JP4992352B2

JP4992352B2 - 固体撮像装置

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Publication number: JP4992352B2
Application number: JP2006244992A
Authority: JP
Inventors: 宏明石渡
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2006-09-11
Filing date: 2006-09-11
Publication date: 2012-08-08
Anticipated expiration: 2026-09-11
Also published as: JP2008066614A; KR101350758B1; EP2083444A4; WO2008032502A1; KR20090057380A; EP2083444A1; TW200830544A; EP2083444B1; CN101512766B; US20100039545A1; CN101512766A; TWI383493B; US8134620B2

Description

本発明は、ＣＭＯＳイメージセンサやＣＣＤイメージセンサ等の固体撮像装置に関し、特に瞳補正を施したマイクロレンズや配線パターンを有する固体撮像装置に関する。

従来、ＣＭＯＳイメージセンサでは、各画素に、入射した光を光電変換するフォトダイオード（ＰＤ）以外に、光電変換された電気信号を転送するトランジスタ（ＴＧ）、リセットトランジスタ（ＲＳＴ）、増幅トランジスタ（ＡＭＰ）などのトランジスタと、フローティングデフュージョン（ＦＤ）部が含まれている。これらのアクティブ領域に光が漏れ込むと、光電変換を起こし、その結果生じた電子により偽信号が生成され、ノイズとなってしまう。よってＣＭＯＳイメージセンサでは、これらの領域に光が入らないように遮光するのが一般的である。また、増幅トランジスタによって増幅された電気信号を伝達させる信号線や、上記トランジスタを駆動する制御信号線や、電源線などの配線が通っており、光がフォトダイオードに届くのを遮ってしまう。
一方、ＣＣＤイメージセンサでは、各画素にはフォトダイオード領域の他に、光電変換された電荷を転送する垂直ＣＣＤ転送領域があり、この領域に光が入射すると、偽信号になるため、この領域は遮光しなければならない。
このように、イメージセンサでは、単位画素内に遮光領域を形成している。

このため、従来のイメージセンサでは、画素内に形成される遮光領域を避けて、光を効率よくフォトダイオードに集光させるため、各画素に対応してフォトダイオードの上方にマイクロレンズや層内レンズを形成する技術が提案され実用化されている。
しかしながら、この場合、撮像領域（画素アレイ部）の中心部の画素では、フォトダイオードに入射する主光線角度が通常０°であり、フォトダイオードに垂直に光が入射する。一方、撮像領域の周辺部の画素では、フォトダイオードに入射する主光線角度は、ある角度をもって入射するのが一般的である。具体的には、撮像領域の周辺部の画素に対する主光線は、撮像領域の中心部から遠ざかる向きに傾斜して入射するのが一般的である。
この結果、撮像領域の中心部ではフォトダイオードの開口中心とマイクロレンズ・層内レンズの中心を合わせるが、撮像領域の周辺部ではフォトダイオードの開口中心とマイクロレンズ・層内レンズの中心を合わせてしまうと、斜めの入射光に対して光軸が斜めになり、入射光の一部がフォトダイオードの外に入射し、ケラレ現象が生じる。

そこでこの対策として、撮像領域の周辺部では、入射する光軸に合わせて、マイクロレンズ、カラーフィルタ、層内レンズを撮像領域の中心側にオフセットして配置し、フォトダイオードのケラレを防ぐ技術が提案され、実用化されている（例えば特許文献１参照）。この技術は瞳補正技術と呼ばれており、配線、コンタクト、ビア等にも適用される。
このとき、撮像領域の周辺部のレイアウトは、配線、マイクロレンズなどを平行移動すれは撮像領域の中心部のレイアウトと一致する。
特開平１１−１８６５３０号公報

