JP3537890B2 - ワイヤボンディング方法とその装置 - Google Patents

ワイヤボンディング方法とその装置

Info

Publication number
JP3537890B2
JP3537890B2 JP27910694A JP27910694A JP3537890B2 JP 3537890 B2 JP3537890 B2 JP 3537890B2 JP 27910694 A JP27910694 A JP 27910694A JP 27910694 A JP27910694 A JP 27910694A JP 3537890 B2 JP3537890 B2 JP 3537890B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
horn
wire bonding
ultrasonic horn
bonding apparatus
ultrasonic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP27910694A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08139140A (ja
Inventor
隆弘 米澤
朗 壁下
章博 山本
誠 今西
賢一 西野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP27910694A priority Critical patent/JP3537890B2/ja
Publication of JPH08139140A publication Critical patent/JPH08139140A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3537890B2 publication Critical patent/JP3537890B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48471—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area being a ball bond, i.e. wedge-to-ball, reverse stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/494—Connecting portions
    • H01L2224/4945—Wire connectors having connecting portions of different types on the semiconductor or solid-state body, e.g. regular and reverse stitches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/788—Means for moving parts
    • H01L2224/78821—Upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/78822—Rotational mechanism
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/788—Means for moving parts
    • H01L2224/78821—Upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/78822—Rotational mechanism
    • H01L2224/78823—Pivoting mechanism
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/851—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector the connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85186—Translational movements connecting first outside the semiconductor or solid-state body, i.e. off-chip, reverse stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85191—Translational movements connecting first both on and outside the semiconductor or solid-state body, i.e. regular and reverse stitches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に設けられ
た電極と電極部との間をワイヤで接続したり、電極部に
バンプを形成するワイヤボンディング方法とその装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術のワイヤボンディング方法を使
用するワイヤボンディング装置を、図６に基づいて説明
する。
【０００３】図６において、先ず、基板１３を、カート
リッジヒータ１５を有するヒートステージ部１４の上に
載置して固定し、基板１３を加熱する。ワイヤ１１を挿
通して保持するキャピラリー２を先端に有する超音波ホ
ーン１を保持するヘッド部１９と、前記ヒートステージ
部１４とは、前後左右に相対移動し、キャピラリー２
が、基板１３上に取付けられたＩＣ部品１２の接続され
るべき電極の上方に位置決めされる。この位置決めまで
に、ＩＣ部品１２の接続されるべき電極は、ヒートステ
ージ部１４によって加熱されている。
【０００４】次いで、キャピラリー２が、前記電極上に
下降し、ワイヤ１１の先端を、前記加熱と超音波振動と
によって、前記電極にファーストボンディングする。こ
のファーストボンディングが終了すると、キャピラリー
２は、一旦上昇し、前記ヘッド部１９と前記ヒートステ
ージ部１４とが前後左右に相対移動して、キャピラリー
２が、基板１３上に取付けられたＩＣ部品１２の接続さ
れるべき電極部の上方に位置決めされ、キャピラリー２
が、前記電極部上に下降し、ワイヤ１１の先端を、前記
加熱と超音波振動とによって、前記電極部にセカンドボ
ンディングする。
【０００５】上記の動作が繰り返されて、ボンディング
が行われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来例
の構成では、図７に示すように、セカンドボンディング
すべき基板１３上の電極部の面と、超音波ホーン１を上
下方向に回動可能に支持する回転軸６とを同一平面上に
配置し、キャピラリー２が、前記電極部の面に対して垂
直になるように構成されているので、超音波ホーン１を
保持するヘッド部１９の一部が、ヒートステージ部１４
の上面より下方に位置し、前記ヘッド部１９と前記ヒー
トステージ部１４との前後左右の相対移動を規制し、ボ
ンディング可能範囲が、超音波ホーン１の長さＬに限ら
れるという問題点がある。
【０００７】又、超音波ホーン１が、ヒートステージ部
１４からの熱輻射や熱気に曝されて加熱され、その長さ
が伸縮することによって、ボンディング位置決め精度が
低下するという問題点がある。
【０００８】又、図８に示すように、セカンドボンディ
ング面がＩＣ部品１２の電極部である場合、前記電極部
の面が前記回転軸６の平面上から大きく離れると、つま
り、ＩＣ部品１２の厚みが厚くなると、キャピラリー２
が、前記のボンディングすべき面への必要な垂直度を維
持できなくなり、セカンドボンディングが不可能になる
という問題点がある。
【０００９】又、図９に示すように、ファーストボンデ
ィング後、キャピラリー２が、ボンディングするワイヤ
長さ分だけ上昇するときに、キャピラリー２が、回転運
動によって上昇するので、ワイヤ１１がボンディングす
べき電極面に対して傾きを持った状態になり、ワイヤ１
１にその形状を与えるので、図９のワイヤボンディング
方向３２、３３により、セカンドボンディング後のワイ
ヤループの形状が、図９のイ、ロに示すように形状が異
なり、ワイヤ倒れを引き起こす原因になるという問題点
がある。
【００１０】本発明は、上記の問題点を解決し、ボンデ
ィング可能範囲を超音波ホーンの長さ以上に長くでき、
ヒートステージ部の熱による超音波ホーンの伸縮を抑え
てボンディング位置決めの精度を高くし、高段差のボン
ディングが可能で、且つ、ワイヤループの形状が安定す
るワイヤボンディング方法とその装置を提供することを
課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願第１発明のワイヤボ
ンディング方法は、上記の課題を解決するために、超音
波ホーンを、その軸方向が常に水平となるように維持す
るとともに、超音波ホーンの先端部にあるキャピラリー
を、その軸方向が常に鉛直となるように維 持し、前記超
音波ホーンを保持するホーン保持部を、その最下端が常
にヒートステージ上の基板よりも上方に位置するように
して、前記超音波ホーン、前記キャピラリーおよび前記
ホーン保持部を、前記ヒートステージの上方空間におい
て上下左右前後方向に移動させてワイヤボンディングを
行い、且つ、前記超音波ホーンを、その軸方向には、自
身長以上の距離を移動させることを特徴とする。
【００１２】本願第２発明のワイヤボンディング装置
は、上記の課題を解決するために、ボンディングすべき
基板を載置するヒートステージと、超音波ホーンと、超
音波ホーンの先端部に超音波ホーンの軸方向に垂直に下
方に伸びるように設けられたキャピラリーと、超音波ホ
ーンを保持するホーン保持部と、超音波ホーンの軸方向
が常に水平となるように維持してホーン保持部を上下動
させる上下移動手段と、超音波ホーンの軸方向が常に水
平となるように維持して、前記キャピラリーの下方に前
記基板のボンディングすべき電極又は電極部を位置決め
するために、ホーン保持部をヒートステージに対し相対
的に前後左右動させる位置決め手段とを備え、前記ホー
ン保持部の最下端が常に前記基板よりも上方に位置し、
且つ前記超音波ホーンが、その軸方向に、自身長以上の
距離を移動するように構成したことを特徴とする。
【００１３】本願第３発明のワイヤボンディング装置
は、上記の課題を解決するために、本願第２発明におい
て、上下移動手段は、ホーン保持部をヒートステージ上
に載置されたボンディングすべき基板に対する平行性を
維持して上下方向に移動させる平行リンク部と、前記平
行リンク部による前記ホーン保持部の移動に対するバラ
ンサー部と、前記ホーン保持部を上下方向に移動させる
駆動部及びその制御部とを有することを特徴とする。
【００１４】本願第４発明のワイヤボンディング装置
は、上記の課題を解決するために、本願第２発明におい
て、上下移動手段は、ホーン保持部をヒートステージ上
に載置されたボンディングすべき基板に対する平行性を
維持して上下方向に移動させる平行リンク部と、前記ホ
ーン保持部を上下方向に移動させる駆動部及びその制御
部とを有することを特徴とする。
【００１５】本願第５発明のワイヤボンディング装置
は、上記の課題を解決するために、本願第２発明におい
て、上下移動手段は、ホーン保持部をヒートステージ上
に載置されたボンディングすべき基板に対する平行性を
維持して上下方向に移動するように摺動可能に支持する
エアー軸受部と、前記ホーン保持部を、上下方向に移動
させる駆動部及びその制御部とを有することを特徴とす
る。
【００１６】本願第６発明のワイヤボンディング装置
は、上記の課題を解決するために、本願第２発明におい
て、位置決め手段は、ホーン保持部を左右方向に移動し
位置決めする左右移動部と、ヒートステージを前後方向
に移動し位置決めする前後移動部とを有することを特徴
とする。
【００１７】本願第７発明のワイヤボンディング装置
は、上記の課題を解決するために、本願第２発明におい
て、超音波ホーンは、ヒートステージとの間に、熱遮断
部を有することを特徴とする。
【００１８】本願第８発明のワイヤボンディング装置
は、上記の課題を解決するために、本願第３発明におい
て、位置決め手段は、ホーン保持部を左右方向に移動し
位置決めする左右移動部と、ヒートステージを前後方向
に移動し位置決めする前後移動部と、前記前後移動部の
位置決めを、平行リンク部の揺動によるずれ量を補正し
ながら行う補正制御部とを有し、超音波ホーンは、ヒー
トステージとの間に、熱遮断部を有することを特徴とす
る。
【００１９】
【作用】本願第１発明のワイヤボンディング方法は、超
音波ホーンを、その軸方向を水平に維持して上下左右前
後方向に移動させ、前記超音波ホーンの先端部にあるキ
ャピラリーを、その軸方向を鉛直に維持して上下左右前
後方向に移動させるので、高段差のボンディングが可能
になり、又、ワイヤループ形状が安定化して、ワイヤリ
ングの信頼性が向上する。
【００２０】又、前記超音波ホーンとその保持部とキャ
ピラリーとを、ボンディング対象の基板上を自由に移動
させることができ、従来例では、超音波ホーンとその保
持部とがヒートステージに移動を規制されるのに比べ
て、ボンディング可能範囲が広くなり、前記超音波ホー
ンを、その軸方向には、自身長以上の距離を移動させる
ことができるので、ボンディング可能範囲が広くなる。
【００２１】さらに超音波ホーンは、軸方向の移動が自
身長によって制約されることがなくなるので、その増幅
部の長さを短かくできる結果、超音波ホーンの熱伸縮が
小さくなり、ボンディング位置決め精度が向上し、狭ピ
ッチボンディングが可能になる。
【００２２】本願第２発明のワイヤボンディング装置
は、第１発明のワイヤボンディング方法を具体的に実施
できる。
【００２３】本願第３発明のワイヤボンディング装置
は、上下移動手段が、ホーン保持部をヒートステージ上
に載置されたボンディングすべき基板に対する平行性を
維持して上下方向に移動させる平行リンク部と、前記ホ
ーン保持部を上下方向に移動させる駆動部及びその制御
部とを有し、前記超音波ホーンは、その軸方向を水平に
維持して上下左右前後方向に移動し、前記超音波ホーン
の先端部にあるキャピラリーは、その軸方向を垂直に維
持して上下左右前後方向に移動するので、高段差のボン
ディングが可能になり、又、ワイヤループ形状が安定化
して、ワイヤリングの信頼性が向上する。
【００２４】又、前記平行リンク部による前記ホーン保
持部の移動に対するバランサー部を有するので、前記平
行リンク部による回転モーメントが釣り合って、動作が
円滑化する。
【００２５】本願第４発明のワイヤボンディング装置
は、上下移動手段が、ホーン保持部をヒートステージ上
に載置されたボンディングすべき基板に対する平行性を
維持して上下方向に移動させる平行リンク部と、前記保
持部を上下方向に移動させる駆動部及びその制御部とを
有するので、前記超音波ホーンは、その軸方向を水平に
維持して上下左右前後方向に移動し、前記超音波ホーン
の先端部にあるキャピラリーは、その軸方向を垂直に維
持して上下左右前後方向に移動するので、高段差のボン
ディングが可能になり、又、ワイヤループ形状が安定化
して、ワイヤリングの信頼性が向上する。
【００２６】本願第５発明のワイヤボンディング装置
は、上下移動手段が、ホーン保持部をヒートステージ上
に載置されたボンディングすべき基板に対する平行性を
維持して上下方向に移動するように摺動可能に支持する
エアー軸受部と、前記ホーン保持部を、上下方向に移動
させる駆動部及びその制御部とを有するので、前記ホー
ン保持部の上下移動に際して、位置ずれが無く、位置ず
れの補正が不要になり、ボンディングの位置決め精度が
向上する。
【００２７】本願第６発明のワイヤボンディング装置
は、位置決め手段が、ホーン保持部を左右方向に移動し
位置決めする左右移動部と、ヒートステージを前後方向
に移動し位置決めする前後移動部とに分かれているの
で、広い領域を、夫々の小型の部材で構成することがで
き、設備が小型化するだけではなく、高速化が可能にな
る。
【００２８】本願第７発明のワイヤボンディング装置
は、超音波ホーンが、ヒートステージ との間に、熱遮断
部を有するので、前記超音波ホーンの熱伸縮が小さくな
り、ボンディング位置決め精度が向上し、狭ピッチボン
ディングが可能になる。
【００２９】本願第８発明のワイヤボンディング装置
は、位置決め手段が、ホーン保持部を左右方向に移動し
位置決めする左右移動部と、ヒートステージを前後方向
に移動し位置決めする前後移動部とに分かれているの
で、広い領域を、夫々の小型の部材で構成することがで
き、設備が小型化するだけではなく、高速化が可能にな
る。
【００３０】又、前記前後移動部の位置決めを、平行リ
ンク部の揺動によるずれ量を補正しながら行う補正制御
部とを有するので、ボンディングの位置決め精度が向上
する。
【００３１】又、超音波ホーンは、ヒートステージ部と
の間に、熱遮断部を有するので、前記超音波ホーンの熱
伸縮が小さくなり、ボンディング位置決め精度が向上
し、狭ピッチボンディングが可能になる。
【００３２】
【実施例】本発明のワイヤボンディング方法を使用する
ワイヤボンディング装置の第１実施例を図１、図２に基
づいて説明する。
【００３３】図１において、ヘッド部１９に保持された
超音波ホーン１の先端にキャピラリー２が設けられ、超
音波ホーン１の基端に超音波発振子３が取付けられてい
る。
【００３４】上記の構成において、超音波ホーン１の増
幅部の長さＬ1 は、キャピラリー２の超音波ホーン１の
軸中心より下の長さＬ2 の０．５倍〜２倍の長さからな
り、又、キャピラリー２の超音波ホーン１の軸中心より
下の長さＬ2 は、超音波ホーン１を保持するホーン保持
部４の超音波ホーン１の軸中心より下の長さＬ3 よりも
長くなっている。
【００３５】図２において、超音波ホーン１を保持する
ホーン保持部４が、ワイヤ１１をボンディングすべきＩ
Ｃ部品１２の面や基板１３の面に対して垂直方向（鉛直
方向）に往復揺動するように、ヘッド部１９側にある平
行リンク部固定側回転支持部６ａ、６ｃと、ホーン保持
部４側にある平行リンク部可動側回転支持部６ｂ、６ｄ
との間を、平行リンク部５ａ、５ｂが接続している。リ
ニアモータ７が、前記平行リンク部固定側回転支持部６
ａ、６ｃに対して、ホーン保持部４と同じ側の上方に位
置して、ホーン保持部４をＺ方向、即ち、上下方向に往
復駆動させ、変位センサ８が、ホーン保持部４の上下位
置を検出している。バランサー９が、ホーン保持部４の
θ方向の回転モーメントの釣り合いを取っている。熱遮
断部１０が、カートリッジヒータ１５によって加熱され
ているヒートステージ１４からの輻射熱が超音波発振子
３に伝わるのを遮断し、ヒートステージ１４からの熱気
を吸引パイプ１０ａで吸引する。
【００３６】クランパー部１６が、ワイヤ１１をキャピ
ラリー２に供給送りしたり停止したり開閉駆動し、エア
テンショナー１７が、ワイヤ１１を上方向に引っ張りワ
イヤ１１のたるみを防ぐ。
【００３７】位置認識カメラ１８が、ボンディングされ
る基板１３と、ＩＣ部品１２の各電極、電極部の位置を
検出する。
【００３８】キャピラリー２を前記の電極、電極部に位
置決めするには、図示しない位置制御部がＸ−Ｙテーブ
ル上のヘッド部１９を前後左右に移動し、キャピラリー
２を位置決めする。
【００３９】次に、本実施例の動作を図１、図２に基づ
いて説明する。
【００４０】図１に示すように、キャピラリー２の超音
波ホーン１の軸中心より下の長さＬ2 は、超音波ホーン
１を保持するホーン保持部４の超音波ホーン１の軸中心
より下の長さＬ3 よりも長くなっているので、図２に示
すように、超音波ホーン１とキャピラリー２と超音波発
振子３とが、ヒートステージ１４上に載置された基板１
３の上方を自由に移動でき、ボンディング作業範囲を広
くすることができる。
【００４１】そして、熱遮断部１０と吸引パイプ１０ａ
とがあるので、ヒートステージ１４の上方を移動して
も、ヒートステージ１４からの熱の影響を防ぐことがで
きる。
【００４２】又、超音波ホーン１の増幅部の長さＬ
1 は、キャピラリー２の超音波ホーン１の軸中心より下
の長さＬ2 の０．５倍〜２倍の長さからなり、その絶対
長が短いので、超音波ホーン１が、ヒートステージ１４
からの熱で、伸縮しても、この伸縮による位置決め誤差
が小さくなる。
【００４３】図２に示すように、位置認識カメラ１８
が、ボンディングすべき電極、電極部の位置を検出し、
前記の図示しない位置制御部が、キャピラリー２の下方
に、前記電極、電極部を位置決めする。リニアモータ７
が、キャピラリー２を保持したホーン保持部４を下方向
に移動させるように動作し、ホーン保持部４は、平行リ
ンク部５ａ、５ｂに支持され、平行リンク部回転支持部
６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄの回転により、変位センサ８に
よって位置を検出されながら下降する。そして、キャピ
ラリー２に保持されたワイヤ１１の先端をボンディング
すべき電極に押圧し、同時に、キャピラリー２を超音波
ホーン１によって超音波振動させてファーストボンディ
ングする。
【００４４】ファーストボンディング後、キャピラリー
２を、リニアモータ７によって所定距離上昇させ、図示
しない位置制御部が、前記のボンディングした電極に接
続すべき電極部を前記キャピラリー２の下方に位置決め
し、同時に、キャピラリー２は、変位センサ８によって
位置を検出されながら、リニアモータ７によって下降
し、ワイヤ１１が、前記電極部にセカンドボンディング
される。
【００４５】セカンドボンディング後、キャピラリー２
が一定距離上昇した位置で、クランパー部１６が、ワイ
ヤ１１を固定して切断する。
【００４６】その後、図示しないトーチ部によって、ワ
イヤ１１の先端に金ボールが形成され、以下、上記を繰
り返して、電極と電極部とがワイヤ１１でボンディング
される。
【００４７】尚、本実施例では、ホーン支持部４が、平
行リンク部固定側回転支持部６ａ、６ｃを中心に、θ方
向に回動する場合の回転モーメントの釣り合いに、バラ
ンサー９を設けたが、バネ等で釣り合わせても同様の効
果が得られる。
【００４８】本発明のワイヤボンディング方法を使用す
るワイヤボンディング装置の第２実施例を図３に基づい
て説明する。
【００４９】図３において、第１実施例では、リニアモ
ータ７が、平行リンク部固定側回転支持部６ａ、６ｃに
対して、ホーン保持部４と同じ側の上方に位置している
のに対して、本実施例では、リニアモータ７が、平行リ
ンク部固定側回転支持部６ａ、６ｃに対して、ホーン保
持部４と反対側の上方に位置している。
【００５０】本実施例は、上記以外は、第１実施例と同
様なので、説明を省略するが、本実施例のように、リニ
アモータ７を、平行リンク部固定側回転支持部６ａ、６
ｃに対してホーン保持部４と反対側に位置させると、第
１実施例のバランサー９が不要になり、その分だけ、低
イナーシャ化が図られ、高速化が可能になる。
【００５１】本発明のワイヤボンディング方法を使用す
るワイヤボンディング装置の第３実施例を図４に基づい
て説明する。
【００５２】図４において、本実施例では、超音波ホー
ン１を保持するホーン保持部４が、エアー軸受部２０に
よって支持されている。エアー軸受部２０は、ホーン保
持部４を、ボンディング面に垂直方向に上下移動するよ
うに支持している。
【００５３】又、バネ部２１が、キャピラリー２が上昇
して上死点位置に達したときに、リニアモータ７に加わ
る負荷が０になるように、上方に引上げている。
【００５４】以下に、本実施例の動作を説明する。
【００５５】位置認識カメラ１８が、ボンディングすべ
き電極を検出し、図示しない位置制御部が、前記電極を
キャピラリー２の下方に位置決めする。
【００５６】リニアモータ７が、変位センサ８によって
位置検出を行いながら、エアー軸受部２０が支持するホ
ーン保持部４と共にキャピラリー２を下降させる。
【００５７】上記以外は、第１実施例と同様で、説明を
省略するが、本実施例では、第１、第２実施例の平行リ
ンク部５ａ、５ｂによる回転運動を伴う上下移動ではな
く、ホーン保持部４が、エアー軸受部２０によって垂直
に上下移動するので、回転運動に伴う位置決めずれ量の
補正が不要で、位置決めが容易になり、且つ、バネ部２
１の作用により、リニアモータ７の負担が減少するの
で、更に高速化が可能になる。
【００５８】本発明のワイヤボンディング方法を使用す
るワイヤボンディング装置の第４実施例を図５に基づい
て説明する。
【００５９】図５において、本実施例では、ホーン保持
部４が、キャピラリー２を先端部に備えた超音波ホーン
１を保持し、ヘッド部１９が、前記ホーン保持部４を上
下方向に移動し位置決めできるように保持している。以
上は、第１、第２、第３実施と同様であるが、本実施例
では、前記ヘッド部１９が、左右方向に移動するＸテー
ブル部２２に保持され、駆動モータ２４が回転するボー
ルネジ部２３によって、左右方向に移動し、ボンディン
グすべき基板１３等を保持するヒートステージ１４が、
前後方向に移動するＹテーブル部２５に保持され、駆動
モータ２６が回転するボールネジ部２７によって、前後
方向に移動し、前記キャピラリー２の下方に、前記ボン
ディングすべき電極を位置決めする。
【００６０】Ｘテーブル部２２は、ブロック２９の上に
構成され、ブロック２９は、Ｙテーブル部２５と共に、
ベース部３０の上に構成される。
【００６１】上記の構成によると、第１実施例で説明し
たように、超音波ホーン１とキャピラリー２と超音波発
振子３とが、ヒートステージ１４上に載置された基板１
３の上方を自由に移動でき、ボンディング作業範囲を広
くすることができる。
【００６２】上記以外は、第１、第２、第３実施と同様
であるので、説明を省略する。
【００６３】尚、本実施例では、ヘッド部１９を左右方
向に、ヒートステージ１４を前後方向に移動させている
が、逆構成でも同様の効果を得られる。
【００６４】
【発明の効果】本願第１発明および本願第２発明のワイ
ヤボンディング方法とその装置は、高段差のボンディン
グが可能になり、マルチチップモジュール（ＭＣＭ）等
において、幅広いワイヤリング構成が可能になるという
効果を奏する。
【００６５】又、ワイヤループ形状が安定化して、ワイ
ヤリングの信頼性が向上するという効果を奏する。
【００６６】又、ボンディング可能範囲が広くなり、大
型基板（マザーボード）への直接ワイヤボンディングや
８インチウエハー等の大きなウエハーへの金バンプボン
ディング形成ができるという効果を奏する。
【００６７】又、超音波ホーンを短かくでき、超音波ホ
ーンの熱伸縮が小さくなり、ボンディング位置決め精度
が向上し、狭ピッチボンディングが可能になるという効
果を奏する。
【００６８】本願第３発明のワイヤボンディング装置
は、平行リンク部により、キャピラリーが、その軸方向
を垂直に維持して上下左右前後方向に移動し、高段差の
ボンディングが可能になり、又、ワイヤループ形状が安
定化して、ワイヤリングの信頼性が向上するという効果
を奏する。
【００６９】又、前記平行リンク部による前記ホーン保
持部の移動に対するバランサー部を有するので、前記平
行リンク部による回転モーメントが釣り合って、動作が
円滑化するという効果を奏する。
【００７０】本願第４発明のワイヤボンディング装置
は、平行リンク部により、キャピラリーが、その軸方向
を垂直に維持して上下左右前後方向に移動し、高段差の
ボンディングが可能になり、又、ワイヤループ形状が安
定化して、ワイヤリングの信頼性が向上するという効果
を奏する。
【００７１】本願第５発明のワイヤボンディング装置
は、ホーン保持部を、ヒートステージ上に載置されたボ
ンディングすべき基板に対する平行性を維持して上下方
向に移動するように摺動可能に支持するエアー軸受部を
有するので、前記ホーン保持部の上下移動に際して、位
置ずれが無く、位置ずれの補正が不要になり、ボンディ
ングの位置決め精度が向上するという効果を奏する。
【００７２】本願第６発明のワイヤボンディング装置
は、位置決め手段が、左右移動部と、前後移動部とに分
かれているので、広い領域を、夫々の小型の部材で構成
することができ、設備が小型化するだけではなく、高速
化が可能になるという効果を奏する。
【００７３】本願第７発明のワイヤボンディング装置
は、超音波ホーンが、ヒートステージとの間に、熱遮断
部を有するので、前記超音波ホーンの熱伸縮が小さくな
り、ボンディング位置決め精度が向上し、狭ピッチボン
ディングが可能になるという効果を奏する。
【００７４】本願第８発明のワイヤボンディング装置
は、位置決め手段が、左右移動部と、前後移動部とに分
かれているので、広い領域を、夫々の小型の部材で構成
することができ、設備が小型化するだけではなく、高速
化が可能になるという効果を奏する。
【００７５】又、前記前後移動部の位置決めを、平行リ
ンク部の揺動によるずれ量を補正しながら行う補正制御
部を有するので、ボンディングの位置決め精度が向上す
るという効果を奏する。
【００７６】又、超音波ホーンは、ヒートステージとの
間に、熱遮断部を有するので、前記超音波ホーンの熱伸
縮が小さくなり、ボンディング位置決め精度が向上し、
狭ピッチボンディングが可能になるという効果を奏す
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願第１、第２発明の超音波ホーン部の一実施
例の側面図である。
【図２】本願第１、第２発明のヘッド部の一実施例の側
面図である。
【図３】本願第３発明のヘッド部の一実施例の側面図で
ある。
【図４】本願第４発明のヘッド部の一実施例の側面図で
ある。
【図５】本願第５発明のヘッド部とその位置決め手段の
一実施例の斜視図である。
【図６】従来例のワイヤボンディング装置の側面図であ
る。
【図７】従来例のボンディング動作を示す図である。
【図８】従来例のボンディング動作を示す図である。
【図９】従来例のボンディング動作を示す図である。
【符号の説明】
１ 超音波ホーン ２ キャピラリー ３ 超音波発振子 ４ ホーン保持部 ５ａ、５ｂ 平行リンク部 ６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ 平行リンク部回転支持部 ７ リニアモータ ８ 変位センサ ９ バランサー １０ 熱遮断部 １０ａ 吸引パイプ １１ ワイヤ １２ ＩＣ部品 １３ 基板 １４ ヒートステージ １５ カートリッジヒータ １６ クランパー部 １７ エアテンショナー １８ 位置確認カメラ １９ ヘッド部 ２０ エアー軸受部 ２１ バネ部 ２２、２５ テーブル部 ２３、２７ ボールネジ部 ２４、２６ 駆動モータ Ｌ1 増幅部の長さ Ｌ2 キャピラリーの超音波ホーンの軸中心より下の長
さ Ｌ3 超音波ホーンを保持するホーン保持部の超音波ホ
ーンの軸中心より下の長さ
フロントページの続き (72)発明者 今西 誠 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 西野 賢一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−74840（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−74838（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−53291（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/607 H01L 21/60 601

