JP4961748B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Description
図3に、本発明に係るCMOSイメージセンサの画素配列の一実施の形態を示す。本実施の形態は、模式的に方形をなす画素15が水平方向及び垂直方向に対して45度ずらして斜め配列して構成される。すなわち、水平方向及び垂直方向に所定ピッチa及びbで配列された第1画素15Aのグループと、第1画素1Aのグループに対して水平方向及び垂直方向共に前記ピッチa,bの1/2ピッチ(a/2,b/2)ずらした第2画素15Bのグループとが配列される。
図3〜図5の画素配列を総称してずらし配列と呼ぶことにする。
CMOSイメージセンサの画素領域では、第1導電型、例えばn型のシリコン半導体基板に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域が形成され、このp型半導体ウェル領域にフォトダイオード及び複数のMOSトランジスから成る画素が多数アレイ状に形成され、更に基板上に層間絶縁膜を介して多層配線、本例では基板側から1層目メタル、2層目メタル、3層目メタルによる上述の配線が形成されて成る。
また、図2の選択トランジスタで選択、非選択をする4トランジスタ型の画素を配列した場合には、垂直信号線118とウェル電位供給配線22を第1層目メタルで形成し、転送パルス配線16、リセットパルス配線17及び選択パルス配線19を第2層目メタルで形成し、電源供給配線(図示せず)を第3層目メタルで形成するようにして、各配線のレイアウトを行う。
本発明の第3実施の形態では、前述した第1、第2実施の形態の画素配列において、各配線、すなわち垂直信号線18、ウェル電位供給配線22、転送パルス配線16、リセットパルス配線17、選択パルス配線19を、各画素15のフォトダイオード(PD)の開口部に入らないように、略隣接する画素15の境界に近いところにレイアウトする。図8に、上下方向の配線31、32のみを模式的に示しているが、左右方向の配線(転送パルス配線、リセットパルス配線、選択パルス配線)も同様にフォトダイオード上を避けて隣接画素の境界に近いところにレイアウトされる。配線の共有のさせ方は前述したように、あくまでも、ある画素の真上と真下、あるいは真左と真右の隣接画素間のみである。ここで、配線31は画素15a,15b及び15cに接続され、配線32は画素15r,15s,15t及び15uに接続されている。各配線31、32は、それぞれが上述した垂直信号線18及びウェル電位供給配線22を代表して表している。
Claims (10)
- 光電変換部とトランジスタとからなる画素が、2次元的に水平方向及び/又は垂直方向にずらし配列され、
前記画素は同じレイアウトの繰り返しで配列され、
同一垂直線上に画素中心を有する複数の前記画素毎に、垂直信号線及びウェル電位供給配線を共有し、
同一水平線上に画素中心を有する複数の前記画素毎に、前記トランジスタのゲートパルス配線を共有すると共に、
前記同一水平線上に画素中心を有する2行分の画素の信号電荷が同時に読み出される
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記同一垂直線上に画素中心を配置して垂直方向に並んで配置された各列の画素から読み出された信号電荷は、隣接する列毎に互いに逆方向に読み出される
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記画素は、1行置きおよび1列置きの少なくとも一方について、画素サイズの1/2だけずらして配置されている
ことを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。 - 前記画素は、水平方向及び垂直方向に対して斜めに回転させて配列され、水平方向および垂直方向に配列された画素列が、隣接する画素列に対して画素サイズの1/2だけずらして配置されている
ことを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の固体撮像装置。 - 前記垂直信号線及びウェル電位供給配線が第1層メタルで形成され、
前記トランジスタのゲートパルス配線が第2層メタルで形成され、
電源配線が第3層メタルで形成されている
ことを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の固体撮像装置。 - 前記画素のフローティング・ディフージョン部と増幅トランジスタのゲート部間を接続する配線が、前記第1層メタルで形成されている
ことを特徴とする請求項4記載の固体撮像装置。 - 前記画素が斜め配列され、
互いに隣接する画素に接続された前記配線間に、信号の伝達を阻止するためのシールド層又は別配線が形成されている
ことを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載の固体撮像装置。 - 互いに隣接する画素に接続された前記垂直信号線間に、信号の伝達を阻止するためのシールド層又は別配線が形成されている
ことを特徴とする請求項1〜7の何れかに記載の固体撮像装置。 - 互いに隣接する画素に接続された前記垂直信号線とフローティング・ディフージョン部及び増幅トランジスタのゲート部間を接続する配線との間に、信号の伝達を阻止するためのシールド層又は別配線が形成されている
ことを特徴とする請求項1〜7の何れかに記載の固体撮像装置。 - 光電変換部と複数のトランジスタとを含む画素が複数配列された撮像領域を有し、
前記画素は行列の格子点から交互に水平方向及び/又は垂直方向にずれて配置されると共に、同じ周期構造で配列され、
同一垂直線上に画素中心を有する複数の前記画素毎に、出力信号線及びウェル電位供給配線を共有し、
同一水平線上に画素中心を有する複数の前記画素毎に、前記複数のトランジスタに含まれる所定のトランジスタのゲートパルス配線を共有すると共に、
前記同一水平線上に画素中心を有する2行分の画素の信号電荷が同時に読み出される
ことを特徴とする固体撮像装置。
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