しかしながら、上述のような瞳補正技術を施す場合、マイクロレンズ及び層内レンズについては、瞳補正のズラシ量に制限がなく、最適化が容易であるが、配線に関しては、画素内の素子配置やフォトダイオードの開口形状等によって制限が加わる。
そこで、この制限の具体例として、３層メタル配線構造を用いた画素を例に説明する。図６は３層メタル配線におけるＦＤ部周辺の素子配置を示す模式的な平面図である。
図において、各画素で光電変換された信号を電気信号として伝達する垂直信号線１１０と、ＦＤ部１１２と増幅トランジスタのゲート（図示せず）とをつなぐ内部配線１１４が共通の２層目配線膜を用いて形成されている。また、ＦＤ部１１２と内部配線１１４との間はコンタクト部１１６によって接続されている。
なお、図示の配線の上に３層目のメタル配線膜として、遮光と電源線を兼ねた配線が形成されているものとする。
このような配線構造において、垂直信号線１１０を瞳補正のために移動使用とした場合、コンタクト部１１６から離間する方向（すなわち、図中の右方向（矢印Ａ））には、比較的自由に移動できるが、反対方向（すなわち、図中の左方向（矢印Ｂ））は、ＦＤ部１１２と内部配線１１４をつないだコンタクト部１１６の位置が移動できないため、垂直信号線１１０を大きく移動させると、コンタクト部に接触してしまうことになり、十分な自由度を持って移動できない。

したがって、例えば、プロセス世代が進まず、デザインルールが変わらないままで、画素を微細化する場合、単位画素に搭載する配線数が減少しないと仮定すると、レイアウトの制約から、配線瞳補正可能な最大の移動量（瞳補正量）が定まってしまう。そして、この配線瞳補正量が、シミュレーションや理論計算から求めた配線瞳補正量より小さい場合、撮像領域の周辺部では、配線瞳補正が十分できず、配線によるケラレが生じ、感度が低下する。
さらに、ケラレによって生じた光線が反射・屈折現象により、隣接する画素に漏れこんだ場合には、混色と呼ばれる画質劣化を起こしてしまう。

そこで本発明は、配線層の配置構造を改善して自由度の高い配線の瞳補正を行うことを可能とした固体撮像装置を提供することを目的とする。

上述の目的を達成するため、本発明の固体撮像装置は、半導体基板上に複数の光電変換部が２次元方向に配置された画素アレイ部と、前記画素アレイ部の上部に絶縁膜を介して積層された配線を備える配線層と、前記配線層上に配置され、前記画素アレイ部における光電変換部のピッチと異なる瞳補正によるピッチを有して形成されたマイクロレンズとを有し、前記画素アレイ部を少なくとも２つの分割領域に分割したとき、前記画素アレイ部の一方の分割領域に配置される画素と、他方の分割領域に配置される画素とでは、前記画素アレイ部の画素毎に対応して形成される配線のうち隣接する画素間に設けられた第１配線と第２配線であって、一方向に配線され所定のコンタクト部を介して前記半導体基板に接続された第１配線と、前記第１配線に隣接して配置され、前記第１配線と同方向に配線された第２配線とが、前記光電変換部に対して逆の位置関係となるように設けられていることを特徴とする。

本発明によれば、固体撮像装置の配線層が画素アレイ部の中心部側から周辺部側に振り分けられた少なくとも２つの分割領域を有し、画素アレイ部の各画素に対応するコンタクト部と配線との位置が２つの分割領域間で逆転して配置されていることから、撮像領域の各画素位置で配線の瞳補正方向と反対側にコンタクト部を配置することが可能となり、コンタクト部に妨げられることなく、配線層を自在に移動して瞳補正を行うことが可能となる。
したがって、自由度の高い瞳補正を行うことができ、撮像領域全体の受光効率や均一性を改善でき、固体撮像装置の画質の向上等に寄与できる効果がある。

図１は本発明の実施例における固体撮像装置の具体例を示す平面図であり、ＣＭＯＳイメージセンサの例を示している。また、図２は図１に示す固体撮像装置の画素内の回路構成を示す回路図である。なお、以下の実施例はＣＭＯＳイメージセンサを中心に説明するが、本発明はＣＣＤイメージセンサにも同様に適用できるものである。

本実施例の固体撮像装置は、図１に示すように、２次元方向に配置された複数の画素１６によって撮像領域を構成する画素アレイ部２０と、画素アレイ部２０の各画素を垂直方向に走査して画素信号の読み出し動作を制御する垂直走査回路２１と、画素アレイ部２０の各画素列（カラム）から導かれた垂直信号線２８を制御する負荷ＭＯＳトランジスタ回路２４と、画素アレイ部２０の各画素列から読み出された画素信号を取り込み、相関二重サンプリング処理によるノイズ除去を行うＣＤＳ回路２６と、ＣＤＳ回路２６の画素信号を水平信号線２７に出力する水平選択トランジスタ回路２６と、水平選択トランジスタ回路２６を水平方向に順次選択して画素信号の出力を制御する水平走査回路２２とを有する。
そして、水平信号線２７に出力された画素信号はバッファアンプを介して後段の回路に伝送される。

また、各画素１６は、図２に示すように、入射した光を光電変換するフォトダイオード（ＰＤ）１と、光電変換された電気信号を転送パルス（ΦＴＲＧ）に基づいてフローティングデフュージョン（ＦＤ）部３に転送するトランジスタ（ＴＧ）１２と、リセットパルス（ΦＲＳＴ）に基づいてＦＤ部３の電位を電源電圧ＶＤＤにリセットするリセットトランジスタ（ＲＳＴ）１４、ＦＤ部３の電位変動を電圧信号または電流信号に変換する増幅トランジスタ（ＡＭＰ）１３と、選択信号（ΦＳＥＬ）に基づいて増幅トランジスタ１３の出力を垂直信号線２８に接続する選択トランジスタ１５とを有する。
したがって、画素１６の近傍には、垂直方向に垂直信号線２８や電源線等が配線され、水平方向に読み出し線１７、リセット線１８、選択線１９等が配線されている。

上述したように従来の固体撮像装置において、撮像領域の周辺部で配線の瞳補正を行う場合、コンタクト部等の他の要素が邪魔になり、配線瞳補正が十分できないという問題があった。
この問題は、瞳補正によって配線をずらしたい方向が撮像領域の部位によって異なるにも拘らず、画素の基本レイアウト（配線の位置関係）が撮像領域全体で共通であることに起因している。すなわち、画素アレイ部（撮像領域）を左右に２分割して考えると、配線の瞳補正を行う場合、撮像領域の右側の領域では配線を左方向にずらすことになり、撮像領域の左側の領域では配線を右方向にずらすことになるので、コンタクト部のような障害物が配線の右側にあるレイアウトであれば、右方向にずらしたい撮像領域の左側の配線は十分な瞳補正の自由度がなくなり、逆に障害物が配線の左側にあれば、左方向にずらしたい撮像領域の右側の配線は自由度がなくなる。すなわち、瞳補正によって配線をずらしたい方向に障害物がある領域と、瞳補正によって配線をずらしたい方向の反対側に障害物がある領域とが混在することになり、全体として有効な瞳補正を行うことが制限されることになる。
なお、画素アレイ部（撮像領域）を上下左右に４分割して考えた場合も同様に、瞳補正によって配線をずらしたい方向に障害物がある領域と、瞳補正によって配線をずらしたい方向の反対側に障害物がある領域とが混在して、全体として十分な瞳補正が制限されてしまう。
そこで、本発明の実施例では、画素アレイ部（撮像領域）の分割領域毎に、配線（具体的には垂直信号線とコンタクト部）の位置関係を変えることにより、瞳補正によってずらしたい垂直信号線のずらし方向と反対側にコンタクト部が配置されるようにし、垂直信号線の十分なずらし量を確保することによって、十分な瞳補正を可能とし、補正の効果を向上するようにした。

また、本実施例では、撮像領域を画素数の多い方向に２分割し、各分割領域で配線とコンタクト部の位置関係を変えたものである。
例えば、撮像素子の規格について考える。ＨＤＴＶ規格では横縦比(水平垂直比)が１６：９、ＮＴＳＣ規格では横縦比が４：３、一眼レフタイプのカメラでは、横縦日が３：２である。つまり、全ての規格において縦方向（垂直方向）より横方向（水平方向）の方が長い。したがって、撮像素子を正方格子で実現した場合、水平方向の画素数は、垂直方向の画素数より多くなる。また、単位画素が正方形である画素を斜め４５°に配置した、ズラシ画素においても、垂直方向の画素数より、水平方向の画素数が多くなる。また、入射光線角度は一般に、像高が大きくなるに従い大きくなる傾向にあるか、ある像高まで大きくなり、それ以降はほぼ一定か、時には僅かに小さくなる非球面レンズもある。
いずれにせよ、水平方向が、垂直方向より瞳補正する量が多くなる傾向にある。

そこで次に、図３に示す撮像領域の座標を用いて説明する。まず、この撮像領域３０の有効画素の中心（０、０）を原点として、水平方向をＸ軸、垂直方向をＹ軸、撮像面から光軸方向をＺ軸とする。各画素の位置は、この座標で識別できる。ある画素のフォトダイオードの中心座標をＸ１＞０、Ｙ１＞０として（Ｘ１、Ｙ１）とする。
ここで、マイクロレンズに瞳補正をかけることを考える。光学シミュレーション等により決定した最適オフセット量をＸ軸に対してＸｍ１（＞０）、Ｙ軸に対してＹｍ１（＞０）とすると、この画素のマイクロレンズの座標は（Ｘ１−Ｘｍ１、Ｙ１−Ｙｍ１）となる。これとＹ軸に対して対称の位置にある画素の座標は、（−Ｘ１、Ｙ１）であり、最適なマイクロレンズの座標は、（−Ｘ１＋Ｘｍ１、Ｙ１−Ｙｍ１）となる。
このように瞳補正を適用すると、撮像領域の周辺部では、撮像領域の中心部方向にオフセットを持たせた位置が、最適なマイクロレンズ形成位置になる。
しかし、マイクロレンズ、層内レンズ、カラーフィルタと違い、メタル配線、ビアプラグ、コンタクトプラグは、下層との電気的接続条件を満たす必要があり、瞳補正が可能な量は、中心のレイアウトを決めてしまうと、デザインルールと接続関係より、自ずと定まってしまう。

そこで、メタル配線の瞳補正量をＸ軸に対して−Ｘｍ２、Ｙ軸に対して−Ｙ２とすると、瞳補正されたメタル配線の座標は、画素座標が（Ｘ１、Ｙ１）の位置では、（Ｘ１−Ｘｍ１、Ｙ１−Ｙｍ２）、画素座標が（Ｘ１、−Ｙ１）の位置では、（Ｘ１−Ｘｍ２、−Ｙ１＋Ｙｍ２）、画素座標が（−Ｘ１、Ｙ１）の位置では、（−Ｘ１＋Ｘｍ１、Ｙ１−Ｙｍ２）、画素座標が（−Ｘ１、−Ｙ１）では、（−Ｘ１＋Ｘｍ１、−Ｙ１＋Ｙｍ２）となり、各画素位置により、瞳補正のためにずらす方向・位置が異なる。
つまり、撮像領域の周辺部では、瞳補正を行う向きが多岐に渡っており、これらすべての瞳補正要求を満たすレイアウトは、特に、画素が縮小されて配線等を動かせる量に制限が加わる微細画素では、不可能になってくる。
そこで、本実施例では、画素位置によって瞳補正を行う向きが異なることを利用した配線レイアウトを適用する。例えば、画素位置が＋Ｘ（＞０）の場所では、配線の瞳補正の向きは−Ｘ（＜０）方向のみであり、画素位置が−Ｘ（＜０）の場所では、配線の瞳補正の向きは＋Ｘ（＞０）方向のみである。よって、画素位置＋Ｘでは、−Ｘ方向に瞳補正がし易い配線レイアウトとし、画素位置−Ｘでは、＋Ｘ方向に瞳補正がし易い配線レイアウトにすれば、撮像領域全体で瞳補正の自由度が増すことになる。

