JPH0344051A - ワイヤボンディング方法 - Google Patents

ワイヤボンディング方法

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JPH0344051A
JPH0344051A JP1178148A JP17814889A JPH0344051A JP H0344051 A JPH0344051 A JP H0344051A JP 1178148 A JP1178148 A JP 1178148A JP 17814889 A JP17814889 A JP 17814889A JP H0344051 A JPH0344051 A JP H0344051A
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JP
Japan
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lead
wire bonding
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bonding
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JP1178148A
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Asao Matsuzawa
松沢　朝夫
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の組立工程において、半導体素子を
有するチップとり′−ドフレームとなコネフタワイヤを
使用してワイヤボンディングする際のボンディング技術
に関する。
〔従来の技術〕
半導体装置の組立において、半導体素子な有するチップ
をパッケージの所定位置に（・わゆるダイボンディング
後、当該チップ上の１Ｍ、極とパッケージ端子として使
用されるリードフレームのインナーリード部とをコネク
タワイヤな使用してワイヤボンディングを行ないこれら
を電気的に導通させる。
当該ワイヤボンディングの一方式に、超音波と熱とな併
用した超音波併用熱圧着ボンディング（サーモンニック
ボンディング）法も行われてし・る。この方式の主な利
点は、熱圧着法に比して低温でワイヤボンディングが行
なえ、信頼性の高し・接続が得られるということである
。
尚、当該方式について述べた文献の例としては、日経マ
グロウヒル社刊１９８４年６月１１日発行「マイクロデ
バイセズＪｐ１７２〜１７５があげられる。
〔発明が解決しようとする課題１ しかるに、超音波併用熱ＩＥ着クワイヤボンディング装
置より、ワイヤボンディングするに、当該装置の超音波
伝達アームにより、ワイヤボンディングしようとするリ
ードフレームのインナーリードや半導体素子な有するチ
ップに印加される超音波の方向は一方向であり、従って
、リードフレームのインナーリードが四方向あるコ゛う
な場合、超音波の方向に沿うインナーリードでは一般に
接続強度が犬となるのに対し、超音波の方向に直角に配
されたインナーリードでは接続強度がそれに比して弱く
なるといつように、全インナーリードで接続強度が不均
一となり、接続の安定性を欠如させることになる。
本発明はかかる従来挾術の有する欠点を解消することを
目的としたものである。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および原付図面からあきらかになるであ
ろう。
〔課題な解決するための手段〕
本願においで開示される発明のうち代表的なものの概要
な簡単に説明すれば、下記のとおりである。
本発明ではワイヤボンディングに際し、リードフレーム
の全インナーリード部およびアイランド部ナフレーム枠
の対角線上に位置させてワイヤボンディングを行なうよ
うにする。
〔作用〕
これにより、全てのインナーリード部は、超音波の印加
方向に対し一定の角度に位！することになるので、超音
波の印加が同じように行われ、従って、インナーリード
間で接続強度が均一化され、安定した接続をなし得る。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図に、本発明に使用されるリードフレームの一例パ
ターン図を平面図で示す。また、第２図に当該リードフ
レームを用（・る木兄１男のワイヤボンディング方法の
実施例図を示す。
本実施例のリードフレームは、その中央部の半導体素子
を有するチップを搭載するアイランド部１と、その周辺
に当該アイランド部１に向って四方向に伸びるインナー
リード部２と、該インナーリード部に連結したアウター
リード部３と、該アウターリード部の外側に枠組された
フレーム枠４とを有してなる。
フレーム枠４は、上下に平行に設げられた外枠４Ａと、
該外枠４Ａに対し直角方向に平行に設けられた内枠４Ｂ
とから成り、アイランド部（タフ部）１はその四隅から
延設されたタブ吊りリード１人により支持され、これら
タブ吊りリードＩＡは図示のように上下の外枠４Ａおよ
び左右の内枠４Ｂに連結している。
各アウターリード部３は、外枠４Ａと内枠４Ｂとに連結
されている。
当該第１図に示すように、当該リードフレームの各イン
ナーリード部２は、外枠４Ａと内枠４Ｂとの交点間な結
ぶ対角？ＩＭＸに沿って配設され、タブ吊りリードＩＡ
を通るｉＹと対角線Ｘとで形成される角度θは４５°と
なっている。
アイランド部１は外枠とＡに対し４５°の角度で保持さ
れている。
従来の四方向にインナーリード部の設けられたリードフ
レームは、そのアイランド部が外枠４Ａおよび内枠４Ｂ
に平行に支持され、四隅のタブ吊りリードＩＡは外枠４
Ａと内枠４Ｂとの交点に連結され、各インナーリード部
は当該外枠４Ａや内枠４Ｂに平行にアイランド部に向っ
て伸びて（・る。
それ故、第２図に示すように、超音波併用熱圧着ワイヤ
ボンディング装置において、ヒートステージ５で、その
リードフレームを加熱し、フレームガイド６間に固定し
、発振器７のボンディングヘッド８．該ヘッド８に連結
した超音波伝達アーム９．該アーム９の先端に取付けた
ボンディングツール１０を介して、超音波を印加しで、
コネクタワイヤ１１をたぐり出しながら、ワイヤボンデ
ィングな行なうときに、超音波の振動方向は矢標に示す
ように、一方向であるので、四方向リードフレームの上
下のインナーリード部に比して左右のインナーリード部
の接続強度は弱くなり、不均一となり易い。これに対し
、本発明のように、リードフレームの全てのインナーリ
ード部２およびアイランド部１な第１図および第２図に
示すように４５°の角度なもたせて、フレームガイド６
間に固定して、リードフレームのアイランド部１上に、
半導体素子２有するナツプ１２な搭載固着して、コネク
タワイヤ１１な用いて、ワイヤボンディングするときに
は、全部のインナーリード部２に対し同一方向に、一方
向性の超音波が印加されるので、インナーリード都２間
に接続強度の強弱が生じ難く、勾−で安定した当該チッ
プ１２と各インナーリード部２との接合状態な得ること
ができる。
当該半導体ふ子を有するチップ１２は、例えばシリコン
単結晶基板から成り、周知の技術によってこのチップ内
には多数の回路素子が形成され、１つの回路機能が与え
られて（・る。回路素子の具体例は、例えばＭＯＳ）ラ
ンジスタから成り、これらの回路素子によって、例えば
論理回路およびメモリの回路機能が形成されている。
以上本発明者によってなされた発明を実症例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはい５までもな（・。
本発明は四方向にインナーリード部を有するリードフレ
ームな、ステージ上で回転させて方向を変えるので畦な
くフレームガイドによりリードフレームな固定しつつ一
定方向にリードフレームな移送してワイヤボンディング
してし・く場合に適用して有効であるが、これに限定さ
れず二方向のインナーリード部を有するリードフレーム
を用（・るデュアルインラインパッケージの組立などに
も適用することができる。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
本発明によればワ・ｆヤポンディングにおける接続強度
を均一化することかでき、ワイヤボンデイングの歩留向
上および半導体装置の信頼性の向上に寄与することがで
きた。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例な示す平面図、第２図は本発明
の実施例を示３−ワイヤボンディング工程の説明図であ
る。 １・・・アイランド部、ＩＡ・・・タブ吊りリード、２
・・アウターリード部、４・・・フレーム枠、４Ａ・外
枠、４Ｂ　・内枠、５・・・ヒートステージ、６・・・
フレームガイド、７・・・発振器、８・・・ボンディン
グヘッド、９・・・超音波伝達アーム、１０・・・ボン
ディングツール、１１・・・コネクタワイヤ、１２・・
・半導体素子を有するチップ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、リードフレームと半導体素子を有するチップとをコ
    ネクタワイヤを使用して超音波併用熱圧着によるワイヤ
    ボンディングをする際に、前記リードフレームの全ての
    インナーリード部および前記半導体素子を有するチップ
    を搭載するアイランド部を当該リードフレームのフレー
    ム枠の対角線上に位置させてワイヤボンディングを行な
    うことを特徴とする超音波併用熱圧着ワイヤボンディン
    グ方法。 ２、リードフレームが四方向にインナーリード部を有す
    るリードフレームである、請求項１に記載のワイヤボン
    ディング方法。
JP1178148A 1989-07-12 1989-07-12 ワイヤボンディング方法 Pending JPH0344051A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5898214A (en) * 1997-06-20 1999-04-27 Nec Corporation Wire bonding device
KR20030057188A (ko) * 2001-12-28 2003-07-04 동부전자 주식회사 반도체패키지 제조용 다이 본더의 픽업 장치
US6670706B2 (en) 1999-05-31 2003-12-30 Nec Corporation Semiconductor device including a semiconductor pellet having bump electrodes connected to pad electrodes of an interconnect board and method for manufacturing same
JP2006292573A (ja) * 2005-04-12 2006-10-26 Nishimatsu Constr Co Ltd スケール

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KR20030057188A (ko) * 2001-12-28 2003-07-04 동부전자 주식회사 반도체패키지 제조용 다이 본더의 픽업 장치
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