JP2009088429A - 印刷配線板及びその製造方法ならびに半導体装置 - Google Patents
印刷配線板及びその製造方法ならびに半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009088429A JP2009088429A JP2007259464A JP2007259464A JP2009088429A JP 2009088429 A JP2009088429 A JP 2009088429A JP 2007259464 A JP2007259464 A JP 2007259464A JP 2007259464 A JP2007259464 A JP 2007259464A JP 2009088429 A JP2009088429 A JP 2009088429A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating resin
- layer
- resin layer
- wiring board
- printed wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1517—Multilayer substrate
- H01L2924/15172—Fan-out arrangement of the internal vias
- H01L2924/15174—Fan-out arrangement of the internal vias in different layers of the multilayer substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
【課題】半導体素子実装用の薄板厚の印刷配線板の反りを低減し、ソルダーレジスト剥がれ不良を低減する。
【解決手段】接着剤層の両面にそれより小さい金属剥離層を設置し、その外側の両面に前記金属剥離層よりも大きい金属支持層を重ねて加熱・加圧することで両面の前記金属支持層の外周接着部分を前記接着剤層で接着した支持体を形成する第１の工程と、前記金属支持層の外側に第１の絶縁樹脂層と第１の配線パターンを形成する第２の工程と、両面の前記第１の配線パターンの外側に絶縁樹脂層とビアホールと配線パターンとその外側の絶縁樹脂層を逐次形成する第３の工程と、前記外周接着部分を切断することで前記支持体から前記金属支持層付き基板を分離する第４の工程と、前記金属支持層を除去することで印刷配線板中間体を形成する第５の工程と、前記印刷配線板中間体の両面にビアホールと配線パターンを形成する第６の工程により印刷配線板を製造する。
【選択図】図１
【解決手段】接着剤層の両面にそれより小さい金属剥離層を設置し、その外側の両面に前記金属剥離層よりも大きい金属支持層を重ねて加熱・加圧することで両面の前記金属支持層の外周接着部分を前記接着剤層で接着した支持体を形成する第１の工程と、前記金属支持層の外側に第１の絶縁樹脂層と第１の配線パターンを形成する第２の工程と、両面の前記第１の配線パターンの外側に絶縁樹脂層とビアホールと配線パターンとその外側の絶縁樹脂層を逐次形成する第３の工程と、前記外周接着部分を切断することで前記支持体から前記金属支持層付き基板を分離する第４の工程と、前記金属支持層を除去することで印刷配線板中間体を形成する第５の工程と、前記印刷配線板中間体の両面にビアホールと配線パターンを形成する第６の工程により印刷配線板を製造する。
【選択図】図１
Description
本発明は、半導体素子実装用の薄板厚の印刷配線板とその製造方法と半導体装置に関する。
従来の半導体素子実装用の薄板厚の印刷配線板の製造方法として、特許文献１では、第１に、金属の支持層上にニッケル等の外部電極パッドを形成し、次に、支持層と外部電極パッドを覆う第１の絶縁樹脂層を重ね、次に、第１の絶縁樹脂層に外部電極パッドに達する第１のビアホール下穴を形成し、次に、金属の支持層を電極とする電解銅めっきにより、第１のビアホール下穴を銅で充填しビアホールを形成し第１の絶縁樹脂層の表面に銅の第１の配線パターンを形成する。第２に、第１の絶縁樹脂層と第１の配線パターンを覆う第２の絶縁樹脂層を重ね、次に、第２の絶縁樹脂層に外部電極パッドに達する第２のビアホール下穴を形成し、次に、金属の支持層を電極とする電解銅めっきにより、第２のビアホール下穴を銅で充填しビアホールを形成し第２の絶縁樹脂層の表面に銅の第２の配線パターンを形成する。第３に、第２の絶縁樹脂層と第２の配線パターンを覆う第３の絶縁樹脂層を重ね、次に、第３の絶縁樹脂層に外部電極パッドに達する第３のビアホール下穴を形成し、次に、金属の支持層を電極とする電解銅めっきにより、第３のビアホール下穴を銅で充填しビアホールを形成し第３の絶縁樹脂層の表面に銅の第３の配線パターンを形成する。第４に、第３の絶縁樹脂層と第３の配線パターンを覆うソルダーレジストを形成する。第５に、金属の支持層をエッチングで除去することで、全層間厚がきわめて薄く薄板厚の印刷配線板を製造していた。
以下に公知文献を記す。
特開２００１−１７７０１０号公報
しかし、特許文献１の印刷配線板の製造方法では、製造工程の一番最後に支持層を除去するまでは配線パターンとビアホールの全導体が支持層と電気接続しているため、配線パターンとビアホールの断線や短絡を電気検査で発見することができない問題があった。すなわち、支持層を除去した際に初めて配線パターンの回路が支持層から独立するので、次に、電気検査装置で配線パターンとビアホールの不具合を発見していた。こうして、製造工程の初期の段階で発生した配線パターンあるいはビアホールの断線や短絡の不具合を最後の工程で発見するため、印刷配線板の製造歩留まりが悪い問題があった。また、この製造方法で層数が多い印刷配線板を製造する場合は、印刷配線板の全層を支持層の片面に形成するため、製造工期が長くなる欠点があった。
また、特許文献１の印刷配線板の製造方法では、両面にソルダーレジストを印刷する場合は、基板の片面にソルダーレジストを形成した後に支持層を除去し、露出した面にソルダーレジストを形成すると、片面にソルダーレジストを形成するアンバランスな応力により、印刷配線板が反る問題があった。一方、金属の支持層をエッチングで除去した後に、基板の両面にソルダーレジストを形成する場合も、ソルダーレジストを硬化させる際に加える加熱処理により印刷配線板が反る問題があった。鋭意研究の結果、この問題の原因は、片面形成した印刷配線板には、片面に偏った応力が残留するため、加熱処理により、上下面でアンバランスな応力があらわれ、その応力により印刷配線板が反る知見を得た。
更に、特許文献１の製造方法では、エッチングにより金属の支持層を除去する際に、支
持層に接していた外部電極パッドがエッチング液に曝されると、外部電極パッドの絶縁樹脂層の隙間から外部電極パッドに電気接続する配線パターンの位置までエッチング液が侵入し導体面が腐食されることがある問題があった。また、その外部電極パッドを金めっきで形成した場合、その金めっき上にソルダーレジストを形成すると、金めっきとソルダーレジストとの密着が悪くなり、ソルダーレジスト剥がれ不良を発生する問題があった。
持層に接していた外部電極パッドがエッチング液に曝されると、外部電極パッドの絶縁樹脂層の隙間から外部電極パッドに電気接続する配線パターンの位置までエッチング液が侵入し導体面が腐食されることがある問題があった。また、その外部電極パッドを金めっきで形成した場合、その金めっき上にソルダーレジストを形成すると、金めっきとソルダーレジストとの密着が悪くなり、ソルダーレジスト剥がれ不良を発生する問題があった。
本発明の課題は、半導体素子実装用の薄板厚の印刷配線板においてこれらの問題を解決することにある、すなわち、印刷配線板の製造工期を短縮することを課題とし、また、薄板厚の印刷配線板の反りを低減し、印刷配線板のソルダーレジスト剥がれ不良を低減することを課題とする。
本発明は、この課題を解決するために、接着剤層の両面に前記接着剤層より小さい金属剥離層を設置し、前記金属剥離層の外側の両面に前記金属剥離層よりも大きい金属支持層を重ねて加熱・加圧することで両面の前記金属支持層の外周接着部分を前記接着剤層で接着した支持体を形成する第１の工程と、前記支持体の両面の前記金属支持層の外側に第１の絶縁樹脂層と第１の配線パターンを形成する第２の工程と、両面の前記第１の配線パターンの外側に絶縁樹脂層とビアホールと配線パターンとその外側の絶縁樹脂層を逐次形成する第３の工程と、前記外周接着部分を切断することで前記支持体から前記金属支持層付き基板を分離する第４の工程と、前記金属支持層付き基板から前記金属支持層を除去することで印刷配線板中間体を形成する第５の工程と、前記印刷配線板中間体の両面にビアホールと配線パターンを形成する第６の工程を有することを特徴とする印刷配線板の製造方法である。
また、本発明は、上記接着剤層を補強材入り樹脂プリプレグを用いて形成することを特徴とする上記の印刷配線板の製造方法である。
また、本発明は、金属剥離体の両面に前記金属剥離体より小さい金属支持層を設置し、前記金属支持層の外側の両面に前記金属支持層より大きい第１の絶縁樹脂層を重ねて加熱・加圧することで両面の前記第１の絶縁樹脂層の外周接着部分を前記金属剥離体に接着させる第１の工程と、前記第１の絶縁樹脂層にビアホールと第１の配線パターンを形成する第２の工程と、両面の前記第１の配線パターンの外側に絶縁樹脂層とビアホールと配線パターンとその外側の絶縁樹脂層を逐次形成する第３の工程と、前記外周接着部分を切断することで前記金属剥離体から前記金属支持層付き基板を分離する第４の工程と、前記金属支持層付き基板から前記金属支持層を除去した印刷配線板中間体を形成する第５の工程と、前記印刷配線板中間体の両面にビアホールと配線パターンを形成する第６の工程を有することを特徴とする印刷配線板の製造方法である。
また、本発明は、上記第１の絶縁樹脂層を、補強材入り樹脂プリプレグを用いて形成することを特徴とする上記の印刷配線板の製造方法である。
また、本発明は、上記第６の工程の次に、上記印刷配線板中間体の両面の外側に絶縁樹脂層とビアホールと配線パターンを逐次形成する第７の工程を有することを特徴とする上記の印刷配線板の製造方法である。
また、本発明は、上記第７の工程において、最外層の絶縁樹脂層を補強材無しの絶縁樹脂層で形成することを特徴とする上記の印刷配線板の製造方法である。
また、本発明は、上記印刷配線板の最外層の外層配線パターンの外側に外部電極パッド用開口部を有するソルダーレジストを形成する第８の工程を有することを特徴とする上記
の印刷配線板の製造方法である。
の印刷配線板の製造方法である。
また、本発明は、上記ソルダーレジストの上記外部電極パッド用開口部に露出した上記外層配線パターンに固相点が２４０℃以上で２５０℃以下のはんだで外部接続端子をはんだ付けする第９の工程を有することを特徴とする上記の印刷配線板の製造方法である。
また、本発明は、多層の絶縁樹脂層とその間の配線パターンとビアホールを有する印刷配線板であって、内層の第１の絶縁樹脂層が補強材入り絶縁樹脂層であり、前記第１の絶縁樹脂層の上層に第２の絶縁樹脂層群を有し、前記第１の絶縁樹脂層と前記第２の絶縁樹脂層群から成る内層基板の両面の外側に対称な層構成の第３の絶縁樹脂層群を有し、両面の前記第３の絶縁樹脂層群の最外層の絶縁樹脂層が補強材無しの絶縁樹脂層であり、両面の前記第３の絶縁樹脂層群の外側に外層配線パターンを有し、両面の前記外層配線パターンの外側に外部電極パッド用開口部を有するソルダーレジストを備え、前記第２の絶縁樹脂層群とその上側の絶縁樹脂層群内のビアホールが上側の径が下側の径より大きい逆向きの円錐台形状のビアホールであり、前記第１の絶縁樹脂層とその下側の絶縁樹脂層群内のビアホールが、下側の径が上側の径より大きい円錐台形状のビアホールであり、前記各絶縁樹脂層の前記配線パターン間の厚さが等しいことを特徴とする印刷配線板である。
また、本発明は、上記ソルダーレジストの一部の上記外部電極パッド用開口部に露出した上記外層配線パターンに固相点が２４０℃以上で２５０℃以下のはんだで外部接続端子がはんだ付けされたことを特徴とする上記の印刷配線板である。
また、本発明は、多層の絶縁樹脂層とその間の配線パターンとビアホールを有する印刷配線板の外層に半導体素子を接合した半導体装置であって、前記印刷配線板において、内層の第１の絶縁樹脂層が補強材入り絶縁樹脂層であり、前記第１の絶縁樹脂層の上層に第２の絶縁樹脂層群を有し、前記第１の絶縁樹脂層と前記第２の絶縁樹脂層群から成る内層基板の両面の外側に対称な層構成の第３の絶縁樹脂層群を有し、両面の前記第３の絶縁樹脂層群の最外層の絶縁樹脂層が補強材無しの絶縁樹脂層であり、両面の前記第３の絶縁樹脂層群の外側に外層配線パターンを有し、両面の前記外層配線パターンの外側に外部電極パッド用開口部を有するソルダーレジストを備え、前記第２の絶縁樹脂層群とその上側の絶縁樹脂層群内のビアホールが上側の径が下側の径より大きい逆向きの円錐台形状のビアホールであり、前記第１の絶縁樹脂層とその下側の絶縁樹脂層群内のビアホールが、下側の径が上側の径より大きい円錐台形状のビアホールであり、前記各絶縁樹脂層の前記配線パターン間の厚さが等しい構造を有する前記印刷配線板を備え、前記印刷配線板の前記ソルダーレジストの第１の前記外部電極パッド用開口部に露出した前記外層配線パターンに、はんだで前記半導体素子を接合した構造を有することを特徴とする半導体装置である。
また、本発明は、上記はんだの固相点が２３５℃以下であり、上記ソルダーレジストの第２の上記外部電極パッド用開口部に露出した上記外層配線パターンに、固相点が２４０℃以上で２５０℃以下の第２のはんだで外部接続端子を接合した構造を有することを特徴とする上記の半導体装置である。
本発明は、支持体の両面に同時に印刷配線板中間体を逐次形成するため製造効率が良い。また、支持層を除去した後の印刷配線板中間体も、その両面に絶縁樹脂層と配線パターンを逐次形成して２層ずつ形成していくので、支持層の片面に逐次形成していく従来工法に比べ逐次形成の工程数を半減させ、製造工期を短縮できる効果がある。また、本発明は、印刷配線板中間体の各絶縁樹脂層の厚さが薄い場合も、それらの絶縁樹脂層を複数層重ねた適度の厚さの印刷配線板中間体を、支持体の両面の支持層上に形成し、次に、支持体から両面の２組の支持層付き基板を分離し、次に、支持層を除去した印刷配線板中間体を取り扱うので、その印刷配線板中間体は厚さが適度であるため取り扱いが容易である。そのため、その印刷配線板中間体を電気検査装置で検査することができ、それにより配線パターンとビアホールの欠陥を検査でき、不良品を早期に除外できるので、印刷配線板の歩留まりを向上させる効果がある。
また、本発明の印刷配線板は、印刷配線板中間体の両面の絶縁樹脂層にビアホールと第４の配線パターンを形成し、また、その両面に第４の絶縁樹脂層を重ねてその基板の両面にビアホールと第４の配線パターンを形成することで印刷配線板中間体に上下対称な層構成にビアホールと配線パターンを逐次形成し、更に外側の絶縁樹脂層とビアホールと配線パターンを逐次形成することができる。それにより、板厚がきわめて薄い印刷配線板でありながら、その印刷配線板を加熱処理しても印刷配線板が反る問題が少ない良い品質の印刷配線板が得られる効果がある。特に、従来の基板の両面にソルダーレジストを印刷する際の加熱処理による印刷配線板の反りを改善できる効果がある。
また、本発明は、配線パターンを両面の絶縁樹脂層で被覆して配線パターンが露出しない印刷配線板中間体から支持層を除去するので、支持層の除去の際の薬液による処理によって配線パターンが損傷することが無く、また、その後の製造工程でも印刷配線板中間体の配線パターンが損傷することが無いので、印刷配線板の製造歩留まりを向上できる効果がある。更に、本発明は、外層配線パターン上にソルダーレジストを形成した後に、その外部電極パッド用開口部に露出した外層配線パターンに外部電極パッド用の金めっきを加えるので、ソルダーレジストの外層配線パターンへの密着性を損なわずソルダーレジスト剥がれ不良を低減できる効果がある。
＜第１の実施形態＞
以下、本発明の第１の実施形態について図１から図９に基づき説明する。本実施形態は、接着剤層１ｂの外側の両面にそれより小さい金属剥離層１ａを設置し、その外側の両面に金属剥離層１ａより大きい金属支持層１を重ねて加熱・加圧することで両面の金属支持層１の外周接着部分１ｄを接着剤層１ｂで接着した支持体１ｃを形成する第１の工程を有する。次に、その支持体１ｃの両面の外側に第１の絶縁樹脂層２を重ね、その第１の絶縁樹脂層２の外側の面に第１の配線パターン６を形成する第２の工程を有する。その第１の配線パターン６の外側に絶縁樹脂層２−２を重ね、その絶縁樹脂層２−２内に第１の配線パターン６に接続するビアホール７−２を形成し、絶縁樹脂層２−２の面上に配線パターン６−２を金属めっきで形成する。このように支持体１ｃを中心にする基板の両面の配線パターンの外側に絶縁樹脂層とビアホールと配線パターンとその外側の絶縁樹脂層を逐次形成する処理を繰り返すことで第２の絶縁樹脂層群を形成する第３の工程を有する。
以下、本発明の第１の実施形態について図１から図９に基づき説明する。本実施形態は、接着剤層１ｂの外側の両面にそれより小さい金属剥離層１ａを設置し、その外側の両面に金属剥離層１ａより大きい金属支持層１を重ねて加熱・加圧することで両面の金属支持層１の外周接着部分１ｄを接着剤層１ｂで接着した支持体１ｃを形成する第１の工程を有する。次に、その支持体１ｃの両面の外側に第１の絶縁樹脂層２を重ね、その第１の絶縁樹脂層２の外側の面に第１の配線パターン６を形成する第２の工程を有する。その第１の配線パターン６の外側に絶縁樹脂層２−２を重ね、その絶縁樹脂層２−２内に第１の配線パターン６に接続するビアホール７−２を形成し、絶縁樹脂層２−２の面上に配線パターン６−２を金属めっきで形成する。このように支持体１ｃを中心にする基板の両面の配線パターンの外側に絶縁樹脂層とビアホールと配線パターンとその外側の絶縁樹脂層を逐次形成する処理を繰り返すことで第２の絶縁樹脂層群を形成する第３の工程を有する。
次に、外周接着部分１ｄを切断することで、支持体１ｃ中の上側の金属剥離層１ａを上側の金属支持層１以上の部分から剥離し、また、下側の金属剥離層１ａを下側の金属支持層１以下の部分から剥離することで、支持体１ｃから２組の金属支持層１付き基板を分離する第４の工程を有する。次に、それらの基板から金属支持層１を除去した印刷配線板中間体８を製造する第５の工程を有し、その印刷配線板中間体８の両面にビアホール下穴を形成して金属めっきでビアホール７−１と７−４と配線パターン６−１と６−４を形成する第６の工程を有する。次に、この印刷配線板中間体８の外側の両面に絶縁樹脂層２−５と２−６を重ね、ビアホール７−５と７−６と配線パターン６−５と６−６を逐次形成する処理を繰り返すことで第３の絶縁樹脂層群を形成する第７の工程を有する。次に、最外層の両面の配線パターン６−５と６−６の外側に、外部電極パッド用開口部１０を有するソルダーレジスト９を形成する第８の工程を有する印刷配線板の製造方法である。
（製造方法）
以下、本実施形態の製造方法を図１から図９に基づき詳細に説明する。
（工程１）
図１（ａ）のように、金属支持層１として金属板を、例えば１２５μｍの銅板を、粗化処理する。粗化処理は、過水硫酸系のソフトエッチング処理、または、研磨材によるバフ研磨やサンドブラスト処理、あるいは、酸化還元処理による黒化処理、ＣＺ処理でも良い。次に、金属支持層１、金属箔の金属剥離層１ａ、接着剤層１ｂ、金属箔の金属剥離層１ａ、金属支持層１の順で積み上げ、図１（ｂ）のように、積層プレスで熱圧着して一体化させた支持体１ｃを製造する。金属剥離層１ａは、例えば厚さが１２μｍの銅箔で、金属支持層１の寸法より３０ｍｍから６０ｍｍ程度小さいものを用いる。また、金属剥離層１ａの銅箔の粗面（マット面）を接着剤層１ｂ側に向ける。接着剤層１ｂは、厚さ５０μｍから２００μｍのガラス繊維入りエポキシ樹脂材やガラス繊維入りポリイミド樹脂材等のガラス繊維入り絶縁樹脂のプリプレグを用いる。積層プレスの加熱・加圧処理により、プリプレグの接着剤層１ｂの樹脂が溶融して上下の金属支持層１の外周接着部分１ｄを接着し、また、上下の金属剥離層１ａの内側の全面を接着剤層１ｂに接着する。金属剥離層１ａの外側の全面は接着せずに金属支持層１に接した状態で保持する。
以下、本実施形態の製造方法を図１から図９に基づき詳細に説明する。
（工程１）
図１（ａ）のように、金属支持層１として金属板を、例えば１２５μｍの銅板を、粗化処理する。粗化処理は、過水硫酸系のソフトエッチング処理、または、研磨材によるバフ研磨やサンドブラスト処理、あるいは、酸化還元処理による黒化処理、ＣＺ処理でも良い。次に、金属支持層１、金属箔の金属剥離層１ａ、接着剤層１ｂ、金属箔の金属剥離層１ａ、金属支持層１の順で積み上げ、図１（ｂ）のように、積層プレスで熱圧着して一体化させた支持体１ｃを製造する。金属剥離層１ａは、例えば厚さが１２μｍの銅箔で、金属支持層１の寸法より３０ｍｍから６０ｍｍ程度小さいものを用いる。また、金属剥離層１ａの銅箔の粗面（マット面）を接着剤層１ｂ側に向ける。接着剤層１ｂは、厚さ５０μｍから２００μｍのガラス繊維入りエポキシ樹脂材やガラス繊維入りポリイミド樹脂材等のガラス繊維入り絶縁樹脂のプリプレグを用いる。積層プレスの加熱・加圧処理により、プリプレグの接着剤層１ｂの樹脂が溶融して上下の金属支持層１の外周接着部分１ｄを接着し、また、上下の金属剥離層１ａの内側の全面を接着剤層１ｂに接着する。金属剥離層１ａの外側の全面は接着せずに金属支持層１に接した状態で保持する。
この工程１では、プリプレグを硬化させた接着剤層１ｂの１層で上下の金属支持層１の外周接着部分１ｄを接着するので、金属支持層１の接着作業を簡単にし、製造コストを低減する効果がある。また、この接着剤層１ｂは、ガラス繊維入り絶縁樹脂のプリプレグを用いたので、固化後の層面方向の熱膨張率を金属の金属支持層１の熱膨張率とほぼ同じにし差を少なくすることができる。これにより、接着剤層１ｂと金属支持層１の間で熱応力を少なくでき、製造する印刷配線の品質を良くできる効果がある。更に、接着剤層１ｂの厚さを５０μｍから２００μｍ程度の薄い層に形成することで、その熱膨張の影響を小さくし、印刷配線板の製造工程中の寸法挙動を安定させる効果がある。更に、この接着剤層１ｂはガラス繊維で強化されているため、硬化した後の剛性が大きく強度が強いので、薄い金属支持層１と薄い金属剥離層１ａと薄い接着剤層１ｂで構成する薄い支持体１ｃにおいても、接着剤層１ｂが金属支持層１の強度不足を補い剛性の大きい支持体１ｃを得ることができる効果がある。これにより、印刷配線板の製造工程中の寸法挙動を安定させることができる効果がある。
（変形例１）
工程１の変形例として、金属箔を金属支持層１とする。例えば１２μｍの銅箔を用いる。この金属支持層１は、その金属箔の粗面（マット面）を支持体１ｃの外側に向けて金属剥離層１ａの外側に重ねて、積層プレスで加熱・加圧することで支持体１ｃの中心の接着剤層１ｂの樹脂を溶融させて上下の金属箔の金属支持層１の外周接着部分１ｄを接着し、また、金属剥離層１ａを接着剤層１ｂに接着する。変形例１は、接着剤層１ｂがガラス繊維で強化されているため、硬化した後の剛性が大きく強度が強いので、金属支持層１が金属箔を用いて薄くされ、金属剥離層１ａも金属箔で薄い支持体１ｃにおいても、ガラス繊維で補強されたプリプレグが硬化された接着剤層１ｂが金属支持層１の強度不足を補い剛性を大きくする為、製造工程中の扱いが容易な支持体１ｃが得られ、これによる印刷配線板の製造を容易にすることができる。
工程１の変形例として、金属箔を金属支持層１とする。例えば１２μｍの銅箔を用いる。この金属支持層１は、その金属箔の粗面（マット面）を支持体１ｃの外側に向けて金属剥離層１ａの外側に重ねて、積層プレスで加熱・加圧することで支持体１ｃの中心の接着剤層１ｂの樹脂を溶融させて上下の金属箔の金属支持層１の外周接着部分１ｄを接着し、また、金属剥離層１ａを接着剤層１ｂに接着する。変形例１は、接着剤層１ｂがガラス繊維で強化されているため、硬化した後の剛性が大きく強度が強いので、金属支持層１が金属箔を用いて薄くされ、金属剥離層１ａも金属箔で薄い支持体１ｃにおいても、ガラス繊維で補強されたプリプレグが硬化された接着剤層１ｂが金属支持層１の強度不足を補い剛性を大きくする為、製造工程中の扱いが容易な支持体１ｃが得られ、これによる印刷配線板の製造を容易にすることができる。
（工程２）
次に、図１（ｃ）のように、支持体１ｃの両面の金属支持層１の両面に第１の絶縁樹脂層２をロールラミネートで熱圧着させる。例えば厚さ４５μｍのエポキシ樹脂あるいはガラス繊維で補強されたプリプレグをロールラミネートする。ここで、支持体１ｃの両面に上下対称に第１の絶縁樹脂層２を形成するため、製造中の反りが発生しない効果がある。以降の工程でも、同様に、支持体１ｃを中心にして上下対称に各層を逐次形成することで、製造中の反りが発生しない効果がある。
（変形例２）
工程２の変形例として、第１の絶縁樹脂層２として、金属支持層１上にガラス繊維やガラスフレークやフィラーなどの補強材入り樹脂プリプレグを重ね、その上に厚さ１２μｍの銅箔を重ね合わせ、積層プレスで熱圧着させることで、銅箔付きの第１の絶縁樹脂層２を金属支持層１に接着して形成する。次に、その外側の銅箔を塩化第二鉄水溶液などのエッチング液で全面エッチングして第１の絶縁樹脂層２の表面を露出させる。この第１の絶縁樹脂層２はガラス繊維で強化されているため、硬化した後の剛性が大きく強度が強いので、薄い金属支持層１と薄い金属剥離層１ａと薄い接着剤層１ｂで構成する薄い支持体１ｃにおいても、第１の絶縁樹脂層２が支持体１ｃの強度不足を更に補い、剛性の大きい基板を得ることができる効果がある。これにより、印刷配線板の製造工程中の寸法挙動を安定させることができる効果がある。
次に、図１（ｃ）のように、支持体１ｃの両面の金属支持層１の両面に第１の絶縁樹脂層２をロールラミネートで熱圧着させる。例えば厚さ４５μｍのエポキシ樹脂あるいはガラス繊維で補強されたプリプレグをロールラミネートする。ここで、支持体１ｃの両面に上下対称に第１の絶縁樹脂層２を形成するため、製造中の反りが発生しない効果がある。以降の工程でも、同様に、支持体１ｃを中心にして上下対称に各層を逐次形成することで、製造中の反りが発生しない効果がある。
（変形例２）
工程２の変形例として、第１の絶縁樹脂層２として、金属支持層１上にガラス繊維やガラスフレークやフィラーなどの補強材入り樹脂プリプレグを重ね、その上に厚さ１２μｍの銅箔を重ね合わせ、積層プレスで熱圧着させることで、銅箔付きの第１の絶縁樹脂層２を金属支持層１に接着して形成する。次に、その外側の銅箔を塩化第二鉄水溶液などのエッチング液で全面エッチングして第１の絶縁樹脂層２の表面を露出させる。この第１の絶縁樹脂層２はガラス繊維で強化されているため、硬化した後の剛性が大きく強度が強いので、薄い金属支持層１と薄い金属剥離層１ａと薄い接着剤層１ｂで構成する薄い支持体１ｃにおいても、第１の絶縁樹脂層２が支持体１ｃの強度不足を更に補い、剛性の大きい基板を得ることができる効果がある。これにより、印刷配線板の製造工程中の寸法挙動を安定させることができる効果がある。
特に、第１の絶縁樹脂層２には後工程による熱応力が何回も加わり熱応力により内部にクラックを生じ易く製造後にそのクラックが拡大し不具合を生じる恐れがあるので、第１の絶縁樹脂層２にガラス繊維入り樹脂プリプレグを用いることで、第１の絶縁樹脂層２を強化しクラック不具合を防止する効果がある。そして、不具合を発生し易い第１の絶縁樹脂層２をこのように補強することで製造する印刷配線板の信頼性を高くできる効果がある。また、補強材入り樹脂プリプレグの補強材としては、ガラス繊維以外に、アラミド不織布、アラミド繊維、ポリエステル繊維を使用することもできる。また、第１の絶縁樹脂層２の補強材は、繊維状の補強材以外にフレーク状の補強材、または、フィラーで、例えばセラミックスや硫酸バリウム等のフィラーで強化した補強材入り樹脂プリプレグを用いることができる。第１の絶縁樹脂層２の樹脂材料として、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂（以下、ＢＴ樹脂と称す）ポリイミド、ＰＰＥ樹脂、フェノール樹脂、ＰＴＦＥ樹脂、珪素樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、ＰＰＳ樹脂、ＰＰＯ樹脂などの有機樹脂を使用することができる。また、これらの樹脂単独でも、複数樹脂を混合しあるいは化合物を作成するなどの樹脂の組み合わせも使用できる。
（工程３）
次に、必要に応じて第１の絶縁樹脂層２の表面を粗化する。一般的には、クロム酸、過マンガン酸塩の水溶液などの酸化剤による表面粗化処理などのウェットプロセスや、プラズマ処理やアッシング処理などのドライプロセスが有効である。次に、図１（ｄ）のように、無電解銅めっき処理により、第１の絶縁樹脂層２の表面の全面に、厚さ０．５μｍから３μｍのめっき下地導電層３を形成する。
（工程４）
次に、図２（ｅ）のように、めっきレジスト４として例えばドライフィルムの感光性レジストをロールラミネートで基板に貼り付け、次に、図２（ｆ）のように、露光・現像し配線パターン部分５を開口して、その部分でめっき下地導電層３を露出させためっきレジスト４のパターンを形成する。
（工程５）
次に、図２（ｇ）のように、めっき下地導電層３を電極にして電解銅めっき処理により、配線パターン部分５で露出しためっき下地導電層３の面上に銅めっきを１５μｍの厚さに厚付けした配線パターン６を形成した第１の導体層を形成する。
（工程６）
次に、めっきレジスト４を剥離する。次に、図３（ｈ）のように、過水硫酸系のフラッシュエッチング処理により、第１の絶縁樹脂層２上の第１の導体層に残っている厚さ０．５μｍから３μｍのめっき下地導電層３を除去し、第１の絶縁樹脂層２に配線パターン６を残した第１の導体層を形成する。
次に、必要に応じて第１の絶縁樹脂層２の表面を粗化する。一般的には、クロム酸、過マンガン酸塩の水溶液などの酸化剤による表面粗化処理などのウェットプロセスや、プラズマ処理やアッシング処理などのドライプロセスが有効である。次に、図１（ｄ）のように、無電解銅めっき処理により、第１の絶縁樹脂層２の表面の全面に、厚さ０．５μｍから３μｍのめっき下地導電層３を形成する。
（工程４）
次に、図２（ｅ）のように、めっきレジスト４として例えばドライフィルムの感光性レジストをロールラミネートで基板に貼り付け、次に、図２（ｆ）のように、露光・現像し配線パターン部分５を開口して、その部分でめっき下地導電層３を露出させためっきレジスト４のパターンを形成する。
（工程５）
次に、図２（ｇ）のように、めっき下地導電層３を電極にして電解銅めっき処理により、配線パターン部分５で露出しためっき下地導電層３の面上に銅めっきを１５μｍの厚さに厚付けした配線パターン６を形成した第１の導体層を形成する。
（工程６）
次に、めっきレジスト４を剥離する。次に、図３（ｈ）のように、過水硫酸系のフラッシュエッチング処理により、第１の絶縁樹脂層２上の第１の導体層に残っている厚さ０．５μｍから３μｍのめっき下地導電層３を除去し、第１の絶縁樹脂層２に配線パターン６を残した第１の導体層を形成する。
（変形例３）
以上の工程３から工程６による配線パターン６の形成方法はセミアディティブ工法であ
るが、これ以外に、以下の製造方法でも同様に第１の導体層の配線パターン６を形成することができる。すなわち、第１に、第１の絶縁樹脂層２の表面を粗化した後に、無電解銅めっき処理でめっき下地導電層３を形成し、第２に、めっき下地導電層３の全面に電解銅めっきを１２μｍの厚さで加えた第１の導体層を形成し、第３に、第１の導体層の表面にエッチングレジストパターンを形成することで第１の導体層をエッチングして配線パターン６を形成する。第４にエッチングレジストを剥離する。以上のサブトラクティブ工法によっても配線パターン６を形成し図３（ｈ）の構造を製造できる。
（工程７）
次に、第１の導体層の配線パターン６の表面を粗化処理することで第２の絶縁樹脂層２−２を形成する準備をする。この粗化処理としては、ＣＺ処理または酸化還元処理による黒化処理、過水硫酸系のソフトエッチング処理等を実施する。
以上の工程３から工程６による配線パターン６の形成方法はセミアディティブ工法であ
るが、これ以外に、以下の製造方法でも同様に第１の導体層の配線パターン６を形成することができる。すなわち、第１に、第１の絶縁樹脂層２の表面を粗化した後に、無電解銅めっき処理でめっき下地導電層３を形成し、第２に、めっき下地導電層３の全面に電解銅めっきを１２μｍの厚さで加えた第１の導体層を形成し、第３に、第１の導体層の表面にエッチングレジストパターンを形成することで第１の導体層をエッチングして配線パターン６を形成する。第４にエッチングレジストを剥離する。以上のサブトラクティブ工法によっても配線パターン６を形成し図３（ｈ）の構造を製造できる。
（工程７）
次に、第１の導体層の配線パターン６の表面を粗化処理することで第２の絶縁樹脂層２−２を形成する準備をする。この粗化処理としては、ＣＺ処理または酸化還元処理による黒化処理、過水硫酸系のソフトエッチング処理等を実施する。
次に、図３（ｉ）のように、第１の絶縁樹脂層２の厚さより配線パターン６の厚さだけ厚い第２の絶縁樹脂層２−２を、ロールラミネートまたは積層プレスで、配線パターン６および第１の絶縁樹脂層２の面上に熱圧着させる。例えば厚さ４５μｍエポキシ樹脂をロールラミネートする。これにより、配線パターン６、すなわち第１の導体層の上の第２の絶縁樹脂層２−２の厚さを第１の第１の絶縁樹脂層２と同じ厚さにする。ここで、第２の絶縁樹脂層２−２を形成するために、ガラス繊維やガラスフレークやフィラーなどの補強材入り樹脂プリプレグに厚さ１２μｍの銅箔を重ね合わせ、積層プレスで熱圧着させることで、銅箔付きの第２の絶縁樹脂層２−２を形成することが望ましい。第２の絶縁樹脂層２−２の材料としては、ガラス繊維入りエポキシ樹脂材、ガラス繊維入りＢＴ樹脂材、ガラス繊維入りポリイミド樹脂材、ガラス繊維入りＰＰＥ樹脂材を使用できる。ガラス繊維入り樹脂プリプレグを用いることで、絶縁樹脂層２−２にクラックが発生することを防ぎ、また、クラックが絶縁樹脂層２−２で成長することを防ぐことができる効果がある。こうして、プリプレグと銅箔を熱圧着させて第２の絶縁樹脂層２−２を形成した場合は、その銅箔を全面エッチングする。エッチング液として、塩化第二鉄水溶液などが使用できる。
（工程８）
次に、図３（ｊ）のように、ビアホール下穴７を形成する。ビアホール下穴７は、レーザ法あるいはフォトエッチング法で形成する。フォトエッチング法で第２の絶縁樹脂層２−２にビアホール下穴７を形成する場合は、絶縁樹脂層２−２に光硬化型の感光性樹脂を用いる場合は、所定のビアホール下穴７の部分を遮光するパターンを形成したマスクを第２の絶縁樹脂層２−２に密着させ、紫外線により露光し、未露光部を現像除去する。あるいは、第２の絶縁樹脂層２−２に光分解型の感光性樹脂を用いる場合は、所定のビアホール下穴７部以外を遮光するパターンを形成したマスクを第２の絶縁樹脂層２−２に密着させ、紫外線により露光し、露光部を現像除去するフォトエッチング法によりビアホール下穴７を形成する。
次に、図３（ｊ）のように、ビアホール下穴７を形成する。ビアホール下穴７は、レーザ法あるいはフォトエッチング法で形成する。フォトエッチング法で第２の絶縁樹脂層２−２にビアホール下穴７を形成する場合は、絶縁樹脂層２−２に光硬化型の感光性樹脂を用いる場合は、所定のビアホール下穴７の部分を遮光するパターンを形成したマスクを第２の絶縁樹脂層２−２に密着させ、紫外線により露光し、未露光部を現像除去する。あるいは、第２の絶縁樹脂層２−２に光分解型の感光性樹脂を用いる場合は、所定のビアホール下穴７部以外を遮光するパターンを形成したマスクを第２の絶縁樹脂層２−２に密着させ、紫外線により露光し、露光部を現像除去するフォトエッチング法によりビアホール下穴７を形成する。
レーザ光にて第２の絶縁樹脂層２−２にビアホール下穴７を形成する場合は、レーザ光としては、高調波ＹＡＧレーザやエキシマレーザなどの紫外線レーザ光を用いるか、炭酸ガスレーザなどの赤外線レーザ光を用いる。このようにレーザ光の波長域としては赤外光領域から紫外光領域までを用いる。第２の絶縁樹脂層２−２が熱硬化性樹脂からなる場合は、レーザ光にてビアホール下穴７を形成することが望ましい。ここで、レーザ光でビアホール下穴７を形成した場合は、ビアホール下穴７は、その穴の開口部分の径がその穴の底部の穴の径より大きい、円錐台形状の穴になる。
ビアホール下穴７を形成した後にビアホール下穴７の底に薄い樹脂膜が残るため、デスミア処理により、その薄い樹脂膜を除去する。このデスミア処理は、強アルカリにより樹脂を膨潤させ、その後、クロム酸、過マンガン酸塩水溶液などの酸化剤を使用して樹脂を
分解除去する。また研磨材によるサンドブラスト処理やプラズマ処理にて除去してもよい。
分解除去する。また研磨材によるサンドブラスト処理やプラズマ処理にて除去してもよい。
第２の絶縁樹脂層２−２にビアホール下穴７を形成した後、必要に応じて第２の絶縁樹脂層２−２の表面を粗化する。一般的には、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を使用した場合、クロム酸、過マンガン酸塩の水溶液などの酸化剤による表面粗化処理などのウェットプロセスや、プラズマ処理やアッシング処理などのドライプロセスが有効である。
（工程９）
次に、工程３と同様にして、ビアホール下穴７の壁面および第２の絶縁樹脂層２−２の表面の全面に無電解銅めっき処理により厚さ０．５μｍから３μｍのめっき下地導電層３（図示せず）を第２の導体層として形成する。次に、工程４と同様にして、めっきレジスト４（図示せず）例えばドライフィルムの感光性レジストをロールラミネートで基板に貼り付け、次に、露光・現像して配線パターン部分５（図示せず）を開口しためっきレジスト４を形成する。
（工程９）
次に、工程３と同様にして、ビアホール下穴７の壁面および第２の絶縁樹脂層２−２の表面の全面に無電解銅めっき処理により厚さ０．５μｍから３μｍのめっき下地導電層３（図示せず）を第２の導体層として形成する。次に、工程４と同様にして、めっきレジスト４（図示せず）例えばドライフィルムの感光性レジストをロールラミネートで基板に貼り付け、次に、露光・現像して配線パターン部分５（図示せず）を開口しためっきレジスト４を形成する。
（工程１０）
次に、めっき下地導電層３を電極にして電解銅めっき処理を行い、配線パターン部分５に露出しためっき下地導電層３の面上に電解銅めっき層を１５μｍの厚さに厚付けすることで配線パターン６−２を形成した第２の導体層を形成し、同時に、ビアホール下穴７を電解銅めっき層で充填したビアホール７−２を第２の絶縁樹脂層２−２に埋め込んで形成する。この際にビアホール７−２を形成するために、電解銅めっき浴としては、以下の組成のように平滑剤を含む電解銅めっき浴を用いることが望ましい。
（電解銅めっき浴組成）
硫酸銅：200〜250ｇ/Ｌ
硫酸 ：30〜50ｇ/Ｌ
塩素 ：30〜60ｐｐｍ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）：0.5〜1ｇ/Ｌ
ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド（ＳＰＳ）：1〜10ｍｇ/L
平滑剤：ヤーヌスグリーンＢ（ＪＧＢ）を1〜10ｍｇ/Ｌ。
次に、めっき下地導電層３を電極にして電解銅めっき処理を行い、配線パターン部分５に露出しためっき下地導電層３の面上に電解銅めっき層を１５μｍの厚さに厚付けすることで配線パターン６−２を形成した第２の導体層を形成し、同時に、ビアホール下穴７を電解銅めっき層で充填したビアホール７−２を第２の絶縁樹脂層２−２に埋め込んで形成する。この際にビアホール７−２を形成するために、電解銅めっき浴としては、以下の組成のように平滑剤を含む電解銅めっき浴を用いることが望ましい。
（電解銅めっき浴組成）
硫酸銅：200〜250ｇ/Ｌ
硫酸 ：30〜50ｇ/Ｌ
塩素 ：30〜60ｐｐｍ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）：0.5〜1ｇ/Ｌ
ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド（ＳＰＳ）：1〜10ｍｇ/L
平滑剤：ヤーヌスグリーンＢ（ＪＧＢ）を1〜10ｍｇ/Ｌ。
（工程１１）
次に、めっきレジスト４を剥離する。次に、第２の絶縁樹脂層２−２上の第２の導体層に残っている厚さ０．５μｍから３μｍのめっき下地導電層３は除去し、厚さ１５μｍの配線パターン６−２の大部分は残す過水硫酸系のフラッシュエッチング処理を行い、図４（ｋ）のように、第２の絶縁樹脂層２−２にビアホール７−２を有し、その上に第２の導体層の配線パターン６−２を有する構造を形成する。この工程でレーザ光を用いて形成したビアホール下穴７は、その穴の開口部分の径がその穴の底部の穴の径より大きい、円錐台形状の穴になるので、そのビアホール下穴７に形成されたビアホール７−２の径は、金属支持層１側の径が、金属支持層１から遠い側の径よりも小さい円錐台形状に形成される。
次に、めっきレジスト４を剥離する。次に、第２の絶縁樹脂層２−２上の第２の導体層に残っている厚さ０．５μｍから３μｍのめっき下地導電層３は除去し、厚さ１５μｍの配線パターン６−２の大部分は残す過水硫酸系のフラッシュエッチング処理を行い、図４（ｋ）のように、第２の絶縁樹脂層２−２にビアホール７−２を有し、その上に第２の導体層の配線パターン６−２を有する構造を形成する。この工程でレーザ光を用いて形成したビアホール下穴７は、その穴の開口部分の径がその穴の底部の穴の径より大きい、円錐台形状の穴になるので、そのビアホール下穴７に形成されたビアホール７−２の径は、金属支持層１側の径が、金属支持層１から遠い側の径よりも小さい円錐台形状に形成される。
（工程１２）
次に、以下のように、工程７から工程１１までを繰り返すことで、配線パターンの導体層を多層に形成する。先ず、工程７の処理により、図４（ｍ）のように、絶縁樹脂層２−３を形成する。次に、工程８から工程１１の処理により、図５（ｎ）のように、配線パターン６−３の導体層と、絶縁樹脂層２−３に埋め込まれたビアホール７−３を形成する。こうして、工程３から工程１２の処理により、配線パターン６と６−２と６−３の３層の導体層が形成できる。この工程でレーザ光を用いて形成したビアホール下穴７に形成されたビアホール７−３の径は、金属支持層１側の径が、金属支持層１から遠い側の径よりも小さい円錐台形状に形成される。
（工程１３）
次に、図５（ｏ）のように、工程７の処理により絶縁樹脂層２−４を形成する。こうして、支持体１ｃの両面に第１の絶縁樹脂層２と、第２の絶縁樹脂層２−２と第２の導体層６−２が交互に重ねられ、外層が絶縁樹脂層２−４で覆われた基板を形成する。
次に、以下のように、工程７から工程１１までを繰り返すことで、配線パターンの導体層を多層に形成する。先ず、工程７の処理により、図４（ｍ）のように、絶縁樹脂層２−３を形成する。次に、工程８から工程１１の処理により、図５（ｎ）のように、配線パターン６−３の導体層と、絶縁樹脂層２−３に埋め込まれたビアホール７−３を形成する。こうして、工程３から工程１２の処理により、配線パターン６と６−２と６−３の３層の導体層が形成できる。この工程でレーザ光を用いて形成したビアホール下穴７に形成されたビアホール７−３の径は、金属支持層１側の径が、金属支持層１から遠い側の径よりも小さい円錐台形状に形成される。
（工程１３）
次に、図５（ｏ）のように、工程７の処理により絶縁樹脂層２−４を形成する。こうして、支持体１ｃの両面に第１の絶縁樹脂層２と、第２の絶縁樹脂層２−２と第２の導体層６−２が交互に重ねられ、外層が絶縁樹脂層２−４で覆われた基板を形成する。
（工程１４）
次に、図６（ｐ）のように、基板の端部から金属剥離層１ａまでの１５ｍｍから３０ｍｍ程度の外周接着部分１ｄをルーターやプレス加工等で切断し金属剥離層１ａと金属支持層１の接触部分の外周を露出させた外周露出部１ｅを形成する。次に、図６（ｑ）のように、支持体１ｃの外側の２組の、金属支持層１を含む上側の部分の金属支持層１付き基板と、下側の金属支持層１付き基板を分離する。ここで、金属剥離層１ａと金属支持層１は接着していないので、外周接着部分１ｄが除去されて金属剥離層１ａと金属支持層１の接触部分の外周が露出されると、何ら応力を加えずに両者を分離できる。従来の製造方法で、両者を緩く接着しておき、緩く応力を加えて両者を引き剥がす製造方法では、引き剥がした基板が引き剥がしの応力により反る問題があったが、本実施形態では、何ら応力を加えずに両者を分離できるので、分離した基板が反らない効果がある。
次に、図６（ｐ）のように、基板の端部から金属剥離層１ａまでの１５ｍｍから３０ｍｍ程度の外周接着部分１ｄをルーターやプレス加工等で切断し金属剥離層１ａと金属支持層１の接触部分の外周を露出させた外周露出部１ｅを形成する。次に、図６（ｑ）のように、支持体１ｃの外側の２組の、金属支持層１を含む上側の部分の金属支持層１付き基板と、下側の金属支持層１付き基板を分離する。ここで、金属剥離層１ａと金属支持層１は接着していないので、外周接着部分１ｄが除去されて金属剥離層１ａと金属支持層１の接触部分の外周が露出されると、何ら応力を加えずに両者を分離できる。従来の製造方法で、両者を緩く接着しておき、緩く応力を加えて両者を引き剥がす製造方法では、引き剥がした基板が引き剥がしの応力により反る問題があったが、本実施形態では、何ら応力を加えずに両者を分離できるので、分離した基板が反らない効果がある。
（工程１５）
次に、図７（ｒ）のように、銅の金属支持層１をエッチングして除去することで、両面を第１の絶縁樹脂層２と絶縁樹脂層２−４で被覆した印刷配線板中間体８を製造する。この際に用いるエッチング溶液として、例えばアンモニアを主成分としたアルカリエッチング液などを使用できる。あるいは、第二塩化鉄水溶液または第二塩化銅水溶液を使用しても良い。ここで、先の変形例１で金属支持層１として厚さ１２μｍの銅箔を用いた場合は、この工程１５における金属支持層１のエッチング処理の時間をきわめて短時間で済ませることができる効果がある。
次に、図７（ｒ）のように、銅の金属支持層１をエッチングして除去することで、両面を第１の絶縁樹脂層２と絶縁樹脂層２−４で被覆した印刷配線板中間体８を製造する。この際に用いるエッチング溶液として、例えばアンモニアを主成分としたアルカリエッチング液などを使用できる。あるいは、第二塩化鉄水溶液または第二塩化銅水溶液を使用しても良い。ここで、先の変形例１で金属支持層１として厚さ１２μｍの銅箔を用いた場合は、この工程１５における金属支持層１のエッチング処理の時間をきわめて短時間で済ませることができる効果がある。
この工程１５で得た印刷配線板中間体８は、その各絶縁樹脂層２、２−２、２−３、２−４の厚さが薄くても、それらの絶縁樹脂層を複数層重ねたことで適度の厚さを有するので、その印刷配線板中間体８の取り扱いが容易であり、この印刷配線板中間体８を内層基板にして両面に導体層と絶縁樹脂層を逐次形成して印刷配線板を製造することが容易である効果がある。また、印刷配線板中間体８の両面の導体層が第１の絶縁樹脂層２と絶縁樹脂層２−４で保護され外に露出しないので、印刷配線板中間体８から金属支持層１をエッチングして除去する際に印刷配線板中間体８の導体層が損傷しない効果がある。それ以降の製造工程における取り扱いでも、導体層が第１の絶縁樹脂層２と絶縁樹脂層２−４で保護されるのでその損傷が無く、印刷配線板の製造歩留まりが向上する効果がある。
（変形例４）
以上の製造工程は、配線パターン６、６−２、６−３の３層の導体層を形成し、両面を第１の絶縁樹脂層２と絶縁樹脂層２−４で被覆した印刷配線板中間体８を製造するものであるが、これ以外の印刷配線板中間体８として、配線パターン６、６−２の２層の導体層を形成し、３層の絶縁樹脂層２、２−２、２−３を形成し、両面の表層を第１の絶縁樹脂層２と絶縁樹脂層２−３にした印刷配線板中間体８を製造することも可能である。更に、配線パターン６の１層の導体層を第１の絶縁樹脂層２と絶縁樹脂層２−２で被覆した印刷配線板中間体８を製造することも可能である。
以上の製造工程は、配線パターン６、６−２、６−３の３層の導体層を形成し、両面を第１の絶縁樹脂層２と絶縁樹脂層２−４で被覆した印刷配線板中間体８を製造するものであるが、これ以外の印刷配線板中間体８として、配線パターン６、６−２の２層の導体層を形成し、３層の絶縁樹脂層２、２−２、２−３を形成し、両面の表層を第１の絶縁樹脂層２と絶縁樹脂層２−３にした印刷配線板中間体８を製造することも可能である。更に、配線パターン６の１層の導体層を第１の絶縁樹脂層２と絶縁樹脂層２−２で被覆した印刷配線板中間体８を製造することも可能である。
（工程１６）
次に、工程８と同様にして、印刷配線板中間体８の絶縁樹脂層２−４と第１の絶縁樹脂層２にレーザ光でビアホール下穴７を形成する。すなわち、ここでは、基板の片側のみではなく基板の両側にビアホール下穴７を形成する。この工程でレーザ光を用いて形成したビアホール下穴７の印刷配線板中間体８の中心側の底面の内径よりも印刷配線板中間体８
の外側の開口部の内径が大きい円錐台形状に形成される。
次に、工程８と同様にして、印刷配線板中間体８の絶縁樹脂層２−４と第１の絶縁樹脂層２にレーザ光でビアホール下穴７を形成する。すなわち、ここでは、基板の片側のみではなく基板の両側にビアホール下穴７を形成する。この工程でレーザ光を用いて形成したビアホール下穴７の印刷配線板中間体８の中心側の底面の内径よりも印刷配線板中間体８
の外側の開口部の内径が大きい円錐台形状に形成される。
（工程１７）
次に、図７（ｓ）のように、工程９から工程１１と同様にして、ただし、基板の片側のみではなく基板の両側に金属めっきをする。すなわち、両面への金属めっきにより、絶縁樹脂層２−４の表面に形成した第３の導体層の配線パターン６−４と、絶縁樹脂層２−４に埋め込んだビアホール７−４を形成し、また、第１の絶縁樹脂層２に重ねた配線パターン６−１と、第１の絶縁樹脂層２に埋め込んだビアホール７−１を形成する。この工程で、先にレーザ光で形成したビアホール下穴７を金属めっきで充填したビアホール７−４と７−１は、その印刷配線板中間体８の中心側の底部の径よりも印刷配線板中間体８の外側の底部の径が大きい円錐台形状に形成される。
次に、図７（ｓ）のように、工程９から工程１１と同様にして、ただし、基板の片側のみではなく基板の両側に金属めっきをする。すなわち、両面への金属めっきにより、絶縁樹脂層２−４の表面に形成した第３の導体層の配線パターン６−４と、絶縁樹脂層２−４に埋め込んだビアホール７−４を形成し、また、第１の絶縁樹脂層２に重ねた配線パターン６−１と、第１の絶縁樹脂層２に埋め込んだビアホール７−１を形成する。この工程で、先にレーザ光で形成したビアホール下穴７を金属めっきで充填したビアホール７−４と７−１は、その印刷配線板中間体８の中心側の底部の径よりも印刷配線板中間体８の外側の底部の径が大きい円錐台形状に形成される。
（工程１８）
この図７（ｓ）の印刷配線板中間体８は厚さが約２００μｍあり電気検査装置で検査するための適度の厚さを有するので、電気検査の際の取り扱いが容易である効果がある。そのため、この印刷配線板中間体８を電気検査装置に設置し、印刷配線板中間体８の両面のビアホール下穴７に露出した配線パターン間の導通を検査する。これにより、印刷配線板中間体８の全配線パターンと導体層間を接続するビアホールの不良を検出し、不良品の印刷配線板中間体８を除外し以降の製造工程を進める。こうして配線パターンの電気接続の不具合を十分に検査し不具合を除外しつつ製造工程を進めることができ、印刷配線板の製造歩留まりを向上させられる効果がある。
この図７（ｓ）の印刷配線板中間体８は厚さが約２００μｍあり電気検査装置で検査するための適度の厚さを有するので、電気検査の際の取り扱いが容易である効果がある。そのため、この印刷配線板中間体８を電気検査装置に設置し、印刷配線板中間体８の両面のビアホール下穴７に露出した配線パターン間の導通を検査する。これにより、印刷配線板中間体８の全配線パターンと導体層間を接続するビアホールの不良を検出し、不良品の印刷配線板中間体８を除外し以降の製造工程を進める。こうして配線パターンの電気接続の不具合を十分に検査し不具合を除外しつつ製造工程を進めることができ、印刷配線板の製造歩留まりを向上させられる効果がある。
（工程１９）
次に、図７（ｔ）のように、工程７と同様にして、印刷配線板中間体８を内層基板として、その両面に第３の絶縁樹脂層２−５（上面）と２−６（下面）を形成する。この際に、導体層の上の第３の絶縁樹脂層の厚さを第１の絶縁樹脂層２の厚さと同じ厚さに形成する。
次に、図７（ｔ）のように、工程７と同様にして、印刷配線板中間体８を内層基板として、その両面に第３の絶縁樹脂層２−５（上面）と２−６（下面）を形成する。この際に、導体層の上の第３の絶縁樹脂層の厚さを第１の絶縁樹脂層２の厚さと同じ厚さに形成する。
（工程２０）
以下、必要な層数が得られるまで、工程１９に続いて工程１６から工程１７を繰り返し、図８（ｕ）のように、絶縁樹脂層２−５の内部に埋め込んだビアホール７−５と絶縁樹脂層２−５の表面に形成した導体層の配線パターン６−５を形成し、絶縁樹脂層２−６の内部に埋め込んだビアホール７−６と絶縁樹脂層２−６の表面に形成した導体層の配線パターン６−６を形成する。この工程でレーザ光を用いて形成したビアホール下穴７に形成したビアホール７−５と７−６は、その印刷配線板中間体８の中心側の底部の径よりも印刷配線板中間体８の外側の底部の径が大きい円錐台形状に形成される。この基板の最外層の絶縁樹脂層２−５および２−６は、補強材を含まない絶縁樹脂で形成することが望ましい。それにより、絶縁樹脂層２−５および２−６の凹凸が低減され平坦性が向上し、最外層に高密度な配線パターン６−５と６−６を形成することができる効果がある。
以下、必要な層数が得られるまで、工程１９に続いて工程１６から工程１７を繰り返し、図８（ｕ）のように、絶縁樹脂層２−５の内部に埋め込んだビアホール７−５と絶縁樹脂層２−５の表面に形成した導体層の配線パターン６−５を形成し、絶縁樹脂層２−６の内部に埋め込んだビアホール７−６と絶縁樹脂層２−６の表面に形成した導体層の配線パターン６−６を形成する。この工程でレーザ光を用いて形成したビアホール下穴７に形成したビアホール７−５と７−６は、その印刷配線板中間体８の中心側の底部の径よりも印刷配線板中間体８の外側の底部の径が大きい円錐台形状に形成される。この基板の最外層の絶縁樹脂層２−５および２−６は、補強材を含まない絶縁樹脂で形成することが望ましい。それにより、絶縁樹脂層２−５および２−６の凹凸が低減され平坦性が向上し、最外層に高密度な配線パターン６−５と６−６を形成することができる効果がある。
（工程２１）
この工程２１は、先の工程１６から工程１７により基板の両面にビアホールと配線パターンから成る導体層を形成する逐次形成処理を行った後に、工程１９と工程２０を経ずに、直ぐにこの工程２１の処理に進んでも良い。工程２１では、図８（ｖ）のように、基板の両面にソルダーレジスト９を形成する。ソルダーレジスト９の形成手順は、前処理として、配線パターン６−４および配線パターン６−５の粗化処理に例えばＣＺ処理を施す。次に、感光性液状ソルダーレジスト９をスプレーコート、ロールコート、カーテンコート、スクリーン法で約２０μｍ厚に塗布し乾燥、または感光性ドライフィルム・ソルダーレジスト９をロールラミネートで貼り付ける。次に、図８（ｗ）のように、ソルダーレジスト９を露光・現像することで外部電極を形成するための外部電極パッド用開口部１０をソルダーレジスト９に形成する。次にソルダーレジスト９を加熱硬化させる。
この工程２１は、先の工程１６から工程１７により基板の両面にビアホールと配線パターンから成る導体層を形成する逐次形成処理を行った後に、工程１９と工程２０を経ずに、直ぐにこの工程２１の処理に進んでも良い。工程２１では、図８（ｖ）のように、基板の両面にソルダーレジスト９を形成する。ソルダーレジスト９の形成手順は、前処理として、配線パターン６−４および配線パターン６−５の粗化処理に例えばＣＺ処理を施す。次に、感光性液状ソルダーレジスト９をスプレーコート、ロールコート、カーテンコート、スクリーン法で約２０μｍ厚に塗布し乾燥、または感光性ドライフィルム・ソルダーレジスト９をロールラミネートで貼り付ける。次に、図８（ｗ）のように、ソルダーレジスト９を露光・現像することで外部電極を形成するための外部電極パッド用開口部１０をソルダーレジスト９に形成する。次にソルダーレジスト９を加熱硬化させる。
（工程２２）
次に、ソルダーレジスト９の外部電極パッド用開口部１０に露出した配線パターン６−５と６−６に、無電解ニッケルめっき層を３μｍ以上形成し、その上に無電解金めっき層を０．０３μｍ以上形成して外部電極パッド１０−１と１０−２を形成する。外部電極パッド１０−１と１０−２の無電解金めっき層は１μｍ以上のこともある。あるいは、この無電解ニッケルめっきと無電解金めっき層を省略することも可能である。更に外部電極パッド１０−１には、固相点が２１７〜２２７℃程度のＳｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだや固相点が２１３℃程度のＳｎ−Ｂｉ−ＡｇはんだやＳｎＰｂはんだ等の、固相点が２３５℃以下のはんだをプリコートする。このプリコートはんだは、固相点が２３０℃以下のはんだを選んで用いることが望ましい。また、外部電極パッド１０−１と１０−２には、無電解ニッケルめっきのかわりに電解ニッケルめっき層を３μｍ以上形成し、その上に電解金めっき層を０．５μｍ以上形成した外部電極パッドを形成しても良い。あるいは、金属めっき層のかわりに、イミダゾール化合物やベンズイミダゾール化合物等から成る水溶性プリフラックスによる水溶液有機防錆皮膜を外部電極パッド１０−１と１０−２に形成することも可能である。
（工程２３）
次に、この基板をダイサーなどで加工することで、１つの基板から、個片に分離した複数の印刷配線板を得る。
次に、ソルダーレジスト９の外部電極パッド用開口部１０に露出した配線パターン６−５と６−６に、無電解ニッケルめっき層を３μｍ以上形成し、その上に無電解金めっき層を０．０３μｍ以上形成して外部電極パッド１０−１と１０−２を形成する。外部電極パッド１０−１と１０−２の無電解金めっき層は１μｍ以上のこともある。あるいは、この無電解ニッケルめっきと無電解金めっき層を省略することも可能である。更に外部電極パッド１０−１には、固相点が２１７〜２２７℃程度のＳｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだや固相点が２１３℃程度のＳｎ−Ｂｉ−ＡｇはんだやＳｎＰｂはんだ等の、固相点が２３５℃以下のはんだをプリコートする。このプリコートはんだは、固相点が２３０℃以下のはんだを選んで用いることが望ましい。また、外部電極パッド１０−１と１０−２には、無電解ニッケルめっきのかわりに電解ニッケルめっき層を３μｍ以上形成し、その上に電解金めっき層を０．５μｍ以上形成した外部電極パッドを形成しても良い。あるいは、金属めっき層のかわりに、イミダゾール化合物やベンズイミダゾール化合物等から成る水溶性プリフラックスによる水溶液有機防錆皮膜を外部電極パッド１０−１と１０−２に形成することも可能である。
（工程２３）
次に、この基板をダイサーなどで加工することで、１つの基板から、個片に分離した複数の印刷配線板を得る。
（変形例５）
変形例５として、工程１において、銅の金属支持層１と金属剥離層１ａの間に熱発泡性シートを挟んで基板を積層プレスで加熱・加圧することで金属支持層１と金属剥離層１ａを接着させ、工程２から工程１３で、その両面に絶縁樹脂層と導体層を逐次形成し、工程１４では、オーブン等で積層温度以上の熱、例えば２２０℃を加えて、５分間処理することで、熱発泡シートの残渣なく金属支持層１と金属剥離層１ａを分離することが可能である。以降の工程１５から工程２２を以上の説明のように処理して印刷配線板を製造することができる。
変形例５として、工程１において、銅の金属支持層１と金属剥離層１ａの間に熱発泡性シートを挟んで基板を積層プレスで加熱・加圧することで金属支持層１と金属剥離層１ａを接着させ、工程２から工程１３で、その両面に絶縁樹脂層と導体層を逐次形成し、工程１４では、オーブン等で積層温度以上の熱、例えば２２０℃を加えて、５分間処理することで、熱発泡シートの残渣なく金属支持層１と金属剥離層１ａを分離することが可能である。以降の工程１５から工程２２を以上の説明のように処理して印刷配線板を製造することができる。
以上の製造方法により、導体層間の絶縁樹脂層の厚さを同じ厚さに形成した印刷配線板が得られる。ここで、ソルダーレジスト形成後に外部電極パッド１０−１、１０−２の金めっき等を形成するので、外部電極パッド１０−１、１０−２の部分でのソルダーレジスト剥がれが無い良好な品質の印刷配線板が得られる効果がある。また、最良の実施形態として、各絶縁樹脂層２と２−２と２−３と２−４をガラス繊維入り絶縁樹脂層で形成し、絶縁樹脂層２−５と２−６をガラス繊維などの補強材無しの絶縁樹脂層で形成する。そして、この印刷配線板は、印刷配線板中間体８の両面の絶縁樹脂層にビアホールと配線パターンを形成することで、基板の上下に対称な層構成に絶縁樹脂層と配線パターンを逐次形成するので、応力を基板の片面側に偏らせないため、基板が反らない効果がある。そのため、板厚がきわめて薄い印刷配線板でありながら、この印刷配線板にソルダーレジストを印刷する際の加熱処理による熱応力や、後工程のはんだ付けの際の加熱処理などの熱応力を加えても印刷配線板が反る問題が少ない良い品質の印刷配線板が得られる効果がある。
更に、その金属支持層１を除去する工程１４と工程１５以前に印刷配線板中間体８の絶縁樹脂層２−２と２−３に埋め込んで形成したビアホールは、上底の径が下底の径より大きい逆向きの円錐台形状に形成される。金属支持層１を除去した後に第１の絶縁樹脂層２に形成したビアホールは、印刷配線板の中心に対して上下対称な向きに形成され、ビアホールの円錐台形状の印刷配線板の中心側に面する下底の径よりも印刷配線板の外側に面する上底の径の方が大きく形成される。そのため、印刷配線板で絶縁樹脂層２−２と２−３と２−４と２−５との４層の絶縁樹脂層に埋め込まれたビアホールは上側の径が下側の径より大きい逆向きの円錐台形状に形成され、第１の絶縁樹脂層２と絶縁樹脂層２−６との２層の絶縁樹脂層に埋め込まれたビアホールは上側の径が下側の径より小さい円錐台形状に形成される。
このように、本実施形態で製造した印刷配線板は、その上層側の絶縁樹脂層が、上側の径が下側の径より大きい逆向きの円錐台形状を有するビアホールを有し、下層側の絶縁樹脂層が含むビアホールが、その上下が逆の円錐台形状を有するビアホールであり、上層側の絶縁樹脂層の層数が下層側の絶縁樹脂層の層数より多い独特な形状の印刷配線板が製造される。この印刷配線板は、この印刷配線板の不具合の解析の際に、断面を観察し各層のビアホールの上下の向きを確認することで、金属支持層１上に逐次形成して形成した印刷配線板中間体の部分とその外側の両面に逐次形成して形成した外側の層を容易に区別することができ、異なる製造プロセスに起因する不具合を容易に区別して解析できる効果がある。
（工程２４）
次に、図９（ｘ）のように、外部電極パッド１０−１のプリコートはんだを加熱して再溶融させて半導体素子１１のバンプ１２をはんだ付けして半導体素子１１をフリップチップ接続する。次に、封止樹脂１３を半導体素子１１と絶縁樹脂層２−５との間の空間に流し込み硬化させることで半導体素子１１を絶縁樹脂層２−５とその上面のソルダーレジスト９上にフリップチップ実装する。
（工程２５）
次に、図９（ｙ）のように、外部電極パッド１０−２にはんだボールの外部接続端子１４を装着しボールグリッドアレイ構造の半導体装置を製造する。
次に、図９（ｘ）のように、外部電極パッド１０−１のプリコートはんだを加熱して再溶融させて半導体素子１１のバンプ１２をはんだ付けして半導体素子１１をフリップチップ接続する。次に、封止樹脂１３を半導体素子１１と絶縁樹脂層２−５との間の空間に流し込み硬化させることで半導体素子１１を絶縁樹脂層２−５とその上面のソルダーレジスト９上にフリップチップ実装する。
（工程２５）
次に、図９（ｙ）のように、外部電極パッド１０−２にはんだボールの外部接続端子１４を装着しボールグリッドアレイ構造の半導体装置を製造する。
（変形例６）
半導体装置の変形例として、外部電極パッド１０−２に装着する外部接続端子１４として金属のピン端子を用い、そのピン端子を外部電極パッド１０−２に装着してピングリッドアレイ構造を形成することもできる。外部接続端子１４に用いるピン端子は、例えばピン端子の銅合金の基材の表面にニッケルめっきし、その上に金めっきをした構造のピン端子を用いる。また、ピン端子の、外部電極パッド１０−２に装着する部分を面状端子にし、面状端子にピンを立てた構造のピン端子を用いる。そして、ピン端子のはんだ付けは、工程２４において、半導体素子１１を絶縁樹脂層２−５上に設置する以前に、ピン端子の面状端子を、固相点が２４０℃以上で２５０℃以下のはんだで、外部電極パッド１０−２にはんだ付けする。この条件を満足するはんだにはＳｎ−５Ｓｂはんだ（固相点が２４０℃）やＳｎ−Ｓｂ−Ｐｂはんだ等がある。
半導体装置の変形例として、外部電極パッド１０−２に装着する外部接続端子１４として金属のピン端子を用い、そのピン端子を外部電極パッド１０−２に装着してピングリッドアレイ構造を形成することもできる。外部接続端子１４に用いるピン端子は、例えばピン端子の銅合金の基材の表面にニッケルめっきし、その上に金めっきをした構造のピン端子を用いる。また、ピン端子の、外部電極パッド１０−２に装着する部分を面状端子にし、面状端子にピンを立てた構造のピン端子を用いる。そして、ピン端子のはんだ付けは、工程２４において、半導体素子１１を絶縁樹脂層２−５上に設置する以前に、ピン端子の面状端子を、固相点が２４０℃以上で２５０℃以下のはんだで、外部電極パッド１０−２にはんだ付けする。この条件を満足するはんだにはＳｎ−５Ｓｂはんだ（固相点が２４０℃）やＳｎ−Ｓｂ−Ｐｂはんだ等がある。
ピン端子をはんだ付けするはんだの固相点が２５０℃を超えるとそのはんだ付け温度が絶縁樹脂層を劣化させる問題があり、固相点が２４０℃未満の場合は、次の工程で、半導体素子１１のバンプ１２を印刷配線板の外部電極パッド１０−１へはんだ付けする際にピン端子の接合部分が外れたり劣化する問題が発生する。このように、外部電極パッド１０−２に固相点が２４０℃以上で２５０℃以下のはんだで外部接続端子１４をはんだ付けすることで、外部電極パッド１０−１に半導体素子１１やその他の電子部品をはんだ付けする際の印刷配線板の加熱処理で外部接続端子の接合部分が耐えることができる効果がある。
また、外部電極パッド１０−１へ半導体素子１１のバンプ１２をはんだ付けする際に、工程２２でプリコートしたはんだで、固相点が２３５℃以下のはんだを再溶融させる。すなわち、先の工程２２において、外部電極パッド１０−１および外部電極パッド１０−２に、それぞれにはんだ付けする部品に応じたはんだを予めプリコートしておく。すなわち、工程２２では、印刷配線板の外部電極パッド１０−１には固相点が２３５℃以下のはんだをプリコートし、外部電極パッド１０−２には固相点が２４０℃以上で２５０℃以下のはんだをプリコートする。そして、工程２４で、外部電極パッド１０−２にピン端子の外部接続端子１４をはんだ付けしてピングリッドアレイ構造を形成し、次に、外部電極パッド１０−１に２３５℃以下の温度で半導体素子１１のバンプ１２をはんだ付けして半導体装置を製造する。
なお、半導体素子１１などをはんだ付けする以前に印刷配線板に接合する外部接続端子１４は、ピン端子に限られない。例えば、電子部品を印刷配線板にはんだ付け以前に、金属バンプの外部接続端子１４を外部電極パッド１０−２にはんだ付け接合した印刷配線板、あるいは表層の導体層の一部に金属スティフナーをはんだ付けした印刷配線板、を形成する場合も同様に固相点が２４０℃以上で２５０℃以下のはんだでそれらの外部接続端子１４等を導体層の一部に接合することが望ましい。
また、この半導体装置は、半導体素子１１及び外部接続端子１４は、印刷配線板に対して図９とは上下逆に設置することも可能である。更に、半導体素子１１および外部接続端子１４を印刷配線板の下面に設置し、外部接続端子１４も半導体素子１１も印刷配線板の同じ下面に設置することも可能である。
以上の工程で製造した半導体装置は、半導体素子１１を実装する印刷配線板が、第１の絶縁樹脂層の上層に第２絶縁樹脂層を有し、前記第１の絶縁樹脂層の下層と前記第２の絶縁樹脂層の上層の両面に同じ層数の第３の絶縁樹脂層を有し、前記両面の第３の絶縁樹脂層の外層の両面にソルダーレジストを有し、前記第２の絶縁樹脂層以上の絶縁樹脂層内のビアホールが上側の径が下側の径より大きい逆向きの円錐台形状のビアホールであり、前記第１の絶縁樹脂層以下の絶縁樹脂層のビアホールが上側の径が下側の径より小さい円錐台形状のビアホールである構造を有する。そのように、この半導体素子１１を実装する印刷配線板のビアホールの円錐台形状の向きが印刷配線板の層構造の中心層に対して非対称な向きに配置されている。そのため、この半導体装置をマザー基板に実装する熱応力が加わった際に、その半導体装置の印刷配線板は、層構造の中心層に対する非対称な構造を反映して、印刷配線板の同じ側の片側に反る傾向を持つ。それにより、反りの対策や補正および反りの管理が容易になる効果がある。
＜第２の実施形態＞
図１０と図１１により第２の実施形態を説明する。第２の実施形態が第１の実施形態と相違する点は、第２の実施形態では、第１の実施形態の工程１と工程２を１つの工程で行い、金属剥離体１ｆの外周接着部分１ｄに印刷配線板中間体８の表層の第１の絶縁樹脂層２を接着した点である。そして、外周接着部分１ｄ以外の部分である金属支持層１の外側の全面を第１の絶縁樹脂層２に接着し、その金属支持層１の内側の全面を金属剥離体１ｆに接して接着せずに保持し、この第１の絶縁樹脂層２を表層にした基板を中心にして印刷配線板中間体８を製造する。
図１０と図１１により第２の実施形態を説明する。第２の実施形態が第１の実施形態と相違する点は、第２の実施形態では、第１の実施形態の工程１と工程２を１つの工程で行い、金属剥離体１ｆの外周接着部分１ｄに印刷配線板中間体８の表層の第１の絶縁樹脂層２を接着した点である。そして、外周接着部分１ｄ以外の部分である金属支持層１の外側の全面を第１の絶縁樹脂層２に接着し、その金属支持層１の内側の全面を金属剥離体１ｆに接して接着せずに保持し、この第１の絶縁樹脂層２を表層にした基板を中心にして印刷配線板中間体８を製造する。
（工程１）
図１０のように、金属支持層１として金属箔を用い、金属剥離体１ｆとして金属板、例えば１２５μｍの銅板を用いる。金属剥離体１ｆは、過水硫酸系のソフトエッチング処理、または、研磨材によるバフ研磨やサンドブラスト処理、あるいは、酸化還元処理による黒化処理、ＣＺ処理で粗化処理する。次に、図１０（ａ）のように、第１の絶縁樹脂層２、それより小さい金属支持層１、金属支持層１より大きい金属剥離体１ｆ、金属支持層１、第１の絶縁樹脂層２の順で積み上げ、積層プレスで熱圧着して、図１０（ｂ）のように、第１の絶縁樹脂層２と金属剥離体１ｆを外周接着部分１ｄで接着して一体化させる。あるいは、例えば厚さ４５μｍのエポキシ樹脂の第１の絶縁樹脂層２を、金属支持層１、金属剥離体１ｆ、金属支持層１の両面にロールラミネートで熱圧着させても良い。金属支持層１は、例えば厚さが１２μｍの銅箔で、金属剥離体１ｆの寸法より３０ｍｍから６０ｍｍ程度小さいものを用い、金属剥離体１ｆの外周を金属剥離体１ｆの外周から１５ｍｍから３０ｍｍ内側に置く。積層プレスの加熱・加圧処理により、第１の絶縁樹脂層２が金属剥離体１ｆの外周接着部分１ｄに接着し、また、外周接着部分１ｄの内側の部分である金属支持層１ａの外側の全面を第１の絶縁樹脂層２で覆って接着する。その金属支持層１の内側の全面は金属剥離体１ｆに接して接着せずに保持する。
図１０のように、金属支持層１として金属箔を用い、金属剥離体１ｆとして金属板、例えば１２５μｍの銅板を用いる。金属剥離体１ｆは、過水硫酸系のソフトエッチング処理、または、研磨材によるバフ研磨やサンドブラスト処理、あるいは、酸化還元処理による黒化処理、ＣＺ処理で粗化処理する。次に、図１０（ａ）のように、第１の絶縁樹脂層２、それより小さい金属支持層１、金属支持層１より大きい金属剥離体１ｆ、金属支持層１、第１の絶縁樹脂層２の順で積み上げ、積層プレスで熱圧着して、図１０（ｂ）のように、第１の絶縁樹脂層２と金属剥離体１ｆを外周接着部分１ｄで接着して一体化させる。あるいは、例えば厚さ４５μｍのエポキシ樹脂の第１の絶縁樹脂層２を、金属支持層１、金属剥離体１ｆ、金属支持層１の両面にロールラミネートで熱圧着させても良い。金属支持層１は、例えば厚さが１２μｍの銅箔で、金属剥離体１ｆの寸法より３０ｍｍから６０ｍｍ程度小さいものを用い、金属剥離体１ｆの外周を金属剥離体１ｆの外周から１５ｍｍから３０ｍｍ内側に置く。積層プレスの加熱・加圧処理により、第１の絶縁樹脂層２が金属剥離体１ｆの外周接着部分１ｄに接着し、また、外周接着部分１ｄの内側の部分である金属支持層１ａの外側の全面を第１の絶縁樹脂層２で覆って接着する。その金属支持層１の内側の全面は金属剥離体１ｆに接して接着せずに保持する。
また、第１の絶縁樹脂層２は、第１の実施形態の変形例２と同様にして、金属支持層１上にガラス繊維やガラスフレークやフィラーなどの補強材入り樹脂プリプレグを重ね、その上に厚さ１２μｍの銅箔を重ね合わせ、積層プレスで熱圧着させることで、銅箔付きの第１の絶縁樹脂層２を金属支持層１に接着して形成することができる。そして、その外側の銅箔を塩化第二鉄水溶液などのエッチング液で全面エッチングして第１の絶縁樹脂層２の表面を露出させる。
また、金属支持層１の銅箔の粗面（マット面）は外側に向けて積層する。しかし、マット面の凹凸が大きいため第１の絶縁樹脂層２の表面のプロファイルに与える影響を懸念する場合は、金属支持層１の銅箔のマット面を内側に向けて金属剥離体１ｆの両面に金属支持層１を密着させ、金属支持層１の外側の面を過水硫酸系のソフトエッチング処理等で最適な凹凸が得られる処理を行う。
（工程２）
次に、第１の実施形態の工程３から工程１３までの処理と同様に処理して、図１０（ｃ）のように、金属剥離体１ｆの両面に第１の絶縁樹脂層２と、第２の絶縁樹脂層２−２と第２の導体層６−２が交互に重ねられ、外層が絶縁樹脂層２−４で覆われた基板を形成する。
次に、第１の実施形態の工程３から工程１３までの処理と同様に処理して、図１０（ｃ）のように、金属剥離体１ｆの両面に第１の絶縁樹脂層２と、第２の絶縁樹脂層２−２と第２の導体層６−２が交互に重ねられ、外層が絶縁樹脂層２−４で覆われた基板を形成する。
（工程３）
次に、図１１（ｄ）のように、金属剥離体１ｆの端部から金属支持層１の端部までの１５ｍｍから３０ｍｍ程度の外周接着部分１ｄをルーターやプレス加工等の機械加工で切断し、金属支持層１と金属剥離体１ｆの接触部分の外周を露出させた外周露出部１ｅを形成する。次に、図１１（ｅ）のように、金属剥離体１ｆの外側の２組の、金属支持層１を含む上側の部分の金属支持層１付き基板と、下側の金属支持層１付き基板を分離する。
（工程４）
次に、図１１（ｆ）のように、銅の金属支持層１をエッチングし除去し両面を第１の絶縁樹脂層２と絶縁樹脂層２−４で被覆した印刷配線板中間体８を製造する。この際に用いるエッチング溶液として、例えばアンモニアを主成分としたアルカリエッチング液などを使用できる。あるいは、第二塩化鉄水溶液または第二塩化銅水溶液を使用しても良い。ここで、金属支持層１として厚さ１２μｍの銅箔を用いることで、金属支持層１のエッチング処理の時間をきわめて短時間で済ませることができる効果がある。
次に、図１１（ｄ）のように、金属剥離体１ｆの端部から金属支持層１の端部までの１５ｍｍから３０ｍｍ程度の外周接着部分１ｄをルーターやプレス加工等の機械加工で切断し、金属支持層１と金属剥離体１ｆの接触部分の外周を露出させた外周露出部１ｅを形成する。次に、図１１（ｅ）のように、金属剥離体１ｆの外側の２組の、金属支持層１を含む上側の部分の金属支持層１付き基板と、下側の金属支持層１付き基板を分離する。
（工程４）
次に、図１１（ｆ）のように、銅の金属支持層１をエッチングし除去し両面を第１の絶縁樹脂層２と絶縁樹脂層２−４で被覆した印刷配線板中間体８を製造する。この際に用いるエッチング溶液として、例えばアンモニアを主成分としたアルカリエッチング液などを使用できる。あるいは、第二塩化鉄水溶液または第二塩化銅水溶液を使用しても良い。ここで、金属支持層１として厚さ１２μｍの銅箔を用いることで、金属支持層１のエッチング処理の時間をきわめて短時間で済ませることができる効果がある。
（工程５）
次に、第１の実施形態の工程１６から工程２３により印刷配線板を製造し、工程２４から工程２５により半導体装置を製造する。
次に、第１の実施形態の工程１６から工程２３により印刷配線板を製造し、工程２４から工程２５により半導体装置を製造する。
＜第３の実施形態＞
図１２と図１３により第３の実施形態を説明する。第３の実施形態が第１および第２の実施形態と相違する点は、第１の実施形態の工程１と工程２を１つの工程で行うとともに、上下の印刷配線板中間体８の第１の絶縁樹脂層２の外周接着部分１ｄを接着した点である。外周接着部分１ｄ以外の部分である金属箔の金属支持層１の外側の全面を第１の絶縁樹脂層２に接着し、その金属支持層１の内側の全面は接着せずに、他方の金属支持層１に接して保持する点が第２の実施形態と相違する。そして、この第１の絶縁樹脂層２を表層にした基板を中心にして印刷配線板中間体８を製造する。
図１２と図１３により第３の実施形態を説明する。第３の実施形態が第１および第２の実施形態と相違する点は、第１の実施形態の工程１と工程２を１つの工程で行うとともに、上下の印刷配線板中間体８の第１の絶縁樹脂層２の外周接着部分１ｄを接着した点である。外周接着部分１ｄ以外の部分である金属箔の金属支持層１の外側の全面を第１の絶縁樹脂層２に接着し、その金属支持層１の内側の全面は接着せずに、他方の金属支持層１に接して保持する点が第２の実施形態と相違する。そして、この第１の絶縁樹脂層２を表層にした基板を中心にして印刷配線板中間体８を製造する。
（工程１）
第３の実施形態では、金属支持層１として金属箔を用い、図１２（ａ）のように、第１の絶縁樹脂層２、それより小さい金属支持層１、金属支持層１、第１の絶縁樹脂層２の順で積み上げ、積層プレスで熱圧着して、図１２（ｂ）のように、上下の第１の絶縁樹脂層２を外周接着部分１ｄで接着させて一体化させる。あるいは、例えば厚さ４５μｍのエポキシ樹脂の第１の絶縁樹脂層２を、金属支持層１、金属支持層１の両面にロールラミネートで熱圧着させても良い。金属支持層１の金属箔は、例えば厚さが１２μｍの銅箔で、金属剥離体１ｆの寸法より３０ｍｍから６０ｍｍ程度小さいものを用い、金属支持層１の外周を金属剥離体１ｆの内側に１５ｍｍから３０ｍｍ程度の位置に置く。積層プレスの加熱・加圧処理により、上下の第１の絶縁樹脂層２がその外周から金属支持層１ａの外周までの外周接着部分１ｄで接着し、金属支持層１ａの全面に第１の絶縁樹脂層２を接着する。金属支持層１ａの内側の全面は他方の金属支持層１に接するのみで接着しないで保持する。
第３の実施形態では、金属支持層１として金属箔を用い、図１２（ａ）のように、第１の絶縁樹脂層２、それより小さい金属支持層１、金属支持層１、第１の絶縁樹脂層２の順で積み上げ、積層プレスで熱圧着して、図１２（ｂ）のように、上下の第１の絶縁樹脂層２を外周接着部分１ｄで接着させて一体化させる。あるいは、例えば厚さ４５μｍのエポキシ樹脂の第１の絶縁樹脂層２を、金属支持層１、金属支持層１の両面にロールラミネートで熱圧着させても良い。金属支持層１の金属箔は、例えば厚さが１２μｍの銅箔で、金属剥離体１ｆの寸法より３０ｍｍから６０ｍｍ程度小さいものを用い、金属支持層１の外周を金属剥離体１ｆの内側に１５ｍｍから３０ｍｍ程度の位置に置く。積層プレスの加熱・加圧処理により、上下の第１の絶縁樹脂層２がその外周から金属支持層１ａの外周までの外周接着部分１ｄで接着し、金属支持層１ａの全面に第１の絶縁樹脂層２を接着する。金属支持層１ａの内側の全面は他方の金属支持層１に接するのみで接着しないで保持する。
また、第１の絶縁樹脂層２は、第２の実施形態と同様にして、金属支持層１上にガラス繊維やガラスフレークやフィラーなどの補強材入り樹脂プリプレグを重ね、その上に厚さ１２μｍの銅箔を重ね合わせ、積層プレスで熱圧着させることで、銅箔付きの第１の絶縁樹脂層２を金属支持層１に接着して形成することができる。そして、その外側の銅箔を塩化第二鉄水溶液などのエッチング液で全面エッチングして第１の絶縁樹脂層２の表面を露出させる。
また、金属支持層１の銅箔の粗面（マット面）は外側に向けて積層する。しかし、マット面の凹凸が大きいため第１の絶縁樹脂層２の表面のプロファイルに与える影響を懸念する場合は、金属支持層１の銅箔のマット面を内側に向けて対向する金属支持層１と密着させ、金属支持層１の外側の面を過水硫酸系のソフトエッチング処理等で最適な凹凸が得られる処理を行う。
（工程２）
次に、第１の実施形態の工程３から工程１３までの処理と同様に処理して、図１２（ｃ）のように、一対の金属支持層１の外側の両面に第１の絶縁樹脂層２と、第２の絶縁樹脂層２−２と第２の導体層６−２が交互に重ねられ、外層が絶縁樹脂層２−４で覆われた基板を形成する。
次に、第１の実施形態の工程３から工程１３までの処理と同様に処理して、図１２（ｃ）のように、一対の金属支持層１の外側の両面に第１の絶縁樹脂層２と、第２の絶縁樹脂層２−２と第２の導体層６−２が交互に重ねられ、外層が絶縁樹脂層２−４で覆われた基板を形成する。
（工程３）
次に、図１３（ｄ）のように、基板の外周から金属支持層１の端部までの１５ｍｍから３０ｍｍの外周接着部分１ｄをルーターやプレス加工等の機械加工で切断し、金属支持層１の接触部分の外周を露出させた外周露出部１ｅを形成する。次に、図１３（ｅ）のように２組の、金属支持層１を含む上側の部分の金属支持層１付き基板と、下側の金属支持層１付き基板に分割する。
（工程４）
次に、図１３（ｆ）のように、銅の金属支持層１をエッチングし除去し両面を第１の絶縁樹脂層２と絶縁樹脂層２−４で被覆した印刷配線板中間体８を製造する。この際に用いるエッチング溶液として、例えばアンモニアを主成分としたアルカリエッチング液などを使用できる。あるいは、第二塩化鉄水溶液または第二塩化銅水溶液を使用しても良い。ここで、金属支持層１として厚さ１２μｍの銅箔を用いることで、金属支持層１のエッチング処理の時間をきわめて短時間で済ませることができる効果がある。
次に、図１３（ｄ）のように、基板の外周から金属支持層１の端部までの１５ｍｍから３０ｍｍの外周接着部分１ｄをルーターやプレス加工等の機械加工で切断し、金属支持層１の接触部分の外周を露出させた外周露出部１ｅを形成する。次に、図１３（ｅ）のように２組の、金属支持層１を含む上側の部分の金属支持層１付き基板と、下側の金属支持層１付き基板に分割する。
（工程４）
次に、図１３（ｆ）のように、銅の金属支持層１をエッチングし除去し両面を第１の絶縁樹脂層２と絶縁樹脂層２−４で被覆した印刷配線板中間体８を製造する。この際に用いるエッチング溶液として、例えばアンモニアを主成分としたアルカリエッチング液などを使用できる。あるいは、第二塩化鉄水溶液または第二塩化銅水溶液を使用しても良い。ここで、金属支持層１として厚さ１２μｍの銅箔を用いることで、金属支持層１のエッチング処理の時間をきわめて短時間で済ませることができる効果がある。
（工程５）
次に、第１の実施形態の工程１６から工程２３により印刷配線板を製造し、工程２４から工程２５により半導体装置を製造する。
