JP2009218469A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 シリコン基板1と薄膜誘導素子9との間には低誘電率膜5が設けられている。これにより、シリコン基板1に発生する渦電流に起因する薄膜誘導素子9の渦電流損を低減することができる。
【選択図】 図1
Description
請求項2に記載の発明に係る半導体装置は、半導体基板上の同一の層上に複数の配線および渦巻き形状の薄膜誘導素子が設けられた半導体装置において、前記薄膜誘導素子下における前記半導体基板上に空間が設けられていることを特徴とするものである。
請求項3に記載の発明に係る半導体装置は、請求項2に記載の発明において、前記半導体基板上に前記空間を形成するための開口部を有する有機材料からなる空間形成用絶縁膜が設けられ、前記空間形成用絶縁膜上にその開口部を覆う空間形成用シートが設けられていることを特徴とするものである。
請求項4に記載の発明に係る半導体装置は、請求項1または2に記載の発明において、前記同一の層上に薄膜誘導素子用配線が前記薄膜誘導素子の外端部に接続されて設けられていることを特徴とするものである。
請求項5に記載の発明に係る半導体装置は、請求項4に記載の発明において、前記配線の接続パッド部上および前記薄膜誘導素子の内端部上に柱状電極が設けられていることを特徴とするものである。
請求項6に記載の発明に係る半導体装置は、請求項4に記載の発明において、前記薄膜誘導素子下に有機材料からなる絶縁膜を介して薄膜誘導素子用下層配線が前記薄膜誘導素子の内端部に接続されて設けられていることを特徴とするものである。
請求項7に記載の発明に係る半導体装置は、請求項6に記載の発明において、前記配線の接続パッド部上に柱状電極が設けられていることを特徴とするものである。
請求項8に記載の発明に係る半導体装置は、請求項5または7に記載の発明において、前記柱状電極の周囲に封止膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項9に記載の発明に係る半導体装置は、請求項8に記載の発明において、前記柱状電極上に半田ボールが設けられていることを特徴とするものである。
請求項10に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上の同一の層上に複数の配線および渦巻き形状の薄膜誘導素子が設けられた半導体装置の製造方法において、前記薄膜誘導素子を形成すべき領域下における前記半導体基板上に低誘電率膜を形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項11に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上の同一の層上に複数の配線および渦巻き形状の薄膜誘導素子が設けられた半導体装置の製造方法において、前記薄膜誘導素子を形成すべき領域下における前記半導体基板上に空間を形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項12に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項11に記載の発明において、前記空間を形成する工程は、前記半導体基板上に前記空間を形成するための開口部を有する空間形成用絶縁膜を形成し、前記空間形成用絶縁膜上にその開口部を覆う空間形成用シートを配置する工程を含むことを特徴とするものである。
図1(A)はこの発明の第1実施形態としての半導体装置の要部の透過平面図を示し、図1(B)はそのB−B線に沿う断面図を示す。この半導体装置は、一般的にはCSPと呼ばれるものであり、平面方形状のシリコン基板(半導体基板)1を備えている。シリコン基板1の上面には所定の機能の集積回路(図示せず)が設けられ、上面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド2a、2bが集積回路に接続されて設けられている。この場合、符号2bで示す接続パッドは、後述する渦巻き形状の薄膜誘導素子9の外端部に接続されるものである。
図13(A)はこの発明の第2実施形態としての半導体装置の要部の透過平面図を示し、図13(B)はそのB−B線に沿う断面図を示す。この半導体装置において、図1(A)、(B)に示す半導体装置と大きく異なる点は、低誘電率膜5を省略し、その代わりに、薄膜誘導素子9下における絶縁膜3と保護膜6との間に平面正方形状の空間41を設けた点である。
図18(A)はこの発明の第3実施形態としての半導体装置の要部の透過平面図を示し、図18(B)はそのB−B線に沿う断面図を示す。この半導体装置において、図1(A)、(B)に示す半導体装置と大きく異なる点は、薄膜誘導素子9の接続パッド部9a上に設けられた柱状電極18およびその上に設けられた半田ボール21を省略し、その代わりに、薄膜誘導素子9の内端部を薄膜誘導素子用下層配線51を介してシリコン基板1の上面周辺部に設けられた接続パッド2cに接続した点である。
図23(A)はこの発明の第4実施形態としての半導体装置の要部の透過平面図を示し、図23(B)はそのB−B線に沿う断面図を示す。この半導体装置において、図13(A)、(B)に示す半導体装置と大きく異なる点は、薄膜誘導素子9の接続パッド部9a上に設けられた柱状電極18およびその上に設けられた半田ボール21を省略し、その代わりに、薄膜誘導素子9の内端部を薄膜誘導素子用下層配線51を介してシリコン基板1の上面周辺部に設けられた接続パッド2cに接続した点である。
2a、2b、2c 接続パッド
3 絶縁膜
5 低誘電率膜
6 保護膜
8 配線
9 薄膜誘導素子
10 薄膜誘導素子用配線
17、18 柱状電極
19 封止膜
20、21 半田ボール
41 空間
42 空間形成用絶縁膜膜
43 開口部
44 空間形成用シート
51 薄膜誘導素子用下層配線
52 上層保護膜
Claims (12)
- 半導体基板上の同一の層上に複数の配線および渦巻き形状の薄膜誘導素子が設けられた半導体装置において、前記薄膜誘導素子下における前記半導体基板上に比誘電率が3.0以下である低誘電率膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 半導体基板上の同一の層上に複数の配線および渦巻き形状の薄膜誘導素子が設けられた半導体装置において、前記薄膜誘導素子下における前記半導体基板上に空間が設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項2に記載の発明において、前記半導体基板上に前記空間を形成するための開口部を有する有機材料からなる空間形成用絶縁膜が設けられ、前記空間形成用絶縁膜上にその開口部を覆う空間形成用シートが設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1または2に記載の発明において、前記同一の層上に薄膜誘導素子用配線が前記薄膜誘導素子の外端部に接続されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項4に記載の発明において、前記配線の接続パッド部上および前記薄膜誘導素子の内端部上に柱状電極が設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項4に記載の発明において、前記薄膜誘導素子下に有機材料からなる絶縁膜を介して薄膜誘導素子用下層配線が前記薄膜誘導素子の内端部に接続されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項6に記載の発明において、前記配線の接続パッド部上に柱状電極が設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項5または7に記載の発明において、前記柱状電極の周囲に封止膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項8に記載の発明において、前記柱状電極上に半田ボールが設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 半導体基板上の同一の層上に複数の配線および渦巻き形状の薄膜誘導素子が設けられた半導体装置の製造方法において、前記薄膜誘導素子を形成すべき領域下における前記半導体基板上に低誘電率膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上の同一の層上に複数の配線および渦巻き形状の薄膜誘導素子が設けられた半導体装置の製造方法において、前記薄膜誘導素子を形成すべき領域下における前記半導体基板上に空間を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項11に記載の発明において、前記空間を形成する工程は、前記半導体基板上に前記空間を形成するための開口部を有する空間形成用絶縁膜を形成し、前記空間形成用絶縁膜上にその開口部を覆う空間形成用シートを配置する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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WO2022163299A1 (ja) * | 2021-01-29 | 2022-08-04 | 株式会社村田製作所 | 配線基板 |
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2008
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