JPH1116935A - ワイヤボンディング装置 - Google Patents
ワイヤボンディング装置Info
- Publication number
- JPH1116935A JPH1116935A JP9164741A JP16474197A JPH1116935A JP H1116935 A JPH1116935 A JP H1116935A JP 9164741 A JP9164741 A JP 9164741A JP 16474197 A JP16474197 A JP 16474197A JP H1116935 A JPH1116935 A JP H1116935A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- lead frame
- frame
- arm
- inner lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
- B23K20/004—Wire welding
- B23K20/005—Capillary welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/851—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector the connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01039—Yttrium [Y]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01075—Rhenium [Re]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 リードフレームのインナーリード部及び半導
体素子を有するチップそれぞれに対して超音波の印加方
向のバラツキを小さくすることができ、また、従来のリ
ードフレームをそのまま使用することができ、しかも、
装置の大型化を招くことのない、ワイヤボンディング装
置を提供する。 【解決手段】 半導体素子を有するチップ31とリードフ
レーム41のインナーリード部42とを金属細線を用いて超
音波により接続するボンディングツール21と、ボンディ
ングツール21を保持するアーム22と、アーム22をリード
フレーム41に対して進退自在に支持するボンディングヘ
ッド23と、ボンディングヘッド23を保持しリードフレー
ム41に対して移動自在なるステージ24とを備え、アーム
22の進退方向が全てのインナーリード部42の長手方向に
対して所定の角度を保持する様にボンディングヘッド23
に支持されていることを特徴とする。
体素子を有するチップそれぞれに対して超音波の印加方
向のバラツキを小さくすることができ、また、従来のリ
ードフレームをそのまま使用することができ、しかも、
装置の大型化を招くことのない、ワイヤボンディング装
置を提供する。 【解決手段】 半導体素子を有するチップ31とリードフ
レーム41のインナーリード部42とを金属細線を用いて超
音波により接続するボンディングツール21と、ボンディ
ングツール21を保持するアーム22と、アーム22をリード
フレーム41に対して進退自在に支持するボンディングヘ
ッド23と、ボンディングヘッド23を保持しリードフレー
ム41に対して移動自在なるステージ24とを備え、アーム
22の進退方向が全てのインナーリード部42の長手方向に
対して所定の角度を保持する様にボンディングヘッド23
に支持されていることを特徴とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の組立
工程において、半導体素子を有するチップとリードフレ
ームのインナーリード部とを金属細線を用いて超音波に
より接続するワイヤボンディングに用いて好適なワイヤ
ボンディング装置に関するものである。
工程において、半導体素子を有するチップとリードフレ
ームのインナーリード部とを金属細線を用いて超音波に
より接続するワイヤボンディングに用いて好適なワイヤ
ボンディング装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のワイヤボンディング装置として
は、例えば、特開平3−44051号公報に開示されて
いる装置がある。図3はこのワイヤボンディング装置に
適用されるリードフレームを示す平面図であり、図にお
いて、1は複数のタブ吊りリード1Aを有する正方形状
のアイランド部、2はアイランド部1の周囲に配設され
たインナーリード部、3はインナーリード部2の周囲に
配設されたアウターリード部、4は外枠4Aと内枠4B
とからなるフレーム枠である。
は、例えば、特開平3−44051号公報に開示されて
いる装置がある。図3はこのワイヤボンディング装置に
適用されるリードフレームを示す平面図であり、図にお
いて、1は複数のタブ吊りリード1Aを有する正方形状
のアイランド部、2はアイランド部1の周囲に配設され
たインナーリード部、3はインナーリード部2の周囲に
配設されたアウターリード部、4は外枠4Aと内枠4B
とからなるフレーム枠である。
【0003】該リードフレームの各インナーリード部2
は、外枠4Aと内枠4Bとの交点間を結ぶ対角線Xに沿
って配設され、タブ吊りリード1Aを通る線Yと対角線
Xとのなす角度θは45°となっている。
は、外枠4Aと内枠4Bとの交点間を結ぶ対角線Xに沿
って配設され、タブ吊りリード1Aを通る線Yと対角線
Xとのなす角度θは45°となっている。
【0004】図4はこのワイヤボンディング装置を示す
