JP2009231342A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】固体撮像装置は、第1の光電変換素子の受光面上に配された第1の反射防止膜130aと、前記第2の光電変換素子の受光面上に配された第2の反射防止膜130bとを有し、前記第1の光電変換素子に隣接するゲート配線のうち、前記第1の光電変換素子に面している部分の長さの和が、前記第2の光電変換素子に隣接するゲート配線のうち前記第2の光電変換素子に面している部分の長さの和よりも短く、前記第1の反射防止膜130aの面積が、前記第2の反射防止膜130bの面積よりも大きいことを特徴とする。
【選択図】図3
Description
本実施形態の固体撮像装置の等価回路図を図1に示す。400a,bは光電変換素子である。400aを第1の光電変換素子、400bを第2の光電変換素子とする。ここではフォトダイオードを用いている。ここでは二つの光電変換素子のみしか示していないが、更に多数の光電変換素子を有していてもよい。
本実施形態の平面図を図4に、図4のA−A´、B−B´断面図を図5に示す。第1の実施形態と同様の機能を有する部分には同様の符号を付し詳細な説明は省略する。本実施形態においては反射防止膜の面積は異ならせることなく、チャネルストップ領域の面積(幅)を異ならせている。ここでチャネルストップ領域の面積とは上面図における面積を指す。
本実施形態の固体撮像装置の平面図を図6に示す。図6のA−A´における断面図を図7(a)に、図6のB−B´における断面を図7(b)に示す。第1、2の実施形態と同様の機能を有する部分には同様の符号を付し詳細な説明は省略する。
本実施形態の固体撮像装置の平面図を図8に示す。図8のA−A´における断面図を図9(a)に、図8のB−B´における断面を図9(b)に示す。第1〜第3の実施形態と同様の機能を有する部分には同様の符号を付し詳細な説明は省略する。本実施形態においては、ゲート電極に対して第3の実施形態と同様の電圧が供給される構成において、暗電流の差をチャネルストップ領域の幅により抑制する。図8において830aが第1の光電変換素子に隣接するチャネルストップ領域、830bが第2の光電変換素子に隣接するチャネルストップ領域である。図9において920a、921aが第1の光電変換素子に隣接するチャネルストップ領域であり、920b、921bが第2の光電変換素子に隣接するチャネルストップ領域である。図8、9により明らかなように、第1の光電変換素子に隣接するチャネルストップ領域920aの幅を第2の光電変換素子に隣接するチャネルストップ領域920bの幅よりも広くする。更に第2の実施形態と同様に、チャネルストップ領域の幅を異ならせる領域は、ゲートの長さが異なる部分の近傍に配されたチャネルストップ領域とするのがよい。具体的には本実施形態のように選択MOSトランジスタのゲートの長さが異なるのであれば、選択MOSトランジスタが配された素子分離領域下のチャネルストップ領域の幅を異ならせるのがよい。具体的には、図4の左右方向のチャネルストップ領域の幅を異ならせずに、上下方向のチャネルストップ領域の幅を異ならせている。
本実施形態の固体撮像装置の平面図を図10に示す。第1〜4の実施形態と同様の機能を有する部分には同様の符号を付し、詳細な説明は省略する。本実施形態においては、リセットMOSトランジスタのゲート1013の形状が、第1〜4の実施形態と異なる。蓄積期間中における各MOSトランジスタのゲート電極へ供給される電圧は第4の実施形態と同様である。
また図10と図11に示すように蓄積期間中に異なるMOSトランジスタのゲートに導通させるため電圧が供給される場合には、導通電圧が供給される期間の長さおよびそれぞれのゲートが光電変換素子と隣接する長さを積分する。そして、反射防止膜の面積及びチャネルストップ領域の幅が等しい場合の暗電流の差を算出する。算出した暗電流の差を低減するように、反射防止膜あるいはチャネルストップ領域の面積の異ならせればよい。
本実施形態の固体撮像装置の等価回路図を図12に、平面図を図13に示す。第1〜第5の実施形態と同様の機能を有する部分には同様の符号を付し詳細な説明は省略する。本実施形態においては画素増幅部の入力部となる増幅MOSトランジスタのゲートの電位を制御することにより画素の選択を行なう例に関して説明する。具体的にはリセットMOSトランジスタ1204により増幅MOSトランジスタのゲートに選択、非選択の少なくとも二つの異なる電圧を供給することにより画素の選択動作を行なう。選択MOSトランジスタを別途設けていないため、第1〜第5の実施形態に比べて、画素領域に配されるMOSトランジスタの数が更に少なくなり画素の縮小化には有利である。しかしながら、ひとつのトランジスタが複数の役割を担うため、駆動タイミングの自由度は低い。つまり、蓄積期間中に暗電流の発生を小さくするためにMOSトランジスタのゲートに非導通とするための低い電圧を供給する時間を長く取ることができない。このような構成においては、高い電圧を供給されているゲートの割合が増えるため、レイアウトの非対称性により生じる暗電流差も大きくなる傾向にある。
本実施形態の固体撮像装置の等価回路図を図15に、平面図を図16に示す。第1〜第6の実施形態と同様の機能を有する部分には同様の符号を付し詳細な説明は省略する。本実施形態においては4つの光電変換素子により画素の読み出し回路を共有している。
103 素子分離領域
400 光電変換素子
404 リセットMOSトランジスタ
405 増幅MOSトランジスタ
501、513、514、515 MOSトランジスタのゲート
520 反射防止膜
Claims (14)
- 第1及び第2の光電変換素子を含む複数の光電変換素子と、
前記光電変換素子の電荷に基づく信号を増幅して出力する増幅MOSトランジスタと、
前記増幅トランジスタのゲートの電位を基準電位とするリセットMOSトランジスタと、を少なくとも有する固体撮像装置であって、
前記第1の光電変換素子の受光面上に配され、該第1の光電変換素子と層間絶縁膜との界面における光の反射を低減する第1の反射防止膜と、
前記第2の光電変換素子の受光面上に配され、該第2の光電変換素子と層間絶縁膜との界面における光の反射を低減する第2の反射防止膜と、を有し、
前記第1の光電変換素子に隣接する素子分離領域上に配された前記増幅MOSトランジスタ及び前記リセットMOSトランジスタのゲート配線のうち、前記第1の光電変換素子に面している部分の長さの和が、前記第2の光電変換素子に隣接する素子分離領域上に配された前記増幅MOSトランジスタ及び前記リセットMOSトランジスタのゲート配線のうち前記第2の光電変換素子に面している部分の長さの和よりも小さく、前記第1の反射防止膜の面積が、前記第2の反射防止膜の面積よりも大きいことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記増幅MOSトランジスタは前記第1及び第2の光電変換素子に共通に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記増幅MOSトランジスタもしくは前記リセットMOSトランジスタのゲートには、前記光電変換素子の電荷蓄積期間において当該MOSトランジスタを導通させる電圧が供給されていることを特徴とする請求項1又は2のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記複数の光電変換素子は更に第3、4の光電変換素子を有し、前記増幅MOSトランジスタは、前記第1、2、3および4の光電変換素子に共通に設けられていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 更に、前記増幅MOSトランジスタからの信号の読み出しを制御する選択MOSトランジスタを有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 更に、前記光電変換素子の電荷を前記増幅MOSトランジスタのゲートに転送する転送MOSトランジスタを有し、前記リセットMOSトランジスタにより前記増幅MOSトランジスタのゲートの電位を制御することにより、該増幅MOSトランジスタからの信号の読み出しを制御することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 第1及び第2の光電変換素子を含む複数の光電変換素子と、
前記第1及び第2の光電変換素子の電荷に基づく信号を増幅して出力する増幅MOSトランジスタと、
前記増幅トランジスタのゲートの電位を基準電位とするリセットMOSトランジスタと、を少なくとも有する固体撮像装置であって、
前記第1の光電変換素子に隣接する素子分離領域下部に、前記第1の光電変換素子に隣接して配された第1のチャネルストップ領域と、
前記第2の光電変換素子に隣接する素子分離領域下部に、前記第2の光電変換素子に隣接して配された第2のチャネルストップ領域と、を有し、
前記第1の光電変換素子に隣接する素子分離領域上に配された前記増幅MOSトランジスタ及び前記リセットMOSトランジスタのゲート配線のうち、第1の光電変換素子に面している部分の長さの和が、前記第2の光電変換素子に隣接して配された素子分離領域上に配された前記増幅MOSトランジスタ及び前記リセットMOSトランジスタのゲート配線のうち前記第2の光電変換素子に面している部分の長さの和よりも小さく、前記第1のチャネルストップ領域の幅が、前記第2のチャネルストップ領域の幅よりも狭いことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記増幅MOSトランジスタは前記第1及び第2の光電変換素子に共通に設けられていることを特徴とする請求項7に記載の固体撮像装置。
- 前記増幅MOSトランジスタもしくは前記リセットMOSトランジスタのゲートには、前記光電変換素子の電荷蓄積期間において当該MOSトランジスタを導通させる電圧が供給されていることを特徴とする請求項7又は8のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記複数の光電変換素子は更に第3、4の光電変換素子を有し、前記増幅MOSトランジスタは、前記第1、2、3および4の光電変換素子に共通に設けられていることを特徴とする請求項7〜9のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 更に、前記増幅MOSトランジスタからの信号の読み出しを制御する選択MOSトランジスタを有することを特徴とする請求項7〜10のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 更に、前記光電変換素子の電荷を前記増幅MOSトランジスタのゲートに転送する転送MOSトランジスタを有し、前記リセットMOSトランジスタにより前記増幅MOSトランジスタのゲートの電位を制御することにより、該増幅MOSトランジスタからの信号の読み出しを制御することを特徴とする請求項7〜10のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 第1及び第2の光電変換素子を含む複数の光電変換素子と、
前記光電変換素子の電荷に基づく信号を読み出すためのトランジスタを各光電変換素子に対して複数有する固体撮像装置であって、
前記第1の光電変換素子の受光面上に配され、該第1の光電変換素子と層間絶縁膜との界面における光の反射を低減する第1の反射防止膜と、
前記第2の光電変換素子の受光面上に配され、該第2の光電変換素子と層間絶縁膜との界面における光の反射を低減する第2の反射防止膜と、を有し、
前記第1の光電変換素子に隣接する素子分離領域上に配された前記複数のMOSトランジスタのゲート配線のうち、前記第1の光電変換素子に面している部分の長さの和が、前記第2の光電変換素子に隣接する素子分離領域上に配された前記複数のMOSトランジスタのゲート配線のうち前記第2の光電変換素子に面している部分の長さの和よりも小さく、
前記光電変換素子の全蓄積期間中において前記複数のMOSトランジスタのゲートには当該MOSトランジスタを非導通とする電圧が供給されており、
前記第1の反射防止膜の面積が、前記第2の反射防止膜の面積よりも小さいことを特徴とする固体撮像装置。 - 第1及び第2の光電変換素子を含む複数の光電変換素子と、
前記光電変換素子の電荷に基づく信号を読み出すためのトランジスタを各光電変換素子に対して複数有する固体撮像装置であって、
前記第1の光電変換素子に隣接する素子分離領域下部に、前記第1の光電変換素子に隣接して配された第1のチャネルストップ領域と、
前記第2の光電変換素子に隣接する素子分離領域下部に、前記第2の光電変換素子に隣接して配された第2のチャネルストップ領域と、を有し、
前記第1の光電変換素子に隣接する素子分離領域上に配された前記複数のMOSトランジスタのゲート配線のうち、前記第1の光電変換素子に面している部分の長さの和が、前記第2の光電変換素子に隣接して配された素子分離領域上に配された前記複数のMOSトランジスタのゲート配線のうち前記第2の光電変換素子に面している部分の長さの和よりも小さく、
前記光電変換素子の全蓄積期間中において前記複数のMOSトランジスタのゲートには当該MOSトランジスタを非導通とする電圧が供給されており、
前記第1のチャネルストップ領域の幅が、前記第2のチャネルストップ領域の幅よりも広いことを特徴とする固体撮像装置。
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