JP2009051197A5 - - Google Patents
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Claims (16)
- 基板と、
該基板の上に形成された絶縁材料からなる絶縁層と、
該絶縁層の上に設けられた通電により発熱する材料からなる発熱抵抗層と、
該発熱抵抗層の上に設けられ、前記発熱抵抗層に通電するために用いられる一対の配線と、
前記発熱抵抗層と前記一対の配線とを覆うように、絶縁材料からなる層を複数有する絶縁保護層と、を有し、
前記絶縁保護層が有する複数の層の少なくとも１層がラジカルシャワーＣＶＤ法で形成された層であることを特徴とする液体吐出ヘッド用基体。 - 前記絶縁保護層は、ラジカルシャワーＣＶＤ法により形成された層よりも上に、触媒ＣＶＤ法により形成された層を有していることを特徴とする請求項１に記載の液体吐出ヘッド用基体。
- 基板と、
該基板の上に形成された絶縁材料からなる絶縁層と、
該絶縁層の上に設けられた通電により発熱する材料からなる発熱抵抗層と、
該発熱抵抗層の上に設けられ、前記発熱抵抗層に通電するために用いられる一対の配線と、
前記発熱抵抗層と前記一対の配線とを覆うように、ラジカルシャワーＣＶＤ法により形成された絶縁材料からなる絶縁保護層と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッド用基体。 - 前記絶縁保護層は、シリコンを含有する絶縁材料からなり、シリコンの比が層厚方向で変化するように設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用基体。
- 前記絶縁保護層は、シリコン窒化層、シリコン酸窒化層、シリコン酸炭化層およびシリコン窒素炭化層のいずれか１つまたはこれらを組み合わせて設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用基体。
- 前記絶縁保護層上に金属材料からなる金属保護層がさらに形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用基体。
- 絶縁保護層の上側に、液体を吐出するための吐出口と、該吐出口に連通し液体を供給するために用いられる流路と、を構成する流路形成部材をさらに有することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用基体。
- 請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用基体を備えた液体吐出ヘッド。
- 絶縁材料からなる絶縁層と、通電により発熱する材料からなる発熱抵抗層と、前記発熱抵抗層に通電するために用いられる一対の配線と、がこの順に積層された基板を用意する工程と、
前記発熱抵抗層と前記一対の配線とを覆うように、絶縁材料からなる層を複数積層して絶縁保護層を形成する工程と、
を有し、
前記絶縁保護層が有する複数の層の少なくとも１層をラジカルシャワーＣＶＤ法により形成する
ことを特徴とする液体吐出ヘッド用基体の製造方法。 - 前記絶縁保護層を形成する工程において、前記ラジカルシャワーＣＶＤ法の後に、ラジカルシャワーＣＶＤ法以外の方法を用いることを特徴とする請求項１１に記載の液体吐出ヘッド用基体の製造方法。
- 前記ラジカルシャワーＣＶＤ法以外の方法は、触媒ＣＶＤ法であることを特徴とする請求項１０に記載の液体吐出ヘッド用基体の製造方法。
- 絶縁材料からなる絶縁層と、通電により発熱する材料からなる発熱抵抗層と、前記発熱抵抗層に通電するために用いられる一対の配線と、がこの順に積層された基板を用意する工程と、
ラジカルシャワーＣＶＤ法を用いて、前記発熱抵抗層と前記一対の配線とを覆うように絶縁材料からなる絶縁保護層を形成する工程と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッド用基体の製造方法。 - 前記ラジカルシャワーＣＶＤ法は、
ラジカルを生成する生成ガスを用いてラジカルを生成する工程と、
生成された前記ラジカルと、モノシランガスまたはジシランガスからなる材料ガスと、を反応させる工程と、
を有することを特徴とする請求項９乃至請求項１２のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。 - 前記ラジカルシャワーＣＶＤ法は、前記基板の温度が４００℃以下となる条件で行われることを特徴とする請求項９乃至請求項１３のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用基体の製造方法。
- 前記絶縁保護層上に金属材料からなる金属保護層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項９乃至請求項１４のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用基体の製造方法。
- 絶縁保護層の上側に、液体を吐出するための吐出口と、該吐出口に連通し液体を供給するために用いられる流路と、を構成する流路形成部材を設ける工程をさらに有することを特徴とする請求項９乃至請求項１５のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
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