JP2009032708A - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板上に低誘電率材料からなる絶縁膜17を堆積し、RIEにより配線溝を形成する。この絶縁膜に真空中でUV照射を行い、エッチングにより生じたダメージ層を回復し、誘電率と屈折率を下げる。この溝に拡散防止膜19aとCuを埋め込み、配線とする。
【選択図】図10
Description
(a)UV照射時の基板温度
多層配線の製造工程においては、図2(B)に示したように、第一の配線層9を形成した後、全面に第二の低誘電率層間膜7−2、第三の低誘電率層間膜7−3を形成し、この第二、第三の低誘電率層間膜に配線溝とコンタクトホールを開口する。ここで、コンタクトホール底部には、下地の第一の配線層9が露出した状態となる。この状態でUV照射を行うと、半導体基板温度が一定温度以上では、第一の配線層9のCu表面に荒れが生じることが分かった。
(b)UV照射の雰囲気ガス
多層配線の製造工程において、低誘電率層間膜にコンタクトホールを形成し、下地のCu配線表面が露出した状態で、大気中においてUV照射を行うと、下地Cu配線表面の酸化が生じる。本発明者はCu配線の酸化を防止するため、減圧条件下でUV照射を行った。具体的には酸素が50ppm以下の条件で行うのが望ましい。これによりUV照射工程において、Cu配線を酸化させることなく、低誘電率層間膜のエッチングダメージを回復させることができた。
(c)UV照射の処理時間
エッチング工程によって低誘電率膜に生じたダメージ層の回復度合いが、UVの照射時間によってどのように異なるかを調べるため、サンプル(D)を作成した。サンプル(D)は図3のサンプル(C)と同様の条件で作成し、UVの照射時間についてはサンプル(C)が10分であるのに対し、15分間のUV照射を行った。図8は、サンプル(A)、(B)、(C)、(D)の比誘電率の比較結果を示す図である。サンプル(C)の比誘電率は2.5であるのに対し、サンプル(D)の比誘電率は更に2.3まで回復した。この比誘電率値はサンプル(A)の値とほぼ同じである。このことから低誘電率膜の誘電率は、UV照射によってエッチング工程を行う前の状態まで回復させ得ることが確認された。
Cuの拡散防止膜19aを成膜する前処理として、基板温度200℃、1.5Torr、H2雰囲気中で1〜2分維持する処理を行ってもよい。次に例えば厚さ30nmのCuシード層19bをスパッタ法により成膜し、Cuシード層19b上に例えば厚さ500nmのCu配線層19cをめっき法で形成する。
(付記1)
半導体基板上に第一の絶縁膜を堆積する工程と、
前記第一の絶縁膜の一部をエッチングする工程と、
次いで、前記第一の絶縁膜にUV照射を行う工程と、
を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
(付記2)
前記半導体基板上に前記第一の絶縁膜を堆積する工程は、
前記半導体基板上に第一の配線層を形成する工程と、
前記第一の配線層上に前記第一の絶縁膜を堆積する工程とを有することを特徴とする、
付記1記載の半導体デバイスの製造方法。
(付記3)
前記第一の絶縁膜の一部を前記エッチングする工程は、
前記第一の絶縁膜上にフォトレジストを堆積する工程と、
前記フォトレジストをパターニングする工程と、
前記パターニングされた前記フォトレジストをマスクとして、前記第一の絶縁膜の一部を前記エッチングする工程と、
前記パターニングされた前記フォトレジストをアッシングする工程とを有することを特徴とする、付記1又は2記載の半導体デバイスの製造方法。
(付記4)
前記第一の絶縁膜にUV照射を行う工程の後、
第二の配線層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする、付記1乃至3何れか1項に記載の半導体デバイスの製造方法。
(付記5)
前記第一の絶縁膜は、SiO2よりも比誘電率の低い絶縁材を含む膜であることを特徴とする、付記1乃至4何れか1項に記載の半導体デバイスの製造方法。
(付記6)
前記第一の絶縁膜は、C含有の絶縁材を含むことを特徴とする、付記1乃至5何れか1項に記載の半導体デバイスの製造方法。
(付記7)
前記第一の絶縁膜は、ポリアリーレン膜、ポリアリルエーテル膜、水素シルセスキオキサン膜、メチルシルセスキオキサン膜、シリコンカーバイド膜、ポーラスシリカ膜、もしくはこれらの混合膜、あるいはこれらの積層膜であることを特徴とする、付記1乃至6何れか1項に記載の半導体デバイスの製造方法。
(付記8)
前記第一の絶縁膜の一部を前記エッチングする工程の後、前記UV照射を行う工程の前に、前記第一の絶縁膜に有機溶媒ベーパ処理を行う工程をさらに有することを特徴とする、付記1乃至7の何れか1項に記載の半導体デバイスの製造方法。
(付記9)
前記有機溶媒は、メチル基を有することを特徴とする付記8記載の半導体デバイスの製造方法。
(付記10)
前記有機溶媒は、ジメチルアミノトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、ジビニルテトラメチルジシラザン、環式ジメチルシラザン、ヘプタメチルジシラザンの少なくとも一つを含むことを特徴とする付記8又は9に記載の半導体デバイスの製造方法。
(付記11)
前記UV照射は、不活性雰囲気で行われること特徴とする、付記1乃至10何れか1項に記載の半導体デバイスの製造方法。
(付記12)
前記不活性雰囲気は、Heガス、Arガス、N2ガスのいずれか一つ、もしくは複数を含むガスであること特徴とする、付記11に記載の半導体デバイスの製造方法。
(付記13)
前記UV照射は、150〜400nmの波長を有するUVを含んで行われることを特徴とする、付記1乃至12何れか1項に記載の半導体デバイスの製造方法。
(付記14)
前記UV照射は、光源として高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、エキシマレーザー発生器の何れか一つを用いて行われることを特徴とする付記1乃至13何れか1項に記載の半導体デバイスの製造方法。
(付記15)
前記第一の絶縁膜に前記UV照射を行う工程は、
光源にエキシマレーザー発生器を用いて行う第一の照射工程と、
光源に高圧水銀ランプを用いて行う第二の照射工程とを含むことを特徴とする付記1乃至14何れか1項に記載の半導体デバイスの製造方法。
(付記16)
前記UV照射は、前記半導体基板の温度が25〜300℃で行われることを特徴とする、付記1乃至15何れか1項に記載の半導体デバイスの製造方法。
(付記17)
前記第一の絶縁膜の一部をエッチングする工程は、前記第一の絶縁膜に配線溝を形成する工程であることを特徴とする、付記1乃至16何れか1項に記載の半導体デバイスの製造方法。
(付記18)
前記UV照射の工程の後、前記配線溝に拡散防止膜を堆積する工程をさらに有することを特徴とする、付記17に記載の半導体デバイスの製造方法。
(付記19)
前記拡散防止膜はTa、TaN、Ti、TiN、W、WN、Zr、ZrNのいずれかの膜もしくはこれらの積層膜であることを特徴とする、付記18に記載の半導体デバイスの製造方法。
(付記20)
前記拡散防止膜上に銅を堆積することを特徴とする付記19に記載の半導体デバイスの製造方法。
12;素子分離酸化膜
13;MOSトランジスタ
14;第一の層間絶縁膜
15;コンタクトプラグ
16;エッチングストッパ膜
17;第一の低誘電率層間膜
18、24;CMP犠牲膜
19a;拡散防止膜
19b;Cuシード層
19c;Cu配線層
19;第一の配線層
20、26;拡散防止キャップ膜
21;第二の低誘電率層間膜
22;ミドルストッパ膜
23;第三の低誘電率層間膜
25a;拡散防止膜
25b;Cuシード層
25c;Cu配線層
25;第二の配線層
R1、R2、R3;フォトレジスト
Claims (10)
- 半導体基板上に第一の絶縁膜を堆積する工程と、
前記第一の絶縁膜の一部をエッチングする工程と、
次いで、前記第一の絶縁膜にUV照射を行う工程と、
を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 前記半導体基板上に前記第一の絶縁膜を堆積する工程は、
前記半導体基板上に第一の配線層を形成する工程と、
前記第一の配線層上に前記第一の絶縁膜を堆積する工程とを有することを特徴とする、請求項1記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記第一の絶縁膜の一部を前記エッチングする工程は、
前記第一の絶縁膜上にフォトレジストを堆積する工程と、
前記フォトレジストをパターニングする工程と、
前記パターニングされた前記フォトレジストをマスクとして、前記第一の絶縁膜の一部を前記エッチングする工程と、
前記パターニングされた前記フォトレジストをアッシングする工程とを有することを特徴とする、請求項1又は2記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記第一の絶縁膜にUV照射を行う工程の後、
第二の配線層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1乃至3何れか1項に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記第一の絶縁膜は、C含有の絶縁材を含むことを特徴とする、請求項1乃至4何れか1項に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記第一の絶縁膜の一部を前記エッチングする工程の後、前記UV照射を行う工程の前に、前記第一の絶縁膜に有機溶媒ベーパ処理を行う工程をさらに有することを特徴とする、請求項1乃至5何れか1項に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記有機溶媒は、メチル基を有することを特徴とする請求項6記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記有機溶媒は、ジメチルアミノトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、ジビニルテトラメチルジシラザン、環式ジメチルシラザン、ヘプタメチルジシラザンの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記UV照射は、不活性雰囲気で行われること特徴とする、請求項1乃至8何れか1項に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記第一の絶縁膜に前記UV照射を行う工程は、
光源にエキシマレーザー発生器を用いて行う第一の照射工程と、
光源に高圧水銀ランプを用いて行う第二の照射工程とを含むことを特徴とする請求項1乃至9何れか1項に記載の半導体デバイスの製造方法。
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