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 超音波ホーンを、その軸方向が常に水平
    となるように維持するとともに、超音波ホーンの先端部
    にあるキャピラリーを、その軸方向が常に鉛直となるよ
    うに維持し、前記超音波ホーンを保持するホーン保持部
    を、その最下端が常にヒートステージ上の基板よりも上
    方に位置するようにして、前記超音波ホーン、前記キャ
    ピラリーおよび前記ホーン保持部を、前記ヒートステー
    ジの上方空間において上下左右前後方向に移動させてワ
    イヤボンディングを行い、且つ、前記超音波ホーンを、
    その軸方向には、自身長以上の距離を移動させることを
    特徴とするワイヤボンディング方法。
  2. 【請求項２】 ボンディングすべき基板を載置するヒー
    トステージと、超音波ホーンと、超音波ホーンの先端部
    に超音波ホーンの軸方向に垂直に下方に伸びるように設
    けられたキャピラリーと、超音波ホーンを保持するホー
    ン保持部と、超音波ホーンの軸方向が常に水平となるよ
    うに維持してホーン保持部を上下動させる上下移動手段
    と、超音波ホーンの軸方向が常に水平となるように維持
    して、前記キャピラリーの下方に前記基板のボンディン
    グすべき電極又は電極部を位置決めするために、ホーン
    保持部をヒートステージに対し相対的に前後左右動させ
    る位置決め手段とを備え、前記ホーン保持部の最下端が
    常に前記基板よりも上方に位置し、且つ前記超音波ホー
    ンが、その軸方向に、自身長以上の距離を移動するよう
    に構成したことを特徴とするワイヤボンディング装置。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載のワイヤボンディング装
    置において、 上下移動手段は、ホーン保持部をヒートステージ上に載
    置されたボンディングすべき基板に対する平行性を維持
    して上下方向に移動させる平行リンク部と、前記平行リ
    ンク部による前記ホーン保持部の移動に対するバランサ
    ー部と、前記ホーン保持部を上下方向に移動させる駆動
    部及びその制御部とを有することを特徴とするワイヤボ
    ンディング装置。
  4. 【請求項４】 請求項２に記載のワイヤボンディング装
    置において、 上下移動手段は、ホーン保持部をヒートステージ上に載
    置されたボンディングすべき基板に対する平行性を維持
    して上下方向に移動させる平行リンク部と、前記ホーン
    保持部を上下方向に移動させる駆動部及びその制御部と
    を有することを特徴とするワイヤボンディング装置。
  5. 【請求項５】 請求項２に記載のワイヤボンディング装
    置において、 上下移動手段は、ホーン保持部をヒートステージ上に載
    置されたボンディングすべき基板に対する平行性を維持
    して上下方向に移動するように摺動可能に支持するエア
    ー軸受部と、前記ホーン保持部を、上下方向に移動させ
    る駆動部及びその制御部とを有することを特徴とするワ
    イヤボンディング装置。
  6. 【請求項６】 請求項２に記載のワイヤボンディング装
    置において、 位置決め手段は、ホーン保持部を左右方向に移動し位置
    決めする左右移動部と、ヒートステージを前後方向に移
    動し位置決めする前後移動部とを有することを特徴とす
    るワイヤボンディング装置。
  7. 【請求項７】 請求項２に記載のワイヤボンディング装
    置において、超音波ホーンは、ヒートステージと の間に、熱遮断部を
    有することを特徴とするワイヤボンディング装置。
  8. 【請求項８】 請求項３に記載のワイヤボンディング装
    置において、 位置決め手段は、ホーン保持部を左右方向に移動し位置
    決めする左右移動部と、ヒートステージを前後方向に移
    動し位置決めする前後移動部と、前記前後移動部の位置
    決めを、平行リンク部の揺動によるずれ量を補正しなが
    ら行う補正制御部とを有し、超音波ホーンは、ヒートス
    テージとの間に、熱遮断部を有することを特徴とするワ
    イヤボンディング装置。
JP27910694A 1994-11-14 1994-11-14 ワイヤボンディング方法とその装置 Expired - Fee Related JP3537890B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27910694A JP3537890B2 (ja) 1994-11-14 1994-11-14 ワイヤボンディング方法とその装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27910694A JP3537890B2 (ja) 1994-11-14 1994-11-14 ワイヤボンディング方法とその装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08139140A JPH08139140A (ja) 1996-05-31
JP3537890B2 true JP3537890B2 (ja) 2004-06-14

Family

ID=17606507

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27910694A Expired - Fee Related JP3537890B2 (ja) 1994-11-14 1994-11-14 ワイヤボンディング方法とその装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3537890B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220120563A (ko) 2021-02-22 2022-08-30 가부시키가이샤 신가와 와이어 본딩 장치

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6534774B2 (en) * 2000-09-08 2003-03-18 Mitsubishi Materials Silicon Corporation Method and apparatus for evaluating the quality of a semiconductor substrate
US7377415B2 (en) * 2005-06-15 2008-05-27 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Bond head link assembly for a wire bonding machine
WO2007007683A1 (ja) 2005-07-07 2007-01-18 National University Corporation Kumamoto University 基板およびその研磨方法、並びに研磨装置
JP4700595B2 (ja) * 2006-12-04 2011-06-15 株式会社新川 ワイヤボンディング装置並びにワイヤボンディング装置のボンディングツール交換方法及びプログラム
JP2007251215A (ja) * 2007-07-05 2007-09-27 Nec Corp ボンディング装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220120563A (ko) 2021-02-22 2022-08-30 가부시키가이샤 신가와 와이어 본딩 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08139140A (ja) 1996-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20060022019A1 (en) Bonding apparatus
JPH1022308A (ja) 超音波振動接合チップ実装装置
US20200238433A1 (en) Bonding apparatus, bonding method and bonding control program
JP3537890B2 (ja) ワイヤボンディング方法とその装置
KR100722583B1 (ko) 본드헤드를 포함하는 와이어 본더
JP2003163234A (ja) ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法
JP2003197686A (ja) 電子部品実装装置及び電子部品実装方法
JP2012114382A (ja) ボンディング装置
JP2000349099A (ja) はんだ接合方法および、半導体装置の製造方法
JP2002299894A (ja) 処理装置及び荷重検出装置
JP2954093B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JP4308444B2 (ja) 部品接合装置
JP2757037B2 (ja) ボンディング装置
JP3246111B2 (ja) 熱圧着装置と熱圧着方法
JP3189568B2 (ja) 半田ボールのボンディング装置およびボンディング方法
JP4050741B2 (ja) バンプボンダー
JP2866266B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JP3389919B2 (ja) ワイヤボンディング装置及びそれに用いるサーボ調整方法
JPH10150059A (ja) ダイボンディング方法および装置
JP2676446B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP4149718B2 (ja) 部品実装方法
JPS6119109B2 (ja)
JPS6329536A (ja) ワイヤボンデイング装置
JPH06252223A (ja) ワイヤボンディング方法とその装置
JPH06342797A (ja) バンプボンディング方法とその装置

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040217

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040318

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080326

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090326

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100326

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110326

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees