JP2954093B2 - ワイヤボンディング装置 - Google Patents

ワイヤボンディング装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の組立
工程において、半導体素子を有するチップとリードフレ
ームのインナーリード部とを金属細線を用いて超音波に
より接続するワイヤボンディングに用いて好適なワイヤ
ボンディング装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のワイヤボンディング装置として
は、例えば、特開平3−44051号公報に開示されて
いる装置がある。図3はこのワイヤボンディング装置に
適用されるリードフレームを示す平面図であり、図にお
いて、1は複数のタブ吊りリード1Aを有する正方形状
のアイランド部、2はアイランド部1の周囲に配設され
たインナーリード部、3はインナーリード部2の周囲に
配設されたアウターリード部、4は外枠4Aと内枠4B
とからなるフレーム枠である。
【0003】該リードフレームの各インナーリード部2
は、外枠4Aと内枠4Bとの交点間を結ぶ対角線Xに沿
って配設され、タブ吊りリード1Aを通る線Yと対角線
Xとのなす角度θは45°となっている。
【0004】図4はこのワイヤボンディング装置を示す
斜視図であり、図において、5はリードフレームを加熱
するヒートステージ、6はリードフレームを搬送し保持
するフレームガイド、7は超音波発振器、8はボンディ
ングヘッド、9はボンディングヘッド8に取り付けられ
た超音波伝達アーム、10は超音波伝達アーム9の先端
部に取り付けられたボンディングツールである。なお、
11はコネクタワイヤ、12は半導体素子を有するチッ
プである。
【0005】このワイヤボンディング装置では、フレー
ム枠4の搬送方向に対し、ボンディングヘッド8に取り
付けられている超音波伝達アーム9とボンディングツー
ル10により90°の角度を持たせた方向に超音波をか
けている。また、リードフレームは、全てのインナーリ
ード部2、2、…の長手方向に超音波が45°の角度で
伝わる様、リードフレームの形状を、全てのインナーリ
ード部2、2、…及びアウターリード部3、3、…が共
に、フレーム枠4に対して45°傾く様設計されてい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】第1の問題点は、従来
のワイヤボンディング装置では、リードフレームのコス
トが高くなり、その結果、このリードフレームを用いた
半導体装置の製造原価が高くなる点である。その理由
は、アイランド部1、インナーリード部2、アウターリ
ード部3全てを45°傾けることにより、従来では外枠
と共用していたアウターリード部を別個設けることにな
り、フレームサイズ及びフレーム面積が増加するためで
ある。
【0007】第2の問題点は、従来のリードフレームが
使用できないために、リードフレームの設計を全て変更
し、作り直さなければならず、膨大な費用が発生する点
である。その理由は、今までに用いられている、一般的
なリードフレームの設計では、全てのインナーリード部
やアウターリード部が、フレーム枠に対して0゜または
90°になる様に設計されているからである。
【0008】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であって、リードフレームのインナーリード部及び半導
体素子を有するチップに対して超音波の印加方向のバラ
ツキを小さくすることができ、また、従来のリードフレ
ームをそのまま使用することができ、しかも、装置の大
型化を招くことのない、ワイヤボンディング装置を提供
することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様なワイヤボンディング装置を採用し
た。すなわち、請求項1記載のワイヤボンディング装置
は、半導体素子を有するチップを搭載し、かつ複数のイ
ンナーリード部を有するリードフレームを所定の方向に
搬送するフレームガイドと、前記チップと該フレームガ
イドの搬送方向に対して平行または直交する方向に延在
する前記インナーリード部とを金属細線を用いて超音波
により接続するボンディングツールと、該ボンディング
ツールを保持するアームと、該アームを前記リードフレ
ームに対して進退自在に支持するボンディングヘッド
と、該ボンディングヘッドを保持し前記リードフレーム
に対して移動自在なるステージとを備えたもので、前記
アームは、その進退方向が前記リードフレームの搬送方
向に対して斜めに交差するように前記ボンディングヘッ
ドに支持したものである。
【0010】請求項2記載のワイヤボンディング装置
は、前記アームの進退方向と前記リードフレームの搬送
方向とのなす角度を45度としたものである。 請求項3
記載のワイヤボンディング装置は、前記インナーリード
部の長手方向と超音波の印加方向とのなす角度を45度
としたものである。
【0011】本発明のワイヤボンディング装置では、ボ
ンディングツールを保持するアームを、その進退方向が
前記リードフレームの搬送方向に対して斜めに交差する
ように前記ボンディングヘッドに支持したことにより、
前記インナーリード部及び半導体素子を有するチップそ
れぞれに対して超音波の印加方向が一定となり、超音波
の印加方向のバラツキが小さくなる。これにより、同一
条件のボンディング状態が実現され、ボンディング接合
強度もばらつかず、安定する。
【0012】また、従来のリードフレームをそのまま使
用することができることにより、リードフレームの設計
を変更する必要がなく、新たな費用の発生等もなく、経
済的である。しかも、アームの角度を変えるだけでよい
ので、ステージ上のボンディングヘッドの取付位置を変
更するだけで済み、装置の大型化を招くことがなく、装
置の高価格化も防止される。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明のワイヤボンディン
グ装置の一実施形態について図面に基づき説明する。図
1は本発明の一実施形態に係るワイヤボンディング装置
を示す平面図であり、図において、21は半導体素子を
有するチップ31とリードフレーム41のインナーリー
ド部42とを金属細線を用いて超音波により接続するボ
ンディングツール、22は先端部にボンディングツール
21を保持する超音波伝達アームである。
【0014】また、23は超音波伝達アーム22をリー
ドフレーム41に対して進退自在に支持し、インナーリ
ード部42に対し45゜の角度を保持するボンディング
ヘッド、24はボンディングヘッド23を保持しリード
フレーム41に対して移動自在とするように2軸(図中
X軸及びY軸)方向に駆動制御可能なボンディングステ
ージ、25はリードフレーム41を搬送し、ワイヤボン
ディング時に所定位置に保持するフレームガイドであ
る。なお、ボンディングステージ24の2軸の方向は、
構造によっては問わない。
【0015】前記超音波伝達アーム22は、その進退方
向(図中矢印方向)が全てのインナーリード部42の長
手方向に対して所定の角度(ここでは、45゜)を保持
する様に支持され、全てのインナーリード部42に対し
45゜の角度で超音波を印加するようになっている。
【0016】前記リードフレーム41は、図2に示すよ
うに、一般に使用されるリードフレームの1種であり、
正方形状のアイランド部43と、アイランド部43の周
囲に配設された複数のインナーリード部42と、インナ
ーリード部42各々の外側に設けられたアウターリード
部44と、フレーム枠45と、フレーム枠45とアイラ
ンド部43とを接続する吊りリード46とから構成され
ている。インナーリード部42は、フレーム枠45に対
し0゜か90゜かのいずれかの角度で固定されている。
【0017】次に、このワイヤボンディング装置の動作
について説明する。ここでは、リードフレーム41の全
てのインナーリード部42、42、…は、フレームガイ
ド25の搬送方向に対し0゜か90゜かのいずれかの角
度となるように配列されているので、この全てのインナ
ーリード部42、42、…に対して45゜の角度でボン
ディングツール21が振動するように、超音波伝達アー
ム22とボンディングヘッド23をボンディングステー
ジ24上に取り付ける。ボンディングステージ24は、
X軸方向及びY軸方向に駆動制御可能とする。
【0018】フレームガイド25により搬送されたリー
ドフレーム41は、1つずつ、アイランド部43上に搭
載されたチップ31のパッド部(図示せず)とインナー
リード部42、42、…それぞれを、ボンディングステ
ージ24のX軸及びY軸駆動により、上部に取り付けら
れたボンディングヘッド23から超音波伝達アーム22
を経由してボンディングツール21の先端から45゜の
角度をもって超音波を印加し、ワイヤボンディングを行
なう。
【0019】このワイヤボンディング装置によれば、超
音波伝達アーム22を、その進退方向(図中矢印方向)
が全てのインナーリード部42の長手方向に対して所定
の角度(ここでは、45゜)を保持する様に支持し、全
てのインナーリード部42に対し45゜の角度で超音波
を印加するようにしたので、全てのインナーリード部4
2及びチップ31の各パッドそれぞれに対して超音波の
印加方向を一定にし、超音波の印加方向のバラツキを小
さくすることができる。したがって、同一条件のボンデ
ィング状態を実現することが可能になり、ボンディング
接合強度のばらつきを小さし安定させることができる。
【0020】また、従来のリードフレーム41をそのま
ま使用することができるので、従来のように、フレーム
枠4に対してアイランド部1とインナーリード部2を4
5°の角度で設計した場合に生じる、フレームサイズの
大型化及びフレーム面積の増加という問題が生ずる虞が
なく、リードフレームの原価を低減させることができ
る。
【0021】また、リードフレームの設計を全て変更し
作り直すことと比べて、ボンディングヘッド23の取付
改造費のみで済むため、全てのインナーリード部42に
45゜の角度で超音波を印加するための投資(費用)を
安く抑えることができる。
【0022】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明のワイヤボン
ディング装置によれば、ボンディングツールを保持する
アームを、その進退方向が前記リードフレームの搬送方
向に対して斜めに交差するように前記ボンディングヘッ
ドに支持したので、前記インナーリード部及び半導体素
子を有するチップそれぞれに対して超音波の印加方向を
一定にすることができ、超音波の印加方向のバラツキを
小さくすることができる。したがって、同一条件のボン
ディング状態を実現することができ、ボンディング接合
強度のバラツキも極めて小さく安定させることができ、
得られた半導体装置の品質及び信頼性を向上させること
ができる。
【0023】また、従来のリードフレームをそのまま使
用することができるので、リードフレームの設計を変更
する必要がなく、また、新たな費用の発生等もなく、経
済効果がある。しかも、アームの角度を変えるだけでよ
いので、ステージ上のボンディングヘッドの取付位置を
変更するだけで済み、装置の大型化を招く虞がなく、装
置の高価格化を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態に係るワイヤボンディン
グ装置を示す平面図である。
【図2】 本発明の一実施形態に係るワイヤボンディン
グ装置に適用されるリードフレームを示す平面図であ
る。
【図3】 従来のワイヤボンディング装置に適用される
リードフレームを示す平面図である。
【図4】 従来のワイヤボンディング装置を示す斜視図
である。
【符号の説明】
21 ボンディングツール 22 超音波伝達アーム 23 ボンディングヘッド 24 ボンディングステージ 25 フレームガイド 31 半導体素子を有するチップ 41 リードフレーム 42 インナーリード部 43 アイランド部 44 アウターリード部 45 フレーム枠 46 吊りリード

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体素子を有するチップを搭載し、か
    つ複数のインナーリード部を有するリードフレームを所
    定の方向に搬送するフレームガイドと、 前記チップと該フレームガイドの搬送方向に対して平行
    または直交する方向に延在する前記インナーリード部
    を金属細線を用いて超音波により接続するボンディング
    ツールと、 該ボンディングツールを保持するアームと、 該アームを前記リードフレームに対して進退自在に支持
    するボンディングヘッドと、 該ボンディングヘッドを保持し前記リードフレームに対
    して移動自在なるステージとを備え、 前記アームは、その進退方向が前記リードフレームの搬
    送方向に対して斜めに交差するように前記ボンディング
    ヘッドに支持されていることを特徴とするワイヤボンデ
    ィング装置。
  2. 【請求項2】 前記アームの進退方向と前記リードフレ
    ームの搬送方向とのなす角度は45度であることを特徴
    とする請求項1記載のワイヤボンディング装置。
  3. 【請求項3】 前記インナーリード部の長手方向と超音
    波の印加方向とのなす角度は45度であることを特徴と
    する請求項1記載のワイヤボンディング装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6975021B1 (en) * 1999-09-03 2005-12-13 Micron Technology, Inc. Carrier for substrate film
KR20030057188A (ko) * 2001-12-28 2003-07-04 동부전자 주식회사 반도체패키지 제조용 다이 본더의 픽업 장치
US20060054283A1 (en) * 2002-09-26 2006-03-16 Toray Engineering Co., Ltd. Joining apparatus

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0344051A (ja) * 1989-07-12 1991-02-25 Hitachi Ltd ワイヤボンディング方法
US5801432A (en) * 1992-06-04 1998-09-01 Lsi Logic Corporation Electronic system using multi-layer tab tape semiconductor device having distinct signal, power and ground planes
US5808354A (en) * 1994-11-21 1998-09-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Lead frame for a semiconductor device comprising inner leads having a locking means for preventing the movement of molding compound against the inner lead surface

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US5898214A (en) 1999-04-27
JPH1116935A (ja) 1999-01-22

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