CN101983412A - Mems开关及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种MEMS开关包括带有具有固定触点的信号线的衬底、带有可移动触点的可移动板、支撑可移动板的弹性支撑构件、被配置为使可移动触点与固定触点接触的压电激励器以及静电激励器。特征部分为，可移动板具有长度和宽度，在其长度方向的中心处设置有可移动触点，形成在长度方向的两端的可移动电极保持部中设置有静电可移动电极板。在可移动板的宽度方向的两端的外面部分处，支撑构件由设置在各电极保持部的外面部分中的四个弹性条带形成。各条带沿可移动板的长度方向布置，条带的一端连接到可移动板上，另一端保持在衬底上。在可移动板的宽度方向的外面部分，压电元件布置在各条带的上表面上，并构成为使得压电激励器所产生的应力作用于各条带和所述可移动板之间的连接位置。
Description
技术领域
本发明涉及一种MEMS开关及一种制造MEMS开关的方法。(MEMS意思是微机电系统)
背景技术
过去，已知一种用于利用静电激励器传输高频信号的MEMS开关。在日本专利公布No.3852224B中公开了这样的MEMS开关。
在日本专利公布No.3852224B中公开的MEMS开关包括衬底、可移动板、一对信号线以及静电激励器。衬底由玻璃制成。可移动板包括可移动触点。衬底在其上表面处设置有条带。条带具有弹性。可移动板由衬底经条带支撑，以使得可移动板可在衬底的厚度方向上移动。因此，可移动触点由可移动板支撑，以使得可移动触点可在衬底的厚度方向上移动。在衬底的上表面上布置一对信号线。信号线分别设置有固定触点。固定触点被配置为当可移动触点在衬底厚度方向上移位时与可移动触点接触。静电激励器被设置用来移位可移动板，以使得可移动触点朝向固定触点移动。静电激励器包括可移动电极和固定电极。可移动电极布置在可移动板上。固定电极布置在衬底上，与可移动电极相对设置。可移动电极被配置为当在可移动电极与固定电极之间施加电压时与固定电极接触。此外，固定电极在其上表面处设置有电绝缘薄膜。电绝缘薄膜被设置用于防止可移动电极粘附到固定电极。可移动板由硅制成。
此外，过去，也已知一种包括静电激励器和压电激励器的MEMS开关。该MEMS开关用于传输高频信号。该MEMS开关被配置为由比用于操作仅包括静电激励器的MEMS开关的电功率低的电功率操作。这样的MEMS开关被配置为允许可移动触点借助于静电激励器和压电激励器朝向和远离信号线对的固定触点进行移动。在日本专利申请公布No.2008-27812A中公开了这样的MEMS开关。
日本专利申请公布No.2008-27812A中公开的MEMS开关包括衬底、一对信号线以及弹性层。衬底由玻璃制成。一对信号线布置在衬底的上表面上。一对信号线设置有固定触点。弹性层设置有第一端和第二端。弹性层的第一端固定在衬底的上表面上。弹性层的第二端设置有可移动触点。可移动触点被配置为与固定触点接触。弹性层由双压电晶片型压电激励器实现。双压电晶片型压电激励器包括下电极、下压电层、中间电极、上压电层以及上电极。下压电层由AIN制成。下压电层布置在下电极的上表面上。中间电极布置在下压电层的上表面上。上压电层由AIN制成。上压电层布置在中间电极的上表面上。上电极布置在上压电层的上表面上。下电极的尖端还用作静电激励器的可移动电极。固定触点还用作静电激励器的固定电极。
发明内容
在日本专利申请公布No.3852224B中公开的MEMS开关中，可移动触点与固定触点隔开足够距离以改善隔离特性。然而，可移动触点和固定触点之间的足够距离导致需要巨大的电功率，以允许在期望的压力下可移动触点与固定触点接触。
相反，日本专利申请公布No.2008-27812A中公开的MEMS开关采用压电激励器和静电激励器两者。压电激励器被配置为通过比操作静电激励器所需的电压低的电压生成大量位移。因此，可以在期望的压力下使可移动触点接触固定触点。从而改善了隔离特性。此外，可以获得由低电功率操作的MEMS开关。
然而，在该MEMS开关中，弹性层用作压电激励器。弹性层设置有固定到衬底的上表面的第一端。压电激励器的下电极的尖端还用作静电激励器的可移动电极。固定触点还用作静电激励器的固定电极。即，难以增加可移动电极和固定电极之间的接触面积。因此，难以通过低电功率操作静电激励器。此外，在MEMS开关中，弹性层的一端由衬底支撑。因此，仅弹性层的尖端有效地用作固定电极。因此，固定电极的面积受到限制。结果，难以生成期望的静电力。从而，难以在期望的压力下使可移动电极与固定电极接触。此外，当由压电激励器操作MEMS开关时，仅弹性层变形。类似地，当由静电激励器操作MEMS开关时，仅弹性层变形。因此，需要大量的电功率使可移动触点与固定触点在期望的压力下接触。
实现本发明以解决上述问题。本发明的一个目的是产生一种同时实现下述两个目的MEMS开关。第一个目的是减少MEMS开关的可移动触点和固定触点之间的寄生电容。第二个目的是通过低电功率使可移动触点与固定触点在期望的压力下接触。此外，本发明的另一个目的是产生一种制造上述MEMS开关的方法。
为了解决上述问题，本发明的MEMS开关包括具有上表面的衬底、一对信号线、可移动板、支撑构件、静电激励器以及压电激励器。一对信号线分别具有固定触点。所述信号线位于所述衬底的上面。可移动板位于所述衬底的上面。所述可移动板具有可移动触点。所述可移动触点对应于所述固定触点。支撑构件具有弹性。所述支撑构件被配置为支撑所述可移动板以使其可相对于所述衬底上下移动。静电激励器被配置为产生用于沿所述衬底的厚度方向移位所述可移动板的静电力，以允许所述可移动触点与所述固定触点接触。压电激励器被配置为产生用于沿所述衬底的厚度方向移位所述可移动板的应力，以允许所述可移动触点与所述固定触点接触。所述静电激励器包括一对静电可移动电极板和一对静电固定电极板。所述静电可移动电极板布置在所述可移动板上，所述静电固定电极板与所述静电可移动电极板相对布置。所述压电激励器包括压电元件。该压电元件具有压电层、第一电极和第二电极。所述第一电极布置在所述压电层的一个表面上，所述第二电极布置在所述压电层的另一个表面上。所述压电元件被配置为当所述第一电极和所述第二电极之间施加电压时变形，由此产生所述应力。所述可移动板具有长度和宽度。所述可移动板在其长度方向中心处设置有所述可移动触点。所述可移动板在其两个长度方向端部设置有可移动电极保持部。所述静电可移动电极板分别布置在所述可移动电极保持部上。所述支撑构件包括四个条带。每个所述条带具有弹性。所述条带布置在位于所述可移动板的两个宽度端部外面处并且位于所述可移动电极保持部的外面处的部分。所述条带沿所述可移动板的长度方向放置。每个所述条带设置有第一端以及与所述第一端相对的第二端。每个所述第一端与所述可移动板连接。所述第二端与所述衬底连接。每个所述压电元件布置在每个所述条带的上表面上，由此每个所述压电元件位于所述可移动板的两个宽度端部的外面。当所述压电元件产生应力时，所述压电元件将应力施加到所述条带和所述可移动板之间的连接部。
在这种情况中，可移动触点布置在衬底的上表面上。可移动触点位于衬底的长度方向的中心。静电激励器布置在衬底的长度方向的两端。压电激励器的每一个布置在静电激励器的两个宽度侧的外面的部分处。压电激励器的每一个沿着可移动板的长度方向延伸。因此，能够减少在可移动触点和每个固定触点之间产生的寄生电容。此外，本发明中的MEMS开关包括压电激励器和静电激励器。压电激励器的每一个与静电激励器独立。因而，能够确保静电激励器的足够的尺寸。从而，能够减小用于操作静电激励器来确保期望的接触力的操作电压。此外，可移动板与支撑构件隔开。因而，能够提高静电可移动电极板和静电固定电极板的尺寸。因而，能够提高操作静电激励器时静电激励器的静电力。此外，本发明的MEMS开关包括独立于压电激励器的静电激励器。因而，压电激励器能够执行与静电激励器的动作不同的动作。因而，能够获得具有高度动作自由度的MEMS开关。
优选地，所述静电激励器具有比所述压电元件的上表面的尺寸大的尺寸。
在这种情况中，能够提高操作静电激励器时的静电力。因而，该结构使得能够提高静电激励器的接触力。
优选地，所述压电激励器被配置为分别具有被附加到所述条带的相同结构。
优选地，每个所述固定触点与所述压电激励器的所述电极电绝缘。
在这种情况中，能够防止来自压电激励器的第一电极和第二电极的噪声被叠加到通过信号线传输的信号上。
优选地，每个所述固定触点与所述静电激励器的所述静电可移动电极板电绝缘。每个所述固定触点与所述静电激励器的所述静电固定电极板电绝缘。
在这种情况中，能够防止来自静电激励器的静电可移动电极板和静电固定电极板的噪声被叠加到通过信号线传输的信号上。
优选地，所述MEMS开关还包括接地电极。所述压电激励器和所述静电激励器共享所述接地电极。
在这种情况中，能够容易地控制压电激励器和静电激励器两者。
优选地，所述压电层由铅基压电材料制成。
与AIN和ZnO相比，铅基压电材料具有大的压电常数。因而能够提高可移动触点对固定触点的接触力。
优选地，所述可移动板还包括可移动触点保持部和连接部。所述可移动触点布置在所述可移动触点保持部上。所述可移动触点保持部位于可移动电极保持部之间。所述可移动触点保持部经由所述连接部连接到所述可移动电极保持部。每个所述连接部具有比所述可移动触点保持部的宽度小的宽度。每个所述连接部具有比所述可移动电极保持部的宽度小的宽度。
在这种情况中，连接部具有比可移动触点保持部的宽度短的宽度。连接部具有比每个可移动电极保持部的宽度短的宽度。因而，与可移动触点保持部和可移动电极保持部相比，连接部容易弯曲。当连接部弯曲时，连接部产生弹力。当可移动触点接触固定触点时，该弹力被施加到可移动触点。因此，能够确保可移动触点与固定触点的接触。
优选地，所述可移动板具有被成形以暴露所述固定触点之外部分的切口，由此所述固定触点之外的部分向上方方向暴露。
在这种情况中，能够防止静电可移动电极板和信号线之间的电容耦合。因而，能够改善隔离特性。
优选地，所述信号线和所述静电固定电极板两者都布置在所述衬底上。每个所述信号线布置在所述衬底的同一平面上。所述信号线具有彼此相等的厚度。
在这种情况中，能够减少高频信号的传输损耗。
优选地，所述MEMS开关还包括盖。盖在其下表面上设置有凹槽。所述盖与所述衬底配合以在所述衬底和所述盖之间包括所述可移动板。所述信号线和所述静电固定电极板布置在所述盖的内表面上。
在这种情况中，通过信号线传输的信号不会被叠加压电激励器的第一电极和第二电极引起的噪声。
MEMS开关通过固定电极形成步骤、信号线形成步骤、牺牲层形成步骤、可移动电极形成步骤、可移动触点形成步骤、可移动板形成步骤、第一电极形成步骤、压电层形成步骤、第二电极形成步骤以及牺牲层移除步骤制造。固定电极形成步骤包括在所述衬底的所述上表面上形成所述静电固定电极板。信号线形成步骤包括在所述衬底的所述上表面上形成一对所述信号线。所述信号线设置有所述固定触点。所述信号线形成步骤在所述固定电极形成步骤之后执行。牺牲层形成步骤包括在所述衬底的所述上表面上形成牺牲层。所述牺牲层用于形成所述可移动板。所述牺牲层形成步骤在所述信号线形成步骤之后执行。可移动电极形成步骤包括在所述衬底的所述上表面上形成所述静电可移动电极板。所述可移动电极形成步骤在所述牺牲层形成步骤之后执行。可移动触点形成步骤包括形成所述可移动触点。所述可移动触点形成步骤在所述可移动电极形成步骤之后执行。可移动板形成步骤包括形成所述可移动板。所述可移动板形成步骤在所述可移动触点形成步骤之后执行。第一电极形成步骤包括形成所述压电激励器的所述第一电极。所述第一电极形成步骤在所述可移动板形成步骤之后执行。压电层形成步骤包括形成所述压电层。所述压电层形成步骤在所述第一电极形成步骤之后执行。第二电极形成步骤包括形成所述压电激励器的所述第二电极。所述第二电极形成步骤在所述压电层形成步骤之后执行。牺牲层移除步骤包括移除所述牺牲层。
在这种情况中，能够减小可移动触点和固定触点之间的寄生电容。此外，能够获得包括被配置为通过低电功率消耗产生期望的接触力的静电激励器和压电激励器的MEMS开关。
相反，上述MEMS开关通过牺牲层形成步骤、可移动板形成步骤、第一电极形成步骤、压电层形成步骤、第二电极形成步骤、可移动触点形成步骤、牺牲层移除步骤和键合(bonding)步骤制造。牺牲层形成步骤包括在所述衬底的上表面侧形成牺牲层。所述牺牲层用于形成所述可移动板。可移动板形成步骤包括在所述衬底的所述上表面侧形成所述可移动板。所述可移动板形成步骤在所述牺牲层形成步骤之后执行。第一电极形成步骤包括形成所述静电可移动电极板和所述压电激励器的所述第一电极。所述第一电极形成步骤在所述可移动板形成步骤之后执行。压电层形成步骤包括形成所述压电层。所述压电层形成步骤在所述第一电极形成步骤之后执行。第二电极形成步骤包括形成所述压电激励器的第二电极。所述第二电极形成步骤在所述压电层形成步骤之后执行。可移动触点形成步骤包括在所述可移动板上形成可移动触点。所述可移动触点形成步骤在所述第二电极形成步骤之后执行。牺牲层移除步骤包括移除所述牺牲层。所述牺牲层移除步骤在所述可移动触点形成步骤之后执行。键合步骤包括将所述盖键合到所述衬底的所述上表面。所述盖设置有所述静电固定电极板以及一对具有所述固定触点的所述信号线。所述键合步骤在所述牺牲层移除步骤之后执行。
在这种情况中，能够减小可移动触点和固定触点之间的寄生电容。此外，能够获得包括被配置为通过低电功率消耗产生期望的接触力的静电激励器和压电激励器的MEMS开关。另外，在衬底的第一表面上形成压电激励器之后执行可移动触点的形成。因而，能够自由地选择可移动触点的材料，而不管压电激励器的压电层的沉积温度。因而，能够具有可移动触点的材料的高自由度。
附图说明
图1A示出了第一实施例中MEMS开关的示意性分解透视图；
图1B示出了没有盖的MEMS开关的顶视图；
图2示出了沿图9中所示的线X-X取得的示意性侧视横截面图；
图3A到3F示出了用于说明制造MEMS开关的主要步骤的示意性侧视横截面图；
图4A到4F示出了用于说明制造MEMS开关的主要步骤的示意性侧视横截面图；
图5示出了第二实施例中MEMS开关的示意性分解透视图；
图6示出了上述MEMS开关的示意性侧视横截面图；
图7A到7D示出了用于说明制造MEMS开关的主要步骤的示意性侧视横截面图；
图8A到8D示出了用于说明制造MEMS开关的主要步骤的示意性侧视横截面图；以及
图9示出了第一实施例中没有盖的MEMS开关的顶视图。
具体实施方式
(第一实施例)
下文中，结合图1和图2说明本实施例中的MEMS开关。图1中，X方向表示衬底和可移动板的长度方向。X方向表示MEMS开关的左侧。Y方向表示衬底和可移动板的宽度方向。Y方向表示MEMS开关的前向。Z方向表示衬底和可移动板的厚度方向。Z方向表示MEMS开关的向上方向。
图1表示本实施例中的MEMS开关。如图1所示，MEMS开关包括衬底1、四个条带23、可移动板21、一对信号线34、34以及盖7。衬底1被成形为具有矩形板状形状，由此衬底1具有长度、宽度和厚度。条带23中的每一个被固定在衬底1的上表面上。可移动板21经由条带23支撑到衬底1，由此可移动板21被布置在衬底的上面。可移动板21被布置在衬底的上面以便可以沿衬底的厚度方向移动。可移动板21设置有可移动触点25。一对信号线34、34布置在衬底1的上表面上。信号线34、34分别设置有固定触点35、35。固定触点35、35与可移动触点25隔开预定间隔。固定触点35、35被布置为在可移动板21沿衬底1的厚度方向移动时与可移动触点25接触。即，可移动触点25对应于固定触点35。盖7与衬底1连接以保持盖7与衬底1之间的空间密封，由此，盖7与衬底1配合以包括可移动板21。
本实施例的MEMS开关包括压电激励器4和静电激励器5。压电激励器4和静电激励器5被配置为沿衬底1的厚度方向移动可移动触点25，由此可移动触点25朝向固定触点35、35移动。压电激励器4分别布置在条带23上。压电激励器4中的每一个包括压电层42、第一电极和第二电极。压电层42具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面。第一电极布置在压电层42的第一表面上。第二电极布置在压电层42的第二表面上。第一电极布置在压电层的下表面上。第二电极布置在压电层的上表面上。压电激励器4被配置为当第一电极与第二电极之间施加电压时产生应力。当压电激励器4产生应力时，可移动触点25朝向固定触点35、35移动。从而条带23变形。静电激励器包括静电固定电极板52以及静电可移动电极板51。静电可移动电极板51布置在可移动板21上。布置静电固定电极板52以使得静电固定电极板52与静电可移动电极板51间隔预定距离。即，与静电可移动电极板51相对布置静电固定电极板52。静电可移动电极板被配置为当静电可移动电极板51与静电固定电极板52之间施加电压时与静电固定电板板52接触。
衬底1由陶瓷材料制成。衬底1在其上表面上设置有信号线34、34。衬底1在其上表面上设置有静电固定电极板52。本实施例中的静电固定电极板52也用作接地电极。应当注意，衬底1的材料并不限于陶瓷。即玻璃衬底、SOI衬底以及硅衬底也可用作衬底1。优选使用由具有高介电常数的材料制成的衬底。
衬底1在其上表面中心处设置有一对信号线34、34。信号线34、34被排列在与衬底1的宽度方向平行地延伸的同一直线内。固定触点35、35由与信号线34、34的金属材料相同的金属材料制成。固定触点35、35具有与信号线34、34的厚度相等的厚度。在本实施例中，固定触点35、35与信号线34、34一体形成。
在本实施例中，固定触点35、35以及信号线34、34由Au制成。然而，固定触点35和信号线34、34的材料不限于Au。从Au、Ni、Cu、Pd、Rh、Ru、Pt、Ir以及Os中选择的材料之一能够被用作固定触点35、35以及信号线34、34的材料。此外，从Au、Ni、Cu、Pd、Rh、Ru、Pt、Ir以及Os中选择的两种或更多材料制成的合金能够用作固定触点35、35以及信号线34、34的材料。
压电激励器4的压电层42由PZT制成。(PZT等于PbTi0.48Zr0.5203。)布置在每个压电层42与每个条带23之间的每个第一电极41由Pt制成。布置在压电层42的上表面42上的每个第二电极42由Au制成。然而，压电层42、第一电极41以及第二电极43的材料不限于此。每个压电层在其上表面上设置有电绝缘薄膜44。每个压电层设置有孔44a。每个孔44a定义上电极43与压电层42之间的接触面积。电绝缘薄膜44被设置用于加强支撑压电激励器4的条带23。电绝缘薄膜44从压电层42的上表面延伸至衬底1的上表面。电绝缘薄膜44是二氧化硅薄膜。然而，电绝缘薄膜44的材料不限于二氧化硅薄膜。包括二氧化硅薄膜和二氧化硅薄膜上的氮化硅薄膜的层叠薄膜能够被用作电绝缘薄膜44。
压电层42的压电材料不限于PZT。有掺杂的PZT能够被用作压电层42的压电材料。PMN-PZT能够被用作压电层42的压电材料。此外，无铅压电材料也能够用作压电层42的材料。无铅压电材料的例子是KNN(K0.5Na0.5NbO3)、KN(KNBO3)、NN(NaNbO3)以及被诸如Li、Nb、Ta、Sb、Cu等掺杂的KNN。上述铅基压电材料以及诸如KNN、KN和NN等无铅压电材料具有大于AIN和ZnO的压电特性的高压电特性。因此，能够使用铅基压电材料、KNN、KN和NN作为压电层42的压电材料。从而，能够增加静电可移动电极板相对于静电固定电极板的接触压力。此外，通过使用KNN、KN和NN作为压电层42的材料能够获得响应环境问题的MEMS开关。本实施例中的压电激励器4通过单压电晶片型压电激励器实现。然而，能够利用双压电晶片类型的压电激励器4作为本实施例中的压电激励器。
相反，静电激励器5包括静电可移动电极板51以及静电固定电极板52。可移动板21在其两个长度方向端部设置有可移动电极保持部26。静电可移动电极板51分别布置在可移动电极保持部26上。静电固定电极板52分别布置为与静电可移动电极板51相对。当在静电可移动电极板51和静电固定电极板52之间施加电压时，在静电可移动电极板51和静电固定电极板52之间产生静电力。静电力使静电可移动电极板51沿衬底1的厚度方向移动，以使得静电可移动电极板51与静电固定电极板52接触。静电可移动电极板51从条带23延伸到衬底1的上表面，由此静电可移动电极板51也加强条带23。此外，静电可移动电极板51经由通过电极46电连接到压电激励器4的下电极41。通过电极沿条带23的厚度方向延伸，并穿透条带23。静电固定电极板52在其上表面处设置有电绝缘薄膜53。电绝缘薄膜53被设置用于防止静电固定电极板52粘附到静电可移动电极板51。(静电固定电极板粘附到静电可移动电极板51是所谓的粘附。)静电固定电极板52由Au制成。静电可移动电极板51由Pt制成。然而，静电固定电极板52的材料不限于Au。类似地，静电可移动电极板51的材料不限于Pt。此外，电绝缘薄膜53由二氧化硅制成。然而，氮化硅也能够用作电绝缘薄膜53的材料。
衬底1设置有配线14、12、11、13。配线14电连接到每个信号线34。配线12电连接到静电固定电极板52。配线11电连接到静电可移动电极板51。配线13电连接到第二电极43。配线14、12、11、13的每一个沿衬底1的厚度方向延伸以穿透衬底1。衬底1设置有电极114、112、111、113。设置电极114、112、111、113中的每一个以建立对外部的电连接。电极114电连接到配线14。电极112电连接到配线12。电极111电连接到配线11。电极113电连接到配线13。在本实施例中，第一电极41经由通过电极46电连接到静电激励器5的静电可移动电极板51。然而，优选地在衬底1的上表面上布置第一电极41，以建立第一电极41与电极114、112、111、113之间通过静电可移动电极板和其他配线的电连接。配线14、12、11、13由Au制成。然而，诸如Cu和Ni之类的材料也能够用作配线14、12、11、13的材料。此外，电极114、112、111、113由Au制成。然而，诸如Cu、Cr和Pt之类的材料能够用作电极114、112、111、113的材料。
此外，衬底1设置有接地电极15。接地电极15具有预定的图案。接地电极埋在衬底1中。也用作接地电极的静电固定电极板52通过配线12电连接到接地电极15。信号线34通过配线14电连接到电极114。
可移动板21包括可移动触点保持部24以及连接部27。可移动触点保持部24被设置用于放置可移动触点25。可移动触点保持部24位于可移动板21的长度方向中心。连接部27被配置为连接可移动触点保持部24与可移动电极保持部26。连接部27具有比可移动触点保持部24的宽度短的宽度。连接部27具有比可移动电极保持部26的宽度短的宽度。可移动板21和条带23由未掺杂多晶硅制成。然而，可移动板21和条带23的材料不限于未掺杂多晶硅。可以使用诸如Si3N4和SiO2之类的材料作为可移动板21和条带23的材料。
上述可移动板21具有与衬底1类似的长度和宽度。可移动板21在其长度方向中心处设置有可移动触点。可移动板21在其两个长度方向端部处设置有可移动电极保持部26。条带23的每一个具有弹性。条带布置在位于可移动板的两个宽度端部的外面部分处的部分。条带布置在位于可移动电极保持部的外面部分处的部分。因此，MEMS开关包括四个条带23。条带23沿着衬底1的长度方向放置。条带23沿着可移动板21的长度方向放置。条带23中的每一个具有第一端22a和第二端22。每个条带23的第一端位于衬底1的长度方向中心处。第二端22位于与位于衬底1长度方向中心处的第一端22a相对的部分处。每个条带23的第二端22固定到衬底1。每个条带23的第一端22a通过连接板28连接到可移动板21。压电激励器4布置在条带23的上表面，由此压电激励器4位于可移动板21的宽度方向上可移动板21的外面的部分。因此，压电激励器4的压电元件被配置为产生应力以使具有弹性的每个条带23变形。即，每个压电激励器4的压电元件被配置为使每个条带23变形以使得应力被施加到连接板28。每个压电激励器4被附加到每个条带23以使得压电激励器4分别具有被附加到条带的相同结构。此外，静电激励器具有比压电激励器的上表面的尺寸大的尺寸。形成具有切口21b、21b的可移动板21。切口21b、21b被设置用来显现信号线34、34除了固定触点35、35的部分。
盖7被成形为具有矩形板的形状。盖7由电绝缘衬底制成。盖7在其下表面处设置有凹槽7a。盖7被成形为具有边缘。盖7与衬底1配合来包括可移动板21。由衬底1和盖7形成的空间是密封的。因为盖7密封地接合到衬底1，所以能够防止外界物质侵入可移动触点51和固定触点35、35之间。即，该结构使得能够确保可移动触点51接触固定触点35、35。
衬底1在其上表面的整个外围处设置有第一键合金属层18。盖7在其下表面整个周边处设置有第二键合金属层78。第二键合金属层78连接到第一键合金属层18，由此盖7与衬底1接合在一起。第一键合金属层18与第二键合金属层78由Au制成。衬底1在其上表面设置有金属层19。金属层19从静电固定电极板52和第一键合金属层18连续形成。金属层19被设置用于建立静电固定电极板52到第一键合金属层18的电连接。
盖7通过室温键合方法连接到衬底1。室温键合方法包括第一步骤、第二步骤和第三步骤。第一步骤包括清洗步骤和激活步骤。清洗步骤包括在真空中向第一键合金属层和第二键合金属层的表面辐射氩等离子体、离子束、原子束。激活步骤包括激活第一键合金属层和第二键合金属层的表面。第二步骤包括使第一键合金属层的表面接触第二键合金属层的表面。第三步骤包括在室温下使第一键合金属层和第二键合金属层直接接合。然而，盖7到衬底1的键合方法不限于室温键合方法。即，能够通过诸如AuSn和焊料之类的具有低熔点的低共熔材料键合盖7和衬底1。此外，能够通过阳极键合法来键合盖7和衬底1。
在上述MEMS开关安装在诸如印刷衬底之类的安装衬底上的情况下，衬底1的下表面上的电极111到113分别通过突出电连接到形成在安装衬底上的图案化配线。
下文中，将利用附图3A到图3F和图4A到图4F说明本实施例中制造MEMS开关的方法。
首先，执行制备具有接地电极15、配线11到14以及电极111到114的衬底1。继而，执行固定电极形成步骤。固定电极形成步骤包括在衬底1的上表面上形成静电固定电极板52，由此制备了具有图3A中所示的结构的衬底1。具体地，固定电极形成步骤包括金属层形成步骤和图案化步骤。金属层形成步骤包括在衬底1的上表面上形成金属层。衬底1的上表面上的金属层的一部分用作静电固定电极板52。具体地，在固定电极形成步骤中，首先，通过诸如溅射法和汽相淀积法等方法在衬底1的上表面上制备金属层。随后，通过照相平板印刷技术和蚀刻技术图案化金属层，由此在衬底1的上表面上形成静电固定电极板52、第一键合金属层18以及金属层19。
在固定电极形成步骤之后，执行信号线形成步骤。信号线形成步骤包括形成分别具有固定触点35、35的一对信号线34、34。从而，制备了图3B中所示的结构。具体地，信号线形成步骤包括抗蚀膜形成步骤、电镀步骤和剥离步骤。抗蚀膜形成步骤包括在衬底1的上表面上形成图案化抗蚀膜。图案化抗蚀膜被形成为具有用于暴露用以形成信号线34的区域的开口。继而，执行通过非电解电镀方法电镀信号线34、34的电镀步骤，由此在衬底1的上表面上形成信号线34、34。继而，执行移除抗蚀膜以及抗蚀膜上的电镀膜的剥离步骤。
在信号线形成步骤之后，执行电绝缘层形成步骤。在电绝缘层形成步骤中，在衬底的上表面上形成电绝缘薄膜53，以使得电绝缘薄膜53覆盖静电固定电极板52。因此，获得图3C中所示的结构。在电绝缘薄膜形成步骤中，首先，执行通过诸如溅射法和CVD法等方法在衬底1的整个上表面上形成电绝缘薄膜的电绝缘薄膜形成步骤。衬底的上表面上的电绝缘薄膜的一部分用作电绝缘薄膜53。继而，执行通过照相平板印刷技术和蚀刻技术图案化电绝缘薄膜的图案化步骤，由此形成电绝缘薄膜53。
在电绝缘薄膜形成步骤之后，执行牺牲层形成步骤。在牺牲层形成步骤中，在衬底1的整个上表面上形成牺牲层61。从而，制备了如图3D中所示的结构。设置牺牲层61以形成可移动板21和条带23。牺牲层61由聚酰亚胺制成。
在牺牲层形成步骤之后，执行可移动电极形成步骤。在可移动电极形成步骤中，在衬底1的上表面上形成静电可移动电极板51。从而，制备了图3E中所示的结构。在可移动电极形成步骤中，首先执行在衬底1的上表面上形成抗蚀膜的抗蚀膜形成步骤。抗蚀膜设置有用于暴露用以形成静电可移动电极板51的区域的图案。继而，执行通过非电解电镀法在衬底1的上表面上形成静电可移动电极板51的步骤。继而，执行移除抗蚀膜以及抗蚀膜上的电镀膜的剥离步骤。
在可移动电极形成步骤之后，执行可移动触点形成步骤。在可移动触点形成步骤中，形成可移动触点25。从而，制备了图3F中所示的结构。在可移动触点形成步骤中，执行在衬底1的第一表面上形成图案化抗蚀膜的抗蚀膜形成步骤。图案化抗蚀膜具有用于暴露用以形成可移动触点25的区域的图案。继而，执行通过非电解电镀方法在衬底1的第一表面上形成可移动触点25的步骤。在形成可移动触点25的步骤之后，执行移除抗蚀膜和抗蚀膜上的电镀薄膜的剥离步骤。
在可移动触点形成步骤之后，执行可移动板形成步骤。在可移动板形成步骤中，形成可移动板21和条带23。从而，制备了图4A中所示的结构。在可移动板形成步骤中，执行通过CVD方法在衬底1的整个上表面上形成未掺杂多晶硅层的步骤。未掺杂多晶硅层的一部分用作可移动板。在形成未掺杂多晶硅层的步骤之后，执行通过照相平板印刷技术和蚀刻技术图案化多晶硅层的步骤。从而，制备了可移动板21、条带23和用于形成通过电极46的过孔6。
在可移动板形成步骤之后，执行形成第一电极41的第一电极形成步骤。从而制备了图4B中所示的结构。在第一电极形成步骤中，执行通过诸如溅射法等方法在衬底1的上表面上形成金属层(如Pt层)的步骤。金属层的一部分用作第一电极41。在形成金属层的步骤之后，执行通过照相平板印刷技术和蚀刻技术图案化金属层的图案化步骤。从而形成第一电极41和通过电极46。
在第一电极形成步骤之后，执行压电层形成步骤。在压电层形成步骤中，形成压电层42。从而，制备了图4C中所示的结构。在压电层形成步骤中，首先，执行通过诸如溅射法和CVD法等方法形成压电层(诸如PZT层)的步骤。在形成压电层的步骤之后，执行通过照相平板印刷技术和蚀刻技术图案化压电层的图案化步骤。从而形成了压电层42。
在压电层形成步骤之后，执行电绝缘层形成步骤。在电绝缘层形成步骤中，形成具有定义压电层42与第二电极之间接触面积的开口44a的电绝缘层44。从而，制备了图4D中所示的结构。在电绝缘层形成步骤中，首先，执行在衬底1的上侧面上形成图案化抗蚀膜的步骤。图案化抗蚀膜具有用于暴露用以形成电绝缘薄膜44的区域的图案。在形成图案化绝缘薄膜的步骤之后，执行通过CVD方法在衬底1的上表面上形成电绝缘薄膜44的步骤。在形成电绝缘薄膜44的步骤之后，执行移除抗蚀膜和抗蚀膜上的电绝缘薄膜的剥离步骤。
在电绝缘薄膜形成步骤之后，执行第二电极形成步骤。在第二电极形成步骤中，形成第二电极43。从而，制备了图4E中所示的结构。在第二电极形成步骤中，首先，执行通过汽相淀积在衬底1的整个上表面侧形成金属层(诸如Au)的步骤。在形成金属层的步骤之后，执行通过照相平板印刷技术和蚀刻技术图案化金属层的步骤。从而，形成了第二电极43。应当注意，本实施例中的制造方法包括压电激励器形成步骤，该压电激励器形成步骤顺序地包括形成第一电极41的第一电极形成步骤、形成压电层42的压电层形成步骤以及形成第二电极43的第二电极形成步骤。
在第二电极形成步骤之后，执行牺牲层移除步骤。在牺牲层移除步骤中，选择性地移除牺牲层61。因此，如图4F中所示，在可移动触点25和每个固定触点35之间形成间隙以使得可移动触点25与每个固定触点35隔开第一距离。此外，在静电可移动电极板51和电绝缘薄膜53之间形成间隙以使得静电可移动电极板51与电绝缘薄膜53隔开第二距离。第一距离和第二距离由牺牲层的厚度决定。优选地，第一距离大于第二距离，以减少在可移动触点25与每个固定触点35之间产生的寄生电容。
在牺牲层移除步骤之后，执行键合衬底1与盖7的键合步骤。从而，获得了图1A、图1B和图2中所示的MEMS开关。
如上所述，本实施例中的MEMS开关包括压电激励器4和静电激励器5。压电激励器4和静电激励器5被配置为移动可移动触点25，以使得可移动触点25与固定触点35、35接触。每个压电激励器4被布置在每个条带23上。压电激励器4被配置为当在位于压电层42的两表面处的第一电极41和第二电极之间施加电压时使条带23变形。从而，可移动触点25与固定触点35、35接触。静电激励器5包括静电可移动电极板51和静电固定电极板52。静电可移动电极板51布置在可移动板21上。布置静电固定电极板52以使得静电固定电极板52面向静电可移动电极板51。静电激励器5被配置为当在静电可移动电极板51和静电固定电极板之间施加电压时移动可移动触点25。从而，可移动触点25与固定触点35、35接触。因而，在本实施例的MEMS开关中，首先，压电激励器4产生将可移动触点25移动更接近固定触点35、35的力。继而，静电激励器5产生将可移动触点25移动到固定触点35、35的静电力。因而，能够通过提高第一距离来减小可移动触点25和每个固定触点35之间产生的寄生电容。从而，改善了MEMS开关的隔离特性。结果，能够以低电功率操作MEMS开关。
以这种方式，本实施例的MEMS开关包括可移动板21。可移动板21具有类似于衬底1的长度和宽度。可移动板21在其长度方向中心处设置有可移动触点。可移动板21在其两个长度方向端部处设置有可移动电极保持部26。条带23具有弹性。条带23被布置在可移动板的两个宽度端部的外面的部分。因此，MEMS开关具有四个条带23。条带23沿着衬底1以及可移动板21的长度方向延伸。每个条带23具有第一端22a和第二端22。每个条带23的第一端位于衬底的长度方向中心处。每个条带23的第二端位于与衬底1的长度方向中心处的第一端22a相对的部分处。每个条带23的第二端固定到衬底1。每个条带23的第一端通过连接板28连接到可移动板21。每个压电激励器4被布置在每个条带23的上表面上。因此，压电激励器4位于可移动板21的两个宽度端部外面的部分。静电激励器包括一对静电固定电极板和一对静电可移动电极板。每个静电可移动电极板布置在可移动板上。因而，能够减小寄生电容。此外，本实施例的MEMS开关包括压电激励器。该配置使得能够通过利用低电功率消耗的期望的压力使可移动触点与固定触点接触。另外，本实施例的MEMS开关包括压电激励器4和与压电激励器4隔开的静电激励器。因而，能够采用具有两者均为大尺寸的静电可移动电极板51和静电固定电极板52的静电激励器。因而，能够提高操作静电激励器5时产生的静电力。从而，能够提高可移动触点25接触固定触点35时施加的接触力。此外，MEMS开关包括彼此独立的压电激励器4和静电激励器。因而，压电激励器4能够产生与静电激励器5的动作不同的动作。即，能够获得具有压电激励器4的动作和静电激励器5的动作的高可能性的MEMS开关。
此外，本实施例中的MEMS开关包括与压电激励器的第二电极43和第一电极41电绝缘的信号线34。即，固定触点35与压电激励器的第二电极43和第一电极41电绝缘。因而，能够防止第一电极41和第二电极43产生的噪声叠加到通过信号线34、34传输的信号上。此外，信号线34、34与静电激励器5的静电固定电极板52和静电可移动电极板51电绝缘。因而，能够防止静电可移动电极板51和静电固定电极板52引起的噪声叠加到通过信号线34、34传输的信号上。
此外，本实施例中的MEMS开关包括电连接到压电激励器4的下电极41的静电激励器的静电可移动电极51。此外，静电可移动电极板51还具有接地电极的功能。因此，压电激励器4和静电激励器5共享接地电极。因而，能够容易地分别控制压电激励器和静电激励器5。
此外，本实施例的MEMS开关包括具有连接可移动触点保持部24与可移动电极保持部26的连接部27的可移动板21。连接部27具有比可移动触点保持部24的宽度短并且也比可移动电极保持部26的宽度短的宽度。通过调节连接部27的弹性量，能够通过期望的压力将可移动触点25与每个固定触点35、35接触。因此，能够确保可移动触点25和每个固定触点35、35接触。
此外，本实施例的MEMS开关包括形成有切口的可移动板21。每个切口被成形以暴露信号线34、34除了固定触点的部分。从而，能够防止静电可移动电极板51和每个信号线34、34引起的电容耦合。因而，能够获得具有高隔离特性的MEMS开关。
此外，本实施例的MEMS开关包括布置在衬底1上的静电固定电极板52以及信号线34、34。信号线34布置在衬底1的同一平面表面上。信号线34具有彼此相等的厚度。因而，能够获得具有良好阻抗匹配的MEMS开关。此外，减小了高频信号的传输损耗。因而，能够获得具有优良高频特性的MEMS开关。
(第二实施例)
图5和图6的每一个示出了本实施例中的MEMS开关。在本实施例中，盖7在其下表面处设置有具有内底面的凹槽7a。具有固定触点35的信号线34以及每个静电固定电极板51布置在盖7的内底面上。可移动板21在其上表面处设置有可移动触点25和静电可移动电极板51。除上述之外的部件与第一实施例中的部件一样。用与第一实施例中相同的参考标号表示与第一实施例中的部件一样的部件。因此省略了与第一实施例中部件一样的部件的说明。
利用该配置，能够防止由第一电极41、第二电极和静电可移动电极板51引起的噪声被叠加到通过信号线34、34传输的信号上。
下文中，结合附图7和图8说明本实施例中制造MEMS开关的方法。应当注意，任意地省略了与第一实施例中的步骤一样的步骤的说明。
首先，执行形成第一键合金属层18的键合金属层形成步骤。在键合金属层形成步骤之后，执行形成用于在衬底1的上表面侧上形成可移动板21和条带23的牺牲层61的牺牲层形成步骤。从而，制备了图7A中所示的结构。
在牺牲层形成步骤之后，执行在衬底1的上面形成可移动板21和条带23的可移动板形成步骤。从而，制备了图7B中所示的结构。在可移动板形成步骤中，执行通过诸如CVD法等方法在衬底1的整个上表面侧上形成未掺杂多晶硅层的步骤。未掺杂多晶硅层的一部分用作可移动板21。在形成未掺杂多晶硅层的步骤之后，执行通过照相平板印刷技术和蚀刻技术图案化多晶硅层的步骤。从而，形成了可移动板21和条带23。
在可移动板形成步骤之后，执行第一电极形成步骤。在第一电极形成步骤中，形成第一电极41。从而，制备了图7C中所示的结构。在第一电极形成步骤中，首先，执行通过溅射法在衬底1的整个上表面侧上形成金属层(诸如Pt层)的步骤。在形成金属层的步骤之后，执行通过照相平板印刷技术和蚀刻技术图案化金属层的步骤。以这种方式，制备了静电激励器5的静电可移动电极板51和第一电极41。
在第一电极形成步骤之后，执行压电层形成步骤。在压电层形成步骤中，形成压电层42。从而，制备了图7D中所示的结构。在压电层形成步骤中，首先，执行通过诸如溅射法和CVD法等方法形成压电层(诸如PZT层)的步骤。继而，执行通过照相平板印刷技术和蚀刻技术图案化压电层的步骤。从而，制备了压电层42。
在压电层形成步骤之后，执行电绝缘层形成步骤。在电绝缘层形成步骤中，形成具有定义压电层42和第二电极43之间产生的接触面积的开口44a的电绝缘层44。从而，制备了图8A中所示的结构。
在电绝缘层形成步骤之后，执行第二电极形成步骤。在第二电极形成步骤中，形成第二电极43。从而，获得了图8B中所示的结构。应当注意，在本实施例中，由第一电极形成步骤、压电层形成步骤和第二电极形成步骤定义压电激励器形成步骤。
在第二电极形成步骤之后，执行可移动触点形成步骤。在可移动触点形成步骤中，在衬底1的上表面侧上形成可移动触点25。从而，制备了图8C中所示的结构。在可移动触点形成步骤中，首先执行在衬底1的上表面侧形成图案化抗蚀膜的步骤。图案化抗蚀膜被成形为暴露用于形成可移动触点25的区域。在形成图案化抗蚀膜的步骤之后，执行通过非电解电镀法在衬底1的上表面侧上形成可移动触点25的步骤。最后，执行移除抗蚀膜和抗蚀膜上的电镀薄膜(金属涂层)的剥离步骤。
在可移动触点形成步骤之后，执行牺牲层移除步骤。在牺牲层移除步骤中，选择性地移除牺牲层61。从而，制备了图8D中所示的结构。从图8D中明显地看出，在可移动触点保持部和衬底1的上表面之间留有间隙。类似地，在每个条带23和衬底1的上表面之间留有间隙。
在牺牲层移除步骤之后，执行键合步骤。在键合步骤中，具有信号线34、34以及静电固定电极板52的盖7被键合到衬底的上表面侧。从而，MEMS开关具有图5和图6的每一个中所示的结构。
根据制造MEMS开关的方法的说明，在衬底1的第一表面侧上在形成压电激励器之后形成可移动触点25。因而，能够确定可移动触点的材料，而不管压电激励器4的压电层42的沉积温度。因而，该制造MEMS开关的方法具有对于可移动触点25的材料的高自由度。
Claims (13)
1.一种MEMS开关，包括：
具有上表面的衬底；
分别具有固定触点的一对信号线，所述信号线位于所述衬底的上面；
位于所述衬底的上面的可移动板，所述可移动板具有可移动触点，所述可移动触点对应于所述固定触点；
具有弹性的支撑构件，所述支撑构件被配置为支撑所述可移动板以使得所述可移动板能够相对于所述衬底上下移动；
静电激励器，被配置为产生用于沿所述衬底的厚度方向移位所述可移动板的静电力以允许所述可移动触点与所述固定触点接触；
压电激励器，被配置为产生用于在所述衬底的厚度方向上移位所述可移动板的应力以允许所述可移动触点与所述固定触点接触，
其中，
所述静电激励器包括一对静电可移动电极板和一对静电固定电极板，所述静电可移动电极板布置在所述可移动板上，所述静电固定电极板与所述静电可移动电极板相对布置，
所述压电激励器包括具有压电层、第一电极和第二电极的压电元件，所述第一电极布置在所述压电层的一个表面上，所述第二电极布置在所述压电层的另一个表面上，所述压电元件被配置为当在所述第一电极和所述第二电极之间施加电压时变形，由此产生所述应力，
所述可移动板具有长度和宽度，所述可移动板在其长度方向中心处设置有所述可移动触点，所述可移动板在其两个长度方向端部设置有可移动电极保持部，所述静电可移动电极板分别布置在所述可移动电极保持部上，
所述支撑构件包括四个条带，每个所述条带具有弹性，所述条带布置在位于所述可移动板的两个宽度端部外面处并且位于所述可移动电极保持部的外面处的部分，
所述条带沿所述可移动板的长度方向放置，每个所述条带设置有第一端以及与所述第一端相对的第二端，每个所述第一端连接到所述可移动板，所述第二端连接到所述衬底，
每个所述压电元件布置在每个所述条带的上表面上，由此每个所述压电元件位于所述可移动板的两个宽度端部的外面，
当所述压电元件产生应力时，所述压电元件将应力施加到所述条带和所述可移动板之间的连接部。
2.如权利要求1所述的MEMS开关，其中
所述静电激励器具有比所述压电元件的上表面的尺寸大的尺寸。
3.如权利要求1所述的MEMS开关，其中
所述压电激励器被配置为分别具有被附加到所述条带的相同结构。
4.如权利要求1所述的MEMS开关，其中
每个所述固定触点与所述压电激励器的所述电极电绝缘。
5.如权利要求1所述的MEMS开关，其中
每个所述固定触点与所述静电激励器的所述静电可移动电极板电绝缘，以及
每个所述固定触点与所述静电激励器的所述静电固定电极板电绝缘。
6.如权利要求1所述的MEMS开关，其中
所述MEMS开关还包括接地电极，
所述压电激励器和所述静电激励器共享所述接地电极。
7.如权利要求1所述的MEMS开关，其中
所述压电层由铅基压电材料制成。
8.如权利要求1所述的MEMS开关，其中
所述可移动板还包括可移动触点保持部和连接部，
所述可移动触点布置在所述可移动触点保持部上，
所述可移动触点保持部位于所述可移动电极保持部之间，所述可移动触点保持部经由所述连接部连接到所述可移动电极保持部，
每个所述连接部具有比所述可移动触点保持部的宽度小的宽度，以及
每个所述连接部具有比所述可移动电极保持部的宽度小的宽度。
9.如权利要求1所述的MEMS开关，其中
所述可移动板具有被成形以暴露所述固定触点之外的部分的切口，由此所述的所述固定触点之外的部分向上方方向暴露。
10.如权利要求1所述的MEMS开关，其中
所述信号线和所述静电固定电极板两者都布置在所述衬底上，
每个所述信号线布置在所述衬底的同一平面上，以及
所述信号线具有彼此相等的厚度。
11.如权利要求1所述的MEMS开关，其中
所述MEMS开关还包括盖，所述盖在其下表面处设置有凹槽，所述盖与所述衬底配合以在所述衬底和所述盖之间包括所述可移动板，
所述信号线和所述静电固定电极板布置在所述盖的内表面上。
12.一种用于制造如权利要求10所述的MEMS开关的方法，所述制造MEMS开关的方法包括：
固定电极形成步骤，在所述衬底的所述上表面上形成所述静电固定电极板，
信号线形成步骤，在所述衬底的所述上表面上形成一对所述信号线，所述信号线设置有所述固定触点，所述信号线形成步骤在所述固定电极形成步骤之后执行，
牺牲层形成步骤，在所述衬底的所述上表面上形成牺牲层，所述牺牲层用于形成所述可移动板，所述牺牲层形成步骤在所述信号线形成步骤之后执行，
可移动电极形成步骤，在所述衬底的所述上表面上形成所述静电可移动电极板，所述可移动电极板形成步骤在所述牺牲层形成步骤之后执行，
可移动触点形成步骤，形成所述可移动触点，所述可移动触点形成步骤在所述可移动电极形成步骤之后执行，
可移动板形成步骤，形成所述可移动板，所述可移动板形成步骤在所述可移动触点形成步骤之后执行，
第一电极形成步骤，形成所述压电激励器的所述第一电极，所述第一电极形成步骤在所述可移动板形成步骤之后执行，
压电层形成步骤，形成所述压电层，所述压电层形成步骤在所述第一电极形成步骤之后执行，
第二电极形成步骤，形成所述压电激励器的所述第二电极，所述第二电极形成步骤在所述压电层形成步骤之后执行，以及
牺牲层移除步骤，移除所述牺牲层。
13.一种用于制造如权利要求11所述的MEMS开关的方法，所述制造MEMS开关的方法包括：
牺牲层形成步骤，在所述衬底的上表面侧形成牺牲层，所述牺牲层用于形成所述可移动板，
可移动板形成步骤，在所述衬底的所述上表面侧形成所述可移动板，所述可移动板形成步骤在所述牺牲层形成步骤之后执行，
第一电极形成步骤，形成所述静电可移动电极板和所述压电激励器的所述第一电极，所述第一电极形成步骤在所述可移动板形成步骤之后执行，
压电层形成步骤，形成所述压电层，所述压电层形成步骤在所述第一电极形成步骤之后执行，
第二电极形成步骤，形成所述压电激励器的所述第二电极，所述第二电极形成步骤在所述压电层形成步骤之后执行，
可移动触点形成步骤，在所述可移动板上形成可移动触点，所述可移动触点形成步骤在所述第二电极形成步骤之后执行，
牺牲层移除步骤，移除所述牺牲层，所述牺牲层移除步骤在所述可移动触点形成步骤之后执行，以及
键合步骤，将所述盖键合到所述衬底的所述上表面，所述盖设置有所述静电固定电极板以及一对具有所述固定触点的所述信号线，所述键合步骤在所述牺牲层移除步骤之后执行。
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