斜視図であり、図において、5はリードフレームを加熱
するヒートステージ、6はリードフレームを搬送し保持
するフレームガイド、7は超音波発振器、8はボンディ
ングヘッド、9はボンディングヘッド8に取り付けられ
た超音波伝達アーム、10は超音波伝達アーム9の先端
部に取り付けられたボンディングツールである。なお、
11はコネクタワイヤ、12は半導体素子を有するチッ
プである。
斜視図であり、図において、5はリードフレームを加熱
するヒートステージ、6はリードフレームを搬送し保持
するフレームガイド、7は超音波発振器、8はボンディ
ングヘッド、9はボンディングヘッド8に取り付けられ
た超音波伝達アーム、10は超音波伝達アーム9の先端
部に取り付けられたボンディングツールである。なお、
11はコネクタワイヤ、12は半導体素子を有するチッ
プである。
【0005】このワイヤボンディング装置では、フレー
ム枠4の搬送方向に対し、ボンディングヘッド8に取り
付けられている超音波伝達アーム9とボンディングツー
ル10により90°の角度を持たせた方向に超音波をか
けている。また、リードフレームは、全てのインナーリ
ード部2、2、…の長手方向に超音波が45°の角度で
伝わる様、リードフレームの形状を、全てのインナーリ
ード部2、2、…及びアウターリード部3、3、…が共
に、フレーム枠4に対して45°傾く様設計されてい
る。
ム枠4の搬送方向に対し、ボンディングヘッド8に取り
付けられている超音波伝達アーム9とボンディングツー
ル10により90°の角度を持たせた方向に超音波をか
けている。また、リードフレームは、全てのインナーリ
ード部2、2、…の長手方向に超音波が45°の角度で
伝わる様、リードフレームの形状を、全てのインナーリ
ード部2、2、…及びアウターリード部3、3、…が共
に、フレーム枠4に対して45°傾く様設計されてい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】第1の問題点は、従来
のワイヤボンディング装置では、リードフレームのコス
トが高くなり、その結果、このリードフレームを用いた
半導体装置の製造原価が高くなる点である。その理由
は、アイランド部1、インナーリード部2、アウターリ
ード部3全てを45°傾けることにより、従来では外枠
と共用していたアウターリード部を別個設けることにな
り、フレームサイズ及びフレーム面積が増加するためで
ある。
のワイヤボンディング装置では、リードフレームのコス
トが高くなり、その結果、このリードフレームを用いた
半導体装置の製造原価が高くなる点である。その理由
は、アイランド部1、インナーリード部2、アウターリ
ード部3全てを45°傾けることにより、従来では外枠
と共用していたアウターリード部を別個設けることにな
り、フレームサイズ及びフレーム面積が増加するためで
ある。
【0007】第2の問題点は、従来のリードフレームが
使用できないために、リードフレームの設計を全て変更
し、作り直さなければならず、膨大な費用が発生する点
である。その理由は、今までに用いられている、一般的
なリードフレームの設計では、全てのインナーリード部
やアウターリード部が、フレーム枠に対して0゜または
90°になる様に設計されているからである。
使用できないために、リードフレームの設計を全て変更
し、作り直さなければならず、膨大な費用が発生する点
である。その理由は、今までに用いられている、一般的
なリードフレームの設計では、全てのインナーリード部
やアウターリード部が、フレーム枠に対して0゜または
90°になる様に設計されているからである。
【0008】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であって、リードフレームのインナーリード部及び半導
体素子を有するチップに対して超音波の印加方向のバラ
ツキを小さくすることができ、また、従来のリードフレ
ームをそのまま使用することができ、しかも、装置の大
型化を招くことのない、ワイヤボンディング装置を提供
することにある。
であって、リードフレームのインナーリード部及び半導
体素子を有するチップに対して超音波の印加方向のバラ
ツキを小さくすることができ、また、従来のリードフレ
ームをそのまま使用することができ、しかも、装置の大
型化を招くことのない、ワイヤボンディング装置を提供
することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様なワイヤボンディング装置を採用し
た。すなわち、請求項1記載のワイヤボンディング装置
は、半導体素子を有するチップとリードフレームのイン
ナーリード部とを金属細線を用いて超音波により接続す
るボンディングツールと、該ボンディングツールを保持
するアームと、該アームを前記リードフレームに対して
進退自在に支持するボンディングヘッドと、該ボンディ
ングヘッドを保持し前記リードフレームに対して移動自
在なるステージとを備えたもので、前記アームは、その
進退方向が全ての前記インナーリード部の長手方向に対
して所定の角度を保持する様に前記ボンディングヘッド
に支持したものである。
に、本発明は次の様なワイヤボンディング装置を採用し
た。すなわち、請求項1記載のワイヤボンディング装置
は、半導体素子を有するチップとリードフレームのイン
ナーリード部とを金属細線を用いて超音波により接続す
るボンディングツールと、該ボンディングツールを保持
するアームと、該アームを前記リードフレームに対して
進退自在に支持するボンディングヘッドと、該ボンディ
ングヘッドを保持し前記リードフレームに対して移動自
在なるステージとを備えたもので、前記アームは、その
進退方向が全ての前記インナーリード部の長手方向に対
して所定の角度を保持する様に前記ボンディングヘッド
に支持したものである。
【0010】請求項2記載のワイヤボンディング装置
は、前記角度を45度としたものである。
は、前記角度を45度としたものである。
【0011】本発明のワイヤボンディング装置では、ボ
ンディングツールを保持するアームを、その進退方向が
全ての前記インナーリード部の長手方向に対して所定の
角度を保持する様に前記ボンディングヘッドに支持した
ことにより、前記インナーリード部及び半導体素子を有
するチップそれぞれに対して超音波の印加方向が一定と
なり、超音波の印加方向のバラツキが小さくなる。これ
により、同一条件のボンディング状態が実現され、ボン
ディング接合強度もばらつかず、安定する。
ンディングツールを保持するアームを、その進退方向が
全ての前記インナーリード部の長手方向に対して所定の
角度を保持する様に前記ボンディングヘッドに支持した
ことにより、前記インナーリード部及び半導体素子を有
するチップそれぞれに対して超音波の印加方向が一定と
なり、超音波の印加方向のバラツキが小さくなる。これ
により、同一条件のボンディング状態が実現され、ボン
ディング接合強度もばらつかず、安定する。
【0012】また、従来のリードフレームをそのまま使
用することができることにより、リードフレームの設計
を変更する必要がなく、新たな費用の発生等もなく、経
済的である。しかも、アームの角度を変えるだけでよい
ので、ステージ上のボンディングヘッドの取付位置を変
更するだけで済み、装置の大型化を招くことがなく、装
置の高価格化も防止される。
用することができることにより、リードフレームの設計
を変更する必要がなく、新たな費用の発生等もなく、経
済的である。しかも、アームの角度を変えるだけでよい
ので、ステージ上のボンディングヘッドの取付位置を変
更するだけで済み、装置の大型化を招くことがなく、装
置の高価格化も防止される。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明のワイヤボンディン
グ装置の一実施形態について図面に基づき説明する。図
1は本発明の一実施形態に係るワイヤボンディング装置
を示す平面図であり、図において、21は半導体素子を
有するチップ31とリードフレーム41のインナーリー
ド部42とを金属細線を用いて超音波により接続するボ
ンディングツール、22は先端部にボンディングツール
21を保持する超音波伝達アームである。
グ装置の一実施形態について図面に基づき説明する。図
1は本発明の一実施形態に係るワイヤボンディング装置
を示す平面図であり、図において、21は半導体素子を
有するチップ31とリードフレーム41のインナーリー
ド部42とを金属細線を用いて超音波により接続するボ
ンディングツール、22は先端部にボンディングツール
21を保持する超音波伝達アームである。
【0014】また、23は超音波伝達アーム22をリー
ドフレーム41に対して進退自在に支持し、インナーリ
ード部42に対し45゜の角度を保持するボンディング
ヘッド、24はボンディングヘッド23を保持しリード
フレーム41に対して移動自在とするように2軸(図中
X軸及びY軸)方向に駆動制御可能なボンディングステ
ージ、25はリードフレーム41を搬送し、ワイヤボン
ディング時に所定位置に保持するフレームガイドであ
る。なお、ボンディングステージ24の2軸の方向は、
構造によっては問わない。
ドフレーム41に対して進退自在に支持し、インナーリ
ード部42に対し45゜の角度を保持するボンディング
ヘッド、24はボンディングヘッド23を保持しリード
フレーム41に対して移動自在とするように2軸(図中
X軸及びY軸)方向に駆動制御可能なボンディングステ
ージ、25はリードフレーム41を搬送し、ワイヤボン
ディング時に所定位置に保持するフレームガイドであ
る。なお、ボンディングステージ24の2軸の方向は、
構造によっては問わない。
【0015】前記超音波伝達アーム22は、その進退方
向(図中矢印方向)が全てのインナーリード部42の長
手方向に対して所定の角度(ここでは、45゜)を保持
する様に支持され、全てのインナーリード部42に対し
45゜の角度で超音波を印加するようになっている。
向(図中矢印方向)が全てのインナーリード部42の長
手方向に対して所定の角度(ここでは、45゜)を保持
する様に支持され、全てのインナーリード部42に対し
45゜の角度で超音波を印加するようになっている。
【0016】前記リードフレーム41は、図2に示すよ
うに、一般に使用されるリードフレームの1種であり、
正方形状のアイランド部43と、アイランド部43の周
囲に配設された複数のインナーリード部42と、インナ
ーリード部42各々の外側に設けられたアウターリード
部44と、フレーム枠45と、フレーム枠45とアイラ
ンド部43とを接続する吊りリード46とから構成され
ている。インナーリード部42は、フレーム枠45に対
し0゜か90゜かのいずれかの角度で固定されている。
うに、一般に使用されるリードフレームの1種であり、
正方形状のアイランド部43と、アイランド部43の周
囲に配設された複数のインナーリード部42と、インナ
ーリード部42各々の外側に設けられたアウターリード
部44と、フレーム枠45と、フレーム枠45とアイラ
ンド部43とを接続する吊りリード46とから構成され
ている。インナーリード部42は、フレーム枠45に対
し0゜か90゜かのいずれかの角度で固定されている。
【0017】次に、このワイヤボンディング装置の動作
について説明する。ここでは、リードフレーム41の全
てのインナーリード部42、42、…は、フレームガイ
ド25の搬送方向に対し0゜か90゜かのいずれかの角
度となるように配列されているので、この全てのインナ
ーリード部42、42、…に対して45゜の角度でボン
ディングツール21が振動するように、超音波伝達アー
ム22とボンディングヘッド23をボンディングステー
ジ24上に取り付ける。ボンディングステージ24は、
X軸方向及びY軸方向に駆動制御可能とする。
について説明する。ここでは、リードフレーム41の全
てのインナーリード部42、42、…は、フレームガイ
ド25の搬送方向に対し0゜か90゜かのいずれかの角
度となるように配列されているので、この全てのインナ
ーリード部42、42、…に対して45゜の角度でボン
ディングツール21が振動するように、超音波伝達アー
ム22とボンディングヘッド23をボンディングステー
ジ24上に取り付ける。ボンディングステージ24は、
X軸方向及びY軸方向に駆動制御可能とする。
【0018】フレームガイド25により搬送されたリー
ドフレーム41は、1つずつ、アイランド部43上に搭
載されたチップ31のパッド部(図示せず)とインナー
リード部42、42、…それぞれを、ボンディングステ
ージ24のX軸及びY軸駆動により、上部に取り付けら
れたボンディングヘッド23から超音波伝達アーム22
を経由してボンディングツール21の先端から45゜の
角度をもって超音波を印加し、ワイヤボンディングを行
なう。
ドフレーム41は、1つずつ、アイランド部43上に搭
載されたチップ31のパッド部(図示せず)とインナー
リード部42、42、…それぞれを、ボンディングステ
ージ24のX軸及びY軸駆動により、上部に取り付けら
れたボンディングヘッド23から超音波伝達アーム22
を経由してボンディングツール21の先端から45゜の
角度をもって超音波を印加し、ワイヤボンディングを行
なう。
【0019】このワイヤボンディング装置によれば、超
音波伝達アーム22を、その進退方向(図中矢印方向)
が全てのインナーリード部42の長手方向に対して所定
の角度(ここでは、45゜)を保持する様に支持し、全
てのインナーリード部42に対し45゜の角度で超音波
を印加するようにしたので、全てのインナーリード部4
2及びチップ31の各パッドそれぞれに対して超音波の
印加方向を一定にし、超音波の印加方向のバラツキを小
さくすることができる。したがって、同一条件のボンデ
ィング状態を実現することが可能になり、ボンディング
接合強度のばらつきを小さし安定させることができる。
音波伝達アーム22を、その進退方向(図中矢印方向)
が全てのインナーリード部42の長手方向に対して所定
の角度(ここでは、45゜)を保持する様に支持し、全
てのインナーリード部42に対し45゜の角度で超音波
を印加するようにしたので、全てのインナーリード部4
2及びチップ31の各パッドそれぞれに対して超音波の
印加方向を一定にし、超音波の印加方向のバラツキを小
さくすることができる。したがって、同一条件のボンデ
ィング状態を実現することが可能になり、ボンディング
接合強度のばらつきを小さし安定させることができる。
【0020】また、従来のリードフレーム41をそのま
ま使用することができるので、従来のように、フレーム
枠4に対してアイランド部1とインナーリード部2を4
5°の角度で設計した場合に生じる、フレームサイズの
大型化及びフレーム面積の増加という問題が生ずる虞が
なく、リードフレームの原価を低減させることができ
る。
ま使用することができるので、従来のように、フレーム
枠4に対してアイランド部1とインナーリード部2を4
5°の角度で設計した場合に生じる、フレームサイズの
大型化及びフレーム面積の増加という問題が生ずる虞が
なく、リードフレームの原価を低減させることができ
る。
【0021】また、リードフレームの設計を全て変更し
作り直すことと比べて、ボンディングヘッド23の取付
改造費のみで済むため、全てのインナーリード部42に
45゜の角度で超音波を印加するための投資(費用)を
安く抑えることができる。
作り直すことと比べて、ボンディングヘッド23の取付
改造費のみで済むため、全てのインナーリード部42に
45゜の角度で超音波を印加するための投資(費用)を
安く抑えることができる。
【0022】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明のワイヤボン
ディング装置によれば、ボンディングツールを保持する
アームを、その進退方向が全ての前記インナーリード部
の長手方向に対して所定の角度を保持する様に前記ボン
ディングヘッドに保持したので、前記インナーリード部
及び半導体素子を有するチップそれぞれに対して超音波
の印加方向を一定にすることができ、超音波の印加方向
のバラツキを小さくすることができる。したがって、同
一条件のボンディング状態を実現することができ、ボン
ディング接合強度のばらつきも極めて小さく安定させる
ことができ、得られた半導体装置の品質及び信頼性を向
上させることができる。
ディング装置によれば、ボンディングツールを保持する
アームを、その進退方向が全ての前記インナーリード部
の長手方向に対して所定の角度を保持する様に前記ボン
ディングヘッドに保持したので、前記インナーリード部
及び半導体素子を有するチップそれぞれに対して超音波
の印加方向を一定にすることができ、超音波の印加方向
のバラツキを小さくすることができる。したがって、同
一条件のボンディング状態を実現することができ、ボン
ディング接合強度のばらつきも極めて小さく安定させる
ことができ、得られた半導体装置の品質及び信頼性を向
上させることができる。
【0023】また、従来のリードフレームをそのまま使
用することができるので、リードフレームの設計を変更
する必要がなく、また、新たな費用の発生等もなく、経
済効果がある。しかも、アームの角度を変えるだけでよ
いので、ステージ上のボンディングヘッドの取付位置を
変更するだけで済み、装置の大型化を招く虞がなく、装
置の高価格化を防止することができる。
用することができるので、リードフレームの設計を変更
する必要がなく、また、新たな費用の発生等もなく、経
済効果がある。しかも、アームの角度を変えるだけでよ
いので、ステージ上のボンディングヘッドの取付位置を
変更するだけで済み、装置の大型化を招く虞がなく、装
置の高価格化を防止することができる。
【図1】 本発明の一実施形態に係るワイヤボンディン
グ装置を示す平面図である。
グ装置を示す平面図である。
【図2】 本発明の一実施形態に係るワイヤボンディン
グ装置に適用されるリードフレームを示す平面図であ
る。
グ装置に適用されるリードフレームを示す平面図であ
る。
【図3】 従来のワイヤボンディング装置に適用される
リードフレームを示す平面図である。
リードフレームを示す平面図である。
【図4】 従来のワイヤボンディング装置を示す斜視図
である。
である。
21 ボンディングツール 22 超音波伝達アーム 23 ボンディングヘッド 24 ボンディングステージ 25 フレームガイド 31 半導体素子を有するチップ 41 リードフレーム 42 インナーリード部 43 アイランド部 44 アウターリード部 45 フレーム枠 46 吊りリード
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体素子を有するチップとリードフレ
ームのインナーリード部とを金属細線を用いて超音波に
より接続するボンディングツールと、該ボンディングツ
ールを保持するアームと、該アームを前記リードフレー
ムに対して進退自在に支持するボンディングヘッドと、
該ボンディングヘッドを保持し前記リードフレームに対
して移動自在なるステージとを備え、 前記アームは、その進退方向が全ての前記インナーリー
ド部の長手方向に対して所定の角度を保持する様に前記
ボンディングヘッドに支持されていることを特徴とする
ワイヤボンディング装置。 - 【請求項2】 前記角度は、45度であることを特徴と
する請求項1記載のワイヤボンディング装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9164741A JP2954093B2 (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | ワイヤボンディング装置 |
US09/090,821 US5898214A (en) | 1997-06-20 | 1998-06-04 | Wire bonding device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9164741A JP2954093B2 (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | ワイヤボンディング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1116935A true JPH1116935A (ja) | 1999-01-22 |
JP2954093B2 JP2954093B2 (ja) | 1999-09-27 |
Family
ID=15799034
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9164741A Expired - Fee Related JP2954093B2 (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | ワイヤボンディング装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5898214A (ja) |
JP (1) | JP2954093B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030057188A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 동부전자 주식회사 | 반도체패키지 제조용 다이 본더의 픽업 장치 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6975021B1 (en) * | 1999-09-03 | 2005-12-13 | Micron Technology, Inc. | Carrier for substrate film |
WO2004030078A1 (ja) * | 2002-09-26 | 2004-04-08 | Toray Engineering Co., Ltd. | 接合装置 |
EP4303911A4 (en) * | 2021-03-29 | 2024-05-08 | Hirata Corporation | WIRE CONNECTION DEVICE |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0344051A (ja) * | 1989-07-12 | 1991-02-25 | Hitachi Ltd | ワイヤボンディング方法 |
US5801432A (en) * | 1992-06-04 | 1998-09-01 | Lsi Logic Corporation | Electronic system using multi-layer tab tape semiconductor device having distinct signal, power and ground planes |
US5808354A (en) * | 1994-11-21 | 1998-09-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lead frame for a semiconductor device comprising inner leads having a locking means for preventing the movement of molding compound against the inner lead surface |
-
1997
- 1997-06-20 JP JP9164741A patent/JP2954093B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-06-04 US US09/090,821 patent/US5898214A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030057188A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 동부전자 주식회사 | 반도체패키지 제조용 다이 본더의 픽업 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2954093B2 (ja) | 1999-09-27 |
US5898214A (en) | 1999-04-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100349727B1 (ko) | 집적회로 본딩패드로의 와이어 스티치 본딩방법 및 장치 | |
US5611478A (en) | Lead frame clamp for ultrasonic bonding | |
JP3245445B2 (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
US6182882B1 (en) | Angled transducer-dual head bonder for optimum ultrasonic power application and flexibility for tight pitch leadframe | |
US4790897A (en) | Device for bonding of lead wires for an integrated circuit device | |
US6357650B1 (en) | Method of wire-bonding between pad on semiconductor chip and pad on circuit board on which the semiconductor chip is mounted | |
JPH1116935A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JPH03120737A (ja) | ボンデイング方法及び装置 | |
JPH0344051A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JPH11135543A (ja) | 半導体製造装置 | |
US6131792A (en) | Balancing of x and y axis bonding by 45 degree capillary positioning | |
JPS58130539A (ja) | ダイボンダ装置 | |
JPH0541550Y2 (ja) | ||
JP2002343825A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JPS61196544A (ja) | 半導体チツプのダイボンデイング方法 | |
JPH03191561A (ja) | リードフレーム | |
JPH10209229A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JPS6324630A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
JPH1092861A (ja) | ワイヤーボンディング用キャピラリー | |
JPH04352438A (ja) | 半導体フレームの押圧方法及び押圧装置 | |
JPS61296730A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
JPH03127844A (ja) | ボンディング装置およびボンディング方法 | |
JPH08186145A (ja) | ワイヤーボンディング方法とその装置 | |
JPH0563011A (ja) | ダイボンダー・ヘツドの構造 | |
JPH06310568A (ja) | インナリードボンディング装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990622 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |