JP3408443B2 - 超音波複合振動を用いた半導体チップの基板への実装方法 - Google Patents
超音波複合振動を用いた半導体チップの基板への実装方法Info
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- JP3408443B2 JP3408443B2 JP00535599A JP535599A JP3408443B2 JP 3408443 B2 JP3408443 B2 JP 3408443B2 JP 00535599 A JP00535599 A JP 00535599A JP 535599 A JP535599 A JP 535599A JP 3408443 B2 JP3408443 B2 JP 3408443B2
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は極小サイズに形成さ
れたＩＣチップ等を基板に実装するに当り、超音波複合
振動を利用して、良好な接合による実装状態を実現でき
る実装方法に関する。
れたＩＣチップ等を基板に実装するに当り、超音波複合
振動を利用して、良好な接合による実装状態を実現でき
る実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、携帯用電話、ノート型パソコンや
デジタルＶＴＲカメラ等のパーソナル機器の小型・軽量
化が著しく進行する傾向にあるが、この動向に伴い高密
度実装技術の普及・進歩の必要性が強く要請されてお
り、従来のワイヤボンディング工法やフリップ・チップ
工法では対応しきれなくなっているのが実情である。す
なわち、高密度実装された半導体集積回路の接続パッド
サイズは百μｍ角程度以下であり、隣接パッド間が２０
μｍ程度またはこれ以下となるため、各ＩＣパッドの接
合に従来の方法を用いた場合、隣り合った接合部分がお
互いに重なり合って接合され、個別の接合部分が確保さ
れないという不都合が生じ、これが電子機器の小型化や
軽量化を阻む大きな要因の一つとなっている。
デジタルＶＴＲカメラ等のパーソナル機器の小型・軽量
化が著しく進行する傾向にあるが、この動向に伴い高密
度実装技術の普及・進歩の必要性が強く要請されてお
り、従来のワイヤボンディング工法やフリップ・チップ
工法では対応しきれなくなっているのが実情である。す
なわち、高密度実装された半導体集積回路の接続パッド
サイズは百μｍ角程度以下であり、隣接パッド間が２０
μｍ程度またはこれ以下となるため、各ＩＣパッドの接
合に従来の方法を用いた場合、隣り合った接合部分がお
互いに重なり合って接合され、個別の接合部分が確保さ
れないという不都合が生じ、これが電子機器の小型化や
軽量化を阻む大きな要因の一つとなっている。
【０００３】上記のような接合において、超音波振動を
利用することは、従来も提案されているが、従来提案さ
れている技術では接合に当って付与する超音波振動が単
一方向の振動であり、しかも、この種の接合に対して最
も注意を要する予熱を与える必要があるため、接合対象
のサイズや材質等によっては、良好な接合が得られない
ことのほか、過剰な予熱のために素子を破壊する等の問
題がある。
利用することは、従来も提案されているが、従来提案さ
れている技術では接合に当って付与する超音波振動が単
一方向の振動であり、しかも、この種の接合に対して最
も注意を要する予熱を与える必要があるため、接合対象
のサイズや材質等によっては、良好な接合が得られない
ことのほか、過剰な予熱のために素子を破壊する等の問
題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な超音波振動を用いてフリップ・チップ等の半導体チッ
プを基板に接合して実装する技術において、良好な接合
方法を実現できる実装方法を提供することを、その課題
とする。
な超音波振動を用いてフリップ・チップ等の半導体チッ
プを基板に接合して実装する技術において、良好な接合
方法を実現できる実装方法を提供することを、その課題
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すること
を目的としてなされた本発明接合方法の構成は、超小型
ＩＣチップ等の半導体チップにおけるバンプと称される
基板への接合部分を下向きにして、前記バンプを接合す
るため上向きに置いた基板の所定位置に位置決めしたあ
と、前記半導体チップの上から適宜荷重により押圧しな
がら、前記荷重の向きに直交しかつ約90度の平面角を以
って交叉する成分の超音波複合振動を前記半導体チップ
のバンプとこれに対応する基板の電極間に付与すること
により、半導体チップにおける複数のバンプを基板の所
定位置に溶着固定することを特徴とするものである。
を目的としてなされた本発明接合方法の構成は、超小型
ＩＣチップ等の半導体チップにおけるバンプと称される
基板への接合部分を下向きにして、前記バンプを接合す
るため上向きに置いた基板の所定位置に位置決めしたあ
と、前記半導体チップの上から適宜荷重により押圧しな
がら、前記荷重の向きに直交しかつ約90度の平面角を以
って交叉する成分の超音波複合振動を前記半導体チップ
のバンプとこれに対応する基板の電極間に付与すること
により、半導体チップにおける複数のバンプを基板の所
定位置に溶着固定することを特徴とするものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図に
拠り説明する。図１は本発明の方法の実施の形態を模式
的に示した正面図である。
拠り説明する。図１は本発明の方法の実施の形態を模式
的に示した正面図である。
【０００７】図１において、１はフリップ・チップ等の
半導体チップ、２は該チップ１のバンプと接合される位
置に配置された基板、３はフリップ・チップ１の接合面
1aの側に予め形成された複数個のバンプ（ここでは、Ａ
ｕバンプ）、４は前記チップ１の上面1bの側に垂直に配
置した溶接チップ、５，６はこの溶接チップ４に直交す
る向きに互いに約９０度の平面角を以って当該溶接チッ
プ４に接合した振動伝達ホーンで、これらのホーン５，
６には、それぞれ例えばランジュバン型の振動子７，８
が結合されている。９は基板２の下に配置したベース
で、前記の溶接チップ４からベース９までの構成によ
り、本発明実装方法を実行するための超音波接合装置の
一例を形成する。なお、Ｆは接合面に荷重をかけるた
め、ここでは溶接チップ４にその真上から作用させた荷
重である。
半導体チップ、２は該チップ１のバンプと接合される位
置に配置された基板、３はフリップ・チップ１の接合面
1aの側に予め形成された複数個のバンプ（ここでは、Ａ
ｕバンプ）、４は前記チップ１の上面1bの側に垂直に配
置した溶接チップ、５，６はこの溶接チップ４に直交す
る向きに互いに約９０度の平面角を以って当該溶接チッ
プ４に接合した振動伝達ホーンで、これらのホーン５，
６には、それぞれ例えばランジュバン型の振動子７，８
が結合されている。９は基板２の下に配置したベース
で、前記の溶接チップ４からベース９までの構成によ
り、本発明実装方法を実行するための超音波接合装置の
一例を形成する。なお、Ｆは接合面に荷重をかけるた
め、ここでは溶接チップ４にその真上から作用させた荷
重である。
【０００８】本発明方法の実施に際しては、まず、半導
体チップ１の接合面1aの側に、Auバンプ３を必要個数形
成する。Auバンプ３の形成は、例えば、ワイヤボンディ
ング技術を用いる方法等による。また、Ａｕバンプ３の
サイズは、10μm程度から100μm程度まで可能である。
本発明では、このチップ１を上記の超音波接合装置をボ
ンディング・ツールとして基板２に実装するのである
が、実施した例では、１バンプ当り50gから80g程度の荷
重Ｆをかけつつ、超音波複合振動を、数百μsec（秒）
から数十ｍsec（秒）間付加することにより良好な金属
間接合が得られた。
体チップ１の接合面1aの側に、Auバンプ３を必要個数形
成する。Auバンプ３の形成は、例えば、ワイヤボンディ
ング技術を用いる方法等による。また、Ａｕバンプ３の
サイズは、10μm程度から100μm程度まで可能である。
本発明では、このチップ１を上記の超音波接合装置をボ
ンディング・ツールとして基板２に実装するのである
が、実施した例では、１バンプ当り50gから80g程度の荷
重Ｆをかけつつ、超音波複合振動を、数百μsec（秒）
から数十ｍsec（秒）間付加することにより良好な金属
間接合が得られた。
【０００９】本発明方法において使用する超音波複合振
動は、ボンディング゛・ツールとして作用する振動伝達
体である溶接チップ４に対して、互いに直角をなして置
かれた二つの縦方向の振動の合成する方法で達成した。
このような超音波複合振動は、上記以外の形態による振
動の合成態様によっても作ることが可能であり、いずれ
の方法によるにしても、超音波複合振動を作用させるこ
とによって、従来の超音波単一振動を作用させて得られ
れる接合効果よりは良好な接合状態を達成することがで
きる。
動は、ボンディング゛・ツールとして作用する振動伝達
体である溶接チップ４に対して、互いに直角をなして置
かれた二つの縦方向の振動の合成する方法で達成した。
このような超音波複合振動は、上記以外の形態による振
動の合成態様によっても作ることが可能であり、いずれ
の方法によるにしても、超音波複合振動を作用させるこ
とによって、従来の超音波単一振動を作用させて得られ
れる接合効果よりは良好な接合状態を達成することがで
きる。
【００１０】本発明では、図２に例示すように、半導体
チップ１と基板２の複数個を同時に接合することもで
き、また図３に例示するように、多数の半導体チップ１
と基板２をそれぞれ位置合わせして上で、順次本発明に
よる接合工程へ送り込むようにしておき、回転させられ
る円盤体の円周上に複合超音波振動を発生させるように
形成した超音波溶接チップ41と回転させられる円盤状の
ベース91の間に送り込んで逐次溶着し、送り出すように
することも可能である。なお、図３の円盤体の円周上の
Ｘ方向の超音波振動は振動子７で発生させ、Ｙ方向の超
音波振動は振動子８でねじり振動を発生させる。また、
図３において、91aは回転するベース91の軸である。
チップ１と基板２の複数個を同時に接合することもで
き、また図３に例示するように、多数の半導体チップ１
と基板２をそれぞれ位置合わせして上で、順次本発明に
よる接合工程へ送り込むようにしておき、回転させられ
る円盤体の円周上に複合超音波振動を発生させるように
形成した超音波溶接チップ41と回転させられる円盤状の
ベース91の間に送り込んで逐次溶着し、送り出すように
することも可能である。なお、図３の円盤体の円周上の
Ｘ方向の超音波振動は振動子７で発生させ、Ｙ方向の超
音波振動は振動子８でねじり振動を発生させる。また、
図３において、91aは回転するベース91の軸である。
【００１１】従来の超音波単一振動を利用した半導体チ
ップ１の基板２への接合は、溶接チップ４に付与される
振動の軌跡が直線状（一次元）であったため、接合に方
向性が生じる結果となり、従って、振動方向と直交する
向きでの接合度が十分ではない場合が多く生じていた。
ップ１の基板２への接合は、溶接チップ４に付与される
振動の軌跡が直線状（一次元）であったため、接合に方
向性が生じる結果となり、従って、振動方向と直交する
向きでの接合度が十分ではない場合が多く生じていた。
【００１２】上記のような従来技術に対し、本発明方法
では、接合面に超音波複合振動を付与するから溶接チッ
プの振動軌跡が、直線状にならない。即ち、本発明方法
によれば、接合面に円形状乃至楕円状等の二次元的にな
るように複合振動が付与されるので、きわめて良好な接
合状態を実現できるのである。
では、接合面に超音波複合振動を付与するから溶接チッ
プの振動軌跡が、直線状にならない。即ち、本発明方法
によれば、接合面に円形状乃至楕円状等の二次元的にな
るように複合振動が付与されるので、きわめて良好な接
合状態を実現できるのである。
【００１３】溶接チップ４の振動軌跡を様々な二次元態
様にする手法としては、例えば、ホーン５，６、振動子
７，８の駆動用振動系の周波数および位相差を変化させ
ることにより行うことができる。殊に、振動子７，８が
同一周波数で駆動される場合には、位相が同一であれば
そのリサージュ図形は直線を描き、位相を90度異ならせ
ることにより円形にもなり、さらに異なる位相差により
楕円形その他に、振動軌跡を種々変化させることが可能
である。
様にする手法としては、例えば、ホーン５，６、振動子
７，８の駆動用振動系の周波数および位相差を変化させ
ることにより行うことができる。殊に、振動子７，８が
同一周波数で駆動される場合には、位相が同一であれば
そのリサージュ図形は直線を描き、位相を90度異ならせ
ることにより円形にもなり、さらに異なる位相差により
楕円形その他に、振動軌跡を種々変化させることが可能
である。
【００１４】
【発明の効果】本発明は以上の通りであって、半導体チ
ップ特にフリップ・チップ等を基板に接合して実装する
技術において、良好な接合状態を実現できる実装方法を
得るため、フリップ・チップ等の半導体チップのバンプ
の位置を、基板の被接合部分に位置決めし、その接合し
ようとする面に、適宜に荷重を与えるとともに、当該接
合面内において複合超音波振動を与え、フリップ・チッ
プ等の半導体チップと基板を溶融固着するようにしたこ
とにより、接合状態に方向性が無く、また、接合に必要
な振幅も、従来の直線状の振動軌跡で行う超音波付与の
装置の半分以下程度で済み、更に溶着に要する時間も半
分の時間以下になるという顕著な効果を得ることができ
る。
ップ特にフリップ・チップ等を基板に接合して実装する
技術において、良好な接合状態を実現できる実装方法を
得るため、フリップ・チップ等の半導体チップのバンプ
の位置を、基板の被接合部分に位置決めし、その接合し
ようとする面に、適宜に荷重を与えるとともに、当該接
合面内において複合超音波振動を与え、フリップ・チッ
プ等の半導体チップと基板を溶融固着するようにしたこ
とにより、接合状態に方向性が無く、また、接合に必要
な振幅も、従来の直線状の振動軌跡で行う超音波付与の
装置の半分以下程度で済み、更に溶着に要する時間も半
分の時間以下になるという顕著な効果を得ることができ
る。
【図１】本発明方法の実施の一形態を模式的に示した正
面図。
面図。
【図２】本発明方法の実施の別形態を模式的に示した正
面図。
面図。
【図３】本発明方法の実施の他の形態を模式的に示した
正面図。
正面図。
１ ＩＣチップ
２ 基板
３ バンプ電極
４ 溶接チップ
５，６ ホーン
７，８ 振動子
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平11−45912（ＪＰ，Ａ)
特開 昭56−99090（ＪＰ，Ａ)
特開 昭58−161334（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−136205（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−29357（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−115109（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−284545（ＪＰ，Ａ)
特公 昭39−12783（ＪＰ，Ｂ１)
実公 昭53−4185（ＪＰ，Ｙ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/60
B23K 20/00
B06B 1/00
Claims (4)
- 【請求項１】 超小型ＩＣチップ等の半導体チップにお
けるバンプと称される基板への接合部分を下向きにし
て、前記バンプを接合するため上向きに置いた基板の所
定位置に位置決めしたあと、前記半導体チップの上から
適宜荷重により押圧しながら、前記荷重の向きに直交し
かつ約90度の平面角を以って交叉する成分の超音波複合
振動を前記半導体チップのバンプとこれに対応する基板
の電極間に付与することにより、半導体チップにおける
複数のバンプを基板の所定位置に溶着固定することを特
徴とする超音波複合振動を用いた半導体チップの基板へ
の実装方法。 - 【請求項２】 半導体チップと基板の上，下関係を逆に
した請求項１の超音波複合振動を用いた半導体チップの
基板への実装方法。 - 【請求項３】 超音波複合振動は、二つの位相の異なる
超音波振動を、半導体チップのバンプの上方から、又
は、基板の下方から、若しくは、上，下両方から与える
請求項１又は２の超音波複合振動を用いた半導体チップ
の基板への実装方法。 - 【請求項４】 半導体チップの基板への実装は、予熱を
与えない常温下で行う請求項１〜３のいずれかの超音波
複合振動を用いた半導体チップの基板への実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00535599A JP3408443B2 (ja) | 1999-01-12 | 1999-01-12 | 超音波複合振動を用いた半導体チップの基板への実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00535599A JP3408443B2 (ja) | 1999-01-12 | 1999-01-12 | 超音波複合振動を用いた半導体チップの基板への実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000208560A JP2000208560A (ja) | 2000-07-28 |
| JP3408443B2 true JP3408443B2 (ja) | 2003-05-19 |
Family
ID=11608886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00535599A Expired - Lifetime JP3408443B2 (ja) | 1999-01-12 | 1999-01-12 | 超音波複合振動を用いた半導体チップの基板への実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3408443B2 (ja) |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS534185Y2 (ja) * | 1972-01-31 | 1978-02-02 | ||
| JPS5699090A (en) * | 1980-01-09 | 1981-08-10 | Mitsubishi Electric Corp | Ultrasonic-wave welding set |
| JPS58161334A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-09-24 | Hitachi Ltd | ワイヤボンデイング装置 |
| JPH05136205A (ja) * | 1991-11-14 | 1993-06-01 | Hitachi Ltd | ギヤングボンデイング方法および装置 |
| JPH0629357A (ja) * | 1992-06-26 | 1994-02-04 | Suzuki Motor Corp | 超音波溶着機 |
| JPH07115109A (ja) * | 1993-10-15 | 1995-05-02 | Nec Corp | フリップチップボンディング方法及び装置 |
| JP3409630B2 (ja) * | 1997-04-11 | 2003-05-26 | 松下電器産業株式会社 | バンプ付電子部品の圧着装置および圧着方法 |
| JPH1145912A (ja) * | 1997-07-28 | 1999-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バンプ付電子部品のボンディング装置およびボンディング方法 |
-
1999
- 1999-01-12 JP JP00535599A patent/JP3408443B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000208560A (ja) | 2000-07-28 |
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