JP2009021563A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 基板が載置された処理室内に反応性気体を導入し、
   前記基板と略平行に対向配置された導波管に設けられたスリットを介して前記処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを生成して前記基板上にセミアモルファス半導体層を有する光電変換層を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記反応性気体は、ヘリウムと半導体材料ガスとを含み、前記処理室内に設けられた一のノズルから前記ヘリウムを流し、他の一のノズルから前記半導体材料ガスを流して前記セミアモルファス半導体層を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
3. 請求項１において、
   前記反応性気体は、水素、希ガス、又は水素及び希ガスと、半導体材料ガスとを含み、前記処理室内に設けられた一のノズルから前記水素、前記希ガス、又は前記水素及び希ガスを流し、他の一のノズルから前記半導体材料ガスを流して前記セミアモルファス半導体層を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記処理室内の成膜圧力が、１×１０ ^−１ Ｐａ乃至１×１０ ^５ Ｐａであることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記プラズマは電子密度が１×１０^１１ｃｍ^−３以上１×１０^１３ｃｍ^−３以下であり、電子温度が０．２ｅＶ以上２．０ｅＶ以下であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記導波管に設けられたスリットは、誘電体で塞がれ、
   前記マイクロ波は前記誘電体を通して導入されることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   前記導波管は、前記基板の一に対して複数本配設され、
   前記複数本の導波管から供給されるマイクロ波により前記プラズマを生成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
8. 基板が載置される第１の処理室内に第１の反応性気体を導入し、前記基板と略平行に対向配置された第１の導波管に設けられたスリットを介して前記第１の処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを生成して前記基板上に第１のセミアモルファス半導体層を形成する段階と、
   前記基板を大気に晒すことなく前記第１の処理室から搬出し、第２の処理室へ移動させ、該基板が載置される前記第２の処理室内に第２の反応性気体を導入し、前記基板と略平行に対向配置された第２の導波管に設けられたスリットを介して前記第２の処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを生成して前記第１のセミアモルファス半導体層上に第２のセミアモルファス半導体層を形成する段階と、
   前記基板を大気に晒すことなく前記第２の処理室から搬出し、第３の処理室へ移動させ、該基板が載置される前記第３の処理室内に第３の反応性気体を導入し、前記基板と略平行に対向配置された第３の導波管に設けられたスリットを介して前記第３の処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを生成して前記第２のセミアモルファス半導体層上に第３のセミアモルファス半導体層を形成する段階とを有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
9. 基板上に複数のユニットセルを有し、
   前記複数のユニットセルは、それぞれ透光性電極と、光電変換層と、裏面電極を有し、
   前記透光性電極は、前記複数のユニットセルのうち隣接するユニットセルの裏面電極と電気的に接続された光電変換装置であって、
   前記光電変換層は、処理室に前記基板を載置し、前記処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを生成して作製されたセミアモルファス半導体層を有することを特徴とする光電変換装置。
10. 請求項９において
    前記透光性電極と、前記裏面電極との電気的な接続は、前記透光性電極及び前記光電変換層に開口された開口部を介して行われることを特徴とする光電変換装置。
11. 基板上にｎ個のユニットセルＵｎを有し、
    前記ｎ個のユニットセルＵｎは、それぞれ透光性電極Ｔｎと、光電変換層Ｋｎと、裏面電極Ｅｎを有し、
    前記透光性電極Ｔｎは、前記ｎ個のユニットセルＵｎのうち隣接するユニットセルＵｎ−１の裏面電極Ｅｎ−１と電気的に接続された光電変換装置であって、
    前記光電変換層Ｋｎは、処理室に前記基板を載置し、前記処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを生成して作製されたセミアモルファス半導体層を有することを特徴とする光電変換装置。