JP2009176938A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009176938A JP2009176938A JP2008013851A JP2008013851A JP2009176938A JP 2009176938 A JP2009176938 A JP 2009176938A JP 2008013851 A JP2008013851 A JP 2008013851A JP 2008013851 A JP2008013851 A JP 2008013851A JP 2009176938 A JP2009176938 A JP 2009176938A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bumps
- semiconductor chip
- bump
- horn
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
- H01L2224/1401—Structure
- H01L2224/1403—Bump connectors having different sizes, e.g. different diameters, heights or widths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
【解決手段】それぞれ複数個のバンプ31、32が一面側に平面的に配置された第1の半導体チップ10、第2の半導体チップ20を用意し、第1の半導体チップ10の他面に、超音波を発振するホーン100を当てて、両半導体チップ10、20の各バンプ31、32同士を接触させ、ホーン100によって第1の半導体チップ10のバンプ31に超音波を印加する半導体装置の製造方法において、第1の半導体チップ10の一面のうち超音波による第1の半導体チップ10の振動方向Xにおける中央部に位置するバンプ31よりも周辺部に位置するバンプ31の方が、印加される超音波エネルギーが大きくなるようにする。
【選択図】図2
Description
図1(a)は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置S1の概略断面図、図1(b)は同半導体装置S1における第1の半導体チップ10の一面側の概略平面図、図1(c)は同半導体装置S1における第2の半導体チップ20の一面側の概略平面図である。
図4は、本発明の第2実施形態に係る半導体装置の製造方法における両半導体チップ10、20の接合工程をワーク断面にて示す工程図である。上記第1実施形態との相違点を中心に述べる。
上記各実施形態では、ホーン100に当たる第1の半導体チップ10はセンサ素子であり、第2の半導体チップ20は回路素子であったが、これら両半導体チップ10、20はその一面に平面的に配置された複数個のバンプ31、32を有するものであればよく、たとえば、ホーン100に当たる第1の半導体チップ10が回路素子、第2の半導体チップ20が回路素子でもよいし、さらには両半導体チップ10、20ともにセンサ素子でもよいし、両半導体チップ10、20ともに回路素子でもよい。
20 第2の半導体チップ
31 第1の半導体チップのバンプ
32 第2の半導体チップのバンプ
100 ホーン
300 凸面部材
310 凸面
Claims (5)
- 複数個のバンプ(31)が一面側に平面的に配置された第1の半導体チップ(10)と、前記第1の半導体チップ(10)の前記バンプ(31)に対応する複数個のバンプ(32)が一面側に平面的に配置された第2の半導体チップ(20)とを用意し、
前記第1の半導体チップ(10)における前記一面とは反対側の他面に、超音波を発振するホーン(100)を当てて、前記第1の半導体チップ(10)の前記一面と前記第2の半導体チップ(20)の前記一面とを対向させた状態で、当該両半導体チップ(10、20)の前記各バンプ(31、32)同士を接触させ、前記ホーン(100)によって前記第1の半導体チップ(10)の前記バンプ(31)に超音波を印加することにより、当該両半導体チップ(10、20)の前記各バンプ(31、32)同士を接合する半導体装置の製造方法において、
前記第1の半導体チップ(10)の前記複数個のバンプ(31)のうち前記第1の半導体チップ(10)の前記一面の前記超音波により前記第1の半導体チップ(10)が振動する振動方向における中央部に位置するバンプよりも当該一面の前記振動方向における周辺部に位置するバンプの方が、印加される超音波エネルギーが大きくなるように、前記超音波の印加を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の半導体チップ(10)の前記一面の前記振動方向における中央部に位置するバンプよりも当該一面の前記振動方向における周辺部に位置するバンプの方が、前記第2の半導体チップ(20)側の前記バンプ(32)との接触圧を大きくすることにより、
前記中央部に位置するバンプよりも前記周辺部に位置するバンプの方が、印加される超音波エネルギーが大きくなるように、前記超音波の印加を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記中央部に位置するバンプよりも前記周辺部に位置するバンプの方が、前記第1の半導体チップ(10)の前記一面からの突出高さが大きくなるように、当該一面における前記複数個のバンプ(31)の当該突出高さを異ならせることにより、前記接触圧を大きくすることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の半導体チップ(10)の前記一面における前記複数個のバンプ(31)の前記突出高さの分布に対応して、中央部が頂部であり周辺部が低くなった凸面(310)を有する凸面部材(300)を用い、この凸面部材(300)の前記凸面(310)に、前記第1の半導体チップ(10)の前記一面における前記複数個のバンプ(31)を押しつけて、当該複数個のバンプ(31)を変形させることにより、
当該複数個のバンプ(31)の前記突出高さを異ならせることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ホーン(100)のうち前記中央部に位置するバンプに正対する部位よりも前記周辺部に位置するバンプに正対する部位の方が、質量が大きくなるように、前記ホーン(100)の質量を部分的に異ならせることにより、前記接触圧を大きくすることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008013851A JP5119948B2 (ja) | 2008-01-24 | 2008-01-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008013851A JP5119948B2 (ja) | 2008-01-24 | 2008-01-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009176938A true JP2009176938A (ja) | 2009-08-06 |
JP5119948B2 JP5119948B2 (ja) | 2013-01-16 |
Family
ID=41031726
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008013851A Expired - Fee Related JP5119948B2 (ja) | 2008-01-24 | 2008-01-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5119948B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011210789A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55145360A (en) * | 1979-04-27 | 1980-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
JPH11307588A (ja) * | 1998-04-21 | 1999-11-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品のボンディングツールおよびボンディング装置 |
JP2001015553A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-01-19 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
WO2002093638A1 (en) * | 2001-05-16 | 2002-11-21 | Fujitsu Limited | Mounting structure and mounting method for semiconductor chip |
-
2008
- 2008-01-24 JP JP2008013851A patent/JP5119948B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55145360A (en) * | 1979-04-27 | 1980-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
JPH11307588A (ja) * | 1998-04-21 | 1999-11-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品のボンディングツールおよびボンディング装置 |
JP2001015553A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-01-19 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
WO2002093638A1 (en) * | 2001-05-16 | 2002-11-21 | Fujitsu Limited | Mounting structure and mounting method for semiconductor chip |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011210789A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5119948B2 (ja) | 2013-01-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10312216B2 (en) | Systems and methods for bonding semiconductor elements | |
JP2007020073A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
JP4264388B2 (ja) | 半導体チップの接合方法および接合装置 | |
JP5119948B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US7208059B2 (en) | Method of ultrasonic-mounting electronic component and ultrasonic mounting machine | |
JP2006093636A (ja) | 半導体チップの接合方法および接合装置 | |
JP3522906B2 (ja) | 超音波接合方法および装置 | |
JP2011077093A (ja) | 超音波フリップチップ実装方法および超音波実装装置 | |
TW201836097A (zh) | 用於對半導體元件進行超音波接合的方法 | |
JP4491321B2 (ja) | 超音波実装方法およびこれに用いる超音波実装装置 | |
JP2010258302A (ja) | 超音波フリップチップ実装方法およびそれに用いられる基板 | |
JP4385878B2 (ja) | 実装方法 | |
JP6707052B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2007281182A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP4893814B2 (ja) | 半導体チップの接合方法および接合装置 | |
JP2002368036A (ja) | ワイアボンディング装置 | |
JP2000216198A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2008182196A (ja) | 電子素子パッケージとその製造方法 | |
JP2003273148A (ja) | フリップチップ実装方法 | |
JP2007324386A (ja) | 半導体装置、およびその製造方法 | |
JP2013141043A (ja) | 超音波接合方法 | |
JP3408443B2 (ja) | 超音波複合振動を用いた半導体チップの基板への実装方法 | |
JPH04150084A (ja) | 半導体レーザ用パッケージ | |
JP2013007651A (ja) | センサ装置およびその製造方法 | |
JP2010147450A (ja) | 超音波ボンディング方法及び超音波ボンディング装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100303 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100804 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120724 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120906 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120925 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121008 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |