JP2009231816A - 単結晶薄膜を有する基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも、ドナー基板とハンドル基板を準備する工程Aと、前記ドナー基板上に単結晶層を積層成長させる工程Bと、前記単結晶層が形成されたドナー基板の単結晶層中にイオン注入してイオン注入層を形成する工程Cと、前記イオン注入されたドナー基板の単結晶層の表面と前記ハンドル基板の表面を貼り合わせる工程Dと、前記貼り合わせられたドナー基板の前記単結晶層中のイオン注入層で剥離する工程Eとにより前記ハンドル基板上に単結晶薄膜を形成し、少なくとも、前記単結晶薄膜が形成されたハンドル基板をドナー基板として前記A〜Eの工程を繰り返すことを特徴とする単結晶薄膜を有する基板の製造方法を提供する。
【選択図】図1
Description
一方、これらに用いられる基板は、一般的には種子結晶を用いてFZ法、CZ法、昇華法などでバルク結晶成長を行いスライス、研磨等の工程を経て作製される。
これらの結晶欠陥が多いと、デバイスの初期特性や長期信頼性に悪影響を与えるので、高性能、高信頼の半導体デバイスを作製するには、用いられる単結晶薄膜や基板の結晶欠陥をできるだけ少なくする必要がある。
このように、本発明の製造方法によって製造された基板の単結晶薄膜は、結晶欠陥が極めて少ないため、その単結晶薄膜上に単結晶層を積層成長させれば、積層成長させる基板表面の影響で生じる欠陥等を防止することができ、結晶欠陥が少ない所望厚さを有する単結晶層とすることができる。
このように、本発明の製造方法によって製造された厚い単結晶層を有する基板の単結晶層の一部を、イオン注入法によって所定の厚さに剥離すれば、結晶欠陥がほとんどなく平坦度の高い自立する単結晶膜を製造することができる。
本発明の製造方法により得られた単結晶薄膜を有する基板、単結晶層を有する基板及び自立する単結晶膜は、結晶欠陥が少なくほとんど無いものも得られるため、このような単結晶薄膜を有する基板、単結晶層を有する基板及び自立する単結晶膜を種子基板として用いれば、エピタキシャル成長又はバルク結晶成長の際に、種子基板表面の欠陥由来の結晶欠陥の発生がほとんどない。このため、結晶欠陥がほとんどないとともに、所望厚さを有する単結晶を成長させることができる。
ここで、図1は本発明の単結晶薄膜を有する基板の製造の工程の一例を示すフロー図であり、工程(A):基板準備、工程(B):積層成長、工程(C):イオン注入(aaはイオン注入を示す)、工程(D):張り合わせ、工程(E):剥離を示す。図2は、本発明の製造方法により得られた単結晶薄膜を有する基板を用いて、単結晶層を有する基板及び自立する単結晶膜を製造する工程の一例を示すフロー図であり、aaはイオン注入を示す。
このドナー基板11又はハンドル基板12の材質としては、シリコン、サファイヤ、SiC、GaN、AlN、酸化亜鉛のいずれかとすることができる。本発明では、作製する半導体デバイスの目的に応じてこれらの中から適宜選択することができる。
このとき、積層成長をCVD(Chemical Vapor Deposition)法、PVD(Physical Vapor Depostion)法、液相エピタキシャル成長法のいずれかによって行うことができる。積層成長させる単結晶層の種類によってこれらの中から適宜選択することができる。本発明の製造方法の好ましい形態において、単結晶層を積層成長させる方法はこれらの中から適宜選択することができ、いずれの方法であっても積層成長させる単結晶層の結晶欠陥の低減を図ることができる。
水素イオン又は希ガスイオンあるいはこれらの両方を単結晶層中13に注入し、イオンの平均進入深さにおいて表面に平行なイオン注入層(微小気泡層)14を形成させるもので、この注入温度は25℃〜450℃が好ましい。このとき、本発明では、イオン注入層14を形成する際に、単結晶層13の中に形成するようにするので、剥離後に結晶欠陥が比較的少ない上層部(後半成長部)が剥離後にハンドル基板に転写される単結晶薄膜となる。剥離後の薄膜の厚さが所望厚さ(例えば0.1〜100μm)となるようにイオン注入深さを調整する。本発明の製造方法の好ましい形態において、注入するイオンはこれらの中から適宜選択することができる。
この貼り合わせ工程(D)の前に、予めドナー基板11の単結晶層13の表面とハンドル基板表面の少なくとも一方をプラズマ処理することが好ましい。プラズマ処理を行った基板の表面は、OH基が増加するなどして活性化し、貼り合わせの際にその基板を他方の基板と密着させれば、水素結合等によって、より強固に貼り合わせることができる。プラズマで処理をする場合、真空チャンバ中にRCA洗浄等の洗浄をした例えばハンドル基板12を載置し、プラズマ用ガスを導入した後、100W程度の高周波プラズマに5〜10秒程度さらし、表面をプラズマ処理する。プラズマ用ガスとしては、水素ガス、アルゴンガス、窒素ガス又はこれらの混合ガス等を用いることができる。
また、貼り合わせた後に貼り合わせた基板を加熱(例えば200〜450℃)することもでき、加熱によってより強固に貼り合わせることができる。プラズマ処理を行った場合には、比較的低温(例えば50〜200℃)の加熱であっても強固に貼り合わせることができる。
このように、イオン注入法を用いて熱処理又は機械的手段によって剥離工程を行えば、剥離面が平坦な基板を得ることができる。
本発明の製造方法により得られた単結晶薄膜、単結晶層、自立する単結晶膜は、結晶欠陥がほとんど無いため、このような単結晶薄膜を有する基板、単結晶層を有する基板、自立する単結晶膜を種子基板として用いれば、エピタキシャル成長又はバルク結晶成長の際に、種子基板表面の欠陥由来の結晶欠陥がほとんど生じない。このため、結晶欠陥がほとんどない単結晶を成長させることができる。
図1のような工程により、ダイヤモンド薄膜を有する基板を製造した。
図1の工程(A)において、ドナー基板11及びハンドル基板12として、直径6インチ(150mm)厚さ625μmのシリコン単結晶基板を準備した。このとき、ハンドル基板12はAFMを用いて測定した表面粗さ(Ra)が0.3nmであるものを準備した。
図1の工程(B)において、ドナー基板11を2.45GHzのマイクロ波プラズマ装置中に設置し、2vol.%メタン濃度の水素ガスを流しながら、30Torr(4000Pa)、850℃の条件下でプラズマCVDを行い、ダイヤモンド層13を15μmの厚さに積層成長させた。
図1の工程(D)において、ドナー基板11とハンドル基板12を密着させ、赤外線ランプで250℃に加熱して強固に貼り合わせた。
図1の工程(E)において、貼り合わせた基板を600℃で熱処理をして水素イオン注入層から剥離し、500nmの厚さのダイヤモンド薄膜15を有するシリコン単結晶基板12を製造した。
その後、図2の工程(f)〜(g)において、実施例1の工程(B)と同様な方法で、基板12のダイヤモンド薄膜15上にダイヤモンド層を16μmの厚さに積層成長させて、アニール処理(1200℃、3時間)を施した。このようにして得られたダイヤモンド層を有するシリコン基板は高耐圧パワートランジスタに好適な基板であった。
図1の工程(A)において、ドナー基板11として直径4インチ(100mm)厚さ400μmの合成石英基板を準備し、その基板上に反応スパッタ―で1μmの厚さのAlNバッファ層を積層した。ハンドル基板12として、直径4インチ(100mm)のサファイヤ基板を準備した。このとき、ハンドル基板12はAFMを用いて測定した表面粗さ(Ra)が0.38nmであるものを準備した。
図1の工程(B)において、ドナー基板11のバッファ層表面にアンモニアと塩化ガリウムを水素をキャリアガスとして、1050℃、常圧下でHVPE(ハイドライド気相エピタキシャル)法により、GaN単結晶層13を8μmの厚さに積層成長させた。
図1の工程(D)において、予めドナー基板11のGaN単結晶層13表面とハンドル基板12表面をプラズマ用ガス(Ar/N2)を用いてプラズマ処理して、その後密着させ、電熱ヒーターで180℃に加熱して強固に貼り合わせた。
このとき、剥離されたサファイヤ基板12(ハンドル基板)上のGaN単結晶薄膜15の転位密度は2×104/cm2であり、合成石英基板11(ドナー基板)上のGaN単結晶薄膜の転位密度は8×108/cm2であった。剥離前の単結晶層13の上層部であった単結晶薄膜15の転位密度は下層部であったものよりもはるかに少なかった。なお、転位密度は、結晶薄膜の面積1cm2を貫く転位の数であり、TEM写真に基づき算出した。
その後、図2の工程(f)〜(g)において、実施例2の工程(B)と同様な方法で、基板12のGaN単結晶薄膜15上にGaN単結晶層16を7μmの厚さに積層成長させて、転位密度がほぼゼロのGaN単結晶層16を有するサファイヤ基板12を得た。
12 ハンドル基板
13、16…単結晶層
14 イオン注入層
15 単結晶薄膜
17 単結晶膜
aa イオン注入
Claims (16)
- 単結晶薄膜を有する基板の製造方法であって、少なくとも、
ドナー基板とハンドル基板を準備する工程Aと、
前記ドナー基板上に単結晶層を積層成長させる工程Bと、
前記単結晶層が形成されたドナー基板の単結晶層中にイオン注入してイオン注入層を形成する工程Cと、
前記イオン注入されたドナー基板の単結晶層の表面と前記ハンドル基板の表面を貼り合わせる工程Dと、
前記貼り合わせられたドナー基板の前記単結晶層中のイオン注入層で剥離する工程Eとにより前記ハンドル基板上に単結晶薄膜を形成し、
少なくとも、前記単結晶薄膜が形成されたハンドル基板をドナー基板として前記A〜Eの工程を繰り返すことを特徴とする単結晶薄膜を有する基板の製造方法。 - 前記剥離する工程Eを、熱処理又は機械的手段によって前記イオン注入層で剥離することを特徴とする請求項1に記載の単結晶薄膜を有する基板の製造方法。
- 前記イオン注入する工程Cを、水素イオン又は希ガスイオンあるいはこれらの両方を注入することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の単結晶薄膜を有する基板の製造方法。
- 前記貼り合わせる工程Dの前に、前記ドナー基板の単結晶層表面を平滑化することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の単結晶薄膜を有する基板の製造方法。
- 前記剥離する工程Eの後に、前記ハンドル基板の単結晶薄膜表面を平滑化することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の単結晶薄膜を有する基板の製造方法。
- 前記単結晶層を積層成長させる工程Bを、CVD法、PVD法、液相エピタキシャル成長法のいずれかによって行うことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の単結晶薄膜を有する基板の製造方法。
- 前記ドナー基板又はハンドル基板の材質を、シリコン、サファイヤ、SiC、GaN、AlN、酸化亜鉛のいずれかとすることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の単結晶薄膜を有する基板の製造方法。
- 前記準備する工程Aのハンドル基板を、工程Dで貼り合せる表面の表面粗さ(Ra)が0.5nm以下であり、非晶質基板、多結晶基板、単結晶基板のいずれかとすることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の単結晶薄膜を有する基板の製造方法。
- 前記準備するドナー基板およびハンドル基板の少なくとも一方を、SiO2、Si3N4、GaN、AlGaN、InGaN、AlNのいずれか又はそれらを組み合わせた1以上のバッファ層を有している基板とすることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の単結晶薄膜を有する基板の製造方法。
- 前記積層成長させる単結晶層を、シリコン、SiC、GaN、AlN、酸化亜鉛、ダイヤモンドのいずれかとすることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の単結晶薄膜を有する基板の製造方法。
- 前記貼り合わせる工程Dの前に、前記ドナー基板の単結晶層表面及び前記ハンドル基板表面の少なくとも一方をプラズマ処理することを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の単結晶薄膜を有する基板の製造方法。
- 単結晶層を有する基板の製造方法であって、少なくとも、
請求項1〜11のいずれかに記載の単結晶薄膜を有する基板の製造方法により製造された基板の単結晶薄膜上に、単結晶層を積層成長させることを特徴とする単結晶層を有する基板の製造方法。 - 前記単結晶層を積層成長された基板を、アニール処理することを特徴とする請求項12に記載の単結晶層を有する基板の製造方法。
- 自立する単結晶膜の製造方法であって、少なくとも、
請求項12又は請求項13に記載の単結晶層を有する基板の製造方法によって製造された単結晶層を有する基板に、イオン注入して前記単結晶層にイオン注入層を形成し、該イオン注入層で剥離することによって自立する単結晶膜を得ることを特徴とする自立する単結晶膜の製造方法。 - 前記剥離された単結晶膜を、アニール処理することを特徴とする請求項14に記載の自立する単結晶膜の製造方法。
- 単結晶の製造方法であって、少なくとも、
請求項1〜15のいずれかに記載の製造方法によって製造された、単結晶薄膜を有する基板、単結晶層を有する基板、自立する単結晶膜のいずれかを、エピタキシャル用又はバルク結晶成長用の種子基板として用いることを特徴とする単結晶の製造方法。
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