JP5092547B2 - 印刷配線板の製造方法 - Google Patents
印刷配線板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5092547B2 JP5092547B2 JP2007143077A JP2007143077A JP5092547B2 JP 5092547 B2 JP5092547 B2 JP 5092547B2 JP 2007143077 A JP2007143077 A JP 2007143077A JP 2007143077 A JP2007143077 A JP 2007143077A JP 5092547 B2 JP5092547 B2 JP 5092547B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- insulating resin
- resin layer
- substrate
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
本発明は、半導体素子実装用の薄板厚の印刷配線板及びその製造方法ならびに印刷配線板に半導体素子を設置して成る半導体装置に関する。
従来の半導体素子実装用の薄板厚の印刷配線板の製造方法として、特許文献１では、第１に、金属の支持基板上にニッケル等の外部電極パッドを形成し、次に、支持基板と外部電極パッドを覆う第１の絶縁樹脂層を重ね、次に、第１の絶縁樹脂層に外部電極パッドに達する第１のビアホール下穴を形成し、次に、金属の支持基板を電極とする電解銅めっきにより、第１のビアホール下穴を銅で充填しビアホールを形成し第１の絶縁樹脂層の表面に銅の導体層の第１の配線パターンを形成する。第２に、第１の絶縁樹脂層と第１の配線パターンを覆う第２の絶縁樹脂層を重ね、次に、第２の絶縁樹脂層に外部電極パッドに達する第２のビアホール下穴を形成し、次に、金属の支持基板を電極とする電解銅めっきにより、第２のビアホール下穴を銅で充填しビアホールを形成し第２の絶縁樹脂層の表面に銅の導体層の第２の配線パターンを形成する。第３に、第２の絶縁樹脂層と第２の配線パターンを覆う第３の絶縁樹脂層を重ね、次に、第３の絶縁樹脂層に外部電極パッドに達する第３のビアホール下穴を形成し、次に、金属の支持基板を電極とする電解銅めっきにより、第３のビアホール下穴を銅で充填しビアホールを形成し第３の絶縁樹脂層の表面に銅の導体層の第３の配線パターンを形成する。第４に、第３の絶縁樹脂層と第３の配線パターンを覆うソルダーレジストを形成する。第５に、金属の支持基板をエッチングで除去することで、全層間厚がきわめて薄く薄板厚の印刷配線板を製造していた。
以下に公知文献を記す。
特開２００１−１７７０１０号公報
しかし、特許文献１の印刷配線板の製造方法では、製造工程の一番最後に支持基板を除去するまでは配線パターンの導体層の全体が支持基板と電気接続しているため、配線パターンとビアホールの断線や短絡を電気検査で発見することができない問題があった。すなわち、支持基板を除去した際に初めて配線パターンの回路が支持基板から独立するので、次に、電気検査装置で配線パターンとビアホールの不具合を発見していた。こうして、製造工程の初期の段階で発生した配線パターンあるいはビアホールの断線や短絡の不具合を最後の工程で発見するため、印刷配線板の製造歩留まりが悪い問題があった。また、この製造方法で層数が多い印刷配線板を製造する場合は、印刷配線板の全層を支持基板の片面に形成するため、製造工期が長くなる欠点があった。
また、特許文献１の印刷配線板の製造方法では、両面にソルダーレジストを印刷する場合は、基板の片面にソルダーレジストを形成した後に支持基板を除去し、露出した面にソルダーレジストを形成すると、片面にソルダーレジストを形成するアンバランスなストレスにより、印刷配線板が反る問題があった。一方、金属の支持基板をエッチングで除去した後に、基板の両面にソルダーレジストを形成する場合も、ソルダーレジストを硬化させる際に加える加熱処理により印刷配線板が反る問題があった。鋭意研究の結果、この問題の原因は、片面形成した印刷配線板には、片面に偏ったストレスが残留するため、加熱処理により、上下面でアンバランスなストレスがあらわれ、そのストレスにより印刷配線板が反る知見を得た。
更に、特許文献１の製造方法では、エッチングにより金属の支持基板を除去する際に、支持基板に接していた外部電極パッドがエッチング液に曝されると、外部電極パッドの絶縁樹脂層の隙間から外部電極パッドに電気接続する導体層の位置までエッチング液が侵入し導体面が腐食されることがある問題があった。また、その外部電極パッドを金めっきで形成した場合、その金めっき上にソルダーレジストを形成すると、金めっきとソルダーレジストとの密着が悪くなり、ソルダーレジスト剥がれ不良を発生する問題があった。
本発明の課題は、半導体素子実装用の薄板厚の印刷配線板においてこれらの問題を解決することにある、すなわち、薄板厚の印刷配線板の反りを低減し、また、印刷配線板のソルダーレジスト剥がれ不良を低減することを課題とする。
本発明は、この課題を解決するために、支持基板上に第１の絶縁樹脂層を重ね、前記第１の絶縁樹脂層の面上に第１の導体層を電解銅めっきによって形成し、第１の絶縁樹脂層及び第１の導体層の上に第２の絶縁樹脂層を、第１の導体層の厚さだけ前記第１の絶縁樹脂層の厚さよりも厚く形成する処理と、前記第２の絶縁樹脂層内にビアホールを形成するとともに表面に第２の導体層を電解銅めっきによって形成する処理により絶縁樹脂層と導体層を交互に重ねるビルドアップ処理を繰り返し前記支持基板の面上に最外層を前記第２の絶縁樹脂層で被覆した内層基板を形成する第１の工程を有し、次に、前記支持基板を除去し前記内層基板を独立させる第２の工程を有し、次に、前記内層基板の両面の外層の前記絶縁樹脂層内にビアホールを形成するとともに表面に第３の導体層を形成し、外層の前記絶縁樹脂層及び第３の導体層の上に、前記第１の絶縁樹脂層の厚さよりも第３の導体層の厚さだけ厚い第３の絶縁樹脂層を重ね更に導体層を形成するビルドアップ処理を繰り返し前記内層基板の層数を増す第３の工程を有し、次に、前記内層基板の外層にソルダーレジストを形成する第４の工程を有することを特徴とする印刷配線板の製造方法である。
また、本発明は、前記第１の絶縁樹脂層を、補強材入りプリプレグ樹脂を用いて形成することを特徴とする上記の印刷配線板の製造方法である。
また、本発明は、表面に剥離層を形成した支持基板上の面上に第１の導体層を電解銅めっきによって形成し、次に、前記支持基板及び前記第１の導体層に第１の絶縁樹脂層を重ねる処理と、前記第１の絶縁樹脂層内にビアホールを形成するとともに表面に第２の導体層を電解銅めっきによって形成することで絶縁樹脂層と導体層を交互に重ねるビルドアップ処理を繰り返し前記支持基板の面上に最外層に前記第２の導体層を有し、絶縁樹脂層の導体層間の厚さを同じ厚さに形成した内層基板を形成する第１の工程を有し、次に、前記支持基板を除去し前記内層基板を独立させる第２の工程を有し、次に、前記内層基板の両面の外層の前記第１の導体層と前記第２の導体層に第３の絶縁樹脂層を、導体層上の厚さを前記内層基板における絶縁樹脂層の導体層間の厚さと同じ厚さに形成する処理と、次に、前記内層基板の両面の前記第３の絶縁樹脂層内にビアホールを形成するとともに表面に第３の導体層を電解銅めっきによって形成し、前記第３の導体層に絶縁樹脂層を重ね更に導体層を電解めっきによって形成するビルドアップ処理を繰り返し前記内層基板の層数を増す第３の工程を有し、次に、前記内層基板の外層にソルダーレジストを形成する第４の工程を有することを特徴とする印刷配線板の製造方法である。
また、本発明は、前記第１の絶縁樹脂層を、補強材入りプリプレグ樹脂を用いて形成することを特徴とする上記の印刷配線板の製造方法である。
本発明は、内層基板の各絶縁樹脂層の厚さが薄い場合も、それらの絶縁樹脂層を複数層重ねた適度の厚さの内層基板を形成した後に支持基板を除去し、それ以降に、支持基板の無い内層基板を取り扱うので、その内層基板は厚さが適度であるため取り扱いが容易である。そのため、その内層基板を電気検査装置で検査することができ、それにより配線パターンとビアホールの欠陥を検査でき、不良品を早期に除外できるので、印刷配線板の歩留まりを向上させる効果がある。また、内層基板に適度な層数の配線パターンを形成し、支持基板を除去した後は、両面に絶縁樹脂層と配線パターンをビルドアップして２層ずつ形成していくので、それ以降の工程は、支持基板の片面にビルドアップしていく従来工法に比べビルドアップの工程数を半減させ製造工期を短縮できる効果がある。
また、本発明の印刷配線板は、内層基板の両面に第４の絶縁樹脂層を重ねて基板の両面の絶縁樹脂層にビアホールと第４の配線パターンを形成することで基板の上下に上下対称な層構成に絶縁樹脂層と配線パターンをビルドアップすることができる。それにより、板厚がきわめて薄い印刷配線板でありながら、その印刷配線板を加熱処理しても印刷配線板が反る問題が少ない良い品質の印刷配線板が得られる効果がある。特に、従来の基板の両面にソルダーレジストを印刷する際の加熱処理による印刷配線板の反りを改善できる効果がある。
更に、本発明は、配線パターンを両面の絶縁樹脂層で被覆して配線パターンが露出しない内層基板から支持基板を除去するので、支持基板の除去の際の薬液による処理によって導体層が損傷することが無く、また、その後の製造工程でも内層基板の導体層が損傷することが無いので、印刷配線板の製造歩留まりを向上できる効果がある。
以下、本発明の実施形態について図面を基に説明する。本実施形態は、図１から図４に示すように、支持基板１上に第１の絶縁樹脂層２を重ね、その第１の絶縁樹脂層２の面上に配線パターンを含む第１の導体層６を形成し、その第１の導体層６に第２の絶縁樹脂層２−２を重ね、その第２の絶縁樹脂層２−２内に第１の導体層６に接続するビアホール７−２を形成するとともに第２の絶縁樹脂層２−２の面上に第２の導体層６−２を金属めっきで形成する処理を繰り返すことで支持基板１に第２の絶縁樹脂層２−２と第２の導体層６−２を交互に重ねた基板を製造する第１の工程を有し、次に、その基板から支持基板１
を除去した内層基板８を製造する第２の工程を有し、その内層基板８の両面に金属めっきで第３の導体層６−４を形成し、内層基板８の両面に第３の絶縁樹脂層２−５を重ねるビルドアップ処理を繰り返すことで内層基板８の両面にビルドアップ層を形成する第３の工程と、次に最外層にソルダーレジスト９を形成する第４の工程を有する印刷配線板の製造方法である。以下、本実施形態の製造方法を図１から図４に基づき詳細に説明する。
を除去した内層基板８を製造する第２の工程を有し、その内層基板８の両面に金属めっきで第３の導体層６−４を形成し、内層基板８の両面に第３の絶縁樹脂層２−５を重ねるビルドアップ処理を繰り返すことで内層基板８の両面にビルドアップ層を形成する第３の工程と、次に最外層にソルダーレジスト９を形成する第４の工程を有する印刷配線板の製造方法である。以下、本実施形態の製造方法を図１から図４に基づき詳細に説明する。
＜第１の実施形態＞
（工程１）
図１（ａ）のように、支持基板１として金属板を用い、例えば２５０μｍの銅板を支持基板１として用い、その支持基板１をＣＺ処理などで粗化処理する。粗化処理は、研磨材によるサンドブラスト処理または酸化還元処理による黒化処理、過水硫酸系のソフトエッチング処理でも良い。
（工程２）
次に、図１（ｂ）のように、支持基板１に絶縁樹脂層２をロールラミネートまたは積層プレスで熱圧着させる。例えば厚さ３０μｍのエポキシ樹脂をロールラミネートする。
（工程１）
図１（ａ）のように、支持基板１として金属板を用い、例えば２５０μｍの銅板を支持基板１として用い、その支持基板１をＣＺ処理などで粗化処理する。粗化処理は、研磨材によるサンドブラスト処理または酸化還元処理による黒化処理、過水硫酸系のソフトエッチング処理でも良い。
（工程２）
次に、図１（ｂ）のように、支持基板１に絶縁樹脂層２をロールラミネートまたは積層プレスで熱圧着させる。例えば厚さ３０μｍのエポキシ樹脂をロールラミネートする。
（変形例１）
工程２の変形例として、第１の絶縁樹脂層２として、支持基板１上にガラス繊維やガラスフレークやフィラーなどの補強材入りプリプレグ樹脂を重ね、その上に厚さ１２μｍの銅箔を重ね合わせ、積層プレスで熱圧着させることで、銅箔付きの絶縁樹脂層２を支持基板１に接着して形成する。絶縁樹脂層２の材料としては、ガラス繊維入りエポキシ樹脂材、ガラス繊維入りビスマレイミド−トリアジン樹脂（以下、ＢＴ樹脂と称す）材、ガラス繊維入りポリイミド樹脂材、ガラス繊維入りＰＰＥ樹脂材を使用できる。絶縁樹脂層２にガラス繊維入りプリプレグ樹脂を用いることで、絶縁樹脂層２にクラックが発生しクラックが成長することを防ぐことができる。特に、絶縁樹脂層２には後工程による熱ストレスが何回も加わり熱ストレスにより内部にクラック不具合を生じ易くそのクラック不具合が拡大する恐れがあるので、絶縁樹脂層２にガラス繊維入りプリプレグ樹脂を用いることで、絶縁樹脂層２を強化しクラック不具合を防止する効果がある。そして、不具合を発生し易い絶縁樹脂層２をこのように補強することで製造する印刷配線板の信頼性を高くできる効果がある。また、プリプレグ樹脂の補強材としては、ガラス繊維以外に、アラミド不織布、アラミド繊維、ポリエステル繊維を使用することもできる。また、絶縁樹脂層２の補強材は、繊維状の補強材以外にフレーク状の補強材、または、フィラーで、例えばセラミックスや硫酸バリウム等のフィラーで強化した補強材入りプリプレグ樹脂を用いることができる。
工程２の変形例として、第１の絶縁樹脂層２として、支持基板１上にガラス繊維やガラスフレークやフィラーなどの補強材入りプリプレグ樹脂を重ね、その上に厚さ１２μｍの銅箔を重ね合わせ、積層プレスで熱圧着させることで、銅箔付きの絶縁樹脂層２を支持基板１に接着して形成する。絶縁樹脂層２の材料としては、ガラス繊維入りエポキシ樹脂材、ガラス繊維入りビスマレイミド−トリアジン樹脂（以下、ＢＴ樹脂と称す）材、ガラス繊維入りポリイミド樹脂材、ガラス繊維入りＰＰＥ樹脂材を使用できる。絶縁樹脂層２にガラス繊維入りプリプレグ樹脂を用いることで、絶縁樹脂層２にクラックが発生しクラックが成長することを防ぐことができる。特に、絶縁樹脂層２には後工程による熱ストレスが何回も加わり熱ストレスにより内部にクラック不具合を生じ易くそのクラック不具合が拡大する恐れがあるので、絶縁樹脂層２にガラス繊維入りプリプレグ樹脂を用いることで、絶縁樹脂層２を強化しクラック不具合を防止する効果がある。そして、不具合を発生し易い絶縁樹脂層２をこのように補強することで製造する印刷配線板の信頼性を高くできる効果がある。また、プリプレグ樹脂の補強材としては、ガラス繊維以外に、アラミド不織布、アラミド繊維、ポリエステル繊維を使用することもできる。また、絶縁樹脂層２の補強材は、繊維状の補強材以外にフレーク状の補強材、または、フィラーで、例えばセラミックスや硫酸バリウム等のフィラーで強化した補強材入りプリプレグ樹脂を用いることができる。
絶縁樹脂層２の樹脂材料として、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、ポリイミド、ＰＰＥ、フェノール樹脂、ＰＴＦＥ樹脂、珪素樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、ＰＰＳ樹脂、ＰＰＯ樹脂などの有機樹脂を使用することができる。また、これらの樹脂単独でも、複数樹脂を混合しあるいは化合物を作成するなどの樹脂の組み合わせも使用できる。こうして、支持基板１にプリプレグと銅箔を積層して絶縁樹脂層２を形成した場合は、その銅箔を塩化第二鉄水溶液などのエッチング液で全面エッチングして絶縁樹脂層２の表面を露出させる。
（工程３）
次に、必要に応じて絶縁樹脂層２の表面を粗化する。一般的には、クロム酸、過マンガン酸塩の水溶液などの酸化剤による表面粗化処理などのウェットプロセスや、プラズマ処理やアッシング処理などのドライプロセスが有効である。次に、図１（ｃ）のように、無電解銅めっき処理により、絶縁樹脂層２の表面の全面に、厚さ０．５μｍから３μｍのめっき下地導電層３を形成する。
（工程４）
次に、図１（ｄ）のように、めっきレジスト４として例えばドライフィルムの感光性レジストをロールラミネートで基板に貼り付け、次に、図１（ｅ）のように、露光・現像し配線パターン部分５を開口して、その部分でめっき下地導電層３を露出させためっきレジスト４のパターンを形成する。
（工程５）
次に、図１（ｆ）のように、めっき下地導電層３を電極にして電解銅めっき処理により、配線パターン部分５で露出しためっき下地導電層３の面上に銅めっきを１５μｍの厚さに厚付けした配線パターン６を形成した第１の導体層を形成する。
（工程６）
次に、めっきレジスト４を剥離する。次に、図２（ｇ）のように、過水硫酸系のフラッシュエッチング処理により、絶縁樹脂層２上の第１の導体層に残っている厚さ０．５μｍから３μｍのめっき下地導電層３を除去し、絶縁樹脂層２に配線パターン６を残した第１の導体層を形成する。
次に、必要に応じて絶縁樹脂層２の表面を粗化する。一般的には、クロム酸、過マンガン酸塩の水溶液などの酸化剤による表面粗化処理などのウェットプロセスや、プラズマ処理やアッシング処理などのドライプロセスが有効である。次に、図１（ｃ）のように、無電解銅めっき処理により、絶縁樹脂層２の表面の全面に、厚さ０．５μｍから３μｍのめっき下地導電層３を形成する。
（工程４）
次に、図１（ｄ）のように、めっきレジスト４として例えばドライフィルムの感光性レジストをロールラミネートで基板に貼り付け、次に、図１（ｅ）のように、露光・現像し配線パターン部分５を開口して、その部分でめっき下地導電層３を露出させためっきレジスト４のパターンを形成する。
（工程５）
次に、図１（ｆ）のように、めっき下地導電層３を電極にして電解銅めっき処理により、配線パターン部分５で露出しためっき下地導電層３の面上に銅めっきを１５μｍの厚さに厚付けした配線パターン６を形成した第１の導体層を形成する。
（工程６）
次に、めっきレジスト４を剥離する。次に、図２（ｇ）のように、過水硫酸系のフラッシュエッチング処理により、絶縁樹脂層２上の第１の導体層に残っている厚さ０．５μｍから３μｍのめっき下地導電層３を除去し、絶縁樹脂層２に配線パターン６を残した第１の導体層を形成する。
（変形例２）
以上の工程３から工程６による配線パターン６の形成方法はセミアディティブ工法であるが、これ以外に、以下の製造方法でも同様に第１の導体層の配線パターン６を形成することができる。すなわち、第１に、絶縁樹脂層２の表面を粗化した後に、無電解銅めっき処理でめっき下地導電層３を形成し、第２に、めっき下地導電層３の全面に電解銅めっきを１２μｍの厚さで加えた第１の導体層を形成し、第３に、第１の導体層の表面にエッチングレジストパターンを形成することで第１の導体層をエッチングして配線パターン６を形成する。第４にエッチングレジストを剥離する。以上のサブトラクティブ工法によっても配線パターン６を形成し図２（ｇ）の構造を製造できる。
（工程７）
次に、第１の導体層の配線パターン６の表面を粗化処理することで第２の絶縁樹脂層２−２を形成する準備をする。この粗化処理としては、ＣＺ処理または酸化還元処理による黒化処理、過水硫酸系のソフトエッチング処理を実施する。
以上の工程３から工程６による配線パターン６の形成方法はセミアディティブ工法であるが、これ以外に、以下の製造方法でも同様に第１の導体層の配線パターン６を形成することができる。すなわち、第１に、絶縁樹脂層２の表面を粗化した後に、無電解銅めっき処理でめっき下地導電層３を形成し、第２に、めっき下地導電層３の全面に電解銅めっきを１２μｍの厚さで加えた第１の導体層を形成し、第３に、第１の導体層の表面にエッチングレジストパターンを形成することで第１の導体層をエッチングして配線パターン６を形成する。第４にエッチングレジストを剥離する。以上のサブトラクティブ工法によっても配線パターン６を形成し図２（ｇ）の構造を製造できる。
（工程７）
次に、第１の導体層の配線パターン６の表面を粗化処理することで第２の絶縁樹脂層２−２を形成する準備をする。この粗化処理としては、ＣＺ処理または酸化還元処理による黒化処理、過水硫酸系のソフトエッチング処理を実施する。
次に、図２（ｈ）のように、絶縁樹脂層２の厚さより配線パターン６の厚さだけ厚い第２の絶縁樹脂層２−２を、ロールラミネートまたは積層プレスで、配線パターン６および絶縁樹脂層２の面上に熱圧着させる。例えば厚さ４５μｍエポキシ樹脂をロールラミネートする。これにより、配線パターン６、すなわち第１の導体層の上の第２の絶縁樹脂層２−２の厚さを絶縁樹脂層２と同じ厚さにする。
ここで、第２の絶縁樹脂層２−２を形成するために、ガラス繊維やガラスフレークやフィラーなどの補強材入りプリプレグ樹脂に厚さ１２μｍの銅箔を重ね合わせ、積層プレスで熱圧着させることで、銅箔付きの第２の絶縁樹脂層２−２を形成することが望ましい。第２の絶縁樹脂層２−２の材料としては、ガラス繊維入りエポキシ樹脂材、ガラス繊維入りビスマレイミド−トリアジン樹脂（以下、ＢＴ樹脂と称す）材、ガラス繊維入りポリイミド樹脂材、ガラス繊維入りＰＰＥ樹脂材を使用できる。ガラス繊維入りプリプレグ樹脂を用いることで、絶縁樹脂層２−２にクラックが発生することを防ぎ、また、クラックが絶縁樹脂層２−２で成長することを防ぐことができる効果がある。こうして、プリプレグと銅箔を熱圧着させて第２の絶縁樹脂層２−２を形成した場合は、その銅箔を全面エッチングする。エッチング液として、塩化第二鉄水溶液などが使用できる。
（工程８）
次に、図２（ｉ）のように、ビアホール下穴７を形成する。ビアホール下穴７は、レーザ法あるいはフォトエッチング法で形成する。フォトエッチング法で第２の絶縁樹脂層２−２にビアホール下穴７を形成する場合は、絶縁樹脂層２−２に光硬化型の感光性樹脂を用いる場合は、所定のビアホール下穴７の部分を遮光するパターンを形成したマスクを第
２の絶縁樹脂層２−２に密着させ、紫外線により露光し、未露光部を現像除去する。あるいは、第２の絶縁樹脂層２−２に光分解型の感光性樹脂を用いる場合は、所定のビアホール下穴７部以外を遮光するパターンを形成したマスクを第２の絶縁樹脂層２−２に密着させ、紫外線により露光し、露光部を現像除去するフォトエッチング法によりビアホール下穴７を形成する。
次に、図２（ｉ）のように、ビアホール下穴７を形成する。ビアホール下穴７は、レーザ法あるいはフォトエッチング法で形成する。フォトエッチング法で第２の絶縁樹脂層２−２にビアホール下穴７を形成する場合は、絶縁樹脂層２−２に光硬化型の感光性樹脂を用いる場合は、所定のビアホール下穴７の部分を遮光するパターンを形成したマスクを第
２の絶縁樹脂層２−２に密着させ、紫外線により露光し、未露光部を現像除去する。あるいは、第２の絶縁樹脂層２−２に光分解型の感光性樹脂を用いる場合は、所定のビアホール下穴７部以外を遮光するパターンを形成したマスクを第２の絶縁樹脂層２−２に密着させ、紫外線により露光し、露光部を現像除去するフォトエッチング法によりビアホール下穴７を形成する。
レーザ光にて第２の絶縁樹脂層２−２にビアホール下穴７を形成する場合は、レーザ光としては、高調波ＹＡＧレーザやエキシマレーザなどの紫外線レーザ光を用いるか、炭酸ガスレーザなどの赤外線レーザ光を用いる。このようにレーザ光の波長域としては赤外光領域から紫外光領域までを用いる。第２の絶縁樹脂層２−２が熱硬化性樹脂からなる場合は、レーザ光にてビアホール下穴７を形成することが望ましい。ここで、レーザ光でビアホール下穴７を形成した場合は、ビアホール下穴７は、その穴の開口部分の径がその穴の底部の穴の径より大きい、漏斗状の穴になる。
ビアホール下穴７を形成した後にビアホール下穴７の底に薄い樹脂膜が残るため、デスミア処理により、その薄い樹脂膜を除去する。このデスミア処理は、強アルカリにより樹脂を膨潤させ、その後、クロム酸、過マンガン酸塩水溶液などの酸化剤を使用して樹脂を分解除去する。また研磨材によるサンドブラスト処理やプラズマ処理にて除去してもよい。
第２の絶縁樹脂層２−２にビアホール下穴７を形成した後、必要に応じて第２の絶縁樹脂層２−２の表面を粗化する。一般的には、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を使用した場合、クロム酸、過マンガン酸塩の水溶液などの酸化剤による表面粗化処理などのウェットプロセスや、プラズマ処理やアッシング処理などのドライプロセスが有効である。
（工程９）
次に、工程３と同様にして、ビアホール下穴７の壁面および第２の絶縁樹脂層２−２の表面の全面に無電解銅めっき処理により厚さ０．５μｍから３μｍのめっき下地導電層３（図示せず）を第２の導体層として形成する。次に、工程４と同様にして、めっきレジスト４（図示せず）例えばドライフィルムの感光性レジストをロールラミネートで基板に貼り付け、次に、露光・現像して配線パターン部分５（図示せず）を開口しためっきレジスト４を形成する。
（工程９）
次に、工程３と同様にして、ビアホール下穴７の壁面および第２の絶縁樹脂層２−２の表面の全面に無電解銅めっき処理により厚さ０．５μｍから３μｍのめっき下地導電層３（図示せず）を第２の導体層として形成する。次に、工程４と同様にして、めっきレジスト４（図示せず）例えばドライフィルムの感光性レジストをロールラミネートで基板に貼り付け、次に、露光・現像して配線パターン部分５（図示せず）を開口しためっきレジスト４を形成する。
（工程１０）
次に、めっき下地導電層３を電極にして電解銅めっき処理を行い、配線パターン部分５に露出しためっき下地導電層３の面上に電解銅めっき層を１５μｍの厚さに厚付けすることで配線パターン６−２を形成した第２の導体層を形成し、同時に、ビアホール下穴７を電解銅めっき層で充填したビアホール７−２を第２の絶縁樹脂層２−２に埋め込んで形成する。この際にビアホール７−２を形成するために、電解銅めっき浴としては、以下の組成のように平滑剤を含む電解銅めっき浴を用いることが望ましい。
（電解銅めっき浴組成）
硫酸銅：200〜250ｇ/Ｌ
硫酸 ：30〜50ｇ/Ｌ
塩素 ：30〜60ｐｐｍ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）：0.5〜1ｇ/Ｌ
ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド（ＳＰＳ）：1〜10ｍｇ/L
平滑剤：ヤーヌスグリーンＢ（ＪＧＢ）を1〜10ｍｇ/Ｌ。
次に、めっき下地導電層３を電極にして電解銅めっき処理を行い、配線パターン部分５に露出しためっき下地導電層３の面上に電解銅めっき層を１５μｍの厚さに厚付けすることで配線パターン６−２を形成した第２の導体層を形成し、同時に、ビアホール下穴７を電解銅めっき層で充填したビアホール７−２を第２の絶縁樹脂層２−２に埋め込んで形成する。この際にビアホール７−２を形成するために、電解銅めっき浴としては、以下の組成のように平滑剤を含む電解銅めっき浴を用いることが望ましい。
（電解銅めっき浴組成）
硫酸銅：200〜250ｇ/Ｌ
硫酸 ：30〜50ｇ/Ｌ
塩素 ：30〜60ｐｐｍ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）：0.5〜1ｇ/Ｌ
ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド（ＳＰＳ）：1〜10ｍｇ/L
平滑剤：ヤーヌスグリーンＢ（ＪＧＢ）を1〜10ｍｇ/Ｌ。
（工程１１）
次に、めっきレジスト４を剥離する。次に、第２の絶縁樹脂層２−２上の第２の導体層に残っている厚さ０．５μｍから３μｍのめっき下地導電層３は除去し、厚さ１５μｍの
配線パターン６−２の大部分は残す過水硫酸系のフラッシュエッチング処理を行い、図２（ｋ）のように、第２の絶縁樹脂層２−２にビアホール７−２を有し、その上に第２の導体層の配線パターン６−２を有する構造を形成する。この工程でレーザ光を用いて形成したビアホール下穴７は、その穴の開口部分の径がその穴の底部の穴の径より大きい、漏斗状の穴になるので、そのビアホール下穴７に形成されたビアホール７−２の径は、支持基板１側の径が、支持基板１から遠い側の径よりも小さい円錐台形に形成される。
次に、めっきレジスト４を剥離する。次に、第２の絶縁樹脂層２−２上の第２の導体層に残っている厚さ０．５μｍから３μｍのめっき下地導電層３は除去し、厚さ１５μｍの
配線パターン６−２の大部分は残す過水硫酸系のフラッシュエッチング処理を行い、図２（ｋ）のように、第２の絶縁樹脂層２−２にビアホール７−２を有し、その上に第２の導体層の配線パターン６−２を有する構造を形成する。この工程でレーザ光を用いて形成したビアホール下穴７は、その穴の開口部分の径がその穴の底部の穴の径より大きい、漏斗状の穴になるので、そのビアホール下穴７に形成されたビアホール７−２の径は、支持基板１側の径が、支持基板１から遠い側の径よりも小さい円錐台形に形成される。
（工程１２）
次に、以下のように、工程７から工程１１までを繰り返すことで、配線パターンの導体層を多層に形成する。先ず、工程７の処理により、図２（ｍ）のように、絶縁樹脂層２−３を形成する。次に、工程８から工程１１の処理により、図３（ｎ）のように、配線パターン６−３の導体層と、絶縁樹脂層２−３に埋め込まれたビアホール７−３を形成する。こうして、工程３から工程１２の処理により、配線パターン６と６−２と６−３の３層の導体層が形成できる。この工程でレーザ光を用いて形成したビアホール下穴７に形成されたビアホール７−３の径は、支持基板１側の径が、支持基板１から遠い側の径よりも小さい円錐台形に形成される。
（工程１３）
次に、図３（ｐ）のように、工程７の処理により絶縁樹脂層２−４を形成する。
次に、以下のように、工程７から工程１１までを繰り返すことで、配線パターンの導体層を多層に形成する。先ず、工程７の処理により、図２（ｍ）のように、絶縁樹脂層２−３を形成する。次に、工程８から工程１１の処理により、図３（ｎ）のように、配線パターン６−３の導体層と、絶縁樹脂層２−３に埋め込まれたビアホール７−３を形成する。こうして、工程３から工程１２の処理により、配線パターン６と６−２と６−３の３層の導体層が形成できる。この工程でレーザ光を用いて形成したビアホール下穴７に形成されたビアホール７−３の径は、支持基板１側の径が、支持基板１から遠い側の径よりも小さい円錐台形に形成される。
（工程１３）
次に、図３（ｐ）のように、工程７の処理により絶縁樹脂層２−４を形成する。
（工程１４）
次に、図３（ｑ）のように、銅の支持基板１をエッチングし除去し両面を絶縁樹脂層２と絶縁樹脂層２−４で被覆した内層基板８を製造する。この際に用いるエッチング溶液として、例えばアンモニアを主成分としたアルカリエッチング液などを使用できる。あるいは、第二塩化鉄水溶液または第二塩化銅水溶液を使用しても良い。この内層基板８は、その各絶縁樹脂層２、２−２、２−３、２−４の厚さが薄い場合も、それらの絶縁樹脂層を複数層重ねた適度の厚さを有するので、その内層基板８の取り扱いが容易であり、これにより印刷配線板を製造することが容易である効果がある。また、内層基板８の両面の導体層が絶縁樹脂層２、２−４で保護され外に露出しないので、内層基板８から支持基板１を除去する際の取り扱いで導体層が損傷しない効果があり、それ以降の製造工程における取り扱いでも導体層が損傷しない効果があり、これにより、印刷配線板の製造歩留まりが向上する効果がある。
次に、図３（ｑ）のように、銅の支持基板１をエッチングし除去し両面を絶縁樹脂層２と絶縁樹脂層２−４で被覆した内層基板８を製造する。この際に用いるエッチング溶液として、例えばアンモニアを主成分としたアルカリエッチング液などを使用できる。あるいは、第二塩化鉄水溶液または第二塩化銅水溶液を使用しても良い。この内層基板８は、その各絶縁樹脂層２、２−２、２−３、２−４の厚さが薄い場合も、それらの絶縁樹脂層を複数層重ねた適度の厚さを有するので、その内層基板８の取り扱いが容易であり、これにより印刷配線板を製造することが容易である効果がある。また、内層基板８の両面の導体層が絶縁樹脂層２、２−４で保護され外に露出しないので、内層基板８から支持基板１を除去する際の取り扱いで導体層が損傷しない効果があり、それ以降の製造工程における取り扱いでも導体層が損傷しない効果があり、これにより、印刷配線板の製造歩留まりが向上する効果がある。
（変形例３）
以上の製造工程は、内層基板８に配線パターン６、６−２、６−３の３層の導体層を形成し、その両面を絶縁樹脂層２、２−４で被覆した内層基板８を製造するものであるが、これ以外の内層基板８として、配線パターン６、６−２の２層の導体層を形成し、３層の絶縁樹脂層２、２−２、２−３を形成し、内層基板８の両面の表層を絶縁樹脂層２、２−３にした内層基板８を製造することも可能である。更に、配線パターン６の１層の導体層を絶縁樹脂層２、２−２で被覆した内層基板８を製造することも可能である。
以上の製造工程は、内層基板８に配線パターン６、６−２、６−３の３層の導体層を形成し、その両面を絶縁樹脂層２、２−４で被覆した内層基板８を製造するものであるが、これ以外の内層基板８として、配線パターン６、６−２の２層の導体層を形成し、３層の絶縁樹脂層２、２−２、２−３を形成し、内層基板８の両面の表層を絶縁樹脂層２、２−３にした内層基板８を製造することも可能である。更に、配線パターン６の１層の導体層を絶縁樹脂層２、２−２で被覆した内層基板８を製造することも可能である。
（変形例４）
また、工程１から工程１４までは、金属の支持基板１を用いたが、支持基板１は金属に限定されず、表面に剥離層を形成したガラスエポキシ樹脂基板などのガラス繊維入り絶縁樹脂基板を支持基板１として用い、工程１４で、支持基板１から内層基板８を剥離することで支持基板１を除去することも可能である。
また、工程１から工程１４までは、金属の支持基板１を用いたが、支持基板１は金属に限定されず、表面に剥離層を形成したガラスエポキシ樹脂基板などのガラス繊維入り絶縁樹脂基板を支持基板１として用い、工程１４で、支持基板１から内層基板８を剥離することで支持基板１を除去することも可能である。
（工程１５）
次に、工程８と同様にして、内層基板８の絶縁樹脂層２−４と絶縁樹脂層２にレーザ光でビアホール下穴７を形成する。すなわち、ここでは、基板の片側のみではなく基板の両側にビアホール下穴７を形成する。この工程でレーザ光を用いて形成したビアホール下穴
７の内層基板８の中心側の底面の内径よりも内層基板８の外側の開口部の内径が大きい漏斗状に形成される。
次に、工程８と同様にして、内層基板８の絶縁樹脂層２−４と絶縁樹脂層２にレーザ光でビアホール下穴７を形成する。すなわち、ここでは、基板の片側のみではなく基板の両側にビアホール下穴７を形成する。この工程でレーザ光を用いて形成したビアホール下穴
７の内層基板８の中心側の底面の内径よりも内層基板８の外側の開口部の内径が大きい漏斗状に形成される。
（工程１６）
次に、図３（ｒ）のように、工程９から工程１１と同様にして、ただし、基板の片側のみではなく基板の両側に金属めっきをする。すなわち、両面への金属めっきにより、絶縁樹脂層２−４の表面に形成した第３の導体層の配線パターン６−４と、絶縁樹脂層２−４に埋め込んだビアホール７−４を形成し、また、絶縁樹脂層２に重ねた配線パターン６−１と、絶縁樹脂層２に埋め込んだビアホール７−１を形成する。この工程で、先にレーザ光で形成したビアホール下穴７を金属めっきで充填したビアホール７−４と７−１は、その内層基板８の中心側の底部の径よりも内層基板８の外側の底部の径が大きい円錐台形状に形成される。
次に、図３（ｒ）のように、工程９から工程１１と同様にして、ただし、基板の片側のみではなく基板の両側に金属めっきをする。すなわち、両面への金属めっきにより、絶縁樹脂層２−４の表面に形成した第３の導体層の配線パターン６−４と、絶縁樹脂層２−４に埋め込んだビアホール７−４を形成し、また、絶縁樹脂層２に重ねた配線パターン６−１と、絶縁樹脂層２に埋め込んだビアホール７−１を形成する。この工程で、先にレーザ光で形成したビアホール下穴７を金属めっきで充填したビアホール７−４と７−１は、その内層基板８の中心側の底部の径よりも内層基板８の外側の底部の径が大きい円錐台形状に形成される。
（工程１７）
この図３（ｒ）の内層基板８は厚さが約２００μｍあり電気検査装置で検査するための適度の厚さを有するので、電気検査の際の取り扱いが容易である効果がある。そのため、この内層基板８を電気検査装置に設置し、内層基板８の両面のビアホール下穴７に露出した配線パターン間の導通を検査する。これにより、内層基板８の全配線パターンと導体層間を接続するビアホールの不良を検出し、不良品の内層基板８を除外し以降の製造工程を進める。こうして配線パターンの電気接続の不具合を十分に検査し不具合を除外しつつ製造工程を進めることができ、印刷配線板の製造歩留まりを向上させられる効果がある。
この図３（ｒ）の内層基板８は厚さが約２００μｍあり電気検査装置で検査するための適度の厚さを有するので、電気検査の際の取り扱いが容易である効果がある。そのため、この内層基板８を電気検査装置に設置し、内層基板８の両面のビアホール下穴７に露出した配線パターン間の導通を検査する。これにより、内層基板８の全配線パターンと導体層間を接続するビアホールの不良を検出し、不良品の内層基板８を除外し以降の製造工程を進める。こうして配線パターンの電気接続の不具合を十分に検査し不具合を除外しつつ製造工程を進めることができ、印刷配線板の製造歩留まりを向上させられる効果がある。
（変形例５）
ここまでの処理を以下のように変形して行うこともできる。すなわち、工程１では、支持基板１として、剥離層を接着した、ガラスエポキシ樹脂基板などのガラス繊維入り絶縁樹脂基板を用い、次に、工程３から工程６と同様に処理することでその支持基板１の面上に電気検査の電極用パッドおよび配線パターン６を形成する。次に、工程７と同様にして支持基板１上に絶縁樹脂層２−２を形成する。この変形例５では、絶縁樹脂層２−２はガラス繊維やフレークやフィラーなどの補強材入りプリプレグで形成することが特に望ましい。絶縁樹脂層２−２は、この変形例５では支持基板１の面上に最初に積層する絶縁樹脂層であるので、補強材入りプリプレグで形成することで絶縁樹脂層２−２が後工程の製造工程により加わる熱処理により劣化しないよう強化できる効果がある。次に、工程８から工程１２までを行い配線パターン６−３までを形成する。次に、工程１４で支持基板１を剥離し除去して、下面に電気検査の電極用パッドと配線パターンを露出させ上面に配線パターン６−３を露出させた内層基板８を製造することが可能である。次に、工程１７でその内層基板の電気検査を行う。
ここまでの処理を以下のように変形して行うこともできる。すなわち、工程１では、支持基板１として、剥離層を接着した、ガラスエポキシ樹脂基板などのガラス繊維入り絶縁樹脂基板を用い、次に、工程３から工程６と同様に処理することでその支持基板１の面上に電気検査の電極用パッドおよび配線パターン６を形成する。次に、工程７と同様にして支持基板１上に絶縁樹脂層２−２を形成する。この変形例５では、絶縁樹脂層２−２はガラス繊維やフレークやフィラーなどの補強材入りプリプレグで形成することが特に望ましい。絶縁樹脂層２−２は、この変形例５では支持基板１の面上に最初に積層する絶縁樹脂層であるので、補強材入りプリプレグで形成することで絶縁樹脂層２−２が後工程の製造工程により加わる熱処理により劣化しないよう強化できる効果がある。次に、工程８から工程１２までを行い配線パターン６−３までを形成する。次に、工程１４で支持基板１を剥離し除去して、下面に電気検査の電極用パッドと配線パターンを露出させ上面に配線パターン６−３を露出させた内層基板８を製造することが可能である。次に、工程１７でその内層基板の電気検査を行う。
（工程１８）
次に、図３（ｓ）のように、工程７と同様にして、基板の両面に第３の絶縁樹脂層２−５（上面）と２−６（下面）を形成する。この際に、導体層の上の第３の絶縁樹脂層の厚さを第１の絶縁樹脂層２の厚さと同じ厚さに形成する。
次に、図３（ｓ）のように、工程７と同様にして、基板の両面に第３の絶縁樹脂層２−５（上面）と２−６（下面）を形成する。この際に、導体層の上の第３の絶縁樹脂層の厚さを第１の絶縁樹脂層２の厚さと同じ厚さに形成する。
（工程１９）
以下、必要な層数が得られるまで、工程１８に続いて工程１５から工程１６を繰り返し、図４（ｔ）のように、絶縁樹脂層２−５の内部に埋め込んだビアホール７−５と絶縁樹脂層２−５の表面に形成した導体層の配線パターン６−５を形成し、絶縁樹脂層２−６の内部に埋め込んだビアホール７−６と絶縁樹脂層２−６の表面に形成した導体層の配線パターン６−６を形成する。この工程でレーザ光を用いて形成したビアホール下穴７に形成したビアホール７−５と７−６は、その内層基板８の中心側の底部の径よりも内層基板８の外側の底部の径が大きい円錐台形状に形成される。この基板の最外層の絶縁樹脂層２−５および２−６は、補強材入りプリプレグで形成することが望ましい。絶縁樹脂層２−５および２−６は、この製造方法で製造した印刷配線板をマザー基板に実装する場合に、そのマザー基板との接合部分で熱的機械的ストレスを受け易いが、これらの絶縁樹脂層を補強材入りプリプレグで形成することで、この印刷配線板をマザー基板に実装した後の印刷配線板の耐久性および寿命を延長させることができる効果がある。なお、先の工程１５から工程１７による基板の両面に配線パターンを形成するビルドアップ処理を行った後に、工程１８と工程１９を経ずに、直ぐに次の工程２０の処理に進んでも良い。
以下、必要な層数が得られるまで、工程１８に続いて工程１５から工程１６を繰り返し、図４（ｔ）のように、絶縁樹脂層２−５の内部に埋め込んだビアホール７−５と絶縁樹脂層２−５の表面に形成した導体層の配線パターン６−５を形成し、絶縁樹脂層２−６の内部に埋め込んだビアホール７−６と絶縁樹脂層２−６の表面に形成した導体層の配線パターン６−６を形成する。この工程でレーザ光を用いて形成したビアホール下穴７に形成したビアホール７−５と７−６は、その内層基板８の中心側の底部の径よりも内層基板８の外側の底部の径が大きい円錐台形状に形成される。この基板の最外層の絶縁樹脂層２−５および２−６は、補強材入りプリプレグで形成することが望ましい。絶縁樹脂層２−５および２−６は、この製造方法で製造した印刷配線板をマザー基板に実装する場合に、そのマザー基板との接合部分で熱的機械的ストレスを受け易いが、これらの絶縁樹脂層を補強材入りプリプレグで形成することで、この印刷配線板をマザー基板に実装した後の印刷配線板の耐久性および寿命を延長させることができる効果がある。なお、先の工程１５から工程１７による基板の両面に配線パターンを形成するビルドアップ処理を行った後に、工程１８と工程１９を経ずに、直ぐに次の工程２０の処理に進んでも良い。
（工程２０）
次に、図４（ｕ）のように、基板の両面にソルダーレジスト９を形成する。ソルダーレジスト９の形成手順は、前処理として、配線パターン６−４および配線パターン６−５の粗化処理に例えばＣＺ処理を施す。次に、感光性液状ソルダーレジスト９をスプレーコート、ロールコート、カーテンコート、スクリーン法で約２０μｍ厚に塗布し乾燥、または感光性ドライフィルム・ソルダーレジスト９をロールラミネートで貼り付ける。次に、図４（ｖ）のように、ソルダーレジスト９を露光・現像することで外部電極を形成するためのパッド用開口部１０をソルダーレジスト９に形成する。次にソルダーレジスト９を加熱硬化させる。
次に、図４（ｕ）のように、基板の両面にソルダーレジスト９を形成する。ソルダーレジスト９の形成手順は、前処理として、配線パターン６−４および配線パターン６−５の粗化処理に例えばＣＺ処理を施す。次に、感光性液状ソルダーレジスト９をスプレーコート、ロールコート、カーテンコート、スクリーン法で約２０μｍ厚に塗布し乾燥、または感光性ドライフィルム・ソルダーレジスト９をロールラミネートで貼り付ける。次に、図４（ｖ）のように、ソルダーレジスト９を露光・現像することで外部電極を形成するためのパッド用開口部１０をソルダーレジスト９に形成する。次にソルダーレジスト９を加熱硬化させる。
（工程２１）
次に、ソルダーレジスト９のパッド用開口部１０に露出した配線パターン６−５と６−６に、無電解ニッケルめっき層を３μｍ以上形成し、その上に無電解金めっき層を０．０３μｍ以上形成して外部電極パッド１０−１と１０−２を形成する。外部電極パッド１０−１と１０−２の無電解金めっき層は１μｍ以上のこともある。更に外部電極パッド１０−１には、固相点が２１７〜２２７℃程度のＳｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだや固相点が２１３℃程度のＳｎ−Ｂｉ−ＡｇはんだやＳｎＰｂはんだ等の、固相点が２３５℃以下のはんだをプリコートする。このプリコートはんだは、固相点が２３０℃以下のはんだを選んで用いることが望ましい。また、外部電極パッド１０−１と１０−２には、無電解ニッケルめっきのかわりに電解ニッケルめっき層を３μｍ以上形成し、その上に電解金めっき層を０．５μｍ以上形成した外部電極パッドを形成しても良い。あるいは、金属めっき層のかわりに、イミダゾール化合物やベンズイミダゾール化合物等から成る水溶性プリフラックスによる水溶液有機防錆皮膜を外部電極パッド１０−１と１０−２に形成することも可能である。
（工程２２）
次に、この基板をダイサーなどで加工することで、１つの基板から、個片に分離した複数の印刷配線板を得る。
次に、ソルダーレジスト９のパッド用開口部１０に露出した配線パターン６−５と６−６に、無電解ニッケルめっき層を３μｍ以上形成し、その上に無電解金めっき層を０．０３μｍ以上形成して外部電極パッド１０−１と１０−２を形成する。外部電極パッド１０−１と１０−２の無電解金めっき層は１μｍ以上のこともある。更に外部電極パッド１０−１には、固相点が２１７〜２２７℃程度のＳｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだや固相点が２１３℃程度のＳｎ−Ｂｉ−ＡｇはんだやＳｎＰｂはんだ等の、固相点が２３５℃以下のはんだをプリコートする。このプリコートはんだは、固相点が２３０℃以下のはんだを選んで用いることが望ましい。また、外部電極パッド１０−１と１０−２には、無電解ニッケルめっきのかわりに電解ニッケルめっき層を３μｍ以上形成し、その上に電解金めっき層を０．５μｍ以上形成した外部電極パッドを形成しても良い。あるいは、金属めっき層のかわりに、イミダゾール化合物やベンズイミダゾール化合物等から成る水溶性プリフラックスによる水溶液有機防錆皮膜を外部電極パッド１０−１と１０−２に形成することも可能である。
（工程２２）
次に、この基板をダイサーなどで加工することで、１つの基板から、個片に分離した複数の印刷配線板を得る。
以上の製造方法により、導体層間の絶縁樹脂層の厚さを同じ厚さに形成した印刷配線板が得られる。ここで、ソルダーレジスト形成後に外部電極パッド１０−１、１０−２の金めっき等を形成するので、外部電極パッド１０−１、１０−２の部分でのソルダーレジスト剥がれが無い良好な品質の印刷配線板が得られる効果がある。また、最良の実施形態として、各絶縁樹脂層２と２−２と２−３と２−４と２−５と２−６をガラス繊維入り絶縁樹脂層で形成する。そして、この印刷配線板は、内層基板８の両面の絶縁樹脂層にビアホールと配線パターンを形成することで、基板の上下に上下対称な層構成に絶縁樹脂層と配線パターンをビルドアップするので、ストレスを基板の片面側に偏って残留させない効果がある。そのため、板厚がきわめて薄い印刷配線板でありながら、この印刷配線板にソルダーレジストを印刷する際の加熱処理による熱ストレスや、後工程のはんだ付けの際の加熱処理などの熱ストレスを加えても印刷配線板が反る問題が少ない良い品質の印刷配線板が得られる効果がある。
更に、その支持基板１を除去する工程１４以前に内層基板８の絶縁樹脂層２−２と２−
３に埋め込んで形成したビアホールは、上底の径が下底の径より大きい逆向きの円錐台形状に形成される。支持基板１を除去した後に絶縁樹脂層２に形成したビアホールは、印刷配線板の中心に対して上下対称な向きに形成され、ビアホールの円錐台形状の印刷配線板の中心側に面する下底の径よりも印刷配線板の外側に面する上底の径の方が大きく形成される。そのため、印刷配線板で絶縁樹脂層２−２と２−３と２−４と２−５との４層の絶縁樹脂層に埋め込まれたビアホールは上側の径が下側の径より大きい逆向きの円錐台形状に形成され、絶縁樹脂層２と２−６との２層の絶縁層に埋め込まれたビアホールは上側の径が下側の径より小さい円錐台形状に形成される。このように、本実施形態で製造した印刷配線板は、その上層側の絶縁樹脂層が、上側の径が下側の径より大きい逆向きの円錐台形状を有するビアホールを有し、下層側の絶縁樹脂層が含むビアホールが、その上下が逆の円錐台形状を有するビアホールであり、上層側の絶縁樹脂層の層数が下層側の絶縁樹脂層の層数より多い独特な形状の印刷配線板が製造される。この印刷配線板は、この印刷配線板の不具合の解析の際に、断面を観察し各層のビアホールの上下の向きを確認することで、支持基板１上にビルドアップして形成した内層基板の部分とその外側の両面にビルドアップして形成した外側の層を容易に区別することができ、異なる製造プロセスに起因する不具合を容易に区別して解析できる効果がある。
３に埋め込んで形成したビアホールは、上底の径が下底の径より大きい逆向きの円錐台形状に形成される。支持基板１を除去した後に絶縁樹脂層２に形成したビアホールは、印刷配線板の中心に対して上下対称な向きに形成され、ビアホールの円錐台形状の印刷配線板の中心側に面する下底の径よりも印刷配線板の外側に面する上底の径の方が大きく形成される。そのため、印刷配線板で絶縁樹脂層２−２と２−３と２−４と２−５との４層の絶縁樹脂層に埋め込まれたビアホールは上側の径が下側の径より大きい逆向きの円錐台形状に形成され、絶縁樹脂層２と２−６との２層の絶縁層に埋め込まれたビアホールは上側の径が下側の径より小さい円錐台形状に形成される。このように、本実施形態で製造した印刷配線板は、その上層側の絶縁樹脂層が、上側の径が下側の径より大きい逆向きの円錐台形状を有するビアホールを有し、下層側の絶縁樹脂層が含むビアホールが、その上下が逆の円錐台形状を有するビアホールであり、上層側の絶縁樹脂層の層数が下層側の絶縁樹脂層の層数より多い独特な形状の印刷配線板が製造される。この印刷配線板は、この印刷配線板の不具合の解析の際に、断面を観察し各層のビアホールの上下の向きを確認することで、支持基板１上にビルドアップして形成した内層基板の部分とその外側の両面にビルドアップして形成した外側の層を容易に区別することができ、異なる製造プロセスに起因する不具合を容易に区別して解析できる効果がある。
（工程２３）
次に、図５（ｗ）のように、外部電極パッド１０−１のプリコートはんだを加熱して再溶融させて半導体素子１１のバンプ１２にはんだ付けするフリップチップ接続処理を行う。次に、封止樹脂１３を半導体素子１１と絶縁樹脂層２−５との間の空間に流し込み硬化させることで半導体素子１１を絶縁樹脂層２−５とその上面のソルダーレジスト９上に実装する。
（工程２４）
次に、図５（ｘ）のように、外部電極パッド１０−２にはんだボールの外部接続端子１４を装着しボールグリッドアレイ構造の半導体装置を製造する。
次に、図５（ｗ）のように、外部電極パッド１０−１のプリコートはんだを加熱して再溶融させて半導体素子１１のバンプ１２にはんだ付けするフリップチップ接続処理を行う。次に、封止樹脂１３を半導体素子１１と絶縁樹脂層２−５との間の空間に流し込み硬化させることで半導体素子１１を絶縁樹脂層２−５とその上面のソルダーレジスト９上に実装する。
（工程２４）
次に、図５（ｘ）のように、外部電極パッド１０−２にはんだボールの外部接続端子１４を装着しボールグリッドアレイ構造の半導体装置を製造する。
（変形例６）
半導体装置の変形例として、外部電極パッド１０−２に装着する外部接続端子１４として金属のピン端子を用い、そのピン端子を外部電極パッド１０−２に装着してピングリッドアレイ構造を形成することもできる。外部接続端子１４に用いるピン端子は、例えばピン端子の銅合金の基材の表面にニッケルめっきし、その上に金めっきをした構造のピン端子を用いる。また、ピン端子の、外部電極パッド１０−２に装着する部分を面状端子にし、面状端子にピンを立てた構造のピン端子を用いる。そして、ピン端子のはんだ付けは、工程２３において、半導体素子１１を絶縁樹脂層２−５上に設置する以前に、ピン端子の面状端子を、固相点が２４０℃以上で２５０℃以下のはんだで、外部電極パッド１０−２にはんだ付けする。この条件を満足するはんだにはＳｎ−５Ｓｂはんだ（固相点が２４０℃）やＳｎ−Ｓｂ−Ｐｂはんだ等がある。ピン端子をはんだ付けするはんだの固相点が２５０℃を超えるとそのはんだ付け温度が絶縁樹脂層を劣化させる問題があり、固相点が２４０℃未満の場合は、次の工程で、半導体素子１１のバンプ１２を印刷配線板の外部電極パッド１０−１へはんだ付けする際にピン端子の接合部分が外れたり劣化する問題が発生する。このように、外部電極パッド１０−２に固相点が２４０℃以上で２５０℃以下のはんだで外部接続端子１４をはんだ付けすることで、外部電極パッド１０−１に半導体素子１１やその他の電子部品をはんだ付けする際の印刷配線板の加熱処理で外部接続端子の接合部分が耐えることができる効果がある。
半導体装置の変形例として、外部電極パッド１０−２に装着する外部接続端子１４として金属のピン端子を用い、そのピン端子を外部電極パッド１０−２に装着してピングリッドアレイ構造を形成することもできる。外部接続端子１４に用いるピン端子は、例えばピン端子の銅合金の基材の表面にニッケルめっきし、その上に金めっきをした構造のピン端子を用いる。また、ピン端子の、外部電極パッド１０−２に装着する部分を面状端子にし、面状端子にピンを立てた構造のピン端子を用いる。そして、ピン端子のはんだ付けは、工程２３において、半導体素子１１を絶縁樹脂層２−５上に設置する以前に、ピン端子の面状端子を、固相点が２４０℃以上で２５０℃以下のはんだで、外部電極パッド１０−２にはんだ付けする。この条件を満足するはんだにはＳｎ−５Ｓｂはんだ（固相点が２４０℃）やＳｎ−Ｓｂ−Ｐｂはんだ等がある。ピン端子をはんだ付けするはんだの固相点が２５０℃を超えるとそのはんだ付け温度が絶縁樹脂層を劣化させる問題があり、固相点が２４０℃未満の場合は、次の工程で、半導体素子１１のバンプ１２を印刷配線板の外部電極パッド１０−１へはんだ付けする際にピン端子の接合部分が外れたり劣化する問題が発生する。このように、外部電極パッド１０−２に固相点が２４０℃以上で２５０℃以下のはんだで外部接続端子１４をはんだ付けすることで、外部電極パッド１０−１に半導体素子１１やその他の電子部品をはんだ付けする際の印刷配線板の加熱処理で外部接続端子の接合部分が耐えることができる効果がある。
また、外部電極パッド１０−１へ半導体素子１１のバンプ１２をはんだ付けする際に、工程２１でプリコートしたはんだで、固相点が２３５℃以下のはんだを再溶融させる。すなわち、先の工程２１において、外部電極パッド１０−１および外部電極パッド１０−２に、それぞれにはんだ付けする部品に応じたはんだを予めプリコートしておく。すなわち
、工程２１では、印刷配線板の外部電極パッド１０−１には固相点が２３５℃以下のはんだをプリコートし、外部電極パッド１０−２には固相点が２４０℃以上で２５０℃以下のはんだをプリコートする。そして、工程２３で、外部電極パッド１０−２にピン端子の外部接続端子１４をはんだ付けしてピングリッドアレイ構造を形成し、次に、外部電極パッド１０−１に２３５℃以下の温度で半導体素子１１のバンプ１２をはんだ付けして半導体装置を製造する。
、工程２１では、印刷配線板の外部電極パッド１０−１には固相点が２３５℃以下のはんだをプリコートし、外部電極パッド１０−２には固相点が２４０℃以上で２５０℃以下のはんだをプリコートする。そして、工程２３で、外部電極パッド１０−２にピン端子の外部接続端子１４をはんだ付けしてピングリッドアレイ構造を形成し、次に、外部電極パッド１０−１に２３５℃以下の温度で半導体素子１１のバンプ１２をはんだ付けして半導体装置を製造する。
なお、半導体素子１１などをはんだ付けする以前に印刷配線板に接合する外部接続端子１４は、ピン端子に限られない。例えば、電子部品を印刷配線板にはんだ付け以前に、金属バンプの外部接続端子１４を外部電極パッド１０−２にはんだ付け接合した印刷配線板、あるいは表層の導体層の一部に金属スティフナーをはんだ付けした印刷配線板、を形成する場合も同様に固相点が２４０℃以上で２５０℃以下のはんだでそれらの外部接続端子１４等を導体層の一部に接合することが望ましい。
以上の工程で製造する半導体装置は、半導体素子１１及び外部接続端子１４は、印刷配線板に対して図５とは上下逆に設置することも可能である。更に、半導体素子１１および外部接続端子１４を印刷配線板の下面に設置し、外部接続端子１４も半導体素子１１も印刷配線板の同じ下面に設置することも可能である。
以上の工程で製造した半導体装置は、半導体素子１１を実装する印刷配線板が、第１の絶縁樹脂層の上層に第２絶縁樹脂層を有し、前記第１の絶縁樹脂層の下層と前記第２の絶縁樹脂層の上層の両面に同じ層数の第３の絶縁樹脂層を有し、前記両面の第３の絶縁樹脂層の外層の両面にソルダーレジストを有し、前記第２の絶縁樹脂層以上の絶縁樹脂層内のビアホールが上側の径が下側の径より大きい逆向きの円錐台形状のビアホールであり、前記第１の絶縁樹脂層以下の絶縁樹脂層のビアホールが上側の径が下側の径より小さい円錐台形状のビアホールである構造を有する。そのように、この半導体素子１１を実装する印刷配線板のビアホールの円錐台形状の向きが印刷配線板の層構造の中心層に対して非対称な向きに配置されている。そのため、この半導体装置をマザー基板に実装する熱ストレスが加わった際に、その半導体装置の印刷配線板は、層構造の中心層に対する非対称な構造を反映して、印刷配線板の同じ側の片側に反る傾向を持つ。それにより、反りの対策や補正および反りの管理が容易になる効果がある。
＜第２の実施形態＞
（工程１）
第２の実施形態では、第１の実施形態で用いる支持基板１を、単体の基板ではなく、例えば１２５μｍの銅板２枚を接着して用いる。あるいは、銅板のかわりに、厚さ１２５μｍに形成した銅箔の支持基板１を２枚接着して用いることができる。支持基板１の接着の前処理として、２枚の支持基板１の片面の銅の面をＣＺ処理などで粗化処理する。粗化処理は、酸化還元処理による黒化処理、過水硫酸系のソフトエッチング処理でも良い。次に、粗化処理した面を対向させ２枚の銅板の支持基板１の端部を１５ｍｍ幅で接着する。その接着材としては絶縁樹脂層２の中央部をプレス加工等でくり貫いたものを用い、接着剤の材料に応じて、積層プレスまたはロールラミネートで熱圧着させる。あるいは、この接着剤としては、液状熱硬化性接着剤をディスペンサ、あるいはスクリーン印刷等で支持基板１に塗布して支持基板１を張り合せることもできる。
（工程１）
第２の実施形態では、第１の実施形態で用いる支持基板１を、単体の基板ではなく、例えば１２５μｍの銅板２枚を接着して用いる。あるいは、銅板のかわりに、厚さ１２５μｍに形成した銅箔の支持基板１を２枚接着して用いることができる。支持基板１の接着の前処理として、２枚の支持基板１の片面の銅の面をＣＺ処理などで粗化処理する。粗化処理は、酸化還元処理による黒化処理、過水硫酸系のソフトエッチング処理でも良い。次に、粗化処理した面を対向させ２枚の銅板の支持基板１の端部を１５ｍｍ幅で接着する。その接着材としては絶縁樹脂層２の中央部をプレス加工等でくり貫いたものを用い、接着剤の材料に応じて、積層プレスまたはロールラミネートで熱圧着させる。あるいは、この接着剤としては、液状熱硬化性接着剤をディスペンサ、あるいはスクリーン印刷等で支持基板１に塗布して支持基板１を張り合せることもできる。
（工程２）
こうして得られた２枚１組の銅板を支持基板１に用い、その２枚１組の銅板の支持基板１の両面に絶縁樹脂層２を形成する。
（工程３から工程１３）
第１の実施形態の工程３から工程１４と同様にして、ただし、２枚１組の支持基板１の
両面に導体層と絶縁樹脂層をビルドアップする。
（工程１４）
２枚１組の支持基板１の両面それぞれで必要なビルドアップの層数の導体層と絶縁樹脂層を得たら、次に、２枚１組の支持基板１の接着部の端部１５ｍｍをルータ加工などで切断し、２枚１組の支持基板１を２枚に分離する。そして、第１の実施形態の工程１４と同様にして、支持基板１を除去して内層基板８を形成する。
（工程１５から工程２２）
第１の実施形態の工程１５から工程２２と同様に処理して内層基板８の両面にビルドアップ層を形成して印刷配線板を製造する。
こうして得られた２枚１組の銅板を支持基板１に用い、その２枚１組の銅板の支持基板１の両面に絶縁樹脂層２を形成する。
（工程３から工程１３）
第１の実施形態の工程３から工程１４と同様にして、ただし、２枚１組の支持基板１の
両面に導体層と絶縁樹脂層をビルドアップする。
（工程１４）
２枚１組の支持基板１の両面それぞれで必要なビルドアップの層数の導体層と絶縁樹脂層を得たら、次に、２枚１組の支持基板１の接着部の端部１５ｍｍをルータ加工などで切断し、２枚１組の支持基板１を２枚に分離する。そして、第１の実施形態の工程１４と同様にして、支持基板１を除去して内層基板８を形成する。
（工程１５から工程２２）
第１の実施形態の工程１５から工程２２と同様に処理して内層基板８の両面にビルドアップ層を形成して印刷配線板を製造する。
（変形例７）
なお、第２の実施形態の変形例として、工程１において、銅板のかわりに、ガラスエポキシ樹脂基板などのガラス繊維入り絶縁樹脂基板の両面に剥離層を形成した支持基板１を用いて、工程３から工程１３で、その両面に絶縁樹脂層と導体層をビルドアップし、工程１４では、剥離層で内層基板８を剥離する。以降の工程１５から工程２２では、第１の実施形態と同様に処理して印刷配線板を製造する。
（変形例８）
第二の実施形態の変形例として、工程１において、２枚の銅の支持基板１の間に熱発泡性シートを挟んで支持基板１を積層プレスで加熱・加圧することで接着させ、工程３から工程１３で、その両面に絶縁樹脂層と導体層をビルドアップし、工程１４では、積層温度以上の熱、例えば２２０℃を加えて、５分間処理することで、支持基板１を分離する。オーブン等でこの熱履歴を掛けることで、熱発泡シートの残渣なく２枚の支持基板１を分離する。以降の工程１５から工程２２では、第１の実施形態と同様に処理して印刷配線板を製造する。
なお、第２の実施形態の変形例として、工程１において、銅板のかわりに、ガラスエポキシ樹脂基板などのガラス繊維入り絶縁樹脂基板の両面に剥離層を形成した支持基板１を用いて、工程３から工程１３で、その両面に絶縁樹脂層と導体層をビルドアップし、工程１４では、剥離層で内層基板８を剥離する。以降の工程１５から工程２２では、第１の実施形態と同様に処理して印刷配線板を製造する。
（変形例８）
第二の実施形態の変形例として、工程１において、２枚の銅の支持基板１の間に熱発泡性シートを挟んで支持基板１を積層プレスで加熱・加圧することで接着させ、工程３から工程１３で、その両面に絶縁樹脂層と導体層をビルドアップし、工程１４では、積層温度以上の熱、例えば２２０℃を加えて、５分間処理することで、支持基板１を分離する。オーブン等でこの熱履歴を掛けることで、熱発泡シートの残渣なく２枚の支持基板１を分離する。以降の工程１５から工程２２では、第１の実施形態と同様に処理して印刷配線板を製造する。
１・・・支持基板
２、２−２、２−３、２−４、２−５、２−６・・・絶縁樹脂層
３・・・めっき下地導電層
４・・・めっきレジスト
５・・・配線パターン部分
６、６−１、６−２、６−３、６−４、６−５、６−６・・・配線パターン
７・・・ビアホール下穴
７−１、７−２、７−３、７−４、７−５、７−６・・・ビアホール
８・・・内層基板
９・・・ソルダーレジスト
１０・・・パッド用開口部
１０−１、１０−２・・・外部電極パッド
１１・・・半導体素子
１２・・・バンプ
１３・・・封止樹脂
１４・・・外部接続端子
２、２−２、２−３、２−４、２−５、２−６・・・絶縁樹脂層
３・・・めっき下地導電層
４・・・めっきレジスト
５・・・配線パターン部分
６、６−１、６−２、６−３、６−４、６−５、６−６・・・配線パターン
７・・・ビアホール下穴
７−１、７−２、７−３、７−４、７−５、７−６・・・ビアホール
８・・・内層基板
９・・・ソルダーレジスト
１０・・・パッド用開口部
１０−１、１０−２・・・外部電極パッド
１１・・・半導体素子
１２・・・バンプ
１３・・・封止樹脂
１４・・・外部接続端子
Claims (4)
- 支持基板上に第１の絶縁樹脂層を重ね、前記第１の絶縁樹脂層の面上に第１の導体層を電解銅めっきによって形成し、第１の絶縁樹脂層及び第１の導体層の上に第２の絶縁樹脂層を、第１の導体層の厚さだけ前記第１の絶縁樹脂層の厚さよりも厚く形成する処理と、前記第２の絶縁樹脂層内にビアホールを形成するとともに表面に第２の導体層を電解銅めっきによって形成する処理により絶縁樹脂層と導体層を交互に重ねるビルドアップ処理を繰り返し前記支持基板の面上に最外層を前記第２の絶縁樹脂層で被覆した内層基板を形成する第１の工程を有し、次に、前記支持基板を除去し前記内層基板を独立させる第２の工程を有し、次に、前記内層基板の両面の外層の前記絶縁樹脂層内にビアホールを形成するとともに表面に第３の導体層を形成し、外層の前記絶縁樹脂層及び第３の導体層の上に、前記第１の絶縁樹脂層の厚さよりも第３の導体層の厚さだけ厚い第３の絶縁樹脂層を重ね更に導体層を形成するビルドアップ処理を繰り返し前記内層基板の層数を増す第３の工程を有し、次に、前記内層基板の外層にソルダーレジストを形成する第４の工程を有することを特徴とする印刷配線板の製造方法。
- 前記第１の絶縁樹脂層を、補強材入りプリプレグ樹脂を用いて形成することを特徴とする請求項１記載の印刷配線板の製造方法。
- 表面に剥離層を形成した支持基板上の面上に第１の導体層を電解銅めっきによって形成し、次に、前記支持基板及び前記第１の導体層に第１の絶縁樹脂層を重ねる処理と、前記第１の絶縁樹脂層内にビアホールを形成するとともに表面に第２の導体層を電解銅めっきによって形成することで絶縁樹脂層と導体層を交互に重ねるビルドアップ処理を繰り返し前記支持基板の面上に最外層に前記第２の導体層を有し、絶縁樹脂層の導体層間の厚さを同じ厚さに形成した内層基板を形成する第１の工程を有し、次に、前記支持基板を除去し前記内層基板を独立させる第２の工程を有し、次に、前記内層基板の両面の外層の前記第１の導体層と前記第２の導体層に第３の絶縁樹脂層を、導体層上の厚さを前記内層基板における絶縁樹脂層の導体層間の厚さと同じ厚さに形成する処理と、次に、前記内層基板の両面の前記第３の絶縁樹脂層内にビアホールを形成するとともに表面に第３の導体層を電解銅めっきによって形成し、前記第３の導体層に絶縁樹脂層を重ね更に導体層を電解めっきによって形成するビルドアップ処理を繰り返し前記内層基板の層数を増す第３の工程を有し、次に、前記内層基板の外層にソルダーレジストを形成する第４の工程を有することを特徴とする印刷配線板の製造方法。
- 前記第１の絶縁樹脂層を、補強材入りプリプレグ樹脂を用いて形成することを特徴とする請求項３記載の印刷配線板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007143077A JP5092547B2 (ja) | 2007-05-30 | 2007-05-30 | 印刷配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007143077A JP5092547B2 (ja) | 2007-05-30 | 2007-05-30 | 印刷配線板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008300482A JP2008300482A (ja) | 2008-12-11 |
| JP5092547B2 true JP5092547B2 (ja) | 2012-12-05 |
Family
ID=40173737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007143077A Expired - Fee Related JP5092547B2 (ja) | 2007-05-30 | 2007-05-30 | 印刷配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5092547B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011016555A1 (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | 日本電気株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
| JP5444136B2 (ja) * | 2010-06-18 | 2014-03-19 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板 |
| JP5578962B2 (ja) * | 2010-06-24 | 2014-08-27 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板 |
| CN103891425B (zh) | 2011-10-21 | 2017-06-13 | 株式会社村田制作所 | 多层布线基板、探针卡以及多层布线基板的制造方法 |
| WO2013111767A1 (ja) | 2012-01-27 | 2013-08-01 | 株式会社村田製作所 | 多層配線基板 |
| JP6057641B2 (ja) * | 2012-09-20 | 2017-01-11 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
| JP6092555B2 (ja) | 2012-09-24 | 2017-03-08 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板の製造方法 |
| JP5633095B2 (ja) * | 2013-02-08 | 2014-12-03 | 新光電気工業株式会社 | 半導体パッケージの製造方法および半導体パッケージ |
| WO2014174710A1 (ja) | 2013-04-26 | 2014-10-30 | 株式会社村田製作所 | 多層配線基板及びその製造方法並びにプローブカード用基板 |
| JP6269661B2 (ja) | 2013-05-08 | 2018-01-31 | 株式会社村田製作所 | 多層配線基板 |
| CN104168726B (zh) * | 2013-05-17 | 2017-08-01 | 深南电路有限公司 | 无芯基板的加工方法 |
| CN205902230U (zh) | 2013-11-07 | 2017-01-18 | 株式会社村田制作所 | 多层基板 |
| CN115397110B (zh) * | 2022-08-02 | 2023-06-09 | 中山芯承半导体有限公司 | 一种带台阶槽及埋入式线路的基板制作方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353394A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-12-06 | Kyocera Corp | ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置 |
| JP3811680B2 (ja) * | 2003-01-29 | 2006-08-23 | 富士通株式会社 | 配線基板の製造方法 |
| JP2004327744A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Kyocera Corp | 多層配線基板及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-05-30 JP JP2007143077A patent/JP5092547B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2008300482A (ja) | 2008-12-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5092547B2 (ja) | 印刷配線板の製造方法 | |
| JP5092662B2 (ja) | 印刷配線板の製造方法 | |
| US9060459B2 (en) | Printed wiring board and method for manufacturing same | |
| KR101475109B1 (ko) | 다층배선기판 및 그의 제조방법 | |
| TWI451536B (zh) | 多層配線基板及其製造方法 | |
| JP5410660B2 (ja) | 配線基板及びその製造方法と電子部品装置及びその製造方法 | |
| JP5526746B2 (ja) | 多層基板の製造方法及び支持基板 | |
| JP2008218450A (ja) | 配線基板の製造方法及び電子部品装置の製造方法 | |
| JP2010251688A (ja) | 部品内蔵印刷配線板及びその製造方法 | |
| JP2010135720A (ja) | 金属バンプを持つプリント基板及びその製造方法 | |
| KR20120085673A (ko) | 다층 배선기판 | |
| JP2013149941A (ja) | 多層配線基板及びその製造方法 | |
| JP2010226075A (ja) | 配線板及びその製造方法 | |
| JP2013135080A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JPWO2004064150A1 (ja) | 電子部品搭載基板の製造方法およびその方法により製造された電子部品搭載基板 | |
| JP2013251314A (ja) | 多層配線板およびその製造方法 | |
| US11516910B1 (en) | Circuit board structure and manufacturing method thereof | |
| JP6107021B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JP2012074487A (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
| JP4779619B2 (ja) | 支持板、多層回路配線基板及びそれを用いた半導体パッケージ | |
| CN102686024A (zh) | 多层配线基板 | |
| JP7052464B2 (ja) | 微細配線層付きコアレス基板の製造方法、および半導体パッケージの製造方法 | |
| JP2012156325A (ja) | 多層配線基板の製造方法、及びペースト印刷用マスク | |
| JP2004031828A (ja) | 多層プリント配線板 | |
| JP2007324232A (ja) | Ｂｇａ型多層配線板及びｂｇａ型半導体パッケージ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090708 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20110224 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110224 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110728 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110927 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111122 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120605 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120712 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120821 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120903 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150928 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |