JP2009101361A - 液体冷却捕捉器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ガス副生成物Gが入り口(32)から捕捉器(30)に入り、捕捉器(30)内を流れるガス副生成物Gに温度分布を発生させる。
【選択図】図9
Description
10NH3+3SiCl2H2→Si3N4+6NH4Cl+6H2 (1)
そして、好ましくは
とする。以下により詳しく説明するように、捕捉器30の容量は主として捕捉器30の第1段に依存し、一方、捕捉器30の流れ伝導性は主として捕捉器30の第2段に依存する。
ここで、A、BおよびCは定数であり、pはトールで測定した蒸気圧であり、Tは摂氏の度で測定した温度である。塩化アンモニウム(NH4Cl)については、Aは23.4に略等しく、Bは10、613に略等しく、Cは292.3に略等しい。塩化アンモニウム(NH4Cl)の蒸気圧曲線80を図7に示す。
ここで、A0はパイプライン区画46の断面積であり、T2はパイプライン区画46内を流れ入口32を通って捕捉器30に入るガス副生成物Gのケルビン度で表した温度T0であり、A2は捕捉器30の第2段の断面積であり、T2は捕捉器30の第2段内を流れるガス副生成物Gの温度である。式(5)は、捕捉器30内の凝縮した物質の量を、換言すれば、定モル流速を必要とする条件を考慮することなく得られる。ここで、1モルはガス副生成物Gのアボガドロ数(6.230×1023)個の分子に等しい。しかしながら、捕捉器30を流れる凝縮可能なガスについてはモル流速は変化するから、式(5)は、窒素等の不活性で凝縮可能でないガスのみが捕捉器30を流れるときの状況に利用し得る。
ここで、A0はパイプライン区画46の断面積であり、T0はパイプライン区画46内を流れ入口32を通って捕捉器30に入るガス副生成物Gのケルビン度で表した温度であり、A2は捕捉器30の第2段の断面積であり、T2は捕捉器30の第2段内を流れるガス副生成物Gのケルビン度で表した温度である。値n0はパイプライン区画46を流れるガス副生成物Gのモル流速であり、値n2は捕捉器30の第2段を流れるガス副生成物Gのモル流速である。なお、式(5)は、n0がn2に等しいときに、式(6)を簡略化したものである。図2に関連して述べた典型的な半導体製造工程または他の昇華もしくは凝縮の工程においては、凝縮可能な蒸気以外のものがパイプラインを流れていない限り、n2は常にn0よりも小さく、それ故、n2/n0は常に1よりも小さくなる。凝縮可能な蒸気以外のものがパイプラインを流れることは、例えば、反応炉40から窒素等のガスを除去するパージ工程が実行されている時に起きる。したがって、式(6)に代えて式(5)を用いて捕捉器30の第2段の断面積(A2)を求めると、捕捉器30の第2段の流れ伝導性は僅かに高い値になる。
ここで、AXは捕捉器30の場所Xにおける捕捉器30の所望の断面積であり、nXは捕捉器30を流れるガス副生成物Gの場所Xにおけるモル流速であり、TXは捕捉器30を流れるガス副生成物Gの場所Xにおける温度であり、AdepXは捕捉器30内の凝縮可能な物質の場所Xにおける付着し蓄積した断面積であり、他の全ての変数は上述の式(5)および(6)のものと同じである。式(7)は、図5のグラフ(C)にグラフとして表されており、捕捉器30内の付着分布特性AdepX、捕捉器30内の温度分布特性、および捕捉器30の物理的形状寸法の関係を規定する。図3および4に関連して前述したように、捕捉器30内の付着分布特性AdepXは時間の経過とともに大きくなり、曲線AdepXは曲線AXに近づいていく。付着した凝縮可能な蒸気の蓄積が捕捉器30の動作中時間の経過とともに大きくなっても、曲線AdepXが所望の形状寸法曲線AX上の一点に達するほど捕捉器30内の付着分布が大きくなるまでは、ガス副生成物Gが捕捉器30を通って流れ続けることは可能であり、捕捉器30の流れ伝導性も零より大きいままである。しかしながら、前述のように、捕捉器30の流れ伝導性は曲線AdepXが曲線AX近づくにつれて大きく低下していき、捕捉器30の流れ伝導性は、曲線AdepXのどこかの点が曲線AXに達した時点(これが捕捉器30が詰まった状態である)で、本質的に零になる。
AX−AdepX=A2 (8)
ここで、ρはガス副生成物G中の凝縮した凝縮可能な蒸気の密度である。式(8)は、捕捉器30の容量が、図3に示したように、捕捉器30の温度分布特性の影響を受ける付着分布特性曲線AdepXと、密接な関係にあることを示している。
Claims (27)
- ガス流から凝縮可能な蒸気を除去する方法であって、
前記ガス流を、流れ断面積(CSA)を有する捕捉器(30)に通し、
前記捕捉器(30)を通る前記ガス流の温度を制御することにより、入口(32)から出口(34)にいくにしたがって、前記1種類以上のガスの固化析出物の付着量を減少させるようにし、更に、前記入口(32)からの位置に対する固化析出物の付着分布(DP1、DP2,DP3,DP4)が、前記入口(32)から遠くなるのに伴って、固化析出物の付着量の減少率が途中までは大きくなり、その後は減少率が小さくなるように、捕捉器(30)内を流れる前記ガス流に温度分布(TPB)を発生させる。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記入口(32)から前記出口(34)にいくにしたがって、前記ガス流の温度が低下するように、前記ガス流の温度を制御し、
更に、前記入口(32)からの位置に対する温度の前記温度分布(TPB)が、前記入口(32)から遠くなるのに伴って温度の低下率が大きくなるようにする。 - 請求項1または請求項2に記載の方法であって、
前記入口(32)からの距離の増加に応じて、前記入口(32)付近より衝突表面の面積を大きくし、
前記入口(32)から前記出口(34)にいくにしたがって、前記ガス流の温度が低下するように、前記ガス流の温度を制御し、
更に、前記入口(32)からの位置に対する温度の前記温度分布(TPB)が、前記入口(32)から遠くなるのに伴って温度の低下率が大きくなるようにする。 - 請求項3に記載の方法であって、
前記捕捉器(30)の前記入口(32)付近では流れ断面積(CSA)を大きくし、前記入口(32)からの距離が増加するに従って小さくする。 - 請求項1乃至4のいずれかに記載の方法であって、
捕捉器(30)の入口(32)からの距離に応じた流れ断面積(CSA)を有する捕捉器(30)に前記ガス流を通し、
前記捕捉器内の前記凝縮可能な蒸気に対して付着分布(DP1、DP2、DP3、DP4)になるように、前記捕捉器(30)を流れる前記ガス流の前記温度分布(TPB)を制御し、
前記付着分布(DP1、DP2、DP3、DP4)と前記流れ断面積(CSA)は、前記捕捉器(30)の未使用の容積が最小量となるように互いに構成される。 - 請求項5に記載の方法であって、
前記ガス流の前記温度分布(TPB)の制御は、前記ガス流の温度を前記捕捉器の第1の段で第1の温度差だけ降下させ、前記捕捉器の第2の段で第2の温度差だけ降下させる。 - 請求項6に記載の方法であって、
前記第2の温度差は前記第1の温度差より大きい。 - 請求項6または請求項7に記載の方法であって、
前記断面積(CSA)は、前記第1の段のほうが前記第2の段よりも大きい。 - 請求項6乃至8のいずれかに記載の方法であって、
前記第1の段の容積(V1)は前記第2の段の容積(V2)より大きい。 - 請求項6乃至9のいずれかに記載の方法であって、
前記ガス流の温度を前記第1の温度差だけ降下させることは、前記ガス流を第1の衝突表面(92)に導くことによって行われる。 - 請求項6乃至10のいずれかに記載の方法であって、
前記ガス流の温度を前記第2の温度差だけ降下させることは、前記ガス流を第2の衝突表面(146、154)に導くことによって行われる。 - 請求項6乃至11のいずれかに記載の方法であって、
前記捕捉器(30)の流れ伝導性が所定のレベルまで減少する場合、前記捕捉器が清掃されることを含む。 - 内部を流れるガス流から凝縮可能な蒸気を除去する捕捉器(30)であって、
前記捕捉器(30)に前記ガス流を流すための流れ断面積(CSA)を有するフロー手段と、
前記捕捉器(30)を通る前記ガス流の温度を制御する手段と
を備え、
入口(32)から出口(34)にいくにしたがって、前記1種類以上のガスの固化析出物の付着量を減少させるようにし、更に、前記入口(32)からの位置に対する固化析出物の付着分布(DP1、DP2,DP3,DP4)が、前記入口(32)から遠くなるのに伴って、固化析出物の付着量の減少率が途中までは大きくなり、その後は減少率が小さくなるように、捕捉器(30)内を流れる前記ガス流に温度分布(TPB)を発生させる。 - 請求項13に記載の捕捉器であって、
前記入口(32)から前記出口(34)にいくにしたがって、前記ガス流の温度が低下するように、前記ガス流の温度を制御し、
更に、前記入口(32)からの位置に対する温度の前記温度分布(TPB)が、前記入口(32)から遠くなるのに伴って温度の低下率が大きくなるようにする。 - 請求項13または請求項14に記載の捕捉器であって、
前記入口(32)からの距離の増加に応じて、前記入口(32)付近より多く設けられる衝突表面(146、154)を含み、
前記入口(32)から前記出口(34)にいくにしたがって、前記ガス流の温度が低下するように、前記ガス流の温度を制御し、
更に、前記入口(32)からの位置に対する温度の前記温度分布(TPB)が、前記入口(32)から遠くなるのに伴って温度の低下率が大きくなるようにする。 - 請求項15に記載の捕捉器であって、
前記流れ断面積(CSA)は、前記捕捉器(30)の前記入口(32)付近で大きく、前記入口(32)からの距離の増加に従って小さくなる。 - 請求項13に記載の捕捉器であって、
前記入口(32)と出口(34)を有して、前記流れ断面積(CSA)が前記入口(32)からの距離に応じて変わり、
前記付着分布(DP1、DP2、DP3、DP4)になるように前記温度分布(TPB)を制御するように構成された熱交換器を有し、
前記付着分布(DP1、DP2、DP3、DP4)と前記流れ断面積(CSA)は、前記捕捉器(30)の未使用の容積が最小量となるように互いに構成される。 - 請求項17に記載の捕捉器であって、
前記捕捉器(30)は、第1の段と第2の段とで構成され、
前記熱交換器は、前記第1の段で前記ガス流の温度を第1の温度差だけ降下させ、前記第2の段で第2の温度差だけ降下させる。 - 請求項18に記載の捕捉器であって、
前記第2の温度差は前記第1の温度差より大きい。 - 請求項18または請求項19に記載の捕捉器であって、
前記断面積(CSA)は、前記第1の段のほうが前記第2の段よりも大きい。 - 請求項18乃至20のいずれかに記載の捕捉器であって、
前記第1の段の容積(V1)は前記第2の段の容積(V2)より大きい。 - 請求項18乃至21のいずれかに記載の捕捉器であって、
前記第1の段を囲い込む第1の円筒ハウジング(60)と、
前記第2の段を囲い込む第2の円筒ハウジング(94)と、を更に備える。 - 請求項22に記載の捕捉器であって、
前記第1の円筒ハウジング(60)は第1の径と第1の縦軸(100)を有し、
前記第2の円筒ハウジング(94)は第2の径と第2の縦軸(98)を有し、
前記第2の径は前記第1の径よりも小さく、
前記第2の円筒ハウジング(94)は、径方向において前記入口と反対側に位置するように、前記第1の円筒ハウジング(60)に対して偏心した位置に配置される。 - 請求項23に記載の捕捉器であって、
前記入口(32)は、前記ガス流を、前記第1の縦軸(100)に垂直な入口の軸方向に沿って前記第1の段に導く。 - 請求項23または請求項24に記載の捕捉器であって、
前記第2の段は、前記第1の段内に設けられた取入口と、放出口と、前記取入口から放出口に延びる前記第2の縦軸に平行な第2の軸流方向とを有する。 - 請求項22乃至25のいずれかに記載の捕捉器であって、
前記熱交換器は、前記第1の段に設けられた第1の衝突表面(92)と、前記第2の段に設けられた第2の衝突表面(146、154)とから構成される。 - 請求項18に記載の捕捉器であって、
前記熱交換器は、前記第2の衝突表面(146、154)に接続された冷却手段(120)から成る。
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