JP2009245877A - Ｍｅｍｓスイッチおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】可動接点と両固定接点との間の寄生容量を低減しつつ、より低消費電力で所望の接圧を確保することが可能なＭＥＭＳスイッチおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】構造体部２は、ベース基板１の厚み方向に直交する面内の中央部に可動接点２５が設けられ、支持部２２が平面視において可動接点２５を中心として可動板部２１を囲む仮想四角形ＶＳの４つの角それぞれに設けられ、可撓部２３が仮想四角形ＶＳの各辺のうち固定接点３５，３５の並設方向に直交する辺に沿って配置され、可撓部２３における支持部２２側とは反対側の端部が上記並設方向に沿った連結部２８を介して可動板部２１と連結され、圧電アクチュエータ４は、可動接点２５を中心として４つの可撓部２３それぞれの同じ位置に設けられ、静電アクチュエータ５は、上記並設方向において隣り合う可撓部２３，２３の間に設けられ、圧電アクチュエータ４よりも平面視の面積が大きい。
【選択図】図１
【解決手段】構造体部２は、ベース基板１の厚み方向に直交する面内の中央部に可動接点２５が設けられ、支持部２２が平面視において可動接点２５を中心として可動板部２１を囲む仮想四角形ＶＳの４つの角それぞれに設けられ、可撓部２３が仮想四角形ＶＳの各辺のうち固定接点３５，３５の並設方向に直交する辺に沿って配置され、可撓部２３における支持部２２側とは反対側の端部が上記並設方向に沿った連結部２８を介して可動板部２１と連結され、圧電アクチュエータ４は、可動接点２５を中心として４つの可撓部２３それぞれの同じ位置に設けられ、静電アクチュエータ５は、上記並設方向において隣り合う可撓部２３，２３の間に設けられ、圧電アクチュエータ４よりも平面視の面積が大きい。
【選択図】図１
Description
本発明は、ＭＥＭＳ（micro electro mechanical systems）スイッチおよびその製造方法に関するものである。
従来から、高周波信号伝送用のＭＥＭＳスイッチとして、静電アクチュエータを利用した静電マイクロリレーが知られている（例えば、特許文献１参照）。
ここにおいて、上記特許文献１に開示されたＭＥＭＳスイッチは、図９に示すように、ガラス基板からなるベース基板１’ と、ベース基板１’の厚み方向の一表面側に固定された２つの支持部２２’，２２’に帯板状の可撓部２３’，２３’を介して上記厚み方向へ変位可能に支持され可動接点２５’が設けられた可動板部２１’を有する構造体部２’と、ベース基板１’の上記一表面上に形成され可動接点２５’が接離する固定接点３５’，３５’を有する一対の信号線３４’，３４’とを備え、可動接点２５’が両固定接点３５’，３５’に近づく向きに可動接点２５’を変位させる駆動手段として可動板部２１’に設けられた可動電極５１’およびベース基板１’の上記一表面上に形成され可動電極５１’に対向配置された固定電極５２’を有し可動電極５１’と固定電極５２’との間に電圧を印加したときに可動接点２５’が両固定接点３５’，３５’に近づく向きに可動接点２５’を変位させる静電アクチュエータを備えている。なお、図９に示した構成のＭＥＭＳスイッチでは、固定電極５２’上に、可動電極５１’のスティッキングを防止するための絶縁膜５３’が形成されている。また、図９に示した構成のＭＥＭＳスイッチは、上述の構造体部２’がシリコン基板を用いて形成されている。
また、従来から、静電アクチュエータを利用したＭＥＭＳスイッチに比べて低消費電力化が可能な高周波信号伝送用のＭＥＭＳスイッチとして、圧電アクチュエータと静電アクチュエータとを併用して可動接点を一対の信号線の固定接点に接離するようにしたＭＥＭＳスイッチが提案されている（例えば、特許文献２参照）。
ここにおいて、上記特許文献２に開示されたＭＥＭＳスイッチは、図１０に示すように、ガラス基板からなるベース基板１０１と、ベース基板１０１の厚み方向の一表面側に形成され固定接点１３５，１３５を有する一対の信号線１３４，１３４と、ベース基板１０１の上記一表面側に固定された支持部１２２に支持され先端部に両固定接点１３５，１３５それぞれに接離する２個ずつの可動接点１２５，１２５が形成された可撓部１０４とを備え、可撓部１０４が、下部電極１４１、ＡｌＮ層からなる下部圧電層１４２ａ、中間電極１４４、ＡｌＮ層からなる上部圧電層１４２ｂ、上部電極１４３の積層構造を有するバイモルフ型の圧電アクチュエータにより構成されており、下部電極１４１のうち可撓部１０４の先端部に形成され固定接点１３５，１３５に対向する部位が静電アクチュエータの可動電極を兼ね、固定接点１３５，１３５が静電アクチュエータの固定電極を兼ねている。
特許第３８５２２２４号公報
特開２００８−２７８１２号公報
ところで、図９に示した構成のＭＥＭＳスイッチでは、可動接点２５’と両固定接点３５’，３５’との間の距離を大きくして寄生容量を低減することでアイソレーション特性を向上できるが、所望の接圧を確保するために必要な駆動電圧が大きくなり、消費電力が増加してしまう。
これに対して、図１０に示した構成のＭＥＭＳスイッチでは、駆動手段として圧電アクチュエータと静電アクチュエータとを併用しており、圧電アクチュエータによる駆動では静電アクチュエータに比べて低電圧で可動接点１２５を大きく変位させることができ、静電アクチュエータによる駆動により所望の接圧を確保することができるので、アイソレーション特性の向上を図りながらも低消費電力化を図ることができる。
しかしながら、図１０に示した構成のＭＥＭＳスイッチでは、ベース基板１０１の上記一表面側に固定された支持部１２２に支持された可撓部１０４が圧電アクチュエータを構成し、当該圧電アクチュエータの下部電極１４１のうち可撓部１０４の先端部に形成され固定接点１３５，１３５に対向する部位が静電アクチュエータの可動電極を兼ね、固定接点１３５，１３５が静電アクチュエータの固定電極を兼ねているので、可動電極と固定電極との面積を大きくすることが難しく、低消費電力化が制限されてしまう。また、図１０に示した構成のＭＥＭＳスイッチでは、上述の可撓部１０４が支持部１２２に支持されているので、固定電極の有効な形成位置が可撓部１０４の先端部に対向する部位に限られ、固定電極の面積が制限され、所望の静電力を得ることが難しく、接圧を大きくすることができなかった。また、図１０に示した構成のＭＥＭＳスイッチでは、圧電アクチュエータによる駆動時と静電アクチュエータによる駆動時のいずれも支持部１２２に支持された可撓部１０４が変形するだけなので、所望の接圧を確保するための駆動電圧が大きくなってしまう。
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、可動接点と両固定接点との間の寄生容量を低減しつつ、より低消費電力で所望の接圧を確保することが可能なＭＥＭＳスイッチおよびその製造方法を提供することにある。
請求項１の発明は、ベース基板と、ベース基板の厚み方向の一表面側に固定された支持部に帯板状の可撓部を介して前記厚み方向へ変位可能に支持され可動接点が設けられた可動板部を有する構造体部と、前記厚み方向において可動接点から離間して配置され可動接点が接離する固定接点を有する一対の信号線と、可動接点が両固定接点に近づく向きに可動接点を変位させる駆動手段とを備え、駆動手段は、可撓部に設けられてなり圧電層の厚み方向の両側の電極間に電圧を印加したときに可動接点が両固定接点に近づく向きに変位するように可撓部を変形させる圧電アクチュエータと、可動板部に設けられた可動電極および当該可動電極に対向配置された固定電極を有し可動電極と固定電極との間に電圧を印加したときに可動接点が両固定接点に近づく向きに可動接点を変位させる静電アクチュエータとを備え、構造体部は、ベース基板の前記厚み方向に直交する面内の中央部に可動接点が設けられ、支持部が平面視において可動接点を中心として可動板部を囲む仮想四角形の４つの角それぞれに設けられ、可撓部が前記仮想四角形の各辺のうち固定接点の並設方向に直交する辺に沿って配置され、可撓部における支持部側とは反対側の端部が前記並設方向に沿って形成された連結部を介して可動板部と連結され、圧電アクチュエータは、可動接点を中心として４つの可撓部それぞれの同じ位置に設けられ、静電アクチュエータは、可動板部において可動接点を中心として固定接点の並設方向に直交する方向の両側の同じ位置で、前記並設方向において隣り合う可撓部の間に設けられ、圧電アクチュエータよりも平面視における面積が大きいことを特徴とする。
この発明によれば、構造体部は、ベース基板の前記厚み方向に直交する面内の中央部に可動接点が設けられ、支持部が平面視において可動接点を中心として可動板部を囲む仮想四角形の４つの角それぞれに設けられ、可撓部が前記仮想四角形の各辺のうち固定接点の並設方向に直交する辺に沿って配置され、可撓部における支持部側とは反対側の端部が前記並設方向に沿って形成された連結部を介して可動板部と連結され、圧電アクチュエータは、可動接点を中心として４つの可撓部それぞれの同じ位置に設けられ、静電アクチュエータは、可動板部において可動接点を中心として固定接点の並設方向に直交する方向の両側の同じ位置で、前記並設方向において隣り合う可撓部の間に設けられ、圧電アクチュエータよりも平面視における面積が大きいので、所望の接圧を確保するための静電アクチュエータの駆動電圧をより一層低減でき、可動接点と両固定接点との間の寄生容量を低減しつつ、より低消費電力で所望の接圧を確保することが可能となる。また、この発明によれば、可動板部が支持部から離れているので、可動電極および固定電極の面積を大きくでき、静電アクチュエータによる駆動時の静電力を大きくでき、接圧を大きくすることができる。また、この発明によれば、圧電アクチュエータと静電アクチュエータとが別々に設けられているので、圧電アクチュエータおよび静電アクチュエータそれぞれで別の動きが可能となり、駆動手段の動きの自由度の高いＭＥＭＳスイッチとすることができる。
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記各信号線と前記圧電アクチュエータの前記各電極とが電気的に絶縁されてなることを特徴とする。
この発明によれば、前記各信号線に前記圧電アクチュエータの前記各電極からノイズが重畳されるのを防止することができる。
請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明において、前記各信号線と前記静電アクチュエータの前記可動電極および前記固定電極とが電気的に絶縁されてなることを特徴とする。
この発明によれば、前記各信号線に前記静電アクチュエータの前記可動電極および前記固定電極からノイズが重畳されるのを防止することができる。
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３の発明において、前記圧電アクチュエータと前記静電アクチュエータとに共通のグランド電極を有することを特徴とする。
この発明によれば、前記駆動手段の制御が容易になる。
請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４の発明において、前記圧電アクチュエータは、前記圧電層が鉛系圧電材料により形成されてなることを特徴とする。
この発明によれば、前記圧電層の圧電材料としてＡｌＮやＺｎＯなど採用する場合に比べて圧電定数が大きいので、接圧を大きくできる。
請求項６の発明は、請求項１ないし請求項５の発明において、前記可動板部は、前記可動接点が形成された可動接点基台部と前記可動電極が形成された可動電極基台部との間に前記固定接点の並設方向の幅が可動接点基台部および可動電極基台部に比べて細幅の接圧ばね部が設けられてなることを特徴とする。
この発明によれば、可動接点基台部が接圧ばね部を介して可動電極基台部に支持されていることにより、接圧ばね部のばね力を適宜設定することによって所望の接圧を得ることができて前記可動接点と前記両固定接点との接触信頼性を向上させることができる。
請求項７の発明は、請求項１ないし請求項６の発明において、前記可動板部は、前記各信号線の前記固定接点以外の部位を平面視において露出させる切欠部が形成されてなることを特徴とする。
この発明によれば、前記可動電極と前記各信号線との容量結合を抑制することができ、アイソレーション特性を向上させることができる。
請求項８の発明は、請求項１ないし請求項７の発明において、前記各信号線および前記固定電極は、前記ベース基板に設けられてなり、前記各信号線は、前記ベース基板の同一平面上に同一厚さで形成されてなることを特徴とする。
この発明によれば、高周波信号の伝送損失を低減できる。
請求項９の発明は、請求項１ないし請求項７の発明において、前記ベース基板の前記一表面側に前記構造体部を収納する凹所が形成されたカバー基板が接合されてなり、前記各信号線および前記固定電極は、前記カバー基板の前記凹所の内底面に形成されてなることを特徴とする。
この発明によれば、前記各信号線に前記圧電アクチュエータの前記各電極や前記静電アクチュエータの前記可動電極からノイズが重畳されるのを防止することができる。
請求項１０の発明は、請求項８記載のＭＥＭＳスイッチの製造方法であって、ベース基板の前記一表面上に固定電極を形成する固定電極形成工程と、固定電極形成工程の後でベース基板の前記一表面上に固定接点を有する一対の信号線を形成する信号線形成工程と、信号線形成工程の後でベース基板の前記一表面側に構造体部形成用の犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、犠牲層形成工程の後でベース基板の前記一表面側に可動電極を形成する可動電極形成工程と、可動電極形成工程の後で可動接点を形成する可動接点形成工程と、可動接点形成工程の後で構造体部を形成する構造体部形成工程と、構造体部形成工程の後で圧電アクチュエータの一方の電極を形成する第１の電極形成工程と、第１の電極形成工程の後で圧電層を形成する圧電層形成工程と、圧電層形成工程の後で圧電アクチュエータの他方の電極を形成する第２の電極形成工程と、第２の電極形成工程の後で犠牲層を除去する犠牲層除去工程とを備えることを特徴とする。
この発明によれば、可動接点と両固定接点との間の寄生容量を低減しつつ、より低消費電力で所望の接圧を確保することが可能なＭＥＭＳスイッチを提供することができる。
請求項１１の発明は、請求項９記載のＭＥＭＳスイッチの製造方法であって、ベース基板の一表面側に構造体部形成用の犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、犠牲層形成工程の後でベース基板の前記一表面側に構造体部を形成する構造体部形成工程と、構造体部形成工程の後で圧電アクチュエータの一方の電極である下部電極および可動電極を形成する第１の電極形成工程と、第１の電極形成工程の後で圧電層を形成する圧電層形成工程と、圧電層形成工程の後で圧電アクチュエータの他方の電極である上部電極を形成する第２の電極形成工程と、第２の電極形成工程の後で構造体部上に可動接点を形成する可動接点形成工程と、可動接点形成工程の後で犠牲層を除去する犠牲層除去工程と、犠牲層除去工程の後で固定接点を有する一対の信号線および固定電極が形成されているカバー基板をベース基板の前記一表面側に接合する接合工程とを備えることを特徴とする。
この発明によれば、可動接点と両固定接点との間の寄生容量を低減しつつ、より低消費電力で所望の接圧を確保することが可能なＭＥＭＳスイッチを提供することができる。また、ベース基板の前記一表面側に圧電アクチュエータを形成した後に可動接点を形成するので、圧電アクチュエータの圧電層の成膜温度に左右されることなく可動接点の材料を選択できるので、可動接点の材料の選択の自由度が高くなる。
請求項１の発明では、所望の接圧を確保するための静電アクチュエータの駆動電圧をより一層低減でき、可動接点と両固定接点との間の寄生容量を低減しつつ、より低消費電力で所望の接圧を確保することが可能となるという効果がある。
請求項１０，１１の発明では、可動接点と両固定接点との間の寄生容量を低減しつつ、より低消費電力で所望の接圧を確保することが可能なＭＥＭＳスイッチを提供することができるという効果がある。
（実施形態１）
以下、本実施形態のＭＥＭＳスイッチについて図１および図２を参照しながら説明する。
以下、本実施形態のＭＥＭＳスイッチについて図１および図２を参照しながら説明する。
本実施形態のＭＥＭＳスイッチは、矩形板状のベース基板１と、ベース基板１の厚み方向の一表面側に固定された４つの支持部２２それぞれに帯板状の可撓部２３を介して上記厚み方向へ変位可能に支持され可動接点２５が設けられた可動板部２１を有する構造体部２と、ベース基板１の上記一表面上に設けられ可動接点２５が接離する固定接点３５，３５を有する一対の信号線３４，３４と、ベース基板１の上記一表面側に可動板部２を収納する形で気密的に接合されたカバー７とを備えている。要するに、固定接点３５，３５は、ベース基板１の厚み方向に可動接点２５から離間して配置されている。
また、本実施形態のＭＥＭＳスイッチは、可動接点２５が両固定接点３５，３５に近づく向きに可動接点２５を変位させる駆動手段として、可撓部２３に設けられてなり圧電層４２の厚み方向の両側の電極４１，４３間に電圧を印加したときに可動接点２５が両固定接点３５，３５に近づく向き変位するように可撓部２３を変形させる圧電アクチュエータ４と、可動板部２に設けられた可動電極５１および当該可動電極５１に対向配置された固定電極５２を有し可動電極５１と固定電極５２との間に電圧を印加したときに可動接点２５が両固定接点３５，３５に近づく向きに可動接点２５を変位させる静電アクチュエータ５とを備えている。
上述のベース基板１は、セラミック基板により構成されており、上記一表面上に各信号線３４，３４および静電アクチュエータ５の固定電極５２が形成されている。ここにおいて、本実施形態では、固定電極５２がグランド電極を兼ねている。なお、ベース基板１は、セラミック基板に限らず、例えば、ガラス基板、ＳＯＩ基板、シリコン基板などを用いて形成してもよく、基板材料として誘電率の高い材料を採用することが好ましい。
ベース基板１は、上記一表面の中央部において上述の一対の信号線３４，３４が一直線上に形成されている。ここで、各固定接点３５，３５は、各信号線３４，３４と同じ金属材料により同一厚みに形成されている。要するに、各固定接点３５，３５は、各信号線３４，３４と連続一体に形成されている。
各固定接点３５，３５および各信号線３４，３４の材料としては、Ａｕを採用しているが、Ａｕに限らず、例えば、Ａｕ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ｏｓの群から選択される１種あるいはこれらの合金を採用してもよい。
圧電アクチュエータ４は、圧電層４２の圧電材料として、鉛系圧電材料の一種であるＰＺＴを採用し、圧電層４２の厚み方向の両側の電極４１，４３のうち可撓部２３の厚み方向において可撓部２３に近い側の電極（以下、下部電極と称する）４１の材料として、Ｐｔを採用し、可撓部２３から遠い側の電極（以下、上部電極と称する）４３の材料としてＡｕを採用しているが、これらの材料は特に限定するものではない。ここで、圧電アクチュエータ４は、上部電極４３と圧電層４２との接触面積を規定する開口部４４ａを有する絶縁膜４４が形成されており、上部電極４１および絶縁膜４４は可撓部２３におけるベース基板１側とは反対の表面に沿ってベース基板１の上記一表面上まで延設され、上述の支持部２２を補強している。なお、絶縁膜４４は、シリコン酸化膜により構成されているが、シリコン酸化膜に限らず、例えば、シリコン窒化膜や、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜により構成してもよい。
圧電層４２の圧電材料は、鉛系圧電材料であれば、ＰＺＴに限らず、例えば、ＰＺＴに不純物を添加したものや、ＰＭＮ−ＰＺＴなどを採用してもよい。また、圧電層４２の圧電材料は、鉛系圧電材料に限らず、例えば、鉛フリーのＫＮＮ（Ｋ０．５Ｎａ０．５ＮｂＯ３）や、ＫＮ（ＫＮｂＯ３）、ＮＮ（ＮａＮｂＯ３）、ＫＮＮに不純物（例えば、Ｌｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ，Ｃｕなど）を添加したものでもよい。ここで、圧電層４２の圧電材料として、上述の鉛系圧電材料や、ＫＮＮ，ＫＮ，ＮＮなどを採用すれば、ＡｌＮやＺｎＯなど採用する場合に比べて圧電定数が大きいので、接圧を大きくすることができる。また、圧電層４２の材料として、ＫＮＮ，ＫＮ，ＮＮなどを採用すれば、鉛フリーになるので、環境負荷を低減できる。なお、本実施形態の圧電アクチュエータ４は、ユニモルフ型であるが、バイモルフ型としてもよい。
一方、静電アクチュエータ５は、可動板部２１の可動電極基台部２６に設けられた上述の可動電極５１と、ベース基板１の上記一表面側において可動電極５１に対向する部位に設けられた固定電極５２とを備えており、可動電極５１と固定電極５２との間に電圧を印加したときに可動電極５１と固定電極５２との間に発生する静電力によって両固定接点３５，３５に近づく向きに可動接点２５を変位させる。ここにおいて、可動電極５１は、可撓部２３におけるベース基板１側の面に沿ってベース基板１の上記一表面上まで延設されており、支持部２２を補強している。また、可動電極５１は、可撓部２３の厚み方向に貫設されたビア４６を介して圧電アクチュエータ４の下部電極４１と電気的に接続されている。また、ベース基板１の上記一表面側には、可動電極５１が固定接点５２に付着するスティッキングを防止するために固定電極５２を覆う絶縁膜５３が形成されている。なお、固定電極５２の材料としては、Ａｕを採用し、可動電極５１の材料としては、Ｐｔを採用しているが、これらの材料は特に限定するものではない。また、絶縁膜５３は、シリコン酸化膜により構成しているが、シリコン酸化膜に限らず、例えば、シリコン窒化膜でもよい。
ところで、ベース基板１は、各信号線３４、静電アクチュエータ５の固定電極５２、静電アクチュエータ５の可動電極５１、および圧電アクチュエータ４の上部電極４３それぞれが電気的に接続される貫通孔配線１４，１２，１１，１３が厚み方向に貫設されており、厚み方向の他表面側に、各貫通孔配線１４，１２，１１，１３それぞれが電気的に接続される外部接続用電極１１４，１１２，１１１，１１３が形成されている。ここにおいて、本実施形態では、上述のように圧電アクチュエータ４の下部電極４１が可撓部２３の厚み方向に貫設されたビア４６を介して静電アクチュエータ５の可動電極５１と電気的に接続されているが、ビア４６を設けずに下部電極４１をベース基板１の上記一表面上まで延設し、下部電極４１と可動電極５１とを各別の貫通孔配線を介して外部接続用電極と電気的に接続するようにしてもよい。なお、各貫通孔配線１４，１２，１１，１３の材料としては、Ａｕを採用しているが、Ａｕに限らず、例えば、Ｃｕ，Ｎｉなどを採用してもよい。また、各外部接続用電極１１４，１１２，１１１，１１３の材料としては、Ａｕを採用しているが、Ａｕに限らず、例えば、Ｃｕ，Ｃｒ，Ｐｔなどを採用してもよい。
また、ベース基板１は、厚み方向の中間に所定パターンの埋込グランド電極１５が形成されており、グランド電極を兼ねる固定電極５２が上述の貫通孔配線１２により埋込グランド電極１５と電気的に接続されている。なお、各信号線３４は、固定接点３５が形成された側とは反対側の端部が貫通孔配線１４を介して外部接続用電極１１４と電気的に接続されている。
また、可動板部２１は、可動接点２５が形成された可動接点基台部２４と可動電極５１が形成された可動電極基台部２６との間に一対の固定接点３５，３５の並設方向の幅が可動接点基台部２４および可動電極基台部２６に比べて細幅の２つの接圧ばね部２７が設けられている。可動板部２１および各可撓部２３および各支持部２２を備えた構造体部２は、ノンドープのポリシリコンにより形成されているが、構造体部２の材料はノンドープのポリシリコンに限らず、例えば、Ｓｉ３Ｎ４やＳｉＯ２などを採用してもよい。
ところで、上述の構造体部２は、ベース基板１の上記厚み方向に直交する面内の中央部に可動接点２５が設けられ、支持部２２が平面視において可動接点２５を中心として可動板部２１を囲む仮想四角形ＶＳ（図１（ｂ）参照）の４つの角それぞれに設けられ、可撓部２３が仮想四角形ＶＳの各辺のうち固定接点３５，３５の並設方向に直交する辺に沿って配置され、可撓部２３における支持部２２側とは反対側の端部が上記並設方向に沿って形成された連結部２８を介して可動板部２１と連結され、圧電アクチュエータ４は、可動接点２５を中心として４つの可撓部２３それぞれの同じ位置に設けられ、静電アクチュエータ５は、可動板部２１において可動接点２５を中心として固定接点３５，３５の上記並設方向に直交する方向の両側の同じ位置で、上記並設方向において隣り合う可撓部２３，２３の間に設けられ、圧電アクチュエータ４よりも平面視における面積が大きくなっている。ここにおいて、本実施形態のＭＥＭＳスイッチは、２つ１組の可撓部２３により１つの可動電極基台部２６を支持している。更に説明すれば、本実施形態のＭＥＭＳスイッチは、各可動電極基台部２６の平面視形状が長方形状であり、４つの帯板状の可撓部２３が、可動電極基台部２６の長手方向の両側縁に沿って配置され、可撓部２３の支持部２２側とは反対側の端部が連結部２８を介して可動電極基台部２６に連結されている。また、可動板部２１は、各信号線３４，３４の固定接点３５，３５以外の部位を平面視において露出させる切欠部２１ｂ，２１ｂが形成されている。
また、カバー７は、矩形板状の絶縁性基板（例えば、ガラス基板、セラミック基板など）を用いて形成されており、ベース基板１側に、可動板部２を収納する凹所７ａが形成され、凹所７ａの周部がベース基板１の上記一表面側に気密的に接合されている。したがって、可動接点５１と両固定接点３５，３５との間に異物が侵入するのを防止できて可動接点５１と両固定接点３５，３５との接触信頼性を向上させることができる。
ここにおいて、ベース基板１の上記一表面の周部には全周に亘って第１の接合用金属層１８が形成され、カバー７におけるベース基板１側の表面（凹所７ａの周部）には全周に亘って第２の接合用金属層７８が形成されており、ベース基板１とカバー７とは接合用金属層１８，７８同士が接合されている。ここにおいて、各接合用金属層１８，７８の材料としては、固定電極５２と同じ材料（ここでは、Ａｕ）を採用しており、ベース基板１の上記一表面側には固定電極５２と第１の接合用金属層１８とを電気的に接続する連絡用金属層１９が固定電極５２および第１の接合用金属層１８と連続一体に形成されている。
なお、ベース基板１とカバー７との接合方法としては、接合前に互いの接合表面へアルゴンのプラズマ若しくはイオンビーム若しくは原子ビームを真空中で照射して各接合表面の清浄化・活性化を行ってから、接合表面同士を接触させ、常温下で直接接合する常温接合法を採用しているが、常温接合法に限らず、ＡｕＳｎや半田などの低融点共晶材料を用いた接合法や、陽極接合法などを採用してもよい。
以上説明したＭＥＭＳスイッチをプリント基板のような実装基板に実装する際には、例えば、ベース基板１の上記他表面側の各外部接続用電極１１１〜１１３それぞれを上記実装基板の一表面側に形成された導体パターンとバンプなどを介して適宜接続すればよい。
以下、本実施形態のＭＥＭＳスイッチの製造方法について図３および図４を参照しながら説明する。
まず、埋込グランド電極１５、各貫通孔配線１１〜１４、および各外部接続用電極１１１〜１１４を形成したベース基板１の上記一表面上に固定電極５２を形成する固定電極形成工程を行うことによって、図３（ａ）に示す構造を得る。ここにおいて、固定電極形成工程では、ベース基板１の上記一表面上に固定電極５２の基礎となる金属層をスパッタ法や蒸着法などにより成膜してから、当該金属層をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用してパターニングすることにより、各固定電極５２、第１の接合用金属層１８（図１参照）、各連絡用金属層１９（図１参照）を形成している。
固定電極形成工程の後、ベース基板１の上記一表面上に固定接点３５，３５を有する一対の信号線３４，３４を形成する信号線形成工程を行うことによって、図３（ｂ）に示す構造を得る。ここにおいて、信号線形成工程では、例えば、ベース基板１の上記一表面側に各信号線３４の形成予定領域が露出するようにパターニングされたレジスト層を形成してから、ベース基板１の上記一表面側に各信号線３４，３４を無電解めっき法などにより形成し、その後、レジスト層および当該レジスト層上のめっき膜（金属皮膜）を除去するリフトオフを行っている。
信号線形成工程の後、ベース基板１の上記一表面側に、固定電極５２を覆うスティッキング防止用の絶縁膜５３を形成するスティキング防止用絶縁膜形成工程を行うことによって、図３（ｃ）に示す構造を得る。ここにおいて、スティッキング防止用絶縁膜形成工程では、ベース基板１の上記一表面側の全面に絶縁膜５３の基礎となる絶縁層をスパッタ法やＣＶＤ法などによって成膜してから、当該絶縁層をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用してパターニングすることにより、絶縁膜５３を形成している。
スティッキング防止用絶縁膜形成工程の後、ベース基板１の前記一表面側の全面に構造体部形成用の犠牲層６１を形成する犠牲層形成工程を行うことによって、図３（ｄ）に示す構造を得る。なお、犠牲層６１の材料としてはポリイミドを採用している。
犠牲層形成工程の後、ベース基板１の上記一表面側に可動電極５１を形成する可動電極形成工程を行うことによって、図３（ｅ）に示す構造を得る。ここにおいて、可動電極形成工程では、ベース基板１の上記一表面側に可動電極５１の形成予定領域が露出するようにパターニングされたレジスト層を形成してから、ベース基板１の上記一表面側に各可動電極５１を無電解めっき法などにより形成し、その後、レジスト層および当該レジスト層上のめっき膜（金属皮膜）を除去するリフトオフを行っている。
可動電極形成工程の後、可動接点２５を形成する可動接点形成工程を行うことによって、図３（ｆ）に示す構造を得る。ここにおいて、可動接点形成工程では、ベース基板１の上記一表面側に可動接点２５の形成予定領域が露出するようにパターニングされたレジスト層を形成してから、ベース基板１の上記一表面側に可動接点２５を無電解めっき法などにより形成し、その後、レジスト層および当該レジスト層上のめっき膜（金属皮膜）を除去するリフトオフを行っている。
可動接点形成工程の後で構造体部２を形成する構造体部形成工程を行うことによって、図４（ａ）に示す構造を得る。ここにおいて、構造体部形成工程では、ベース基板１の上記一表面側の全面に構造体部２の基礎となるノンドープのポリシリコン層をＣＶＤ法などによって成膜してから、当該ポリシリコン層をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用してパターニングすることにより、可動板部２１、各可撓部２３および各支持部２２を有する構造体部２を形成するとともにビア４６用のビアホール４７を形成している。
構造体部形成工程の後、下部電極４１を形成する第１の電極形成工程を行うことによって、図４（ｂ）に示す構造を得る。ここにおいて、第１の電極形成工程では、ベース基板１の上記一表面側の全面に下部電極４１の基礎となる金属層（例えば、Ｐｔ層など）をスパッタ法などによって成膜してから、当該金属層をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用してパターニングすることにより、下部電極４１およびビア４６を形成している。
下部電極形成工程の後、圧電層４２を形成する圧電層形成工程を行うことによって、図４（ｃ）に示す構造を得る。圧電層形成工程では、圧電層４２の基礎となる圧電材料層（例えば、ＰＺＴ層など）をスパッタ法やＣＶＤ法などにより成膜してから、当該圧電材料層をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用してパターニングすることにより、圧電層４２を形成している。
圧電層形成工程の後、圧電層４２と上部電極４３との接触面積を規定するための開口部４４ａを有する絶縁膜４４を形成する絶縁膜形成工程を行うことによって、図４（ｄ）に示す構造を得る。ここにおいて、絶縁膜形成工程では、ベース基板１の上記一表面側に絶縁膜４４の形成予定領域が露出するようにパターニングされたレジスト層を形成してから、ベース基板１の上記一表面側に絶縁膜４４をＣＶＤ法などにより形成し、その後、レジスト層および当該レジスト層上の絶縁膜を除去するリフトオフを行っている。
絶縁膜形成工程の後、上部電極４３を形成する第２の電極形成工程を行うことによって、図４（ｅ）に示す構造を得る。ここにおいて、第２の電極形成工程では、ベース基板１の上記一表面側の全面に上部電極４３の基礎となる金属層（例えば、Ａｕ層など）を蒸着法などによって成膜してから、当該金属層をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用してパターニングすることにより、上部電極４３を形成している。なお、本実施形態では、第１の電極形成工程と圧電層形成工程と第２の電極形成工程とで圧電アクチュエータ４の一方の電極（下部電極）４１、圧電層４２、他方の電極（上部電極）４３を順次形成する圧電アクチュエータ形成工程を構成している。
第２の電極形成工程の後、犠牲層６１を選択的に除去する犠牲層除去工程を行うことによって、可動接点２５と固定接点３５，３５との間に第１の規定距離のギャップが形成されるとともに可動電極５１とスティキング防止用絶縁膜５３との間に第２の規定距離のギャップが形成された図４（ｆ）に示す構造が得られる。ここにおいて、第１の規定距離および第２の規定距離は、犠牲層６１の厚みによって決めることができ、可動接点２５と固定接点３５，３５との間の寄生容量を低減するためには、第１の規定距離が長い方が好ましい。
犠牲層除去工程の後、ベース基板１とカバー７とを接合する接合工程を行うことによって、図１および図２に示す構造のＭＥＭＳスイッチが得られる。
以上説明した本実施形態のＭＥＭＳスイッチによれば、可動接点２５が両固定接点３５，３５に近づく向きに可動接点２５を変位させる駆動手段として、可撓部２３に設けられてなり圧電層４２の厚み方向の両側の電極４１，４３間に電圧を印加したときに可動接点２５が両固定接点３５，３５に近づく向きに変位するように可撓部２３を変形させる圧電アクチュエータ４と、可動板部２に設けられた可動電極５１および当該可動電極５１に対向配置された固定電極５２を有し可動電極５１と固定電極５２との間に電圧を印加したときに可動接点２５が両固定接点３５，３５に近づく向きに可動接点２５を変位させる静電アクチュエータ５とを備えていることにより、可動接点２５が両固定接点３５，３５から上記第１の規定距離だけ離れた状態から可動接点２５を両固定接点３５，３５に接触する状態に変位させる際に、圧電アクチュエータ４による駆動力で可動接点２５を両固定接点３５，３５に近づけた後で、静電アクチュエータ５による駆動力で可動接点２５を両固定接点３５，３５に接触させるようにすれば、上記第１の規定距離を長くすることで可動接点２５と両固定接点３５，３５との間の寄生容量を低減してアイソレーション特性を向上させながらも、低消費電力化を図れる。
ここにおいて、本実施形態のＭＥＭＳスイッチでは、構造体部２は、ベース基板１の上記厚み方向に直交する面内の中央部に可動接点２５が設けられ、支持部２２が平面視において可動接点２５を中心として可動板部２１を囲む仮想四角形ＶＳの４つの角それぞれに設けられ、可撓部２３が仮想四角形ＶＳの各辺のうち固定接点３５，３５の並設方向に直交する辺に沿って配置され、可撓部２３における支持部２２側とは反対側の端部が上記並設方向に沿って形成された連結部２８を介して可動板部２１と連結され、圧電アクチュエータ４は、可動接点２５を中心として４つの可撓部２３それぞれの同じ位置に設けられ、静電アクチュエータ５は、可動板部２１において可動接点２５を中心として固定接点３５，３５の並設方向に直交する方向の両側の同じ位置で、上記並設方向において隣り合う可撓部２３，２３の間に設けられ、圧電アクチュエータ４よりも平面視における面積が大きいので、所望の接圧を確保するための静電アクチュエータ５の駆動電圧をより一層低減でき、可動接点２５と両固定接点３５，３５との間の寄生容量を低減しつつ、より低消費電力で所望の接圧を確保することが可能となる。また、本実施形態のＭＥＭＳスイッチでは、可動板部２１が支持部２２から離れているので、可動電極５１および固定電極５２の面積を大きくでき、静電アクチュエータ５による駆動時の静電力を大きくでき、接圧を大きくすることができる。また、本実施形態のＭＥＭＳスイッチによれば、圧電アクチュエータ４と静電アクチュエータ５とが別々に設けられているので、圧電アクチュエータ４および静電アクチュエータ５それぞれで別の動きが可能となり、駆動手段の動きの自由度の高いＭＥＭＳスイッチとすることができる。
また、本実施形態のＭＥＭＳスイッチでは、各信号線３４，３４と圧電アクチュエータ４の各電極４１，４３とが電気的に絶縁されているので、各信号線３４，３４に圧電アクチュエータ４の各電極４１，４３からノイズが重畳されるのを防止することができ、各信号線３４，３４と静電アクチュエータ５の可動電極５１および固定電極５２とが電気的に絶縁されているので、各信号線３４，３４に静電アクチュエータ５の可動電極５１および固定電極５２からノイズが重畳されるのを防止することができる。
また、本実施形態のＭＥＭＳスイッチは、静電アクチュエータ５の可動電極５１が圧電アクチュエータ４の下部電極４１と電気的に接続されるとともにグランド電極を兼ねており、圧電アクチュエータ４と静電アクチュエータ５とに共通のグランド電極を有しているので、圧電アクチュエータ４と静電アクチュエータ５とを併用する駆動手段の制御が容易になる。
また、本実施形態のＭＥＭＳスイッチでは、可動板部２１は、可動接点２５が形成された可動接点基台部２４と可動電極５１が形成された可動電極基台部２６との間に固定接点３５，３５の並設方向の幅が可動接点基台部２４および可動電極基台部２６に比べて細幅の接圧ばね部２７が設けられているので、可動接点基台部２４が接圧ばね部２７を介して可動電極基台部２６に支持されていることにより、接圧ばね部２７のばね力を適宜設定することによって所望の接圧を得ることができて可動接点２５と両固定接点３５，３５との接触信頼性を向上させることができる。
また、本実施形態のＭＥＭＳスイッチでは、可動板部２１は、各信号線３４，３４の固定接点３５，３５以外の部位を平面視において露出させる切欠部２１ｂ，２１ｂが形成されているので、可動電極５１と各信号線３４，３４との容量結合を抑制することができ、アイソレーション特性を向上させることができる。
また、本実施形態のＭＥＭＳスイッチでは、各信号線３４，３４および固定電極５２がベース基板１に設けられ、各信号線３４，３４がベース基板１の同一平面上に同一厚さで形成されているので、インピーダンスマッチングが良く、高周波信号の伝送損失を低減できて良好な高周波特性を得ることができる。
（実施形態２）
本実施形態のＭＥＭＳスイッチの基本構成は実施形態１と略同じであって、図５および図６に示すように、固定接点３５を有する各信号線３４および各固定電極５１が、カバー基板７の凹所７ａの内底面に形成され、可動板部２１におけるベース基板１側とは反対側に可動接点２５および各可動電極５２が形成されている点などが相違する。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態のＭＥＭＳスイッチの基本構成は実施形態１と略同じであって、図５および図６に示すように、固定接点３５を有する各信号線３４および各固定電極５１が、カバー基板７の凹所７ａの内底面に形成され、可動板部２１におけるベース基板１側とは反対側に可動接点２５および各可動電極５２が形成されている点などが相違する。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
しかして、本実施形態のＭＥＭＳスイッチによれば、各信号線３４，３４に圧電アクチュエータ４の各電極４１，４３や静電アクチュエータ５の可動電極５１からノイズが重畳されるのを防止することができる。
以下、本実施形態のＭＥＭＳスイッチの製造方法について図７および図８に基づいて説明するが、実施形態１と同様の工程については説明を適宜省略する。
まず、ベース基板１の上記一表面上に第１の接合用金属層１８を形成する接合用金属層形成工程を行ってから、ベース基板１の上記一表面側に構造体部２を形成するための犠牲層６１を形成する犠牲層形成工程を行うことによって、図７（ａ）に示す構造を得る。
犠牲層形成工程の後、ベース基板１の上記一表面側に構造体部２を形成する構造体部形成工程を行うことによって、図７（ｂ）に示す構造を得る。ここにおいて、構造体部形成工程では、ベース基板１の上記一表面側の全面に構造体部２の基礎となるノンドープのポリシリコン層をＣＶＤ法などによって成膜してから、当該ポリシリコン層をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用してパターニングすることにより、可動板部２１、各可撓部２３、および各支持部２２を有する構造体部２を形成している。
構造体部形成工程の後、下部電極４１を形成する第１の電極形成工程を行うことによって、図７（ｃ）に示す構造を得る。ここにおいて、第１の電極形成工程では、ベース基板１の上記一表面側の全面に下部電極４１の基礎となる金属層（例えば、Ｐｔ層など）をスパッタ法などによって成膜してから、当該金属層をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用してパターニングすることにより、下部電極４１および静電アクチュエータ５の可動電極５１を形成している。
第１の電極形成工程の後、圧電層４２を形成する圧電層形成工程を行うことによって、図７（ｄ）に示す構造を得る。圧電層形成工程では、圧電層４２の基礎となる圧電材料層（例えば、ＰＺＴ層など）をスパッタ法やＣＶＤ法などにより成膜してから、当該圧電材料層をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用してパターニングすることにより、圧電層４２を形成している。
圧電層形成工程の後、圧電層４２と上部電極４３との接触面積を規定するための開口部４４ａを有する絶縁膜４４を形成する絶縁膜形成工程を行うことによって、図８（ａ）に示す構造を得る。
絶縁膜形成工程の後、上部電極４３を形成する第２の電極形成工程を行うことによって、図８（ｂ）に示す構造を得る。なお、本実施形態では、第１の電極形成工程と圧電層形成工程と第２の電極形成工程とで圧電アクチュエータ４の一方の電極（下部電極）４１、圧電層４２、他方の電極（上部電極）４３を順次形成する圧電アクチュエータ形成工程を構成している。
第２の電極形成工程の後、ベース基板１の上記一表面側に可動接点２５を形成する可動接点形成工程を行うことによって、図８（ｃ）に示す構造を得る。ここにおいて、可動接点形成工程では、ベース基板１の上記一表面側に可動接点２５の形成予定領域が露出するようにパターニングされたレジスト層を形成してから、ベース基板１の上記一表面側に可動接点２５を無電解めっき法などにより形成し、その後、レジスト層および当該レジスト層上のめっき膜（金属皮膜）を除去するリフトオフを行っている。
可動接点形成工程の後、犠牲層６１を選択的に除去する犠牲層除去工程を行うことによって、構造体部２の可動接点基台部２４、接圧ばね部２７、可動接点基台部２６および可撓部２３とベース基板１の上記一表面との間にギャップが形成された図８（ｄ）に示す構造が得られる。
犠牲層除去工程の後で各信号線３４，３４および固定電極５２などが形成されているカバー基板７をベース基板１の上記一表面側に接合する接合工程を行うことによって、図５および図６に示す構造のＭＥＭＳスイッチが得られる。
以上説明した製造方法によれば、ベース基板１の上記一表面側に圧電アクチュエータ４を形成した後に可動接点２５を形成するので、圧電アクチュエータ４の圧電層４２の成膜温度に左右されることなく可動接点２５の材料を選択できるので、可動接点２５の材料の選択の自由度が高くなる。
１ ベース基板
２ 構造体部
４ 圧電アクチュエータ
５ 静電アクチュエータ
７ カバー
７ａ 凹所
２１ 可動板部
２１ｂ 切欠部
２２ 支持部
２３ 可撓部
２４ 可動接点基台部
２５ 可動接点
２６ 可動電極基台部
２７ 接圧ばね部
２８ 連結部
３４ 信号線
３５ 固定接点
４１ 電極（下部電極）
４２ 圧電層
４３ 電極（上部電極）
５１ 可動電極
５２ 固定電極
ＶＳ 仮想四角形
２ 構造体部
４ 圧電アクチュエータ
５ 静電アクチュエータ
７ カバー
７ａ 凹所
２１ 可動板部
２１ｂ 切欠部
２２ 支持部
２３ 可撓部
２４ 可動接点基台部
２５ 可動接点
２６ 可動電極基台部
２７ 接圧ばね部
２８ 連結部
３４ 信号線
３５ 固定接点
４１ 電極（下部電極）
４２ 圧電層
４３ 電極（上部電極）
５１ 可動電極
５２ 固定電極
ＶＳ 仮想四角形
Claims (11)
- ベース基板と、ベース基板の厚み方向の一表面側に固定された支持部に帯板状の可撓部を介して前記厚み方向へ変位可能に支持され可動接点が設けられた可動板部を有する構造体部と、前記厚み方向において可動接点から離間して配置され可動接点が接離する固定接点を有する一対の信号線と、可動接点が両固定接点に近づく向きに可動接点を変位させる駆動手段とを備え、駆動手段は、可撓部に設けられてなり圧電層の厚み方向の両側の電極間に電圧を印加したときに可動接点が両固定接点に近づく向きに変位するように可撓部を変形させる圧電アクチュエータと、可動板部に設けられた可動電極および当該可動電極に対向配置された固定電極を有し可動電極と固定電極との間に電圧を印加したときに可動接点が両固定接点に近づく向きに可動接点を変位させる静電アクチュエータとを備え、構造体部は、ベース基板の前記厚み方向に直交する面内の中央部に可動接点が設けられ、支持部が平面視において可動接点を中心として可動板部を囲む仮想四角形の４つの角それぞれに設けられ、可撓部が前記仮想四角形の各辺のうち固定接点の並設方向に直交する辺に沿って配置され、可撓部における支持部側とは反対側の端部が前記並設方向に沿って形成された連結部を介して可動板部と連結され、圧電アクチュエータは、可動接点を中心として４つの可撓部それぞれの同じ位置に設けられ、静電アクチュエータは、可動板部において可動接点を中心として固定接点の並設方向に直交する方向の両側の同じ位置で、前記並設方向において隣り合う可撓部の間に設けられ、圧電アクチュエータよりも平面視における面積が大きいことを特徴とするＭＥＭＳスイッチ。
- 前記各信号線と前記圧電アクチュエータの前記各電極とが電気的に絶縁されてなることを特徴とする請求項１記載のＭＥＭＳスイッチ。
- 前記各信号線と前記静電アクチュエータの前記可動電極および前記固定電極とが電気的に絶縁されてなることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＭＥＭＳスイッチ。
- 前記圧電アクチュエータと前記静電アクチュエータとに共通のグランド電極を有することを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳスイッチ。
- 前記圧電アクチュエータは、前記圧電層が鉛系圧電材料により形成されてなることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のＭＥＭＳスイッチ。
- 前記可動板部は、前記可動接点が形成された可動接点基台部と前記可動電極が形成された可動電極基台部との間に前記固定接点の並設方向の幅が可動接点基台部および可動電極基台部に比べて細幅の接圧ばね部が設けられてなることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載のＭＥＭＳスイッチ。
- 前記可動板部は、前記各信号線の前記固定接点以外の部位を平面視において露出させる切欠部が形成されてなることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載のＭＥＭＳスイッチ。
- 前記各信号線および前記固定電極は、前記ベース基板に設けられてなり、前記各信号線は、前記ベース基板の同一平面上に同一厚さで形成されてなることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載のＭＥＭＳスイッチ。
- 前記ベース基板の前記一表面側に前記構造体部を収納する凹所が形成されたカバー基板が接合されてなり、前記各信号線および前記固定電極は、前記カバー基板の前記凹所の内底面に形成されてなることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載のＭＥＭＳスイッチ。
- 請求項８記載のＭＥＭＳスイッチの製造方法であって、ベース基板の前記一表面上に固定電極を形成する固定電極形成工程と、固定電極形成工程の後でベース基板の前記一表面上に固定接点を有する一対の信号線を形成する信号線形成工程と、信号線形成工程の後でベース基板の前記一表面側に構造体部形成用の犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、犠牲層形成工程の後でベース基板の前記一表面側に可動電極を形成する可動電極形成工程と、可動電極形成工程の後で可動接点を形成する可動接点形成工程と、可動接点形成工程の後で構造体部を形成する構造体部形成工程と、構造体部形成工程の後で圧電アクチュエータの一方の電極を形成する第１の電極形成工程と、第１の電極形成工程の後で圧電層を形成する圧電層形成工程と、圧電層形成工程の後で圧電アクチュエータの他方の電極を形成する第２の電極形成工程と、第２の電極形成工程の後で犠牲層を除去する犠牲層除去工程とを備えることを特徴とするＭＥＭＳスイッチの製造方法。
- 請求項９記載のＭＥＭＳスイッチの製造方法であって、ベース基板の一表面側に構造体部形成用の犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、犠牲層形成工程の後でベース基板の前記一表面側に構造体部を形成する構造体部形成工程と、構造体部形成工程の後で圧電アクチュエータの一方の電極である下部電極および可動電極を形成する第１の電極形成工程と、第１の電極形成工程の後で圧電層を形成する圧電層形成工程と、圧電層形成工程の後で圧電アクチュエータの他方の電極である上部電極を形成する第２の電極形成工程と、第２の電極形成工程の後で構造体部上に可動接点を形成する可動接点形成工程と、可動接点形成工程の後で犠牲層を除去する犠牲層除去工程と、犠牲層除去工程の後で固定接点を有する一対の信号線および固定電極が形成されているカバー基板をベース基板の前記一表面側に接合する接合工程とを備えることを特徴とするＭＥＭＳスイッチの製造方法。
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