図４は本実施例で採用する配線レイアウトの具体例を示す模式的な平面図であり、垂直信号線２８と、ＦＤ部３を接続するコンタクト部３１と、このコンタクト部３１を増幅トランジスタに接続する内部配線３２の位置関係を示している。
そして図４では撮像領域の中心側から周辺側に振り分けられた左右の２分割領域に配置される画素の配線を示しており、図４（Ａ）が撮像領域の中心から左側（−Ｘ側）に配置される画素位置の配線であり、図４（Ｂ）が撮像領域の中心から右側（＋Ｘ側）に配置される画素位置の配線である。
そして、図４（Ａ）に示すように、撮像領域の左側に配置される画素では、コンタクト部３１及び配線３２が左側に配置され、垂直信号線２８が右側に配置されている。
一方、図４（Ｂ）に示すように、撮像領域の右側に配置される画素では、コンタクト部３１及び配線３２が右側に配置され、垂直信号線２８が左側に配置されている。

図５は図４の各画素配線に対して瞳補正を施した場合の具体例を示す模式的な平面図であり、図５（Ａ）は図４（Ａ）に対応し、図５（Ｂ）は図４（Ｂ）に対応している。
以下、このような配線による作用効果について説明する。なお、ここで説明を簡単化するために、図４に示す２つの画素位置が単純にＸ軸上に配置されたものとして説明する。したがって、これらの画素の瞳補正はＸ方向のみを考えればよい。
まず、図４（Ａ）に示す撮像領域の左側の画素では、配線瞳補正の方向は＋Ｘ方向であり、撮像領域の左側の画素では配線の瞳補正は配線２８、３２を撮像領域の中心方向、すなわち図５（Ａ）に示すように、右方向（矢印ａ方向）に配線２８、３２をずらすことになる。
同様に、撮像領域の右側の画素では、配線の瞳補正は、配線２８、３２を撮像領域の中心方向、すなわち図５（Ｂ）に示すように、左方向（矢印ｂ方向）に配線２８、３２をずらすことになる。

もし、図４（Ａ）に示す左側の画素のレイアウトを図４（Ｂ）に示す右側の画素のように形成した場合には、ＦＤ部３への接続のために移動できないコンタクト部３１に接続している配線３２とデザインルールで規定されたスペースを確保するために、垂直信号線２８は右方向には移動できない。したがって、撮像領域の周辺部では入射光が移動できない（瞳補正できない）垂直信号線でケラレ、感度の低下や混色の原因となってしまう。
これに対し、本実施例のように、画素の位置で瞳補正方向が固有に定まる点を利用し、画素配置位置で基本となるレイアウトを変更することで、瞳補正の自由度を上げ、配線によるケラレを低減し、感度の低下を防ぎ、混色を防ぐことができる。

なお、図４に示す実施例では、図３に示した撮像領域の原点からＸ軸が正の画素と、Ｘ軸が負の画素に２分割した例であり、Ｘ軸上の画素について説明したが、Ｘ軸に載っていない画素に対しても、Ｘ方向への移動は同様に適用できる。また、上述のように、Ｘ軸方向に配置する画素は、Ｙ軸方向に配置する画素より一般に多いため、Ｘ方向の補正量が多くなる。よって、撮像領域のＹ軸に対しても、右半分と左半分に２分割するだけで、ある程度の瞳補正の自由度が増える効果は見込めるものである。
しかし、さらに工夫を施した例として、撮像領域を中心を原点として上下左右に４分割し、それぞれの画素で基本となるレイアウトを変更すれば、さらに瞳補正の自由度が増え、画質の向上を図ることが可能となる。例えば、上述した図２に示す水平方向の信号線の配線に関し、コンタクト部との位置関係を撮像領域の上側と下側とで逆方向に配置することで、瞳補正の自由度を向上できることが期待できる。

以上のような本発明の実施例によって以下のような応用分野で様々な効果を得ることができる。
例えば、携帯電話等の携帯端末にカメラを搭載する場合、携帯端末に搭載できる薄さにすべく、レンズモジュール（レンズと撮像素子を１つのモジュールにしたもの）に対する薄さの要求が強い。そして、このような場合のレンズは、射出瞳距離が短いレンズが多く、この射出瞳距離が短いレンズでは、撮像領域の周辺部での主光線入射角度が大きくなる傾向にあり、この光軸に沿う瞳補正を行うには、大きい瞳補正量が必要となる。
また、携帯端末には、物理的制約により、現在のところ十分な光量を発光できるフラッシュを搭載できておらず、手ぶれを防ぐシャッタスピードを稼ぐため、Ｆ２．８等のＦ値の小さい、より明るいレンズを使用する傾向にある。しかし、このＦ値が小さいレンズは、副光線角度が大きくなり、フォトダイオードに光が入射しずらくなっている。

さらに、撮像素子とレンズを一体化したレンズモジュールは、次期製品の設計し易さから、光学サイズが一定のままで、イメージセンサの画素サイズを縮小し、多画素化を図る傾向にある。このような場合、主光線角度は大きいままで、画素サイズが縮小されてしまう。
また、上述のように瞳補正は、マイクロレンズ、カラーフィルタ、層内レンズのみでなく、電気的接続条件が必要なメタル配線、ビア、コンタクトにも行う必要がある。こうしないと、配線などによるケラレが発生して感度低下、混色の原因となる。一方、配線のメタル配線幅、メタル配線スペースは、メタル配線プロセスによりデザインルールとして定められており、実際のレイアウトで瞳補正が可能となる範囲は限られてしまう。例えば、理論計算または、光学シミュレーションの結果、配線のオフセット量が０．５μｍ必要とされたが、デザインルールを満たしたレイアウトでは、０．３μｍまでしかオフセットできないと仮定する。このような状況では、撮像領域の周辺部では、配線が十分な瞳補正を行えないため、配線によるケラレが発生し、撮像領域の周辺部での感度低下が生じる。この配線によりケラレた光が、隣接画素に漏れこむと混色になる。

これに対して従来の方法では、瞳補正を行う基本レイアウトが１つであったために、十分な瞳補正がかけられなかったが、本実施例では、画素の配置位置により、瞳補正の方向が定まっていることを利用し、画素の配置位置によって基本レイアウトを変更することで、瞳補正の自由度を増すことができる。
例えば、１つの画素レイアウトで、全ての画素位置での瞳補正を実現する場合、上述した撮像領域の左側の画素で配線を右方向にずらせる量をＨ１とし、撮像領域の右側の画素で配線を左方向にずらせる量をＨ２とした場合、撮像領域内で均等に瞳補正ができる量は、Ｈ１とＨ２の絶対値の最小となる。一方、撮像領域をＹ軸で左右に２分割し、右側の画素と左側の画素で基本レイアウトを変更すれば、従来の瞳補正可能量の約２倍の瞳補正ができる。

なお、以上の実施例は本発明の一例であり、本発明はさらに変形が可能である。例えば実施例では、ＣＭＯＳイメージセンサを例に説明したが、ＣＣＤイメージセンサでも同様に適用できる。また、実施例では、垂直信号線とＦＤ用のコンタクト部との位置関係について改善する例を説明したが、他の配線とコンタクトやビアとの位置関係を変更するような場合にも同様に適用できるものである。
また、実施例では撮像領域の中心を基点にして、上下または左右に２分割したり、上下左右に４分割するような分割領域の例を説明したが、分割領域の設け方としては瞳補正の実情等に合わせて種々採用が可能であり、例えば撮像領域の中心領域の除く周辺領域だけに配線の位置関係を変更する領域を設けるような形態も可能である。

本発明の実施例による固体撮像装置の概要を示すブロック図である。図１に示す固体撮像装置の画素回路の構成を示す回路図である。撮像領域のＸ−Ｙ座標を示す説明図である。図１に示す固体撮像装置で採用する配線レイアウトの具体例を示す模式的な平面図である。図４の各画素配線に対して瞳補正を施した場合の具体例を示す模式的な平面図である。従来の固体撮像装置で採用する配線レイアウトの具体例を示す模式的な平面図である。

符号の説明

１……フォトダイオード、３……ＦＤ部、１６……画素、２０……画素アレイ部、２７……水平信号線、２８……垂直信号線、３１……コンタクト部、３２……内部配線。

Claims

半導体基板上に複数の光電変換部が２次元方向に配置された画素アレイ部と、
前記画素アレイ部の上部に絶縁膜を介して積層された配線を備える配線層と、
前記配線層上に配置され、前記画素アレイ部における光電変換部のピッチと異なる瞳補正によるピッチを有して形成されたマイクロレンズとを有し、
前記画素アレイ部を少なくとも２つの分割領域に分割したとき、
前記画素アレイ部の一方の分割領域に配置される画素と、他方の分割領域に配置される画素とでは、前記画素アレイ部の画素毎に対応して形成される配線のうち隣接する画素間に設けられた第１配線と第２配線であって、一方向に配線され所定のコンタクト部を介して前記半導体基板に接続された第１配線と、前記第１配線に隣接して配置され、前記第１配線と同方向に配線された第２配線とが、前記光電変換部に対して逆の位置関係となるように設けられている
固体撮像装置。
前記第１配線と前記第２配線は同層に形成されている
請求項１に記載の固体撮像装置。
前記第１配線は前記コンタクト部を介して、前記光電変換部から信号電荷を取り出すためのフローティングディフュージョン部に接続され、
前記第２配線は画素信号を伝送するための垂直信号線を構成する
請求項２に記載の固体撮像装置。
前記第１配線及び前記コンタクト部が前記第２配線よりも前記画素アレイ部の中心寄りに形成されている
請求項３に記載の固体撮像装置。
前記第２配線がマイクロレンズの瞳補正方向にずれたピッチで形成されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
前記分割領域は画素アレイ部の垂直方向に分割された領域であることを特徴とする
請求項１記載の固体撮像装置。
前記分割領域は画素アレイ部の水平方向に分割された領域であることを特徴とする
請求項１記載の固体撮像装置。
前記分割領域は画素アレイ部の垂直方向及び水平方向にそれぞれ分割された少なくとも４つの領域であることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
前記分割領域は画素アレイ部の画素数の多い方向に分割された領域であることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
半導体基板上に複数の光電変換部が２次元方向に配置された画素アレイ部と、
前記画素アレイ部の上部に絶縁膜を介して積層された配線を備える配線層と、
前記配線層上に配置され、前記画素アレイ部における光電変換部のピッチと異なる瞳補正によるピッチを有して形成されたマイクロレンズとを有し、
前記画素アレイ部を少なくとも２つの分割領域に分割したとき、
前記画素アレイ部の一方の分割領域に配置される画素と、他方の分割領域に配置される画素とでは、前記画素アレイ部の画素毎に対応して形成される配線のうち水平方向に隣接する画素間に設けられた第１配線と第２配線であって、垂直方向に配線され所定のコンタクト部を介して前記半導体基板に接続された第１配線と、前記第１配線に隣接して配置された、画素信号を伝送する垂直信号線を構成する第２配線とが、前記光電変換部に対して逆の位置関係となるように設けられ、
前記第１配線及び前記コンタクト部が前記第２配線よりも前記画素アレイ部の中心寄りに形成されている
固体撮像装置。