要とされる画像を形成するために、「パッシブ」または「アクティブ」マトリックスドライバー方法が使用される。
アクティブマトリックスディスプレイは、電流を制御しこれによって個々の画素の輝度を制御するトランジスタ(TFT)を、各画素と直列に組み込んでいる。低い電流は、単にTFTドライバーをプログラムするだけなので制御配線を流れることができ、この配線は結果として微細にすることができる。また、トランジスタは、他の制御信号を受信するまで画素を必要な輝度に保持するように電流のセッティングを保持することができる。DC駆動条件が、典型的には、アクティブマトリックスディスプレイに使用される。
パッシブマトリックスディスプレイでは、ディスプレイのそれぞれの行と列はそれ自体のドライバーを有し、画像を生成するためには、マトリックスはすべての画素が必要に応じてオンオフされ得るように迅速にスキャンされる。制御電流は、画素の点灯が要求されれば、いつでも存在しなければならない。パルス駆動条件が、典型的には、パッシブマトリックスディスプレイには使用される。
本発明において、連続(すなわちDC)およびパルス駆動条件の両方を使用してもよい。すなわち、アクティブにアドレスされるディスプレイ用およびパッシブにアドレスされるディスプレイ用にそれぞれ使用してもよい。本発明は、非ディスプレイ用途、例えば、周囲照明(ambient lighting)にも使用することができる。
本発明の装置は、パッシブマトリックスディスプレイのようなディスプレイ中に含まれてもよい。あるいは、この装置は、DC駆動条件で駆動されるアクティブマトリックスディスプレイ中に含まれてもよい。
ポリマー主鎖中のトリアリールアミンの第1窒素およびポリマー主鎖から分岐したアリールアミンの第2窒素を含む半導体ポリマーの製造の好ましい方法は、例えば、WO00/53656に記載されるスズキ重合および例えば、T.Yamamoto,“Electrically Conducting And Thermally Stable π−Conjugated Poly(arylene)s Prepared by Organometallic Processes”,Progress in Polymer Science 1993,17,1153−1205に記載されるヤマモト重合である。これらの重合技術は両方とも、金属錯体触媒の金属原子がモノマーの離脱基(L,L 1 )とアリール基の間に挿入される「金属挿入」(metal insertion)によって作動する。ヤマモト重合の場合、ニッケル錯体触媒が使用され、スズキ重合の場合、パラジウム錯体触媒が使用される。
例えば、ヤマモト重合による直鎖ポリマーの合成において、2つの反応性ハロゲン基(LおよびL1)を有するモノマーが使用される。同様に、スズキ重合の方法に基づいて、少なくとも1つの反応基はボロン酸またはボロンエステルのようなホウ素誘導基であり、他の反応基はハロゲンである。好ましいハロゲンは塩素、臭素およびヨウ素であり、最も好ましくは臭素である。
したがって、この出願を通じて例示されているアリール基を含む繰り返し単位は、それぞれ、適切な離脱基(LおよびL1)を有するモノマーから導かれてもよいと理解されよう。
末端キャップモノマー(end capping monomer)の場合、このモノマーは一方の末端に離脱基を有し、他方の末端に水素のような不活性基を有する第1の繰り返し単位に等しい。
スズキ重合は、位置規則的(regioregular)、ブロックおよびランダムコポリマーを調製するために使用してもよい。特に、ホモポリマーまたはランダムコポリマーは、1つの反応基がハロゲンであり、他の反応基がホウ素誘導基であるときに調製され得る。
あるいは、ブロックまたは位置規則的、特に、AB、コポリマーは、第1のモノマーの両方の反応基がホウ素であり、第2のモノマーの両方の反応基がハロゲンであるときに調製され得る。
ハロゲン化物の代替として、金属挿入に参加することができる他の離脱基は、トシレート、メシレート、フェニルスルホネートおよびトリフレートを含む。
単一のポリマーまたは複数のポリマーが溶液から堆積されてもよい。ポリアリーレン、特にポリフルオレン、のような有機半導体ポリマーのための適切な溶媒は、トルエンおよびキシレンのようなモノまたはポリ−アルキルベンゼンを含む。特に好ましい溶液堆積技術は、スピンコート、インクジェット印刷およびロール印刷である。
スピンコートは、発光材料のパターニングが必要のない装置、例えば、照明用途や単純なモノクロ区域ディスプレイ(simple monochrome segmented displays)に特に適している。
インクジェット印刷は高度情報コンテンツディスプレイ、特にフルカラーディスプレイに適している。OLEDのインクジェット印刷は、例えばEP0880303に開示されている。
装置の多層が溶液処理によって形成されるとき、当業者は、隣接する層の相互の混合を防ぐ技術、例えば、次の層の堆積の前に1つの層を架橋するとか、またはこれらの層の第1の層を形成する材料が第2の層を堆積させるために使用される溶媒に溶解しないように、隣接する層の材料を選択することとか、を知るだろう。
アニリン(19.86g,0.214mol)および4−ブロモ−n−ブチルベンゼン(100.0g,0.469mol)が3Lの3首丸底フラスコに入れられた。1Lのトルエンが加えられた、フラスコには機械的撹拌手段および還流濃縮器が備えられていた。窒素を、ピペットにより60分間この混合物を通して泡立たせた。次いで、触媒であるトリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0.98g,1.07mol)およびリガンドであるトリ−tert−ブチルホスフィントリフルオロボレート(0.465g,1.6mmol)が加えられ、反応混合物は窒素雰囲気中で15分間混合された。反応混合物は氷浴で冷却され、ナトリウムtert−ブトキシド(61.5g,0.64mol)が分割して加えられた。反応は発熱性なので注意を要した。混合物は室温で4時間撹拌され、次いで一晩で80℃(油浴温度)まで加熱された。水(1L)が反応をクエンチするために加えられ、分離用漏斗で相分離された。有機相が回転蒸発器上で還元されてこげ茶の油を生成した。油はトルエン(100mL)で希釈されて、シリカプラグを通じてろ過された(直径10cm、高さ15cm)。プラグはトルエン(4.5L)で溶出された。ろ液は回転蒸発で濃縮されて122gの色つき油を得た。これは、ビス(4−n−ブチルフェニル)フェニルアミンを含む。これはそれ以上精製することなしに次の工程で使用された。
2.段階2
用具の準備
固定具を有する内部温度計、磁気撹拌手段並びに窒素の入口および出口を備えた5Lの3首丸底フラスコ。
用具の準備
固定具を有する内部温度計、磁気撹拌手段並びに窒素の入口および出口を備えた5Lの3首丸底フラスコ。
5Lの3首丸底フラスコに段階1の粗精製のN11(244.5g、理論的に0.64mol含有)が満たされた。2.5Lのジクロロメタンが加えられ、フラスコは窒素で充満された。混合物は氷浴で10℃未満に冷却された。N−ブロモスクシンイミド(127.8g,0.72mol)が分割して加えられ、温度を10℃未満に保持した。反応混合物は、一晩放置して室温まで温められた。次いで、これはセライト(Celite)のプラグでろ過された。プラグはジクロロメタン(2L)で溶出された。ろ液は乾燥するまで蒸発され、250gの粗精製の段階2材料を得た。
不純物(主として、ブロモ―n−ブチルベンゼン)が高真空蒸留法により除去されて、残渣(230g,収率78%)がそれ以上精製することなしで次の段階で使用された。
不純物(主として、ブロモ―n−ブチルベンゼン)が高真空蒸留法により除去されて、残渣(230g,収率78%)がそれ以上精製することなしで次の段階で使用された。
3.段階3
用具の準備
還流濃縮器、機械的撹拌手段、ならびに窒素の入口および出口を備えた2Lの3首丸底フラスコ。
用具の準備
還流濃縮器、機械的撹拌手段、ならびに窒素の入口および出口を備えた2Lの3首丸底フラスコ。
段階2の材料(50g,0.11mol)が還流濃縮器、機械的撹拌手段、ならびに窒素の入口および出口を備えた2Lの3首丸底フラスコに入れられた。これは750mLのトルエン中に溶解された。窒素を、ピペットにより60分間この混合物を通して泡立たせた。パラジウムアセテート(0.74g,3.3mol)およびトリ−(o−トリイル)ホスフィン(2.5g,6.6mmol)が加えられ、混合物は窒素中で15分間撹拌された。塩基であるナトリウムtert−ブトキシド(28.8g,0.30mol)が分割して加えられ、混合物は一晩加熱還流された。混合物は水(2L)に注がれ、相分離を助けるために、混合物はセライトのプラグを通じてろ過された。有機相が分離されて、硫酸マグネシウム上で乾燥され、回転乾燥で濃縮されて乾燥された。得られた固体を、2−プロパノールから再結晶させて段階3の材料63gを得た。これは次の工程で使用するのに十分の純度であった。
4.モノマー1
用具の準備
磁気撹拌棒、ならびに窒素の入口および出口を備えた2Lの3首丸底フラスコ。
実験
2Lの3首丸底フラスコにおいて段階3の材料(77.8g,0.15mol)がジクロロメタン(750mL)中に溶解された。フラスコは窒素で充満された。混合物は氷浴で10℃未満に冷却された。N−ブロモスクシンイミド(52.8g,0.30mol)が分割して加えられ、温度を10℃未満に保持した。混合物は、一晩攪拌された。混合物は、シリカプラグを通じてろ過され、ジクロロメタン(2L)で溶出された。ろ液を蒸発させて、油を得た。この油を2Lの2−プロパノールに溶解して室温まで除冷し沈殿物を得た。沈殿物はろ過により除去され、溶解、冷却およびろ過の工程はさらに2回繰り返された。生成物はヘキサンから再結晶化され、真空中40℃で乾燥され、18.33g(収率18%)を得た。ろ液を合わせて、真空中で濃縮して再結晶して更なる生成物を得た。
用具の準備
磁気撹拌棒、ならびに窒素の入口および出口を備えた2Lの3首丸底フラスコ。
実験
2Lの3首丸底フラスコにおいて段階3の材料(77.8g,0.15mol)がジクロロメタン(750mL)中に溶解された。フラスコは窒素で充満された。混合物は氷浴で10℃未満に冷却された。N−ブロモスクシンイミド(52.8g,0.30mol)が分割して加えられ、温度を10℃未満に保持した。混合物は、一晩攪拌された。混合物は、シリカプラグを通じてろ過され、ジクロロメタン(2L)で溶出された。ろ液を蒸発させて、油を得た。この油を2Lの2−プロパノールに溶解して室温まで除冷し沈殿物を得た。沈殿物はろ過により除去され、溶解、冷却およびろ過の工程はさらに2回繰り返された。生成物はヘキサンから再結晶化され、真空中40℃で乾燥され、18.33g(収率18%)を得た。ろ液を合わせて、真空中で濃縮して再結晶して更なる生成物を得た。
1H−NMR(CDCl3,400MHz):δ[ppm]0.93(6H,t,J=7.4Hz),1.32−1.41(4H,m),1.55−1.59(4H,m),2.56(4H,t,J=7.6Hz),6.89−7.06(16H,m);7.31(4H,d,J=8.8Hz)
本発明のポリマー1は、85モル%の9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル繰り返し単位と、15モル%のモノマー1繰り返し単位とを含み、WO00/53656に記載される方法にしたがってスズキ重合によって調製された。
実施例2
発光装置(装置1)の製造
Baytron P(登録商標)として、H C Starck of Leverkusen,Germanyから入手されるポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホネート)(PEDT/PSS)がスピンコートによりガラス基板(Applied Films,Colorado,USAより入手可能)上に支持されたインジウム錫酸化物アノード上に堆積された。実施例1で製造されたポリマー1の正孔輸送層がキシレン溶液からスピンコートによりPEDT/PSS層上に厚さ約30nmに堆積され、180℃で1時間加熱された。WO04/083277に開示される青色電子発光ポリマーは、キシレン溶液からスピンコートによりポリマー1層上に厚さ約65nmに堆積された。半導体ポリマー上に、バリウムの第1層を約10nmの厚さまで蒸着し、アルミニウムバリウムの第2層を約100nmの厚さまで蒸着することにより、Ba/Alカソードが電子発光ポリマー層上に形成される。最後に、装置の上に置かれて気密封止を形成するために基板上に接着されるゲッターを含む金属封止剤を使用して装置は封止された。
発光装置(装置1)の製造
Baytron P(登録商標)として、H C Starck of Leverkusen,Germanyから入手されるポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホネート)(PEDT/PSS)がスピンコートによりガラス基板(Applied Films,Colorado,USAより入手可能)上に支持されたインジウム錫酸化物アノード上に堆積された。実施例1で製造されたポリマー1の正孔輸送層がキシレン溶液からスピンコートによりPEDT/PSS層上に厚さ約30nmに堆積され、180℃で1時間加熱された。WO04/083277に開示される青色電子発光ポリマーは、キシレン溶液からスピンコートによりポリマー1層上に厚さ約65nmに堆積された。半導体ポリマー上に、バリウムの第1層を約10nmの厚さまで蒸着し、アルミニウムバリウムの第2層を約100nmの厚さまで蒸着することにより、Ba/Alカソードが電子発光ポリマー層上に形成される。最後に、装置の上に置かれて気密封止を形成するために基板上に接着されるゲッターを含む金属封止剤を使用して装置は封止された。
比較の目的のため、第2の装置(装置2)が、ポリマー1の替わりにWO99/54385に開示される、ジオクチルフルオレン繰り返し単位の85モル%およびジアミン「PFB」繰り返し単位の15モル%を含むポリマー2が使用された以外は上記の方法に従って製造された。
実施例3
ポリマー3および4を比較するデータ
30モル%のモノマー1および70モル%のジオクチルフルオレンを含む本発明のポリマー3が実施例1の方法に従って製造された。比較の目的のため、30モル%のPFBおよび70モル%のジオクチルフルオレンを含むポリマー4が製造された。
ポリマー3および4を比較するデータ
30モル%のモノマー1および70モル%のジオクチルフルオレンを含む本発明のポリマー3が実施例1の方法に従って製造された。比較の目的のため、30モル%のPFBおよび70モル%のジオクチルフルオレンを含むポリマー4が製造された。
1 基板
2 アノード
3 発光層
4 カソード
2 アノード
3 発光層
4 カソード
Claims (35)
- ポリマー主鎖中のトリアリールアミンの第1の窒素およびポリマー主鎖から分岐したアリールアミンの第2の窒素を含む第1の繰返し単位を含む正孔輸送半導体ポリマーを含む電子装置であって、前記半導体ポリマーが前記装置中の半導体材料へのまたはからの正孔の輸送の機能を果たすことを特徴とする電子装置。
- 前記装置は有機発光装置を含み、前記正孔輸送半導体ポリマーが前記有機発光装置の発光層中の発光半導体材料に正孔を輸送する機能を果たす請求項1に記載の装置。
- 前記装置は青色光を発光する請求項2に記載の装置。
- 前記半導体ポリマーは前記装置の正孔輸送層中に含まれる請求項1ないし3のいずれかに記載の装置。
- 前記半導体ポリマーは前記装置の前記発光層中に含まれる請求項2または3に記載の装置。
- Ar1 およびAr2の1つまたは両者は電子濃度の高いアリールまたはヘテロアリール環あるいはこれらの縮合誘導体を表す請求項1ないし6のいずれかに記載の装置。
- Ar1 およびAr2の両者は独立してフェニルを表す請求項7に記載の装置。
- Ar4 およびAr5の1つまたは両者は電子濃度の高いアリールまたはヘテロアリール環あるいはこれらの縮合誘導体を表す請求項1ないし8のいずれかに記載の装置。
- Ar4 およびAr5の両者は独立してフェニルを表す請求項9に記載の装置。
- Ar4および/またはAr5は1つの置換基を有する置換されたフェニル環を表し、前記1つの置換基はパラ位置に配置される請求項10に記載の装置。
- Ar3はフェニルまたはその縮合誘導体を表す請求項1ないし11のいずれかに記載の装置。
- 前記第1窒素を含む前記トリアリールアミンは、前記第2の窒素を含む前記アリールアミンと共役されている請求項1ないし12のいずれかに記載の装置。
- 前記半導体ポリマーはコポリマーまたは高次ポリマーを含む請求項1ないし13のいずれかに記載の装置。
- 前記ポリマーは前記第1繰返し単位の15ないし30モル%を含む請求項14に記載の装置。
- 前記ポリマーは2,7−結合フルオレン基から構成される共繰り返し単位(co−repeat unit)を含む請求項14または15に記載の装置。
- 前記装置はパルス駆動ディスプレイ中に含まれる請求項1ないし16のいずれかに記載の装置。
- 前記第1の繰返し単位は第3の窒素を含む追加のアリールアミンをさらに含む請求項1ないし17のいずれかに記載の装置。
- 前記第1の繰返し単位は第4の窒素を含む追加のアリールアミンをさらに含む請求項23に記載の装置。
- ポリマー主鎖中のトリアリールアミンの第1の窒素およびポリマー主鎖からの分岐したアリールアミンの第2窒素を含む第1の繰返し単位から構成される半導体ポリマーの、電子装置中の半導体材料へまたはから正孔を輸送するための使用。
- 正孔を発光材料に輸送するための請求項30に記載の半導体ポリマーの使用。
- ポリマー主鎖中のトリアリールアミンの第1の窒素およびポリマー主鎖から分岐したアリールアミンの第2窒素を含む第1の繰返し単位を含む半導体ポリマーの溶液を溶液処理により堆積させて、前記半導体ポリマーを含む層を形成する工程を含む電子装置の製造方法であって、前記半導体ポリマーは前記装置中の半導体材料へまたはから正孔を輸送する機能を果たすことを特徴とする製造方法。
- 前記半導体ポリマーを含む前記層を架橋し、次いでその上に次の層を堆積させる工程をさらに含む請求項32に記載の方法。
- 前記半導体ポリマーを含む前記層を熱、真空または大気乾燥(ambient drying)により処理して前記層を少なくとも部分的に不溶性に改変し、次いでその上に次の層を堆積させる工程をさらに含む請求項32に記載の方法。
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