JPH11135543A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JPH11135543A
JPH11135543A JP29657897A JP29657897A JPH11135543A JP H11135543 A JPH11135543 A JP H11135543A JP 29657897 A JP29657897 A JP 29657897A JP 29657897 A JP29657897 A JP 29657897A JP H11135543 A JPH11135543 A JP H11135543A
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bonding
bonding tool
lead frame
inner leads
head
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JP29657897A
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Haruhiko Makino
晴彦 牧野
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Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 装置構成の複雑化や生産性の低下を招くこと
なく、互いに対応するインナーリードと電極部とを、均
一でしかも高いボンディング強度をもって接合すること
ができる半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 半導体チップ上に形成された複数の電極
部と、各々の電極部に対応してリードフレームFに形成
された複数本のインナーリードとを、超音波振動を利用
しつつ順に接合する半導体製造装置において、所定の方
向に超音波振動するボンディングツール6を有し、かつ
そのボンディングツール6の振動方向がリードフレーム
Fの長手方向Xと略平行に設定された第1のボンディン
グヘッドと、所定の方向と直交する方向に超音波振動す
るボンディングツール10を有し、かつそのボンディン
グツール10の振動方向がリードフレームFの短手方向
Yと略平行に設定された第2のボンディングヘッドとを
備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ上に
形成された複数の電極部と、各々の電極部に対応してベ
ース基材に形成された複数本のインナーリードとを接合
する半導体製造装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、各種の半導体チップ(半導体集
積回路)の入出力端子となる電極部から、パッケージ外
部端子への引き出し方式として、金属ワイヤ(金ワイヤ
等)によるボールボンディング方式が採用されている。
一方、近年においては、フィルムキャリアテープを用い
たTAB(Tape Automated Bonding)方式の組立技術とし
て、インナーリードそのものが金属ワイヤの代わりとな
って半導体チップ上の電極部に直に接合される、いわゆ
るインナーリードボンディングと呼ばれる技術が知られ
ている。
【0003】インナーリードボンディング技術には、イ
ンナーリードの本数に無関係に一括接合するギャングボ
ンディング方式と、インナーリードを1本づつ接合する
シングルポイントボンディング方式といった二つの方式
がある。特に、シングルポイントボンディング方式の場
合は、ボンディングの信頼性に優れることから、高い歩
留りが要求される多ピンの半導体製造技術として有効な
手段となっている。
【0004】このシングルポイントボンディング方式で
は、先ず、半導体チップの各々の電極部に対し、これに
対応するインナーリードの先端部を対向状態に近接配置
する。この時点では、既に電極部に対するインナーリー
ドの接合面に、アルミニウム,金などのメッキ処理(ま
たはバンプ形成)がなされている。次に、この状態の下
で、インナーリードの上方からボンディングツールを下
降させる。このとき、ボンディングツールには超音波と
荷重が加えられ、半導体チップには熱が加えられること
で、インナーリードの先端部と半導体チップの電極部と
が超音波熱圧着の原理にて接合される。以降は、同様の
繰り返し作業によって残りのインナーリードが1本づつ
接合されることになる。
【0005】ところで一般に、リードフレームは、金属
材料(銅等)を薄く延ばした長尺状をなし、そのフレー
ム内に複数本のインナーリードが形成されている。そし
て、それらのインナーリードの中には、リードフレーム
の長手方向に沿うものと、リードフレームの短手方向に
沿うものとがある。これに対して、シングルポイントボ
ンディングを行う従来の半導体製造装置(ボンダー)で
は、リードフレームの短手方向と平行にボンディングツ
ールが超音波振動しながら、インナーリードを1本づつ
接合するようになっている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】そのため従来において
は、図3に示すように、超音波ホーン30に取り付けら
れたボンディングツール31を、前述のようにリードフ
レームの短手方向(図のY方向)と平行に超音波振動さ
せると、リードフレームの長手方向(図のX方向)に沿
って形成されたインナーリードLxは、そのリード幅方
向(図のY方向)に超音波振動を受けて半導体チップC
の電極部Pxに接合され、リードフレームの短手方向
(図のY方向)に沿って形成されたインナーリードLy
は、そのリード長さ方向(図のX方向)に超音波振動を
受けて電極部Pyに接合されることから、超音波振動の
加わり方の違いでボンディング強度やボンディング幅に
バラツキが生じていた。
【0007】また近年においては、半導体チップCの高
集積化に伴ってボンディングピッチがますます狭くなっ
ているため、特に、リードフレームの長手方向Xに沿う
インナーリードLx側では、ボンディング時における接
合金属のはみ出し(一般的にはリード幅に対して10〜
20%ほど膨らむ)が大きくなって電気的なショート不
良になり易く、歩留りおよび信頼性の低下につながる虞
れがあった。
【0008】そこで従来においては、ボンディング作業
途中に、ボンディング対象部品を90°回転させるか、
もしくはボンディングツールの向きを90°回転させる
などして、ボンディングツールの振動方向をインナーリ
ードの長さ方向に合わせながら接合する装置も提示され
ている。
【0009】しかしながらこの場合は、ボンディング対
象部品またはボンディングツールを回転させるための機
構が別途必要になるため、装置構成の複雑化を招いてし
まうという問題があった。また、ボンディングツールを
安定して超音波振動させるには、それを支持する超音波
ホーンの長さを短する必要があるため、ボンディング作
業領域としては狭い範囲に限定される。したがって、狭
いボンディング作業領域でも完全に納まる程度の小さな
部品しか取り扱うことができず、生産性に優れたリード
フレーム形態を採用できなくなるという問題もあった。
【0010】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、その目的とするところは、装置構成の複雑
化や生産性の低下を招くことなく、互いに対応するイン
ナーリードと電極部とを、均一でしかも高いボンディン
グ強度をもって接合することができる半導体製造装置を
提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたもので、半導体チップ上に形成さ
れた複数の電極部と、各々の電極部に対応して長尺状の
ベース基材に形成された複数本のインナーリードとを、
超音波振動を利用しつつ順に接合する半導体製造装置に
おいて、所定の方向に超音波振動するボンディングツー
ルを有し、かつそのボンディングツールの振動方向がベ
ース基材の長手方向と略平行に設定された第1のボンデ
ィングヘッドと、所定の方向と直交する方向に超音波振
動するボンディングツールを有し、かつそのボンディン
グツールの振動方向がベース基材の短手方向と略平行に
設定された第2のボンディングヘッドとを備えた構成を
採用している。
【0012】上記構成からなる半導体製造装置において
は、第1のボンディングヘッドのボンディングツールが
ベース基材の長手方向と略平行に超音波振動し、第2の
ボンディングヘッドのボンディングツールがベース基材
の短手方向と略平行に超音波振動するため、ベース基材
の長手方向に沿って形成されたインナーリードについて
は第1のボンディングヘッドによって接合し、ベース基
材の短手方向に沿って形成されたインナーリードについ
ては第2のボンディングヘッドによって接合することに
より、ボンディング途中でいちいちベース基材を回転さ
せなくても、ベース基材に形成されている全てのインナ
ーリードに対し、それぞれのリード長さ方向に超音波振
動を加えつつ、半導体チップの電極部に接合可能とな
る。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しつつ詳細に説明する。図1は本発明に係
る半導体製造装置の一実施形態を示す斜視図である。図
1においては、二つの支持台1a,1bが、水平方向に
所定の隙間を隔てた状態で、それぞれ床面に設置されて
いる。また、これら二つの支持台1a,1bの上には、
その一方から他方にわたってリードフレーム搬送用のレ
ール2が直線状に敷設されている。
【0014】一方の支持台1aの上面には、レール2を
跨ぐようにして略門型の支持プレート3が固定されてい
る。また、支持プレート3の上部内側には、X軸テーブ
ル4a、Y軸テーブル4bおよびZ軸ボックス4cをユ
ニット化した移動駆動ユニット4が取り付けられてい
る。このうち、X軸テーブル4aは、その可動部がモー
タ駆動によってX方向に移動するもので、Y軸テーブル
4bは、その可動部がモータ駆動によってY方向に移動
するものである。また、Z軸ボックス4cは、その可動
部がモータ駆動によってZ方向(垂直方向)に移動(昇
降)するものである。
【0015】移動駆動ユニット4のZ軸ボックス4cか
らは、図中X方向(レール2の敷設方向)に沿って棒状
の超音波ホーン5が延出しており、その超音波ホーン5
の先端部にボンディングツール6が垂直に取り付けられ
ている。また、超音波ホーン5の近傍には、画像取込用
のカメラ(CCDカメラ等)7が下向きに配設されてい
る。以上の移動駆動ユニット4、超音波ホーン5、ボン
ディングツール6およびその周辺部材により、本発明に
係る第1のボンディングヘッドが構成されている。
【0016】この第1のボンディングヘッドにおいて
は、超音波ホーン5の駆動によってボンディングツール
6が図のX方向に超音波振動するようになっている。そ
して、そのボンディングツール6の振動方向は、レール
2に沿って搬送されるリードフレームFの長手方向と略
平行に設定されている。
【0017】これに対して、もう一方の支持台1bの上
面には、レール2の片側に位置するように移動駆動ユニ
ット8が搭載されている。この移動駆動ユニット8は、
上記同様にX軸テーブル8a、Y軸テーブル8bおよび
Z軸ボックス8cをユニット化したものである。移動駆
動ユニット8のZ軸ボックス8cからは、図中Y方向
(レール2の敷設方向と直交する方向)に沿って棒状の
超音波ホーン9が延出しており、その超音波ホーン9の
先端部にボンディングツール10が垂直に取り付けられ
ている。また、超音波ホーン9の近傍には、上記同様に
画像取込用のカメラ11が下向きに配設されている。以
上の移動駆動ユニット8、超音波ホーン9、ボンディン
グツール10およびその周辺部材により、本発明に係る
第2のボンディングヘッドが構成されている。
【0018】この第2のボンディングヘッドにおいて
は、超音波ホーン9の駆動によってボンディングツール
10が図のY方向に超音波振動するようになっている。
そして、そのボンディングツール10の振動方向は、レ
ール2に沿って搬送されるリードフレームFの短手方向
と略平行に設定されている。
【0019】ちなみに、装置全体の細かな操作や設定変
更等については、支持台1bの正面に取り付けられた操
作ボックス12を介してオペレータにより行われるよう
になっている。また、支持台1a,1bの間の隙間は、
実際のボンディング作業にあたって第1,第2のボンデ
ィングヘッドが駆動した場合でも、その振動で支持台1
a,1b同士が接触しない程度に設定されている。
【0020】続いて、上記構成からなる半導体製造装置
の動作手順について説明する。先ず、ボンディング対象
となるリードフレームFは、第2のボンディングヘッド
が搭載されている支持台1bに移送され、そこでレール
2に案内されて所定のボンディング位置まで搬送され
る。
【0021】次いで、リードフレームFの上方からカメ
ラ11で画像を取り込んで、図2(a)に示すように、
Y方向に沿うインナーリードLyの位置とこれに対応す
る半導体チップCの電極部Pyの位置を検出し、その検
出結果を基に両者の位置合わせを行う。
【0022】その後、移動駆動ユニット8のX軸テーブ
ル8aおよびY軸テーブル8bを駆動して超音波ホーン
9を水平二軸方向(X,Y方向)に適宜移動し、これに
よって最初にボンディングを行おうとするインナーリー
ドLyの真上にボンディングツール10を配置する。
【0023】続いて、移動駆動ユニット8のZ軸ボック
ス8cを駆動して超音波ホーン9を下降させることによ
り、ボンディングツール10の先端部(下端部)をイン
ナーリードLyに押し付けて、インナーリードLyと電
極部Pyとを超音波熱圧着の原理により接合する。
【0024】このとき、超音波ホーン9の振動方向はリ
ードフレームFの短手方向(Y方向)と略平行に設定さ
れ、それと同じ方向にボンディングツール10も振動し
ているため、ボンディング対象となるインナーリードL
yには、そのリード長さ方向(Y方向)に超音波振動が
印加されることになる。以後、同様の手順でY方向に沿
う残りのインナーリードLyを順に電極部Pyに接合し
ていく。
【0025】これにより、リードフレームFの短手方向
(Y方向)に沿って形成されたインナーリードLyにつ
いては、その幅方向への接合金属のはみ出しを抑えつ
つ、高いボンディング強度をもって電極部Pyに接合す
ることができる。
【0026】このようにしてリードフレームFの短手方
向に沿う全てのインナーリードLyを半導体チップCの
電極部Pyに接合し終えたら、続いて、そのリードフレ
ームFをレール2に沿ってもう一方の支持台1a上へと
移送し、その支持台1aに搭載されている第1のボンデ
ィングヘッド(移動駆動ユニット4)の真下に配置す
る。
【0027】次いで、リードフレームFの上方からカメ
ラ7で画像を取り込んで、図2(b)に示すように、X
方向に沿うインナーリードLxの位置とこれに対応する
半導体チップCの電極部Pxの位置を検出し、その検出
結果を基に両者の位置合わせを行う。
【0028】その後、移動駆動ユニット4のX軸テーブ
ル4aおよびY軸テーブル4bを駆動して超音波ホーン
5を水平二軸方向(X,Y方向)に適宜移動し、これに
よって最初にボンディングを行おうとするインナーリー
ドLxの真上にボンディングツール6を配置する。
【0029】続いて、移動駆動ユニット4のZ軸ボック
ス4cを駆動して超音波ホーン5を下降させることによ
り、ボンディングツール6の先端部(下端部)をインナ
ーリードLxに押し付けて、インナーリードLxと電極
部Pxとを超音波熱圧着の原理により接合する。
【0030】このとき、超音波ホーン5の振動方向はリ
ードフレームFの長手方向(X方向)と略平行に設定さ
れ、それと同じ方向にボンディングツール6も振動して
いるため、ボンディング対象となるインナーリードLx
には、そのリード長さ方向(X方向)に超音波振動が印
加されることになる。以後、同様の手順でX方向に沿う
残りのインナーリードLxを順に電極部Pxに接合して
いく。
【0031】これにより、リードフレームFの長手方向
(X方向)に沿って形成されたインナーリードLxにつ
いても、その幅方向への接合金属のはみ出しを抑えつ
つ、高いボンディング強度をもって電極部Pxに接合す
ることができる。
【0032】ちなみに、接合前のリードフレームFにつ
いては、支持台1aに搭載されている第1のボンディン
グヘッドと、支持台1bに搭載されている第2のボンデ
ィングヘッドのうち、どちらに先に移送してもかまわな
い。
【0033】このように本実施形態の半導体製造装置に
おいては、互いに直交する水平2軸方向X,Yのうち、
第1のボンディングヘッドはX方向に超音波振動するボ
ンディングツール6を備え、第2のボンディングヘッド
はY方向に超音波振動するボンディングツール10を備
えた構成となっているため、従来のようにボンディング
対象部品(リードフレーム等)を回転させたり、ボンデ
ィングヘッドを回転させたりしなくても、リードフレー
ムFに形成された全てのインナーリードLx,Lyに対
し、それぞれのリード長さ方向X,Yに超音波振動を加
えつつ、半導体チップCの電極部Px,Pyに接合する
ことができる。
【0034】これにより、装置構成の複雑化や生産性の
低下を招くことなく、インナーリードLx,Lyと電極
部Px,Pyとを均一かつ強固に接合することができ
る。また、インナーリードLx,Lyの双方で、それぞ
れ幅方向への接合金属のはみ出しが少なくなるため、隣
接するインナーリード間での電気的なショートも起こり
難くなる。したがって、歩留りおよび信頼性の向上が図
られる。
【0035】また、リードフレームFの長手方向(X方
向)に沿うインナーリードLxを第1のボンディングヘ
ッドで接合し、それと別のリードフレームFの短手方向
(Y方向)に沿うインナーリードLyを第2のボンディ
ングヘッドで接合することで、X,Y方向に沿うインナ
ーリードLx,Lyを実質的に同時進行形式で処理でき
るため、高い生産性が得られる。
【0036】さらに、所定の隙間を隔てて設置された別
々の支持台1a,1bに第1,第2のボンディングヘッ
ドを搭載するようにしたので、ボンディングヘッド相互
間においては、超音波ホーン5,9の駆動に伴う振動の
干渉や、移動駆動ユニット4,8の駆動に伴う振動の伝
わりを有効に阻止することができる。これにより、振動
相互の干渉によるボンディングツール6,10のブレを
防止することができるため、より安定した状態でインナ
ーリードLx,Lyと電極部Px,Pyとを接合するこ
とができる。
【0037】なお、上記実施形態においては、リードフ
レームFに形成されたインナーリードLx,Lyを半導
体チップCの電極部Px,Pyに順に接合する半導体製
造装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限ら
ず、フィルムキャリアテープに形成されたインナーリー
ドを半導体チップの電極部に順に接合する半導体製造装
置にも適用可能である。
【0038】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体製造装置によれば、第1のボンディングヘッドのボン
ディングツールがベース基材の長手方向と略平行に超音
波振動し、第2のボンディングヘッドのボンディングツ
ールがベース基材の短手方向と略平行に超音波振動する
構成になっているため、従来のようにボンディング対象
部品を回転させたり、ボンディングヘッドを回転させた
りしなくても、ベース基材に形成されている全てのイン
ナーリードに対し、それぞれのリード長さ方向に超音波
振動を加えつつ、半導体チップの電極部に接合可能とな
る。これにより、装置構成の複雑化や生産性の低下を招
くことなく、互いに対応するインナーリードと電極部と
を、均一でしかも高いボンディング強度をもって接合す
ることができる。また、各々のインナーリードにおいて
は、その幅方向への接合金属のはみ出しが少なくなるた
め、隣接するインナーリード間での電気的なショート
(短絡)が起きにくくなる。これにより、歩留りおよび
信頼性の向上が図られるとともに、半導体装置の多ピン
化への対応が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体製造装置の一実施形態を示
す斜視図である。
【図2】実施形態に係る半導体製造装置の動作手順を説
明する図である。
【図3】従来装置でのインナーリードと電極部の接合状
態を示す図である。
【符号の説明】
1a,1b…支持台、4,8…移動駆動ユニット、5,
9…超音波ホーン、6,10…ボンディングツール、C
…半導体チップ、F…リードフレーム、Lx,Ly…イ
ンナーリード、Px,Py…電極部

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップ上に形成された複数の電極
    部と、各々の電極部に対応して長尺状のベース基材に形
    成された複数本のインナーリードとを、超音波振動を利
    用しつつ順に接合する半導体製造装置において、 所定の方向に超音波振動するボンディングツールを有
    し、かつそのボンディングツールの振動方向が前記ベー
    ス基材の長手方向と略平行に設定された第1のボンディ
    ングヘッドと、 前記所定の方向と直交する方向に超音波振動するボンデ
    ィングツールを有し、かつそのボンディングツールの振
    動方向が前記ベース基材の短手方向と略平行に設定され
    た第2のボンディングヘッドとを備えたことを特徴とす
    る半導体製造装置。
  2. 【請求項2】 所定の隙間を隔てて横並びに設置された
    二つの支持台を具備するとともに、 一方の支持台に前記第1のボンディングヘッドを搭載
    し、他方の支持台に前記第2のボンディングヘッドを搭
    載してなることを特徴とする請求項1記載の半導体製造
    装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007103872A (ja) * 2005-10-07 2007-04-19 Ultrasonic Engineering Co Ltd ワイヤボンディング装置
JP2018512746A (ja) * 2015-04-14 2018-05-17 ジェイエムジェイ コリア カンパニー リミテッド 半導体基板の超音波ウェルディング接合装置
JPWO2020013257A1 (ja) * 2018-07-11 2021-06-24 株式会社新川 ワイヤボンディング装置
WO2022208624A1 (ja) * 2021-03-29 2022-10-06 平田機工株式会社 ワイヤボンディング装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007103872A (ja) * 2005-10-07 2007-04-19 Ultrasonic Engineering Co Ltd ワイヤボンディング装置
JP2018512746A (ja) * 2015-04-14 2018-05-17 ジェイエムジェイ コリア カンパニー リミテッド 半導体基板の超音波ウェルディング接合装置
JPWO2020013257A1 (ja) * 2018-07-11 2021-06-24 株式会社新川 ワイヤボンディング装置
WO2022208624A1 (ja) * 2021-03-29 2022-10-06 平田機工株式会社 ワイヤボンディング装置
TWI815375B (zh) * 2021-03-29 2023-09-11 日商平田機工股份有限公司 打線接合裝置
EP4303911A4 (en) * 2021-03-29 2024-05-08 Hirata Corporation WIRE CONNECTION DEVICE

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