JP6439331B2 - 液体吐出装置の製造方法、及び、液体吐出装置 - Google Patents

液体吐出装置の製造方法、及び、液体吐出装置 Download PDF

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Description

本発明は、液体吐出装置の製造方法、及び、液体吐出装置に関する。
特許文献１には、液体吐出装置として、インクジェットヘッドが開示されている。このインクジェットヘッドは、それぞれノズルに連通する複数の圧力室等のインク流路が形成された流路形成基板と、複数の圧力室にそれぞれ対応して流路形成基板に設けられた複数の圧電素子を有する。
複数の圧電素子は、流路形成基板に複数の圧力室を覆うように形成された弾性膜上に配置されている。各圧電素子は、圧電膜と、圧電膜に対して流路形成基板側（下側）に配置された下電極膜と、圧電膜に対して流路形成基板と反対側（上側）に配置された上電極膜を含む。上電極膜の上面には、弾性膜上に延設された配線（リード電極）の一端部が覆い被さるように配置されて、上電極膜と接続されている。
上記の圧電素子は、以下のような工程を経て製造される。まず、弾性膜の上に、圧電素子の下電極膜を成膜する。次に、圧電膜、上電極膜を成膜するとともに、圧電膜と上電極膜をエッチングして、圧電素子のパターニングを行う。次に、導電性の膜を、流路形成基板の全面に成膜した後、圧電素子毎にパターニングすることで、複数の配線を形成する。
特許第３８５２５６０号公報
特許文献１では、圧電膜の上面に上電極膜を形成してから、その上に、上電極膜に接続される配線を形成している。上電極膜には、圧電特性の観点から、ＰｔやＩｒなどの貴金属を用いることが多いが、一般的に、これら貴金属の電極の、圧電膜との密着性は小さい。この場合、様々な原因でインクジェットヘッドの製造中に上電極膜の一部が圧電膜の上面から剥がれたり、膜厚が薄くなったりことがある。
例えば、複数の配線となる導電膜を成膜する際の成膜方法によっては、導電膜が大きな引張応力を有することがある。そのような大きな引張応力は、導電膜の下にある上電極膜を引きはがす方向に作用し、その結果、導電膜と上電極膜が共に剥がれる虞がある。尚、このような応力による剥離は、インクジェットヘッド製造直後には発生せずとも、長時間経過したのちに顕在化することも多い。
また、配線形成時、あるいは、配線形成後に様々な目的で加熱工程が行われることがあるが、このような加熱工程によって、上電極膜と配線との間に熱応力が生じるため、この原因によっても、上電極膜が剥がれやすくなる。特に、配線となる導電膜は、配線の断線を起こりにくくするために、上電極膜よりも厚みを厚く形成するのが普通であるが、導電膜が厚いほど、導電膜と上電極膜との間に生じた熱応力によって、上電極膜の剥離がさらに生じやすくなる。
また、上電極膜を形成してから、その上に配線を形成する場合、配線となる導電膜のエッチング時に、導電膜の下に位置する上電極膜の一部が一緒に削られて、上電極膜の膜厚が薄くなってしまうこともある。
本発明の目的は、圧電膜に電極を形成した後の工程による、この電極の剥離や膜厚減少を極力防止することである。
課題を解決するための手段及び発明の効果
本発明の第１観点に係る液体吐出装置の製造方法は、ノズルに連通する圧力室が形成された流路形成部と、前記流路形成部に前記圧力室を覆うように設けられた振動膜と、前記圧力室に対応して前記振動膜に配置された圧電膜と、前記圧電膜の前記振動膜側の面に配置された第１電極と、前記圧電膜の前記振動膜と反対側の面に配置された第２電極と、前記第２電極に接続された配線とを有する圧電アクチュエータと、を備えた、液体吐出装置の製造方法であって、
前記配線を、その一部が前記圧電膜に被さるように形成する配線形成工程と、前記流路形成部の前記振動膜と反対側の部分を除去して、前記流路形成部の厚みを薄くする薄化工程と、前記配線形成工程の後、かつ、前記薄化工程の後に、前記圧電膜の前記振動膜と反対側の面に、前記配線と導通するように前記第２電極を形成する電極形成工程と、を備えていることを特徴とするものである。
本発明の第２観点に係る液体吐出装置の製造方法は、ノズルに連通する圧力室が形成された流路形成部と、前記流路形成部に前記圧力室を覆うように設けられた振動膜と、前記圧力室に対応して前記振動膜に配置された圧電膜と、前記圧電膜の前記振動膜側の面に配置された第１電極と、前記圧電膜の前記振動膜と反対側の面に配置された第２電極と、前記第２電極に接続された配線とを有する圧電アクチュエータと、を備えた、液体吐出装置の製造方法であって、
前記配線を、その一部が前記圧電膜に被さるように形成する配線形成工程と、前記配線形成工程の後に、前記配線を覆う保護膜を成膜する保護膜成膜工程と、前記配線形成工程の後、かつ、前記保護膜成膜工程の後に、前記圧電膜の前記振動膜と反対側の面に、前記配線と導通するように前記第２電極を形成する電極形成工程と、を備えていることを特徴とすることを特徴とするものである。
本発明の第３観点に係る液体吐出装置の製造方法は、ノズルに連通する圧力室が形成された流路形成部と、前記流路形成部に前記圧力室を覆うように設けられた振動膜と、前記圧力室に対応して前記振動膜に配置された圧電膜と、前記圧電膜の前記振動膜側の面に配置された第１電極と、前記圧電膜の前記振動膜と反対側の面に配置された第２電極と、前記第２電極から延びるように前記第２電極に接続された配線であって、少なくとも前記第２電極に接続する部分において前記配線が延びる延在方向と直交しかつ前記反対側の面と平行な方向の幅が前記第２電極の前記幅よりも小さい配線とを有する圧電アクチュエータと、を備えた、液体吐出装置の製造方法であって、
前記配線を、その一部が前記圧電膜に被さるように形成する配線形成工程と、前記配線形成工程の後に、前記圧電膜の前記振動膜と反対側の面に、前記配線と導通するように前記第２電極を形成する電極形成工程と、を備えていることを特徴とするものである。
本発明では、圧電膜に被さるように配線を形成した後で、圧電膜に、前記配線に導通するように第２電極を形成する。つまり、配線よりも後に第２電極を形成することから、配線の形成後に、第２電極が剥離したり、膜厚が薄くなったりするという問題が生じない。尚、本発明において、圧電膜に被さるように形成される配線は、圧電膜に直接接触していてもよいが、それには限られず、圧電膜と配線との間に別の層が介在する形態も含まれる。
本発明の第４観点に係る液体吐出装置は、ノズルに連通する圧力室が形成された流路形成部と、前記流路形成部に設けられた圧電アクチュエータとを備え、前記圧電アクチュエータは、前記流路形成部に前記圧力室を覆うように設けられた振動膜と、前記振動膜に配置された圧電膜と、前記圧電膜の前記振動膜側の面に配置された第１電極と、前記圧電膜の前記振動膜と反対側の面に配置された第２電極と、その一部が前記圧電膜に被さるように形成され、前記第２電極から延びるように前記第２電極に接続された配線であって、少なくとも前記第２電極に接続する部分において前記配線が延びる延在方向と直交しかつ前記反対側の面と平行な方向の幅が前記第２電極の前記幅よりも小さい配線と、を有し、
前記圧電膜の前記振動膜と反対側の面において、前記第２電極は、前記配線に覆い被さるように形成されていることを特徴とするものである。
本発明の第５観点に係る液体吐出装置は、ノズルに連通する圧力室が形成された流路形成部と、前記流路形成部に設けられた圧電アクチュエータとを備え、前記圧電アクチュエータは、前記流路形成部に前記圧力室を覆うように設けられた振動膜と、前記振動膜に配置された圧電膜と、前記圧電膜の前記振動膜側の面に配置された第１電極と、前記圧電膜の前記振動膜と反対側の面に前記圧力室に被さるように配置された第２電極と、その一部が前記圧電膜及び前記圧力室に被さるように形成され、前記第２電極に接続された配線と、を有し、
前記圧電膜の前記振動膜と反対側の面において、前記第２電極は、前記配線に覆い被さるように形成されていることを特徴とするものである。
本発明の第６観点に係る液体吐出装置は、ノズルに連通する圧力室が形成された流路形成部と、前記流路形成部に設けられた圧電アクチュエータとを備え、前記圧電アクチュエータは、前記流路形成部に前記圧力室を覆うように設けられた振動膜と、前記振動膜に配置された圧電膜と、前記圧電膜の前記振動膜側の面に配置された第１電極と、前記圧電膜の前記振動膜と反対側の面に配置され、前記第１電極に接続されない第２電極と、その一部が前記圧電膜に被さるように形成され、前記第１電極に接続されず、前記第２電極に接続された配線と、を有し、
前記圧電膜の前記振動膜と反対側の面において、前記第２電極は、前記配線に覆い被さるように形成されていることを特徴とするものである。
複数の配線となる導電膜を成膜する際の成膜方法によっては、その成膜後に、導電膜に大きな引張応力が残ることがある。そして、配線の下に第２電極が存在する場合は、配線の残留引張応力によって、その下にある第２電極を引きはがす方向に作用して、第２電極が剥離する虞がある。この点、本発明では、圧電膜にその一部が被さるように配線が形成されてから、その配線の上に第２電極が形成されることで、圧電膜の振動膜と反対側の面において、第２電極が、配線に覆い被さった構成となっている。このため、第２電極が配線から受ける応力が小さくなり、長時間経ても第２電極が剥離するという問題が生じにくい。
本実施形態に係るプリンタの概略的な平面図である。 インクジェットヘッドの１つのヘッドユニットの上面図である。 図２のＡ部拡大図である。 図３のIV-IV線断面図である。 図３のV-V線断面図である。 インクジェットヘッドの製造工程の一部を示す図であり、（ａ）振動膜成膜、（ｂ）共通電極形成、（ｃ）圧電膜成膜、（ｄ）圧電膜形成、（ｅ）連通孔形成の、各工程を示す。 インクジェットヘッドの製造工程の一部を示す図であり、（ａ）第１保護膜成膜、（ｂ）絶縁膜成膜、（ｃ）配線用の導電膜成膜、（ｄ）配線形成（導電膜エッチング）、（ｅ）第２保護膜成膜の、各工程を示す。 インクジェットヘッドの製造工程の一部を示す図であり、（ａ）流路形成部の薄化、（ｂ）支持部材取付、（ｃ）絶縁膜と第２保護膜のエッチング、（ｄ）第１保護膜のエッチングの、各工程を示す。 インクジェットヘッドの製造工程の一部を示す図であり、（ａ）個別電極用の導電膜成膜、（ｂ）個別電極形成（導電膜エッチング）、（ｃ）流路形成部のエッチング、（ｄ）リザーバ形成部材の接合の、各工程を示す図である。 変更形態の配線形成工程を説明する図である。 別の変更形態のインクジェットヘッドの製造工程を示す図である。
次に、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施形態に係るプリンタの概略的な平面図である。まず、図１を参照してインクジェットプリンタ１の概略構成について説明する。尚、図１に示す前後左右の各方向をプリンタの「前」「後」「左」「右」と定義する。また、紙面手前側を「上」、紙面向こう側を「下」とそれぞれ定義する。以下では、前後左右上下の各方向語を適宜使用して説明する。
（プリンタの概略構成）
図１に示すように、インクジェットプリンタ１は、プラテン２と、キャリッジ３と、インクジェットヘッド４と、搬送機構５と、制御装置６等を備えている。
プラテン２の上面には、被記録媒体である記録用紙１００が載置される。キャリッジ３は、プラテン２と対向する領域において２本のガイドレール１０，１１に沿って左右方向（以下、走査方向ともいう）に往復移動可能に構成されている。キャリッジ３には無端ベルト１４が連結され、キャリッジ駆動モータ１５によって無端ベルト１４が駆動されることで、キャリッジ３は走査方向に移動する。
インクジェットヘッド４は、キャリッジ３に取り付けられており、キャリッジ３とともに走査方向に移動する。インクジェットヘッド４は、走査方向に並ぶ４つのヘッドユニット１６を備えている。４つのヘッドユニット１６は、４色（ブラック、イエロー、シアン、マゼンタ）のインクカートリッジ１７が装着されるカートリッジホルダ７と、図示しないチューブによってそれぞれ接続されている。各ヘッドユニット１６は、その下面（図１の紙面向こう側の面）に形成された複数のノズル２４（図２〜図５参照）を有する。各ヘッドユニット１６のノズル２４は、インクカートリッジ１７から供給されたインクを、プラテン２に載置された記録用紙１００に向けて吐出する。
搬送機構５は、前後方向にプラテン２を挟むように配置された２つの搬送ローラ１８，１９を有する。搬送機構５は、２つの搬送ローラ１８，１９によって、プラテン２に載置された記録用紙１００を前方（以下、搬送方向ともいう）に搬送する。
制御装置６は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、及び、各種制御回路を含むＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等を備える。 制御装置６は、ＲＯＭに格納されたプログラムに従い、ＡＳＩＣにより、記録用紙１００への印刷等の各種処理を実行する。例えば、印刷処理においては、制御装置６は、ＰＣ等の外部装置から入力された印刷指令に基づいて、インクジェットヘッド４やキャリッジ駆動モータ１５等を制御して、記録用紙１００に画像等を印刷させる。具体的には、キャリッジ３とともにインクジェットヘッド４を走査方向に移動させながらインクを吐出させるインク吐出動作と、搬送ローラ１８，１９によって記録用紙１００を搬送方向に所定量搬送する搬送動作とを、交互に行わせる。
（インクジェットヘッドの詳細）
次に、インクジェットヘッド４の詳細構成について説明する。図２は、インクジェットヘッド４の１つのヘッドユニット１６の上面図である。尚、インクジェットヘッド４の４つのヘッドユニット１６は、全て同じ構成であるため、そのうちの１つについて説明を行い、他のヘッドユニット１６については説明を省略する。図３は、図２のＡ部拡大図である。図４は、図３のIV-IV線断面図である。図５は、図３のV-V線断面図である。
図２〜図５に示すように、ヘッドユニット１６は、ノズルプレート２０、流路形成部２１、圧電アクチュエータ２２、及び、リザーバ形成部材２３を備えている。尚、図２では、図面の簡素化のため、流路形成部２１及び圧電アクチュエータ２２の上方に位置する、リザーバ形成部材２３は、二点鎖線で外形のみ示されている。
（ノズルプレート）
ノズルプレート２０の材質は特に限定されない。例えば、ステンレス鋼等の金属材料、シリコン、あるいは、ポリイミド等の合成樹脂材料など、様々な材質のものを採用できる。ノズルプレート２０には、複数のノズル２４が形成されている。図２に示すように、１色のインクを吐出する複数のノズル２４は、搬送方向に配列されて、左右方向に並ぶ２列のノズル列２５ａ，２５ｂを構成している。２列のノズル列２５ａ，２５ｂの間では、搬送方向におけるノズル２４の位置が、各ノズル列２５の配列ピッチＰの半分（Ｐ／２）だけずれている。
（流路形成部）
ノズルプレート２０は、シリコンからなる流路基板８０の下面に接合されている。この流路基板８０は、圧力室２６等の流路が形成された流路形成部２１と、後述する圧電アクチュエータ２２の振動膜３０とが、一体化された構造である。流路基板８０の大部分を占める流路形成部２１には、複数のノズル２４とそれぞれ連通する複数の圧力室２６が形成されている。各圧力室２６は、走査方向に長い矩形の平面形状を有する。複数の圧力室２６は、前述した複数のノズル２４の配列に応じて、搬送方向に配列されている。
（圧電アクチュエータ）
圧電アクチュエータ２２は、複数の圧力室２６内のインクに、それぞれノズル２４から吐出させるための吐出エネルギーを付与するものである。圧電アクチュエータ２２は、流路形成部２１の上面に配置されている。図２〜図５に示すように、圧電アクチュエータ２２は、振動膜３０、共通電極３１、複数の圧電膜３２、第１保護膜３４、複数の個別電極３３、複数の配線３５、絶縁膜３６、第２保護膜３７等の複数の膜が積層された構造を有する。尚、図２では、圧電膜３２を覆う第１保護膜３４、配線３５を覆う第２保護膜３７の図示は省略されている。後でも説明するが、圧電アクチュエータ２２を構成する前記複数の膜は、シリコン基板である流路基板８０の上面に、公知の半導体プロセス技術によって成膜、エッチングされることによって形成される。
図２、図３に示すように、圧電アクチュエータ２２の、複数の圧力室２６の端部とそれぞれ重なる位置に、複数の連通孔２２ａが形成されている。これら複数の連通孔２２ａにより、後述するリザーバ形成部材２３内の流路と、複数の圧力室２６とがそれぞれ連通している。
振動膜３０は、流路形成部２１の上面の全域に、複数の圧力室２６を覆うように配置されている。尚、先にも述べたように、本実施形態では、振動膜３０は流路形成部２１と一体化されている。振動膜３０は、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）、あるいは、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等で形成されている。振動膜３０の厚みは、例えば、１μｍ程度である。
共通電極３１は、導電性材料からなる。この共通電極３１は、振動膜３０の上面のほぼ全域に形成され、複数の圧力室２６に跨って配置されている。共通電極３１の材質は特に限定されないが、例えば、白金（Ｐｔ）とチタン（Ｔｉ）の２層構造のものを採用することができる。この場合、白金層は２００ｎｍ、チタン層は５０ｎｍ程度とすることができる。
複数の圧電膜３２は、振動膜３０の上面に、共通電極３１を介して形成されている。尚、複数の圧電膜３２は、互いに連結されていてもよい。また、その場合、複数の圧電膜３２が一体化されてなる圧電材料層の、複数の圧電膜３２の間の位置には、それぞれスリットが形成されていてもよい。複数の圧電膜３２は、複数の圧力室２６にそれぞれ対応して配置されている。図３に示すように、各圧電膜３２は、圧力室２６よりも一回り小さい、走査方向に長い矩形の平面形状を有する。各圧電膜３２は、対応する圧力室２６の中央部と対向するように配置されている。圧電膜３２は、例えば、チタン酸鉛とジルコン酸鉛との混晶であるチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）を主成分とする圧電材料からなる。圧電膜３２の厚みは、例えば、１μｍ程度である。尚、ＰＺＴからなる圧電膜３２は、例えば（１００）方向に優先配向している。
図３〜図５に示すように、第１保護膜３４は、複数の圧電膜３２のそれぞれの縁部と、共通電極３１の圧電膜３２から露出した部分の少なくとも一部とを覆うように、形成されている。尚、各圧電膜３２の中央部は、第１保護膜３４からは露出しており、この露出した領域に個別電極３３が配置されている。第１保護膜３４は、空気中に含まれる水分の、圧電膜３２への侵入を防止ための膜であり、この第１保護膜３４は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などの耐水性を有する材料で形成されている。この第１保護膜３４の厚みは、例えば、１００ｎｍ程度である。
各個別電極３３は、圧電膜３２よりも一回り小さい、矩形の平面形状を有する。各個別電極３３は、圧電膜３２の上面のうちの、第１保護膜３４から露出した中央部に形成されている。個別電極３３は、例えば、プラチナ（Ｐｔ）やイリジウム（Ｉｒ）などで形成されている。個別電極３３の厚みは、例えば、１００ｎｍ程度である。
上記の圧電膜３２は、その下側（振動膜３０側）に配置された共通電極３１と、上側（振動膜３０と反対側）に配置された個別電極３３とによって挟まれている。また、圧電膜３２は、厚み方向において下向き、即ち、個別電極３３から共通電極３１に向かう方向に分極されている。
図４、図５に示すように、絶縁膜３６は、流路形成部２１の左右方向の端部（図４では右側端部）において、第１保護膜３４の上に形成されている。また、この絶縁膜３６の一部分３６ａは、第１保護膜３４を介して圧電膜３２の端部３２ａの上面に被さるように配置されている。絶縁膜３６の上には、後述する複数の配線３５が配置される。絶縁膜３６は、複数の配線３５と共通電極３１との間を電気的に絶縁する。絶縁膜３６の材質は特に限定されないが、例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）で形成される。また、絶縁性の観点からは、絶縁膜３６の膜厚は、一定以上に厚いことが好ましく、例えば、３００〜５００ｎｍである。
絶縁膜３６の上には、複数の個別電極３３にそれぞれ接続された複数の配線３５が形成されている。複数の配線３５は、アルミニウム（Ａｌ）などの導電性材料で形成されている。各配線３５は、その一端部が圧電膜３２の端部３２ａの上面に、第１保護膜３４及び絶縁膜３６を介して被さるように配置され、圧電膜３２の上面に形成された個別電極３３に接続されている。また、各配線３５は、個別電極３３から走査方向へ延びている。より詳細には、図２に示すように、左側に配列されている個別電極３３に接続された配線３５は、対応する個別電極３３から左側へ延び、右側に配列された個別電極３３に接続された配線３５は、対応する個別電極３３から右側へ延びている。尚、配線３５は、断線等の発生を極力防止するために、一定以上の厚み（高さ）を有することが好ましい。本実施形態では、配線３５の厚みは、例えば、１μｍ程度であり、個別電極３３の厚み（例えば、１００ｎｍ）よりもかなり厚くなっている。
尚、図３、図４に示すように、本実施形態では、圧電膜３２の上面に配置された配線３５の端部３５ａの上に、個別電極３３の端部が覆い被さるように形成されている。この構成では、配線３５にその成膜時に生じた引張応力が残留している場合でも、配線３５の下に個別電極３３が存在している場合と比較して、個別電極３３が配線３５から受ける応力が小さく、長時間経ても個別電極３３が剥離するという問題が生じにくい。尚、この構成は、圧電アクチュエータ２２の製造の際に、配線３５を先に形成してから、その後に、個別電極３３を形成しているためでもあるが、その理由については、後述する製造工程の説明において詳しく述べる。
また、図４に示すように、圧電膜３２に覆い被さっている、配線３５の端部３５ａの側面３９は傾斜面に形成されている。尚、図４では、端部３５ａの左側の側面３９しか表れていないが、図４の紙面手前側（前側）の側面３９、及び、紙面向こう側（後側）の側面３９もそれぞれ傾斜面に形成されている。そして、図３、図４に示すように、配線３５の端部３５ａの、それぞれ傾斜した３つの側面３９は、個別電極３３によって覆われている。この構成により、配線３５と個別電極３３との電気的接続の信頼性が高められている。
配線３５の下の絶縁膜３６は、流路形成部２１の左右両端部まで延びている。そして、図２に示すように、流路形成部２１の左右両端部において、絶縁膜３６の上に、複数の駆動接点部４０が搬送方向に並べて配置されている。個別電極３３から左方へ引き出された配線３５は、流路形成部２１の左端部に位置する駆動接点部４０と接続され、右方へ引き出された配線３５は、流路形成部２１の右端部に位置する駆動接点部４０と接続されている。尚、流路形成部２１の左右両端部において、複数の駆動接点部４０の、搬送方向における両側には、共通電極３１と接続されている２つのグランド接点部４１も配置されている。
第２保護膜３７は、振動膜３０から複数の圧電膜３２にかけて、前記の複数の配線３５を覆うように形成されている。この第２保護膜３７は、複数の配線３５の保護、及び、複数の配線３５間の絶縁確保等の目的で設けられている。尚、図２では、第２保護膜３７の図示が省略されているが、第２保護膜３７は、各配線３５の、個別電極３３との接続部分から駆動接点部４０との接続部分までを覆うように形成される一方、複数の駆動接点部４０及びグランド接点部４１は、第２保護膜３７から露出している。第２保護膜３７は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等で形成されている。
図２に示すように、上述した圧電アクチュエータ２２の左端部の上面、及び、右端部の上面には、配線部材である２枚のＣＯＦ（Chip On Film）５０がそれぞれ接合されている。そして、図４に示すように、各ＣＯＦ５０に形成された複数の配線５５が、複数の駆動接点部４０と、それぞれ電気的に接続されている。各ＣＯＦ５０の、駆動接点部４０との接続端部とは反対側の端部は、プリンタ１の制御装置６（図１参照）に接続されている。また、各ＣＯＦ５０にはドライバＩＣ５１が実装されている。
ドライバＩＣ５１は、制御装置６から送られてきた制御信号に基づいて、圧電アクチュエータ２２を駆動するための駆動信号を生成して出力する。ドライバＩＣ５１から出力された駆動信号は、ＣＯＦ５０の配線５５を介して駆動接点部４０に入力され、さらに、圧電アクチュエータ２２の配線３５を介して各個別電極３３に供給される。駆動信号が供給された個別電極３３の電位は、所定の駆動電位とグランド電位との間で変化する。また、ＣＯＦ５０には、グランド配線（図示省略）も形成されており、グランド配線が、圧電アクチュエータ２２のグランド接点部４１と電気的に接続される。これにより、グランド接点部４１と接続されている共通電極３１の電位は、常にグランド電位に維持される。
ドライバＩＣ５１から駆動信号が供給されたときの、圧電アクチュエータ２２の動作について説明する。駆動信号が供給されていない状態では、個別電極３３の電位はグランド電位となっており、共通電極３１と同電位である。この状態から、ある個別電極３３に駆動信号が供給されて、個別電極３３に駆動電位が印加されると、その個別電極３３と共通電極３１との電位差により、圧電膜３２に、その厚み方向に平行な電界が作用する。ここで、圧電膜３２の分極方向と電界の方向とが一致するために、圧電膜３２はその分極方向である厚み方向に伸びて面方向に収縮する。この圧電膜３２の収縮変形に伴って、振動膜３０が圧力室２６側に凸となるように撓む。これにより、圧力室２６の容積が減少して圧力室２６内に圧力波が発生することで、圧力室２６に連通するノズル２４からインクの液滴が吐出される。
（リザーバ形成部材）
図４、図５に示すように、リザーバ形成部材２３は、圧電アクチュエータ２２を挟んで、流路形成部２１と反対側（上側）に配置され、圧電アクチュエータ２２の上面に接着剤で接合されている。リザーバ形成部材２３は、例えば、流路形成部２１と同様、シリコンで形成されてもよいが、シリコン以外の材料、例えば、金属材料や合成樹脂材料で形成されていてもよい。
リザーバ形成部材２３の上半部には、搬送方向に延びるリザーバ５２が形成されている。このリザーバ５２は、インクカートリッジ１７が装着されるカートリッジホルダ７（図１参照）と、図示しないチューブでそれぞれ接続されている。
図４に示すように、リザーバ形成部材２３の下半部には、リザーバ５２から下方に延びる複数のインク供給流路５３が形成されている。各インク供給流路５３は、圧電アクチュエータ２２の複数の連通孔２２ａに連通している。これにより、リザーバ５２から、複数のインク供給流路５３、及び、複数の連通孔２２ａを介して、流路形成部２１の複数の圧力室２６にインクが供給される。また、リザーバ形成部材２３の下半部には、保護カバー部５４も形成されている。保護カバー部５４の内側空間に圧電アクチュエータ２２の複数の圧電膜３２が収容され、複数の圧電膜３２は保護カバー部５４によって覆われている。
次に、上述したインクジェットヘッド４のヘッドユニット１６の製造工程について、特に、圧電アクチュエータ２２の製造工程を中心に、図６〜図９を参照して説明する。図６〜図９は、それぞれ、インクジェットヘッドの製造工程を説明する図である。
図６は、（ａ）振動膜成膜、（ｂ）共通電極形成、（ｃ）圧電膜成膜、（ｄ）圧電膜形成、（ｅ）連通孔形成の、各工程を示す図である。
まず、図６（ａ）に示すように、シリコン基板である流路基板８０の表面に、二酸化シリコンの振動膜３０を成膜する。振動膜３０の成膜法としては、熱酸化処理を好適に採用できる。次に、図６（ｂ）に示すように、振動膜３０の上に、共通電極３１をスパッタリング等により成膜する。
次に、共通電極３１の上に圧電膜３２を形成する。まず、図６（ｃ）に示すように、ゾルゲルやスパッタリング等で、共通電極３１の上面全域にＰＺＴなどの圧電材料からなる膜５８を成膜してから、図６（ｄ）に示すように、エッチングを行って、その膜５８のうちの、圧力室２６と対向する一部分以外を除去する。その後、図６（ｅ）に示すように、振動膜３０と共通電極３１にエッチングを行って、圧電アクチュエータ２２の連通孔２２ａ（図４参照）となる孔３０ａ，３１ａをそれぞれ形成する。
図７は、（ａ）第１保護膜成膜、（ｂ）絶縁膜成膜、（ｃ）配線用の導電膜成膜、（ｄ）配線形成（導電膜エッチング）、（ｅ）第２保護膜成膜の、各工程を示す図である。
図７（ａ）に示すように、振動膜３０（共通電極３１）の上面に、各圧電膜３２の上面全体を覆うように、第１保護膜３４をスパッタリング、原子層堆積法（ＡＬＤ）等で成膜する。次に、図７（ｂ）に示すように、第１保護膜３４の上に、各圧電膜３２の全体を覆うように絶縁膜３６を成膜する。二酸化シリコンからなる絶縁膜３６は、プラズマＣＶＤによって、好適に成膜することができる。尚、プラズマＣＶＤでは、良質な成膜を行うために、シリコン基板の温度は低くても２００℃以上、通常は、３００℃以上にする必要がある。また、絶縁膜３６の成膜は、上述のプラズマＣＶＤには限られず、スピンコート法によるSOG(spin on glass)膜など、他の成膜法を採用することも可能である。スピンコートで絶縁膜３６を成膜する場合は、成膜材料をスピンコートで塗布した後に、シリコン基板である流路基板８０を３００℃程度で加熱する。尚、上記の成膜方法の他、原子層堆積法（ＡＬＤ）で絶縁膜３６を成膜することもできる。
絶縁膜３６の成膜後、絶縁膜３６の上に複数の配線３５を形成する。尚、この段階では、まだ、圧電膜３２には個別電極３３は形成されていない。即ち、本実施形態では、個別電極３３と接続される配線３５を、個別電極３３よりも先に形成する。
配線３５の形成は以下のようにして行う。まず、図７（ｃ）に示すように、絶縁膜３６の上面の全域に、スパッタリング等で導電膜５６を形成する。次に、この導電膜５６にエッチングを行って配線３５を形成する。即ち、導電膜５６のうちの残したい部分（配線３５となる部分）にフォトレジストパターンを形成する。次に、図７（ｄ）に示すように、ドライエッチング等でレジストパターン５９に覆われていない導電膜５６を除去し、その後、レジストパターン５９を除去する。これにより、複数の配線３５を、それぞれの一端部が圧電膜３２の端部に被さるように形成する。また、その際、図４に示すように、配線３５の端部３５ａの３つの側面３９を傾斜面に形成する。尚、導電膜５６をエッチングして配線３５を形成した後には、流路形成部２１を一定温度以上に加熱することによって、配線３５を加熱してもよい（アニール処理）。
次に、図７（ｅ）に示すように、複数の配線３５を覆うように第２保護膜３７を成膜する。窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる第２保護膜３７は、先の絶縁膜３６と同様、２００℃以上（好ましくは、３００℃以上）の高温プロセスである、プラズマＣＶＤで成膜するのが好ましい。尚、第２保護膜３７は、プラズマＣＶＤの他、スパッタリング、原子層堆積法（ＡＬＤ）等の他の成膜法で成膜することも可能である。
図８は、（ａ）流路形成部の薄化、（ｂ）支持部材取付、（ｃ）絶縁膜と第２保護膜のエッチング、（ｄ）第１保護膜のエッチングの、各工程を示す図である。図７の工程まで終了したら、次に、図８（ａ）に示すように、後ほどインク流路が形成される流路形成部２１を、下面側（振動膜３０と反対側）から除去し、その厚みを、所定の厚みまで薄くする（薄化工程）。流路形成部２１の元となるシリコンウェハーの厚みは、５００μｍ〜７００μｍ程度であるが、この薄化工程で、流路形成部２１の厚みを１００μｍ程度まで薄くする。
この流路形成部２１の薄化は、研磨材を用いた研磨によって行うことができる。その際、図８（ａ）に示すように、製造途中の圧電アクチュエータ２２に、流路形成部２１の保持のため、ＵＶ剥離型の粘着テープなどの保持部材６０を貼り付けた上で、流路形成部２１の下部を削る。流路形成部２１の薄化工程が終了すると、保持部材６０を、製造途中の圧電アクチュエータ２２から引き剥がす。保持部材６０として、ＵＶ剥離型の粘着テープを用いた場合は、粘着テープにＵＶを照射することで容易に剥がすことができる。尚、上記の研磨以外にも、切削、エッチングなどの他の方法によって流路形成部２１の一部を除去して薄化することも可能である。
この流路形成部２１の薄化工程の後は、流路形成部２１の厚みが薄くなっているため、そのままだと、その後の圧電アクチュエータ２２の製造等の工程における、流路形成部２１のハンドリングが難しくなる。そこで、図８（ｂ）に示すように、薄化工程後に、薄くなった流路形成部２１の、振動膜３０とは反対側の下面に、支持部材６１を取り付ける。この支持部材６１としては、例えばガラスウェハを使用し、後で取り外せるように、支持部材６１は接着剤で流路形成部２１に接合する。
支持部材６１の取付後、圧電アクチュエータ２２の製造に関する残りの工程を行って、圧電アクチュエータ２２を完成させる。まず、図８（ｃ）に示すように、配線３５が配置されていない領域において、絶縁膜３６と第２保護膜３７をエッチングで除去する。尚、絶縁膜３６と第２保護膜３７とを１回のエッチング工程で一度に除去してもよいが、絶縁膜３６と第２保護膜３７を、別々のエッチング工程で除去してもよい。さらに、図８（ｄ）に示すように、第１保護膜３４の、各圧電膜３２の中央部を覆っている部分を、エッチングで除去する。
図９は、（ａ）個別電極用の導電膜成膜、（ｂ）個別電極形成（導電膜エッチング）、（ｃ）流路形成部のエッチング、（ｄ）リザーバ形成部材の接合の、各工程を示す図である。図９（ａ）に示すように、各圧電膜３２の、第１保護膜３４から露出した領域に、個別電極３３を形成する。具体的には、まず、第１保護膜３４に、スパッタリング等で、振動膜３０から複数の圧電膜３２にかけて導電膜５７を成膜する。次に、この導電膜５７にエッチングを施し、導電膜５７の各圧電膜３２の中央部以外を覆っている部分を残して、それ以外を除去する。また、各個別電極３３を、その端部が、圧電膜３２の中央領域から、絶縁膜３６の端部を経て、絶縁膜３６上の配線３５まで跨るように形成する。また、個別電極３３を、配線３５の端部３５ａの３つの側面３９を覆うように形成する。これにより、圧電膜３２の上面において個別電極３３と配線３５とを導通させる。
ここで、絶縁膜３６の除去工程（図８（ｃ））において、圧電膜３２の上面の、配線３５が形成されていない領域の絶縁膜３６をエッチングで除去したときには、通常、絶縁膜３６の、除去されずに残る部分の端部３６ａ（図４参照）は、その先端に向かうほど厚みが薄くなるように傾斜した形状に形成される。しかし、この絶縁膜３６の端部３６ａの、圧電膜３２の上面に直交する方向に対する傾斜角度θが小さいと、個別電極３３の形成の際に、絶縁膜３６の端面が鉛直面に近くなって、個別電極３３となる導電膜５７が成膜されにくくなる。そこで、図９（ｂ）に示すように、絶縁膜３６の上記の傾斜角度θを４５度〜７５度の角度にすることが好ましい。これにより、絶縁膜３６の端部３６ａに導電膜５７が確実に成膜され、個別電極３３と配線３５との間の導通不良が生じにくくなる。
以上の個別電極３３の形成で、圧電アクチュエータ２２の製造が完了する。別の言い方をすれば、本実施形態では、個別電極３３の形成工程は、圧電アクチュエータ２２の製造工程の中の、最後に行われる。
圧電アクチュエータ２２の製造が完了したら、流路形成部２１から支持部材６１を取り外す。接着剤６１で接合されている支持部材６１の取り外しは、例えば、支持部材６１がガラスウェハである場合は、裏面からのレーザー照射によって剥離する。そして、図９（ｂ）に示すように、流路形成部２１の、振動膜３０と反対側の下面側からエッチングを行って、圧力室２６を形成する。さらに、流路形成部２１の下面に、ノズルプレート２０を接着剤で接合する。次に、図９（ｃ）に示すように、圧電アクチュエータ２２に、リザーバ形成部材２３を接着剤等で接合する。ノズルプレート２０やリザーバ形成部材２３の接合には熱硬化性接着剤を用い、ヒータ（図示省略）の加熱温度を１００℃程度に設定して、流路形成部２１及び圧電アクチュエータ２２を加熱して接着する。
以上説明した本実施形態では、図９（ａ）に示す個別電極３３の形成工程が、圧電アクチュエータ２２の製造工程のうちの最後の工程となっている。言い換えれば、個別電極３３は、図７（ｂ）の絶縁膜３６の成膜工程、図７（ｃ）の配線３５の形成工程、図７（ｄ）の第２保護膜３７の成膜工程、図８（ａ）の流路形成部２１の薄化工程よりも後に形成する。これにより、以下のような効果が得られる。
（１）配線３５の形成後に個別電極３３を形成
圧電膜３２の上に個別電極３３を形成してから、その後に、個別電極３３に接続される配線３５を形成すると、配線３５の形成の際に生じる応力によって、個別電極３３が圧電膜３２から剥離する虞がある。具体的には、本実施形態の配線形成工程では、図７（ｃ）のように導電膜５６を形成してから、この導電膜５６にエッチングを行って配線３５を形成している。ここで、導電膜５６のエッチングでは、フォトレジストパターンを形成する際にレジストを加熱して硬化させる工程を行うが、その際に、導電膜５６も加熱されるために、導電膜５６とそれに重なる層との間に熱応力が生じる。また、配線３５を形成した後に、加熱工程（アニール処理）を行う場合にも熱応力が生じる。そのため、個別電極３３の後に配線３５を形成すると、上記の熱応力によって個別電極３３が剥離する虞がある。さらに、配線３５となる導電膜５６の厚みは、個別電極３３の厚みよりもかなり厚い（例えば、配線３５の厚みが１μｍ、個別電極３３の厚みが１００ｎｍ）。そのため、導電膜５６が加熱されたときに生じる熱応力も大きくなる。
また、本実施形態では、配線３５は、先に導電膜５６を全面的に形成してから、この導電膜５６の不要部分をエッチングで除去することによって形成する。ここで、配線３５の形成に先立って個別電極３３が形成されていると、上記の導電膜５６のエッチングの際に、個別電極３３が一緒に削られて、膜厚が薄くなってしまう虞もある。
この点、本実施形態では、配線３５を形成した後に、個別電極３３を形成するため、配線３５の形成の際に、個別電極３３が圧電膜３２から剥離したり、個別電極３３の膜厚が薄くなったりという問題が生じない。
（２）絶縁膜３６の成膜後に個別電極３３を形成
絶縁膜３６の形成前に、圧電膜３２に個別電極３３が形成されていると、絶縁膜３６の成膜工程や、その後のエッチング等による除去工程で生じる応力によって、個別電極３３が剥離しやすくなる。特に、絶縁膜３６を、プラズマＣＶＤ法等の、２００℃以上の高温条件下で成膜する場合、圧電膜３２と個別電極３３の間に生じる熱応力が大きくなって、個別電極３３の剥離がさらに生じやすくなる。この点、本実施形態では、絶縁膜３６を形成した後で個別電極３３を形成するため、絶縁膜３６の形成によって個別電極３３が剥離するという問題は生じない。
（３）第２保護膜３７の成膜後に個別電極３３を形成
第２保護膜３７についても、上記（２）の絶縁膜３６と同様である。即ち、第２保護膜３７の形成前に、圧電膜３２に個別電極３３が形成されていると、第２保護膜３７の成膜工程や、その後のエッチング等による除去工程の際に生じる、圧電膜３２の内部応力によって、個別電極３３が剥離しやすくなる。また、第２保護膜３７を、プラズマＣＶＤ法等の高温条件下で成膜する場合は、個別電極３３の剥離がさらに生じやすくなる。しかし、本実施形態では、第２保護膜３７を形成した後で個別電極３３を形成するため、第２保護膜３７の形成によって個別電極３３が剥離するという問題は生じない。
（４）流路形成部２１の薄化工程の後に個別電極３３を形成
図８（ａ）に示すように、流路形成部２１の薄化を行う際には、圧電膜３２等の破損を防止するため、圧電膜３２に粘着テープ等の保持部材６０を貼り付ける。そのため、個別電極３３の形成を行ってから、流路形成部２１の薄化を行う場合は、上記の保持部材６０が個別電極３３に張り付き、保持部材６０を剥がす際に個別電極３３が一緒剥離する虞がある。この点、本実施形態では、流路形成部２１の薄化工程を行ってから、個別電極３３を形成する。つまり、薄化工程の際には個別電極３３が形成されていない状態であるため、薄化工程の後に保持部材６０を剥がす際に、個別電極３３が一緒に剥離するという問題は生じない。
尚、流路形成部２１の薄化工程の後には、図８（ｂ）のように、流路形成部２１に支持部材６１を取り付ける。この支持部材６１は、後で取り外せるように接着剤で簡単に接合される。しかし、この支持部材６１の取付後に、高温条件下で行われる工程が存在すると、高熱によって支持部材６１の接合が外れてしまう虞がある。この点について、本実施形態では、絶縁膜３６の成膜（図７（ｂ））や第２保護膜３７の成膜（図７（ｄ））を行った後に、流路形成部２１の薄化を行い、その後、流路形成部２１に支持部材６１を取り付ける。従って、絶縁膜３６や第２保護膜３７を、プラズマＣＶＤ等の高温プロセスで成膜する場合でも、支持部材６１の接合はその後に行われるため、支持部材６１の接合後に接着剤が高温に加熱されて、支持部材６１の接合が外れてしまうということはない。
（５）リザーバ形成部材２３等の接合時の温度について
図９（ｃ）に示すように、個別電極３３の形成工程の後には、流路形成部２１にノズルプレート２０を熱硬化性接着剤で接合する工程、及び、圧電アクチュエータ２２にリザーバ形成部材２３を熱硬化性接着剤で接合する工程が存在する。熱硬化性接着剤による接着であるから、流路形成部２１及び圧電アクチュエータ２２をヒータ（図示省略）で加熱する必要がある。しかし、これらの接合工程におけるヒータの加熱温度は、個別電極３３を形成する前の工程での、プロセス温度よりも低い。例えば、上記接合工程におけるヒータの加熱温度は、絶縁膜３６や第２保護膜３７をプラズマＣＶＤ等で成膜する際の、流路形成部２１の加熱温度（２００℃以上、好ましくは３００℃以上）よりも低く、１００℃程度である。従って、上記接合工程におけるヒータでの加熱は、個別電極３３の剥離に関してはそれほど問題にはならない。
以上説明した実施形態において、インクを吐出するインクジェットヘッド４が、本発明の「液体吐出装置」に相当する。圧電膜３２の下側に位置する共通電極３１が、本発明の「第１電極」に相当する。圧電膜３２の上側に位置する個別電極３３が、本発明の「第２電極」に相当する。配線３５を覆う第２保護膜３７が、本発明の「保護膜」に相当する。
次に、前記実施形態に種々の変更を加えた変更形態について説明する。但し、前記実施形態と同様の構成を有するものについては、同じ符号を付して適宜その説明を省略する。
１］前記実施形態では、個別電極３３の形成を、圧電アクチュエータ２２の製造工程の最後に行っているが、そのような製造工程には限られない。
前記実施形態における、配線３５の形成に関する、導電膜５６の成膜、フォトレジストの加熱、導電膜５６のエッチングの各工程は、それぞれ個別電極３３の剥離に大きな影響を及ぼすことから、個別電極３３の形成は、これらの工程の後に行うことが好ましい。逆に言えば、配線３５が形成された後であれば、どのタイミングで個別電極３３を形成してもよい。
例えば、絶縁膜３６の上に配線３５を形成した後（図７（ｄ））、配線３５を保護する第２保護膜３７を形成する前に、第１保護膜３４及び絶縁膜３６のエッチングを行って圧電膜３２の一部を露出させてから個別電極３３を形成してもよい。あるいは、圧電膜３２に個別電極３３を形成する工程まで行った後に、流路形成部２１の薄化工程（図８（ａ））を行ってもよい。
２］前記実施形態では、配線３５の導電膜５６の成膜、フォトレジストパターン形成、エッチングによる導電膜５６のパターニング、という工程を経て、配線３５を形成している（図７（ｃ）、（ｄ））が、これとは別の工程で配線３５を形成することも可能である。
図１０は、配線３５を金メッキで形成する場合を説明する図である。図１０（ａ）に示すように、まず、絶縁層３６の上に、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）などでシード層９０を成膜する。次に、図１０（ｂ）に示すように、シード層９０の上にレジストパターン９１を形成した後、その上に、金の導電膜９２をメッキで成膜する。このとき、導電膜９２は、レジストパターン９１で覆われていない、シード層９０が露出した領域にのみ形成される。そして、図１０（ｃ）に示すように、レジストパターン９１を除去することにより、配線３５を形成する。さらに、図１０（ｄ）に示すように、金の配線３５をマスクとして利用して、シード層９０の、配線３５に覆われていない部分をドライエッチングで除去する。
ここで、先に個別電極３３を形成してから、上記の配線形成工程を行うと、個別電極３３に剥離や膜厚減少が生じる虞がある。まず、図１０（ｄ）のエッチングによるシード層９０の除去の際に、シード層９０の下側に個別電極３３が存在すると、この個別電極３３も一緒に削られて、厚みが減ってしまう場合がある。また、シード層９０の材質によっては、レジストパターン９１の形成時における加熱で、シード層９０とそれに重なる層との間に熱応力が発生する場合がある。シード層９０の下に個別電極３３が存在すると、上記の熱応力によって個別電極３３が剥離する虞がある。
この点、配線３５を形成した後に個別電極３３を形成すれば、配線３５の形成の際に、個別電極３３が圧電膜３２から剥離したり、個別電極３３の膜厚が薄くなったりという問題が生じない。
３］圧電アクチュエータ２２の構成は、前記実施形態で説明したものには限られず、下記に例示するように適宜変更できる。
前記実施形態では、第１保護膜３４と配線３５との間に絶縁膜３６が形成されているが、第１保護膜３４のみで、配線３５と共通電極３１との間の十分な絶縁性を確保できる場合などには、絶縁膜３６が省略されてもよい。あるいは、圧電膜３２を覆う第１保護膜３４が省略されてもよい。また、配線３５を覆う第２保護膜３７が省略されてもよい。
以上説明した実施形態及びその変更形態は、本発明を、記録用紙にインクを吐出して画像等を印刷するインクジェットヘッドに適用したものであるが、画像等の印刷以外の様々な用途で使用される液体吐出装置においても本発明は適用されうる。例えば、基板に導電性の液体を吐出して、基板表面に導電パターンを形成する液体吐出装置にも、本発明を適用することは可能である。
次に、出願当初の特許請求の範囲に記載の請求項１〜１２に係る発明以外の開示発明について説明する。
即ち、ノズルに連通する圧力室が形成された流路形成部と、前記流路形成部に前記圧力室を覆うように設けられた振動膜と、前記圧力室に対応して前記振動膜に配置された圧電膜と、前記圧電膜の前記振動膜側の面に配置された第１電極と、前記圧電膜の前記振動膜と反対側の面に配置された第２電極と、前記第２電極に接続された配線とを有する圧電アクチュエータと、を備えた、液体吐出装置の製造方法であって、
前記流路形成部の前記振動膜と反対側の部分を除去して、前記流路形成部の厚みを薄くする薄化工程を備え、
前記薄化工程の後に、前記圧電膜の前記振動膜と反対側の面に、前記第２電極を形成する電極形成工程を行うことを特徴とする、液体吐出装置の製造方法に関する発明である。
上記開示発明は、出願当初の特許請求の範囲の請求項４に対応するものであるが、上記開示発明の技術的範囲は、出願当初の請求項４が引用する、請求項１の構成を前提としないものを包含する。即ち、第２電極を先に形成してから、配線を形成する形態も含まれる。
以下、上記開示発明についての実施形態例について説明する。まず、図１１（ａ）に示すように、流路形成部２１に、振動膜３０、共通電極３１、圧電膜３２、第１保護膜３４まで成膜する。ここで、圧電アクチュエータ２２の製造を一旦中断して、製造途中の圧電アクチュエータ２２に粘着テープなどの保持部材６０を貼り付けた上で、流路形成部２１の下部を研磨等により除去して、流路形成部２１を薄くする。この薄化工程が終わると、図１１（ｂ）に示すように、保持部材６０を剥がし、流路形成部２１に支持部材６１を接合した上で、圧電アクチュエータ２２の製造を再開する。即ち、第１保護膜３４のエッチングを行ってから、絶縁膜３６、配線３５、第２保護膜３７、個別電極３３をそれぞれ形成する。ここで、前記実施形態のように、配線３５を形成してから個別電極３３を形成してもよいが、図１１（ｂ）のように、個別電極３３を先に形成してから、その後に、絶縁膜３６、配線３５、第２保護膜３７を形成し、配線３５を、その端部が個別電極３３に被さるように形成してもよい。
４ インクジェットヘッド
２０ ノズルプレート
２１ 流路形成部
２２ 圧電アクチュエータ
２３ リザーバ形成部材
２４ ノズル
２６ 圧力室
３０ 振動膜
３１ 共通電極
３２ 圧電膜
３３ 個別電極
３５ 配線
３６ 絶縁膜
３７ 第２保護膜
５３ インク供給流路
５６ 導電膜
５７ 導電膜
６１ 支持部材

Claims (13)

  1. ノズルに連通する圧力室が形成された流路形成部と、
    前記流路形成部に前記圧力室を覆うように設けられた振動膜と、前記圧力室に対応して前記振動膜に配置された圧電膜と、前記圧電膜の前記振動膜側の面に配置された第１電極と、前記圧電膜の前記振動膜と反対側の面に配置された第２電極と、前記第２電極に接続された配線とを有する圧電アクチュエータと、
    を備えた、液体吐出装置の製造方法であって、
    前記配線を、その一部が前記圧電膜に被さるように形成する配線形成工程と、
    前記流路形成部の前記振動膜と反対側の部分を除去して、前記流路形成部の厚みを薄くする薄化工程と、
    前記配線形成工程の後、かつ、前記薄化工程の後に、前記圧電膜の前記振動膜と反対側の面に、前記配線と導通するように前記第２電極を形成する電極形成工程と、
    を備えていることを特徴とする液体吐出装置の製造方法。
  2. ノズルに連通する圧力室が形成された流路形成部と、
    前記流路形成部に前記圧力室を覆うように設けられた振動膜と、前記圧力室に対応して前記振動膜に配置された圧電膜と、前記圧電膜の前記振動膜側の面に配置された第１電極と、前記圧電膜の前記振動膜と反対側の面に配置された第２電極と、前記第２電極に接続された配線とを有する圧電アクチュエータと、
    を備えた、液体吐出装置の製造方法であって、
    前記配線を、その一部が前記圧電膜に被さるように形成する配線形成工程と、
    前記配線形成工程の後に、前記配線を覆う保護膜を成膜する保護膜成膜工程と、
    前記配線形成工程の後、かつ、前記保護膜成膜工程の後に、前記圧電膜の前記振動膜と反対側の面に、前記配線と導通するように前記第２電極を形成する電極形成工程と、
    を備えていることを特徴とする液体吐出装置の製造方法。
  3. 前記保護膜成膜工程において、前記保護膜を、２００℃以上の温度条件下で成膜することを特徴とする請求項２に記載の液体吐出装置の製造方法。
  4. 前記保護膜成膜工程の後に、前記流路形成部の前記振動膜と反対側の部分を除去して、前記流路形成部の厚みを薄くする薄化工程をさらに備え、
    前記薄化工程後の前記流路形成部の前記振動膜と反対側の面に、支持部材を取り付ける、支持部材取付工程をさらに備え、
    前記支持部材取付工程の後に、前記電極形成工程を行うことを特徴とする請求項３に記載の液体吐出装置の製造方法。
  5. ノズルに連通する圧力室が形成された流路形成部と、
    前記流路形成部に前記圧力室を覆うように設けられた振動膜と、前記圧力室に対応して前記振動膜に配置された圧電膜と、前記圧電膜の前記振動膜側の面に配置された第１電極と、前記圧電膜の前記振動膜と反対側の面に配置された第２電極と、前記第２電極から延びるように前記第２電極に接続された配線であって、少なくとも前記第２電極に接続する部分において前記配線が延びる延在方向と直交しかつ前記反対側の面と平行な方向の幅が前記第２電極の前記幅よりも小さい配線とを有する圧電アクチュエータと、
    を備えた、液体吐出装置の製造方法であって、
    前記配線を、その一部が前記圧電膜に被さるように形成する配線形成工程と、
    前記配線形成工程の後に、前記圧電膜の前記振動膜と反対側の面に、前記配線と導通するように前記第２電極を形成する電極形成工程と、
    を備えていることを特徴とする液体吐出装置の製造方法。
  6. 前記配線形成工程では、前記振動膜から前記圧電膜にかけて導電膜を形成してから、この導電膜の一部をエッチングで除去することにより、前記配線を形成することを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の液体吐出装置の製造方法。
  7. 前記圧電アクチュエータの製造工程は、
    前記振動膜から前記圧電膜にかけて、絶縁膜を成膜する絶縁膜成膜工程をさらに備え、
    前記絶縁膜成膜工程の後に、前記配線形成工程を行って、前記絶縁膜の上に、前記配線を、その一部が前記圧電膜に被さるように形成することを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の液体吐出装置の製造方法。
  8. 前記絶縁膜成膜工程において、前記絶縁膜を、２００℃以上の温度条件下で成膜することを特徴とする請求項７に記載の液体吐出装置の製造方法。
  9. 前記絶縁膜成膜工程の後に、前記流路形成部の前記振動膜と反対側の部分を除去して、前記流路形成部の厚みを薄くする薄化工程をさらに備え、
    前記薄化工程後の前記流路形成部の前記振動膜と反対側の面に支持部材を取り付ける、支持部材取付工程をさらに備え、
    前記支持部材取付工程の後に、前記電極形成工程を行うことを特徴とする請求項８に記載の液体吐出装置の製造方法。
  10. 前記絶縁膜成膜工程において、前記絶縁膜を、前記圧電膜の全体を覆うように成膜し、
    前記圧電膜の前記振動膜と反対側の面の一部領域において、前記絶縁膜を除去する、絶縁膜除去工程をさらに備え、
    前記絶縁膜除去工程において、前記絶縁膜の、除去されずに残される部分の端部を、その先端に向かうほど厚みが薄くなるように、前記圧電膜の前記振動膜と反対側の面に直交する方向に対して４５〜７５度の角度で傾斜した形状に形成し、
    前記電極形成工程において、前記圧電膜の前記一部領域から、前記絶縁膜の傾斜した前記端部を経て、前記絶縁膜の上の前記配線まで跨るように、前記第２電極を形成することを特徴とする請求項７〜９の何れかに記載の液体吐出装置の製造方法。
  11. ノズルに連通する圧力室が形成された流路形成部と、前記流路形成部に設けられた圧電アクチュエータとを備え、
    前記圧電アクチュエータは、
    前記流路形成部に前記圧力室を覆うように設けられた振動膜と、
    前記振動膜に配置された圧電膜と、
    前記圧電膜の前記振動膜側の面に配置された第１電極と、
    前記圧電膜の前記振動膜と反対側の面に配置された第２電極と、
    その一部が前記圧電膜に被さるように形成され、前記第２電極から延びるように前記第２電極に接続された配線であって、少なくとも前記第２電極に接続する部分において前記配線が延びる延在方向と直交しかつ前記反対側の面と平行な方向の幅が前記第２電極の前記幅よりも小さい配線と、を有し、
    前記圧電膜の前記振動膜と反対側の面において、前記第２電極は、前記配線に覆い被さるように形成されていることを特徴とする液体吐出装置。
  12. ノズルに連通する圧力室が形成された流路形成部と、前記流路形成部に設けられた圧電アクチュエータとを備え、
    前記圧電アクチュエータは、
    前記流路形成部に前記圧力室を覆うように設けられた振動膜と、
    前記振動膜に配置された圧電膜と、
    前記圧電膜の前記振動膜側の面に配置された第１電極と、
    前記圧電膜の前記振動膜と反対側の面に前記圧力室に被さるように配置された第２電極と、
    その一部が前記圧電膜及び前記圧力室に被さるように形成され、前記第２電極に接続された配線と、を有し、
    前記圧電膜の前記振動膜と反対側の面において、前記第２電極は、前記配線に覆い被さるように形成されていることを特徴とする液体吐出装置。
  13. 前記配線の、前記圧電膜に被さっている端部の３つの側面は、それぞれ傾斜しており、
    前記第２電極は、前記配線の端部の前記傾斜した３つの側面をそれぞれ覆うことを特徴とする請求項１１又は１２に記載の液体吐出装置。
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