次に、第１の実施形態の工程１６から工程２３により印刷配線板を製造し、工程２４から工程２５により半導体装置を製造する。
１・・・金属支持層
１ａ・・・金属剥離層
１ｂ・・・接着剤層
１ｃ・・・支持体
１ｄ・・・外周接着部分
１ｅ・・・外周露出部
１ｆ・・・金属剥離体
２、２−２、２−３、２−４、２−５、２−６・・・絶縁樹脂層
３・・・めっき下地導電層
４・・・めっきレジスト
５・・・配線パターン部分
６、６−１、６−２、６−３、６−４、６−５、６−６・・・配線パターン
７・・・ビアホール下穴
７−１、７−２、７−３、７−４、７−５、７−６・・・ビアホール
８・・・印刷配線板中間体
９・・・ソルダーレジスト
１０・・・外部電極パッド用開口部
１０−１、１０−２・・・外部電極パッド
１１・・・半導体素子
１２・・・バンプ
１３・・・封止樹脂
１４・・・外部接続端子
１ａ・・・金属剥離層
１ｂ・・・接着剤層
１ｃ・・・支持体
１ｄ・・・外周接着部分
１ｅ・・・外周露出部
１ｆ・・・金属剥離体
２、２−２、２−３、２−４、２−５、２−６・・・絶縁樹脂層
３・・・めっき下地導電層
４・・・めっきレジスト
５・・・配線パターン部分
６、６−１、６−２、６−３、６−４、６−５、６−６・・・配線パターン
７・・・ビアホール下穴
７−１、７−２、７−３、７−４、７−５、７−６・・・ビアホール
８・・・印刷配線板中間体
９・・・ソルダーレジスト
１０・・・外部電極パッド用開口部
１０−１、１０−２・・・外部電極パッド
１１・・・半導体素子
１２・・・バンプ
１３・・・封止樹脂
１４・・・外部接続端子
Claims (12)
- 接着剤層の両面に前記接着剤層より小さい金属剥離層を設置し、前記金属剥離層の外側の両面に前記金属剥離層よりも大きい金属支持層を重ねて加熱・加圧することで両面の前記金属支持層の外周接着部分を前記接着剤層で接着した支持体を形成する第１の工程と、前記支持体の両面の前記金属支持層の外側に第１の絶縁樹脂層と第１の配線パターンを形成する第２の工程と、両面の前記第１の配線パターンの外側に絶縁樹脂層とビアホールと配線パターンとその外側の絶縁樹脂層を逐次形成する第３の工程と、前記外周接着部分を切断することで前記支持体から前記金属支持層付き基板を分離する第４の工程と、前記金属支持層付き基板から前記金属支持層を除去することで印刷配線板中間体を形成する第５の工程と、前記印刷配線板中間体の両面にビアホールと配線パターンを形成する第６の工程を有することを特徴とする印刷配線板の製造方法。
- 前記接着剤層を補強材入り樹脂プリプレグを用いて形成することを特徴とする請求項１記載の印刷配線板の製造方法。
- 金属剥離体の両面に前記金属剥離体より小さい金属支持層を設置し、前記金属支持層の外側の両面に前記金属支持層より大きい第１の絶縁樹脂層を重ねて加熱・加圧することで両面の前記第１の絶縁樹脂層の外周接着部分を前記金属剥離体に接着させる第１の工程と、前記第１の絶縁樹脂層にビアホールと第１の配線パターンを形成する第２の工程と、両面の前記第１の配線パターンの外側に絶縁樹脂層とビアホールと配線パターンとその外側の絶縁樹脂層を逐次形成する第３の工程と、前記外周接着部分を切断することで前記金属剥離体から前記金属支持層付き基板を分離する第４の工程と、前記金属支持層付き基板から前記金属支持層を除去した印刷配線板中間体を形成する第５の工程と、前記印刷配線板中間体の両面にビアホールと配線パターンを形成する第６の工程を有することを特徴とする印刷配線板の製造方法。
- 前記第１の絶縁樹脂層を、補強材入り樹脂プリプレグを用いて形成することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項記載の印刷配線板の製造方法。
- 前記第６の工程の次に、前記印刷配線板中間体の両面の外側に絶縁樹脂層とビアホールと配線パターンを逐次形成する第７の工程を有することを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項記載の印刷配線板の製造方法。
- 前記第７の工程において、最外層の絶縁樹脂層を補強材無しの絶縁樹脂層で形成することを特徴とする請求項５記載の印刷配線板の製造方法。
- 前記印刷配線板の最外層の外層配線パターンの外側に外部電極パッド用開口部を有するソルダーレジストを形成する第８の工程を有することを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項記載の印刷配線板の製造方法。
- 前記ソルダーレジストの前記外部電極パッド用開口部に露出した前記外層配線パターンに固相点が２４０℃以上で２５０℃以下のはんだで外部接続端子をはんだ付けする第９の工程を有することを特徴とする請求項７記載の印刷配線板の製造方法。
- 多層の絶縁樹脂層とその間の配線パターンとビアホールを有する印刷配線板であって、内層の第１の絶縁樹脂層が補強材入り絶縁樹脂層であり、前記第１の絶縁樹脂層の上層に第２の絶縁樹脂層群を有し、前記第１の絶縁樹脂層と前記第２の絶縁樹脂層群から成る内層基板の両面の外側に対称な層構成の第３の絶縁樹脂層群を有し、両面の前記第３の絶縁樹脂層群の最外層の絶縁樹脂層が補強材無しの絶縁樹脂層であり、両面の前記第３の絶縁
樹脂層群の外側に外層配線パターンを有し、両面の前記外層配線パターンの外側に外部電極パッド用開口部を有するソルダーレジストを備え、前記第２の絶縁樹脂層群とその上側の絶縁樹脂層群内のビアホールが上側の径が下側の径より大きい逆向きの円錐台形状のビアホールであり、前記第１の絶縁樹脂層とその下側の絶縁樹脂層群内のビアホールが、下側の径が上側の径より大きい円錐台形状のビアホールであり、前記各絶縁樹脂層の前記配線パターン間の厚さが等しいことを特徴とする印刷配線板。 - 前記ソルダーレジストの一部の前記外部電極パッド用開口部に露出した前記外層配線パターンに固相点が２４０℃以上で２５０℃以下のはんだで外部接続端子がはんだ付けされたことを特徴とする請求項９記載の印刷配線板。
- 多層の絶縁樹脂層とその間の配線パターンとビアホールを有する印刷配線板の外層に半導体素子を接合した半導体装置であって、前記印刷配線板において、内層の第１の絶縁樹脂層が補強材入り絶縁樹脂層であり、前記第１の絶縁樹脂層の上層に第２の絶縁樹脂層群を有し、前記第１の絶縁樹脂層と前記第２の絶縁樹脂層群から成る内層基板の両面の外側に対称な層構成の第３の絶縁樹脂層群を有し、両面の前記第３の絶縁樹脂層群の最外層の絶縁樹脂層が補強材無しの絶縁樹脂層であり、両面の前記第３の絶縁樹脂層群の外側に外層配線パターンを有し、両面の前記外層配線パターンの外側に外部電極パッド用開口部を有するソルダーレジストを備え、前記第２の絶縁樹脂層群とその上側の絶縁樹脂層群内のビアホールが上側の径が下側の径より大きい逆向きの円錐台形状のビアホールであり、前記第１の絶縁樹脂層とその下側の絶縁樹脂層群内のビアホールが、下側の径が上側の径より大きい円錐台形状のビアホールであり、前記各絶縁樹脂層の前記配線パターン間の厚さが等しい構造を有する前記印刷配線板を備え、前記印刷配線板の前記ソルダーレジストの第１の前記外部電極パッド用開口部に露出した前記外層配線パターンに、はんだで前記半導体素子を接合した構造を有することを特徴とする半導体装置。
- 前記はんだの固相点が２３５℃以下であり、前記ソルダーレジストの第２の前記外部電極パッド用開口部に露出した前記外層配線パターンに、固相点が２４０℃以上で２５０℃以下の第２のはんだで外部接続端子を接合した構造を有することを特徴とする請求項１１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007259464A JP5092662B2 (ja) | 2007-10-03 | 2007-10-03 | 印刷配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007259464A JP5092662B2 (ja) | 2007-10-03 | 2007-10-03 | 印刷配線板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009088429A true JP2009088429A (ja) | 2009-04-23 |
| JP5092662B2 JP5092662B2 (ja) | 2012-12-05 |
Family
ID=40661419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007259464A Expired - Fee Related JP5092662B2 (ja) | 2007-10-03 | 2007-10-03 | 印刷配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5092662B2 (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011009686A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Kinko Denshi Kofun Yugenkoshi | パッケージ基板及びその製造方法、並びにその基材 |
| CN102098883A (zh) * | 2009-12-15 | 2011-06-15 | 三星电机株式会社 | 用于制造基板的载体以及使用该载体制造基板的方法 |
| KR101044177B1 (ko) | 2009-10-09 | 2011-06-24 | 삼성전기주식회사 | 기판 제조용 캐리어 부재 및 이를 이용한 기판의 제조방법 |
| KR101044197B1 (ko) | 2009-11-12 | 2011-06-28 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판의 제조방법 |
| KR101055571B1 (ko) | 2009-11-30 | 2011-08-08 | 삼성전기주식회사 | 기판 제조용 캐리어 부재 및 이를 이용한 기판의 제조방법 |
| KR101055455B1 (ko) | 2009-11-30 | 2011-08-08 | 삼성전기주식회사 | 기판 제조용 캐리어 부재 및 이를 이용한 기판의 제조방법 |
| KR101101496B1 (ko) | 2009-11-30 | 2012-01-03 | 삼성전기주식회사 | 배선기판 제조용 캐리어 및 이를 이용한 배선기판의 제조방법 |
| KR101109234B1 (ko) * | 2010-01-07 | 2012-01-30 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 제조용 캐리어와 그 제조방법 및 이를 이용한 인쇄회로기판의 제조방법 |
| KR20120044262A (ko) * | 2010-10-27 | 2012-05-07 | 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 | 다층 배선기판의 제조방법 |
| WO2012060657A2 (ko) * | 2010-11-05 | 2012-05-10 | 주식회사 두산 | 신규 인쇄회로기판 및 이의 제조방법 |
| KR101167422B1 (ko) * | 2010-09-15 | 2012-07-19 | 삼성전기주식회사 | 캐리어 부재 및 이를 이용한 인쇄회로기판의 제조방법 |
| JP2012216879A (ja) * | 2010-01-07 | 2012-11-08 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | プリント基板製造用キャリアの製造方法、及びプリント基板の製造方法 |
| JP2013062314A (ja) * | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及び配線基板の製造方法 |
| JP2013120771A (ja) * | 2011-12-06 | 2013-06-17 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板の製造方法、及び、配線基板製造用の支持体 |
| KR20140047953A (ko) * | 2012-10-15 | 2014-04-23 | 삼성전기주식회사 | 다층 인쇄회로기판 및 그 제조 방법 |
| US9006103B2 (en) | 2012-09-24 | 2015-04-14 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Method of manufacturing wiring substrate |
| US9137896B2 (en) | 2012-09-20 | 2015-09-15 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring substrate |
| JP2020533797A (ja) * | 2017-09-12 | 2020-11-19 | ロジャーズ ジャーマニー ゲーエムベーハーＲｏｇｅｒｓ Ｇｅｒｍａｎｙ ＧｍｂＨ | レーザダイオードなどの構成要素をヒートシンクに接合するためのアダプタ要素、レーザダイオード、ヒートシンクおよびアダプタ要素を含むシステム、およびアダプタ要素の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9899239B2 (en) | 2015-11-06 | 2018-02-20 | Apple Inc. | Carrier ultra thin substrate |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004048072A (ja) * | 2003-10-24 | 2004-02-12 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 樹脂製配線基板及びその製造方法 |
| JP2004235323A (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Fujitsu Ltd | 配線基板の製造方法 |
| JP2005244140A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
| JP2007096260A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-04-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 多層配線基板及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-10-03 JP JP2007259464A patent/JP5092662B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004235323A (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Fujitsu Ltd | 配線基板の製造方法 |
| JP2004048072A (ja) * | 2003-10-24 | 2004-02-12 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 樹脂製配線基板及びその製造方法 |
| JP2005244140A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
| JP2007096260A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-04-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 多層配線基板及びその製造方法 |
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011009686A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Kinko Denshi Kofun Yugenkoshi | パッケージ基板及びその製造方法、並びにその基材 |
| KR101044177B1 (ko) | 2009-10-09 | 2011-06-24 | 삼성전기주식회사 | 기판 제조용 캐리어 부재 및 이를 이용한 기판의 제조방법 |
| KR101044197B1 (ko) | 2009-11-12 | 2011-06-28 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판의 제조방법 |
| KR101055571B1 (ko) | 2009-11-30 | 2011-08-08 | 삼성전기주식회사 | 기판 제조용 캐리어 부재 및 이를 이용한 기판의 제조방법 |
| KR101055455B1 (ko) | 2009-11-30 | 2011-08-08 | 삼성전기주식회사 | 기판 제조용 캐리어 부재 및 이를 이용한 기판의 제조방법 |
| KR101101496B1 (ko) | 2009-11-30 | 2012-01-03 | 삼성전기주식회사 | 배선기판 제조용 캐리어 및 이를 이용한 배선기판의 제조방법 |
| CN102098883A (zh) * | 2009-12-15 | 2011-06-15 | 三星电机株式会社 | 用于制造基板的载体以及使用该载体制造基板的方法 |
| KR101055473B1 (ko) | 2009-12-15 | 2011-08-08 | 삼성전기주식회사 | 기판 제조용 캐리어 부재 및 이를 이용한 기판의 제조방법 |
| JP2012216879A (ja) * | 2010-01-07 | 2012-11-08 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | プリント基板製造用キャリアの製造方法、及びプリント基板の製造方法 |
| KR101109234B1 (ko) * | 2010-01-07 | 2012-01-30 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 제조용 캐리어와 그 제조방법 및 이를 이용한 인쇄회로기판의 제조방법 |
| KR101167422B1 (ko) * | 2010-09-15 | 2012-07-19 | 삼성전기주식회사 | 캐리어 부재 및 이를 이용한 인쇄회로기판의 제조방법 |
| US8826526B2 (en) | 2010-10-27 | 2014-09-09 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Method of manufacturing multilayer wiring substrate |
| JP2012094682A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多層配線基板の製造方法 |
| KR101580343B1 (ko) * | 2010-10-27 | 2015-12-23 | 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 | 다층 배선기판의 제조방법 |
| KR20120044262A (ko) * | 2010-10-27 | 2012-05-07 | 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 | 다층 배선기판의 제조방법 |
| TWI492688B (zh) * | 2010-10-27 | 2015-07-11 | Ngk Spark Plug Co | 多層配線基板的製造方法 |
| WO2012060657A3 (ko) * | 2010-11-05 | 2012-09-07 | 주식회사 두산 | 신규 인쇄회로기판 및 이의 제조방법 |
| WO2012060657A2 (ko) * | 2010-11-05 | 2012-05-10 | 주식회사 두산 | 신규 인쇄회로기판 및 이의 제조방법 |
| US9060455B2 (en) | 2011-09-12 | 2015-06-16 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring board and method of manufacturing the same |
| JP2013062314A (ja) * | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及び配線基板の製造方法 |
| KR101906883B1 (ko) * | 2011-09-12 | 2018-12-05 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 배선 기판 및 그 제조 방법 |
| JP2013120771A (ja) * | 2011-12-06 | 2013-06-17 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板の製造方法、及び、配線基板製造用の支持体 |
| US9137896B2 (en) | 2012-09-20 | 2015-09-15 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring substrate |
| US9006103B2 (en) | 2012-09-24 | 2015-04-14 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Method of manufacturing wiring substrate |
| JP2014082459A (ja) * | 2012-10-15 | 2014-05-08 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 多層プリント回路基板及びその製造方法 |
| KR101884430B1 (ko) * | 2012-10-15 | 2018-08-01 | 삼성전기주식회사 | 다층 인쇄회로기판 및 그 제조 방법 |
| KR20140047953A (ko) * | 2012-10-15 | 2014-04-23 | 삼성전기주식회사 | 다층 인쇄회로기판 및 그 제조 방법 |
| JP2020533797A (ja) * | 2017-09-12 | 2020-11-19 | ロジャーズ ジャーマニー ゲーエムベーハーＲｏｇｅｒｓ Ｇｅｒｍａｎｙ ＧｍｂＨ | レーザダイオードなどの構成要素をヒートシンクに接合するためのアダプタ要素、レーザダイオード、ヒートシンクおよびアダプタ要素を含むシステム、およびアダプタ要素の製造方法 |
| JP7034266B2 (ja) | 2017-09-12 | 2022-03-11 | ロジャーズ ジャーマニー ゲーエムベーハー | レーザダイオードなどの構成要素をヒートシンクに接合するためのアダプタ要素、レーザダイオード、ヒートシンクおよびアダプタ要素を含むシステム、およびアダプタ要素の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5092662B2 (ja) | 2012-12-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5092662B2 (ja) | 印刷配線板の製造方法 | |
| JP5092547B2 (ja) | 印刷配線板の製造方法 | |
| US8959760B2 (en) | Printed wiring board and method for manufacturing same | |
| KR101475109B1 (ko) | 다층배선기판 및 그의 제조방법 | |
| JP5410660B2 (ja) | 配線基板及びその製造方法と電子部品装置及びその製造方法 | |
| JP5526746B2 (ja) | 多層基板の製造方法及び支持基板 | |
| US20080223610A1 (en) | Bga package substrate and method of fabricating same | |
| JP2010251688A (ja) | 部品内蔵印刷配線板及びその製造方法 | |
| JP2008218450A (ja) | 配線基板の製造方法及び電子部品装置の製造方法 | |
| JP2010135720A (ja) | 金属バンプを持つプリント基板及びその製造方法 | |
| KR20120085673A (ko) | 다층 배선기판 | |
| TW201334647A (zh) | 多層配線基板及其製造方法 | |
| JP2018032660A (ja) | プリント配線板およびプリント配線板の製造方法 | |
| JP5221887B2 (ja) | 配線基盤の製造方法 | |
| JP2010226075A (ja) | 配線板及びその製造方法 | |
| KR20130051424A (ko) | 다층 배선기판의 제조방법 | |
| JP3999784B2 (ja) | 電子部品搭載基板の製造方法 | |
| JP2016025281A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US11516910B1 (en) | Circuit board structure and manufacturing method thereof | |
| JP2013251314A (ja) | 多層配線板およびその製造方法 | |
| TW201927090A (zh) | 佈線板及其製造方法 | |
| JP2004055777A (ja) | 複合多層配線基板の製造方法 | |
| KR101167422B1 (ko) | 캐리어 부재 및 이를 이용한 인쇄회로기판의 제조방법 | |
| JP4779619B2 (ja) | 支持板、多層回路配線基板及びそれを用いた半導体パッケージ | |
| JP7052464B2 (ja) | 微細配線層付きコアレス基板の製造方法、および半導体パッケージの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100908 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20110224 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120113 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120117 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120305 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120821 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120903 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150928 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |